JP2664454B2 - 三状態光デバイス - Google Patents
三状態光デバイスInfo
- Publication number
- JP2664454B2 JP2664454B2 JP32638288A JP32638288A JP2664454B2 JP 2664454 B2 JP2664454 B2 JP 2664454B2 JP 32638288 A JP32638288 A JP 32638288A JP 32638288 A JP32638288 A JP 32638288A JP 2664454 B2 JP2664454 B2 JP 2664454B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical device
- quantum well
- optical
- predetermined
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 74
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 12
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000009102 absorption Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
- G02F3/02—Optical bistable devices
- G02F3/028—Optical bistable devices based on self electro-optic effect devices [SEED]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035236—Superlattices; Multiple quantum well structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は非線形光デバイス、より具体的には高利得又
は帰還を用いて、多安定光状態又は他の非線形光応答を
生じるデバイスに係る。
は帰還を用いて、多安定光状態又は他の非線形光応答を
生じるデバイスに係る。
本発明の背景 双安定光デバイスについては、エイチ・エス・ヒント
ン（H.S.Hinton）、エイ・エル・レンチン（A.L.Lentin
e）及びディー・エイ・ビー・ミラー（D.A.B.Miller）
の米国特許第4,754,132号に述べられており、それは真
性領域中に量子井戸を有する一対のｐ−ｉ−ｎフォトダ
イオードを含む。このデバイスは双安定メモリ要素とし
て動作し、相補的及び対称的光出力を有し、それによっ
て周知のセット及びリセット状態を有する光Ｓ−Ｒラッ
チとして機能する。このデバイスはデバイスの状態が低
パワーレベルビームを有するセット又はリセットになれ
るか、デバイスの状態が高いパワーレベルビームで順次
決められる時間とともに順次変化する利得を示す。この
デバイスのもう一つの特徴は、スイッチング点が２つの
入力光ビームの比で決り、そのため２つの入力ビームが
同じ源から導かれた時、デバイスか光パワー源の変動に
敏感になることである。相補的な出力ビームによりいわ
ゆる“デュアル・レイル”論理用途に使用することが容
易になる。
ン（H.S.Hinton）、エイ・エル・レンチン（A.L.Lentin
e）及びディー・エイ・ビー・ミラー（D.A.B.Miller）
の米国特許第4,754,132号に述べられており、それは真
性領域中に量子井戸を有する一対のｐ−ｉ−ｎフォトダ
イオードを含む。このデバイスは双安定メモリ要素とし
て動作し、相補的及び対称的光出力を有し、それによっ
て周知のセット及びリセット状態を有する光Ｓ−Ｒラッ
チとして機能する。このデバイスはデバイスの状態が低
パワーレベルビームを有するセット又はリセットになれ
るか、デバイスの状態が高いパワーレベルビームで順次
決められる時間とともに順次変化する利得を示す。この
デバイスのもう一つの特徴は、スイッチング点が２つの
入力光ビームの比で決り、そのため２つの入力ビームが
同じ源から導かれた時、デバイスか光パワー源の変動に
敏感になることである。相補的な出力ビームによりいわ
ゆる“デュアル・レイル”論理用途に使用することが容
易になる。
しかし、三状態光デバイスを有することが望ましい場
合に、用途が生じる。
合に、用途が生じる。
本発明の要約 例えば真性領域中に量子井戸を有する第１及び第２の
ｐ−ｉ−ｎフォトダイオードを有し、バイポーラスイッ
チ及び電源と直列に接続された三状態光デバイスのよう
な対称光デバイスに改善することにより、先の問題は解
決され、技術的進歩が達成される。一状態において、二
つの出力光ビームは第１の出力ビームが論理値“1"を表
わす強度をもち、第２のビームの強度が論理値“0"を表
わすように、相補的である。第２の状態においても、二
つの出力ビームは相補的であるが、それらは第１の状態
とは反対の論理値を表わす。たとえば、第１の出力ビー
ムは論理値“0"を表わし、第２の出力ビームは論理値
“1"を表わす。第３の状態において、第２の出力ビーム
は理論値“1"を表わす。第３の状態において、出力ビー
ムはともに理論値“0"を表わす。
ｐ−ｉ−ｎフォトダイオードを有し、バイポーラスイッ
チ及び電源と直列に接続された三状態光デバイスのよう
な対称光デバイスに改善することにより、先の問題は解
決され、技術的進歩が達成される。一状態において、二
つの出力光ビームは第１の出力ビームが論理値“1"を表
わす強度をもち、第２のビームの強度が論理値“0"を表
わすように、相補的である。第２の状態においても、二
つの出力ビームは相補的であるが、それらは第１の状態
とは反対の論理値を表わす。たとえば、第１の出力ビー
ムは論理値“0"を表わし、第２の出力ビームは論理値
“1"を表わす。第３の状態において、第２の出力ビーム
は理論値“1"を表わす。第３の状態において、出力ビー
ムはともに理論値“0"を表わす。
バイポーラスイッチがトランジスタである一実施例に
おいて、トランジスタのベース中の制御電流の、直列接
続された量子井戸ｐ−ｉ−ｎフォトダイオードのそれぞ
れに対して入射する光ビームの光出力に対する比が、閾
値より大きい時、トランジスタは短絡回路のように動作
する。しかし、フォトダイオードのそれぞれに入射する
光ビームのパワーに対するベース制御電流の比が第２の
閾値より小さい時、トランジスタは開放回路のように動
作する。この場合、電源電圧のすべてが、トランジスタ
のコレクタ及びエミッタ間にかかる。その結果、量子井
戸ｐ−ｉ−ｎフォトダイオードのそれぞれにかかる電圧
はゼロで、両方の光出力ビームのレベルは、理論値“0"
を表わす。重要な利点は、三状態光デバイスが所望の三
値を示すだけでなく、電気的に制御可能であり、光学的
にも制御可能であるということである。その結果、三状
態デバイスは電気的な制御とともに、光学的な制御も用
いられる光システムで、きわめて有用である。
おいて、トランジスタのベース中の制御電流の、直列接
続された量子井戸ｐ−ｉ−ｎフォトダイオードのそれぞ
れに対して入射する光ビームの光出力に対する比が、閾
値より大きい時、トランジスタは短絡回路のように動作
する。しかし、フォトダイオードのそれぞれに入射する
光ビームのパワーに対するベース制御電流の比が第２の
閾値より小さい時、トランジスタは開放回路のように動
作する。この場合、電源電圧のすべてが、トランジスタ
のコレクタ及びエミッタ間にかかる。その結果、量子井
戸ｐ−ｉ−ｎフォトダイオードのそれぞれにかかる電圧
はゼロで、両方の光出力ビームのレベルは、理論値“0"
を表わす。重要な利点は、三状態光デバイスが所望の三
値を示すだけでなく、電気的に制御可能であり、光学的
にも制御可能であるということである。その結果、三状
態デバイスは電気的な制御とともに、光学的な制御も用
いられる光システムで、きわめて有用である。
あるいは、電界効果トランジスタはバイポラトランジ
スタのベースに対する電流の刺激の代りに、ゲートに対
する電圧の刺激により、効果的にターンオン及びオフで
き、バイポーラトランジスタの代りに用いると有利であ
る。
スタのベースに対する電流の刺激の代りに、ゲートに対
する電圧の刺激により、効果的にターンオン及びオフで
き、バイポーラトランジスタの代りに用いると有利であ
る。
第３の実施例において、ｐ−ｉ−ｎフォトダイオード
のような光学的に制御可能なスイッチ要素は、量子井戸
フォトダイオード上への制御光ビームに加えて、三状態
光デバイスを光学的に制御するバイポーラスイッチと置
きかえると有利である。
のような光学的に制御可能なスイッチ要素は、量子井戸
フォトダイオード上への制御光ビームに加えて、三状態
光デバイスを光学的に制御するバイポーラスイッチと置
きかえると有利である。
これまで述べた三つの実施例のそれぞれは、これらデ
バイスの大きなアレイを形成するために、モノリシック
集積構造に製作できる。
バイスの大きなアレイを形成するために、モノリシック
集積構造に製作できる。
詳細な記述 第１図に描かれているのは、三状態光デバイス（40
0）の例で、双安定光デバイス（410）及びバイポーラス
イッチｎ−ｐ−ｎトランジスタ（406）を含み、それら
は電源（405）に直列に接続されている。双安定光デバ
イス（410）は直列に接続されたｐ−ｉ−ｎフォトダイ
オード（401）及び（402）から成り、それぞれ複数の量
子井戸領域（403）及び（404）を含む。光電流（174）
は、ｐ−ｉ−ｎフォトダイオード（401）に入射した第
１の組合された光パワーを有する光信号（153）及び（4
52）と、ｐ−ｉ−ｎフォトダイオード（402）に入射し
た第２の組合された光パワーを有する光信号（153）及
び（453）により生じた電流である。第１及び第２の組
合された光パワーのそれぞれに対するベース電流（17
3）の比が、第１のあらかじめ決められた量より大きい
時、バイポーラトランジスタ（406）は周知の“飽和”
状態にあり、そのコレクタ−エミッタ間に低電圧（0.
2V）を示す。この“飽和”状態において、トランジスタ
は短絡回路として動作し、光デバイス（410）はエイチ
・エス・ヒントン（H.S.Hinton）、エイ・エル・レンチ
ン（A.L.Lention）及びディー・エイ・ビー・ミラー
（D.A.B.Miller）の米国特許第4,754,132号に述べられ
ているように動作する。簡単にいうと、トランジスタ
（406）が飽和している時、双安定光デバイス（410）は
三状態光デバイス（400）と同様、光学的に双安定なＳ
−Ｒラッチとして動作する。フォトダイオード（402）
に印加された時、制御ビーム（453）はデバイスの状態
を周知の“リセット”状態にリセットする。刻時バイア
スビーム（153）がフォトダイオード（401）及び（40
2）に同時に印加された時、デバイスはフォトダイオー
ド（401）及び（402）から一対の相補的でかつ対称的な
出力ビーム（450）及び（451）を放出し、それぞれデバ
イスの相補状態及び実状態Ｑを表わす。
0）の例で、双安定光デバイス（410）及びバイポーラス
イッチｎ−ｐ−ｎトランジスタ（406）を含み、それら
は電源（405）に直列に接続されている。双安定光デバ
イス（410）は直列に接続されたｐ−ｉ−ｎフォトダイ
オード（401）及び（402）から成り、それぞれ複数の量
子井戸領域（403）及び（404）を含む。光電流（174）
は、ｐ−ｉ−ｎフォトダイオード（401）に入射した第
１の組合された光パワーを有する光信号（153）及び（4
52）と、ｐ−ｉ−ｎフォトダイオード（402）に入射し
た第２の組合された光パワーを有する光信号（153）及
び（453）により生じた電流である。第１及び第２の組
合された光パワーのそれぞれに対するベース電流（17
3）の比が、第１のあらかじめ決められた量より大きい
時、バイポーラトランジスタ（406）は周知の“飽和”
状態にあり、そのコレクタ−エミッタ間に低電圧（0.
2V）を示す。この“飽和”状態において、トランジスタ
は短絡回路として動作し、光デバイス（410）はエイチ
・エス・ヒントン（H.S.Hinton）、エイ・エル・レンチ
ン（A.L.Lention）及びディー・エイ・ビー・ミラー
（D.A.B.Miller）の米国特許第4,754,132号に述べられ
ているように動作する。簡単にいうと、トランジスタ
（406）が飽和している時、双安定光デバイス（410）は
三状態光デバイス（400）と同様、光学的に双安定なＳ
−Ｒラッチとして動作する。フォトダイオード（402）
に印加された時、制御ビーム（453）はデバイスの状態
を周知の“リセット”状態にリセットする。刻時バイア
スビーム（153）がフォトダイオード（401）及び（40
2）に同時に印加された時、デバイスはフォトダイオー
ド（401）及び（402）から一対の相補的でかつ対称的な
出力ビーム（450）及び（451）を放出し、それぞれデバ
イスの相補状態及び実状態Ｑを表わす。
第１及び第２の組合された光パワーのそれぞれに対す
るベース電流（173）の比が、第２のあらかじめ決めら
れた量より小さい時、ｎ−ｐ−ｎトランジスタは開放回
路として働き、トランジスタのコレクタ−エミッタ電圧
は電源電圧（405）にほぼ等しい。この場合、ｐ−ｉ−
ｎフォトダイオード（401）及び（402）のそれぞれ従っ
て量子井戸領域（403）及び（404）のそれぞれにかかる
電圧は、ほぼゼロに等しく、各量子井戸領域の光吸収は
最大になる。その結果、出力光ビーム（450）及び（45
1）はもはや相補的ではない。その代り、出力光ビーム
のそれぞれは論理値“0"を表わす光パワーレベルを有す
る。従って、光デバイス（400）は三状態デバイスと言
える。対応する極性をもつｐ−ｎ−ｐトランジスタを、
ｎ−ｐ−ｎトランジスタ（406）の代りに用いてもよ
い。
るベース電流（173）の比が、第２のあらかじめ決めら
れた量より小さい時、ｎ−ｐ−ｎトランジスタは開放回
路として働き、トランジスタのコレクタ−エミッタ電圧
は電源電圧（405）にほぼ等しい。この場合、ｐ−ｉ−
ｎフォトダイオード（401）及び（402）のそれぞれ従っ
て量子井戸領域（403）及び（404）のそれぞれにかかる
電圧は、ほぼゼロに等しく、各量子井戸領域の光吸収は
最大になる。その結果、出力光ビーム（450）及び（45
1）はもはや相補的ではない。その代り、出力光ビーム
のそれぞれは論理値“0"を表わす光パワーレベルを有す
る。従って、光デバイス（400）は三状態デバイスと言
える。対応する極性をもつｐ−ｎ−ｐトランジスタを、
ｎ−ｐ−ｎトランジスタ（406）の代りに用いてもよ
い。
第２図に描かれるように、周知の電界効果トランジス
タ（407）及び電源（412）がそれぞれ、第１図のｎ−ｐ
−ｎトランジスタ（406）及び電流源（411）に置きかえ
られる。FET（407）のゲート−ソース電圧が十分負の
時、デバイスは開放回路として動作し、それぞれが論理
値“0"を表わす低パワーレベルを有する一対の出力光ビ
ームを放出する。FET（407）のゲート−ソース電圧が閾
値電圧より十分上にある時、FET（407）は短絡回路とし
て動作し、相補的な低論理値及び高論理値“0"及び“1"
を表わす相補的な出力光ビームを放出する。
タ（407）及び電源（412）がそれぞれ、第１図のｎ−ｐ
−ｎトランジスタ（406）及び電流源（411）に置きかえ
られる。FET（407）のゲート−ソース電圧が十分負の
時、デバイスは開放回路として動作し、それぞれが論理
値“0"を表わす低パワーレベルを有する一対の出力光ビ
ームを放出する。FET（407）のゲート−ソース電圧が閾
値電圧より十分上にある時、FET（407）は短絡回路とし
て動作し、相補的な低論理値及び高論理値“0"及び“1"
を表わす相補的な出力光ビームを放出する。
出力光ビームのパワーレベルの状態を示す直理値表
が、表Ａに示されている。
が、表Ａに示されている。
第３図に描かれるように、量子井戸領域（409）を有
する第３のｐ−ｉ−ｎフォトダイオード（408）が、第
１図に示されるｎ−ｐ−ｎバイポーラトランジスタ（40
6）に置き代っている。このフォトダイオードはｐ−ｉ
−ｎフォトダイオード（401）及び（402）と同一でもよ
く、あるいはそれは量子井戸領域（409）を含まなくて
もよい。動作中入力制御光ビーム（175）が、第１のｐ
−ｉ−ｎフォトダイオード（401）に入射する光入力ビ
ーム（153）及び（452）及び第２のｐ−ｉ−ｎフォトダ
イオード（402）に入射する光入力ビーム（153）及び
（453）の組合されたパワーレベルより本質的に大きい
時、ｐ−ｉ−ｎフォトダイオード（409）は約ゼロボル
トの電圧降下を示し、デバイスは短絡回路として動作す
る。その結果、三状態デバイス（400）は先に述べたよ
うに、光Ｓ−Ｒラッチとして動作する。あるいは、入力
制御ビーム（175）のパワーレベルが、第１のｐ−ｉ−
ｎフォトダイオード（401）に入射する光入力信号（15
3）及び（452）及び第２のｐ−ｉ−ｎフォトダイオード
（402）に入射する光信号（153）（453）の組合された
パワーレベルより本質的に小さい時、ｐ−ｉ−ｎフォト
ダイオード（408）にかかる電圧は、電源（405）の電圧
にほぼ等しく、フォトダイオード（401）及び（402）上
の電圧は、ほぼゼロボルトになる。出力光ビーム（45
0）及び（451）はともに開放回路として動作するｎ−ｐ
−ｎトランジスタ（406）について述べたように、低論
理値“0"を表わすパワーレベルとなる。
する第３のｐ−ｉ−ｎフォトダイオード（408）が、第
１図に示されるｎ−ｐ−ｎバイポーラトランジスタ（40
6）に置き代っている。このフォトダイオードはｐ−ｉ
−ｎフォトダイオード（401）及び（402）と同一でもよ
く、あるいはそれは量子井戸領域（409）を含まなくて
もよい。動作中入力制御光ビーム（175）が、第１のｐ
−ｉ−ｎフォトダイオード（401）に入射する光入力ビ
ーム（153）及び（452）及び第２のｐ−ｉ−ｎフォトダ
イオード（402）に入射する光入力ビーム（153）及び
（453）の組合されたパワーレベルより本質的に大きい
時、ｐ−ｉ−ｎフォトダイオード（409）は約ゼロボル
トの電圧降下を示し、デバイスは短絡回路として動作す
る。その結果、三状態デバイス（400）は先に述べたよ
うに、光Ｓ−Ｒラッチとして動作する。あるいは、入力
制御ビーム（175）のパワーレベルが、第１のｐ−ｉ−
ｎフォトダイオード（401）に入射する光入力信号（15
3）及び（452）及び第２のｐ−ｉ−ｎフォトダイオード
（402）に入射する光信号（153）（453）の組合された
パワーレベルより本質的に小さい時、ｐ−ｉ−ｎフォト
ダイオード（408）にかかる電圧は、電源（405）の電圧
にほぼ等しく、フォトダイオード（401）及び（402）上
の電圧は、ほぼゼロボルトになる。出力光ビーム（45
0）及び（451）はともに開放回路として動作するｎ−ｐ
−ｎトランジスタ（406）について述べたように、低論
理値“0"を表わすパワーレベルとなる。
集積回路デバイスは、エイチ・エス・ヒントン（H.S.
Hinton）、エイ・エル・レンチン（A.L.Lentine）及び
ディー・エイ・ビー・ミラー（D.A.B.Miller）の米国特
許第4,754,132号の第８図及び第９図に描かれた構造を
用いて作られ、その明細書の第７図に描かれた２つのメ
サの代りに３つのメサがある。第３図の三状態光デバイ
スのモノリシックに集積されたものが、第６図に描かれ
ている。
Hinton）、エイ・エル・レンチン（A.L.Lentine）及び
ディー・エイ・ビー・ミラー（D.A.B.Miller）の米国特
許第4,754,132号の第８図及び第９図に描かれた構造を
用いて作られ、その明細書の第７図に描かれた２つのメ
サの代りに３つのメサがある。第３図の三状態光デバイ
スのモノリシックに集積されたものが、第６図に描かれ
ている。
第４図に描かれるように、第１図に描かれたデバイス
のモノリシックに集積化されたものは各真性領域中に、
量子井戸を有する２つのｐ−ｉ−ｎフォトダイオード
（602）と（603）とともに、ｎ−ｐ−ｎヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタ（604）を含む。一般的な構造は米
国特許第4,546,244号の続編である米国特許第785,546号
の続編である“非線形及び双安定光デバイス”と題する
ディー・エイ・ビー・ミラー（D.A.B.Miller）が1987年
１月14日に申請し、1987年12月29日に承認された米国特
許題4,716,449号に述べられている。材料は分子線エピ
タキシーにより成長でき、標準的な技術を用いて加工で
きる。基板（601）はｐ−ｉ−ｎフォトダイオード（60
2）及び（603）の下がエッチされ、光が通過するように
する。光入力ビーム（605）及び（606）がデバイスの最
上部に入射し、各光出力ビーム（607）及び（608）が、
デバイスの底部から放出される。トランジスタ（604）
のベースに標準的な周知の技術を用いて、制御リード
（609）が固着される。電力供給端子（610）及び（61
1）を経て、電力源への接続が作られる。
のモノリシックに集積化されたものは各真性領域中に、
量子井戸を有する２つのｐ−ｉ−ｎフォトダイオード
（602）と（603）とともに、ｎ−ｐ−ｎヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタ（604）を含む。一般的な構造は米
国特許第4,546,244号の続編である米国特許第785,546号
の続編である“非線形及び双安定光デバイス”と題する
ディー・エイ・ビー・ミラー（D.A.B.Miller）が1987年
１月14日に申請し、1987年12月29日に承認された米国特
許題4,716,449号に述べられている。材料は分子線エピ
タキシーにより成長でき、標準的な技術を用いて加工で
きる。基板（601）はｐ−ｉ−ｎフォトダイオード（60
2）及び（603）の下がエッチされ、光が通過するように
する。光入力ビーム（605）及び（606）がデバイスの最
上部に入射し、各光出力ビーム（607）及び（608）が、
デバイスの底部から放出される。トランジスタ（604）
のベースに標準的な周知の技術を用いて、制御リード
（609）が固着される。電力供給端子（610）及び（61
1）を経て、電力源への接続が作られる。
第５図に描かれるように、第２図に描かれたデバイス
のモノリシックに集積化されたものは、真性領域中に量
子井戸を有する２つのｐ−ｉ−ｎフォトダイオード（70
2）及び（703）を有するGaAs金属−半導体電界効果トラ
ンジスタ、MESFET（704）を集積化したものである。入
力光ビーム（706）及び（707）がデバイスの最上部に入
射し、各出力ビーム（708）及び（709）がデバイスの底
部から放出される。基板及びＮ−GaAs層はこれらの層が
原因となる放出ビームの減衰を除去するため、ｐ−ｉ−
ｎフォトダイオード（702）及び（703）の底部の一部の
下から除去しなければならない。MESFET（704）は標準
的な周知のプロセスを用いて作られる。電力源接続は導
電体（710）及び（711）により示され、制御リードは
（705）により示されている。
のモノリシックに集積化されたものは、真性領域中に量
子井戸を有する２つのｐ−ｉ−ｎフォトダイオード（70
2）及び（703）を有するGaAs金属−半導体電界効果トラ
ンジスタ、MESFET（704）を集積化したものである。入
力光ビーム（706）及び（707）がデバイスの最上部に入
射し、各出力ビーム（708）及び（709）がデバイスの底
部から放出される。基板及びＮ−GaAs層はこれらの層が
原因となる放出ビームの減衰を除去するため、ｐ−ｉ−
ｎフォトダイオード（702）及び（703）の底部の一部の
下から除去しなければならない。MESFET（704）は標準
的な周知のプロセスを用いて作られる。電力源接続は導
電体（710）及び（711）により示され、制御リードは
（705）により示されている。
加えて、FETは選択ドープヘテロ構造電界効果トラン
ジスタ（SDHT）あるいは高電子移動度トランジスタ（HE
MT）でよく、あるいはデバイス全体をインジウムリン及
びガリウムインジウムヒ素リンのような異なる材料を用
いて構成してもよい。
ジスタ（SDHT）あるいは高電子移動度トランジスタ（HE
MT）でよく、あるいはデバイス全体をインジウムリン及
びガリウムインジウムヒ素リンのような異なる材料を用
いて構成してもよい。
第１図は双安定光デバイス及びバイポーラスイッチを含
む三状態デバイスの例を示す図； 第２図は第１図の三状態光デバイスの第２の実施例を示
す図； 第３図は第１図の三状態光デバイスの第３の実施例を示
す図； 第４図は第１図の光デバイスをモノリシックに集積化し
たものを示す図； 第５図は第２図の三状態光デバイスをモノリシックに集
積化したものを示す図； 第６図は第３図の三状態光デバイスをモノリシックに集
積化したものを示す図である。 （主要部分の符号の説明） ｐ−ｉ−ｎフォトダイオード……401、402、602、603、
702、703 量子井戸領域……403、404 双安定光デバイス……410 基板……601 ｎ−ｐ−ｎヘテロ結合バイポーラトランジスタ……604 導電体……710、711
む三状態デバイスの例を示す図； 第２図は第１図の三状態光デバイスの第２の実施例を示
す図； 第３図は第１図の三状態光デバイスの第３の実施例を示
す図； 第４図は第１図の光デバイスをモノリシックに集積化し
たものを示す図； 第５図は第２図の三状態光デバイスをモノリシックに集
積化したものを示す図； 第６図は第３図の三状態光デバイスをモノリシックに集
積化したものを示す図である。 （主要部分の符号の説明） ｐ−ｉ−ｎフォトダイオード……401、402、602、603、
702、703 量子井戸領域……403、404 双安定光デバイス……410 基板……601 ｎ−ｐ−ｎヘテロ結合バイポーラトランジスタ……604 導電体……710、711
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 米国特許4716449（ＵＳ，Ａ) 米国特許4546244（ＵＳ，Ａ)
Claims (16)
- 【請求項１】それぞれが第１および第２の量子井戸領域
含む第１および第２の手段であって、それぞれが第１お
よび第２の光パワーを有する第１および第２の光ビーム
にそれぞれ応答する第１および第２の手段と、 電流に応答して該第１および第２の量子井戸領域の各々
の光吸収を電気的に制御する第３の手段であって、該第
１の光パワーに対する該電流の第１の比および第２の光
パワーに対する該電流の第２の比の少なくとも１つが第
１の予め定められた量を上回るときに、該第１の量子井
戸領域の光吸収を第１および第２の予め定められたレベ
ルのうちの一方のレベルになるようにし、かつ該第２の
量子井戸領域の光吸収を該第１および第２の予め定めら
れたレベルのうちの他方のレベルになるようにし、また
該第１および第２の比の両方が第２の予め定められた量
を下回るときには該第１および第２の量子井戸領域の両
方の光吸収を該第１および第２の予め定められたレベル
より大きいレベルになるように制御する第３の手段とを
含む光デバイス。 - 【請求項２】請求項１に記載の光デバイスにおいて、 該光デバイスは、該第１および第２の比の両方が該第１
の予め定められた量よりも大きく、該第２の光パワーに
対する該第１の比が第３の予め定められた量よりも大き
いとき該第１および第２の量子井戸領域の光吸収がそれ
ぞれ該第１および第２の予め定められたレベルにある第
１の相補状態を有しており、また該デバイスは、該第１
および第２の比の両方が該第１の予め定められた量より
も大きく該第２の光パワーに対する該第１の該比が第４
の予め定められた量よりも小さいとき、該第１および第
２の量子井戸領域の光吸収が該第２および第１の予め定
められたレベルにある第２の相補状態を有するものであ
る光デバイス。 - 【請求項３】請求項１に記載の光デバイスにおいて、該
第３の手段はｐ−ｎ−ｐバイポーラトランジスタを含む
光デバイス。 - 【請求項４】請求項１に記載の光デバイスにおいて、該
第３の手段はｎ−ｐ−ｎバイポーラトランジスタを含む
光デバイス。 - 【請求項５】請求項４に記載の光デバイスにおいて、該
第１および第２の手段は、それぞれ第１および第２の真
性領域を有する第１および第２のｐ−ｉ−ｎフォトダイ
オードを含み、該第１および第２の量子井戸領域はそれ
ぞれ該第１および第２の真性領域中に含まれる光デバイ
ス。 - 【請求項６】請求項５に記載の光デバイスにおいて、該
ｎ−ｐ−ｎバイポーラトランジスタは、ベース、エミッ
タおよびコレクタ領域を有し、該ベース領域中にGaAs、
該エミッタ領域中にAlGaAsおよび該コレクタ領域中にGa
AsまたはAlGaAsを有するヘテロ接合バイポーラトランジ
スタを含む光デバイス。 - 【請求項７】それぞれが第１および第２の量子井戸領域
を含み第１および第２の光ビームに応答する第１および
第２の手段と、 電圧に応答して該第１および第２の量子井戸領域の各々
の光吸収を電気的に制御するための第３の手段であっ
て、該電圧が第１の予め定められた量を上回るときに、
該第１の量子井戸領域の光吸収が第１および第２の予め
定められたレベルのうちの一方のレベルになるように
し、かつ該第２の量子井戸領域の光吸収が該第１および
第２の予め定められたレベルのうちの他方のレベルにな
るようにし、また該電圧が第２の予め定められた量を下
回るときに、該第１および第２の量子井戸領域の両方の
光吸収が該第１および第２の予め定められたレベルの最
大のものになるように制御する第３の手段とを含むもの
である光デバイス。 - 【請求項８】請求項７に記載の光デバイスにおいて、該
手段は電界効果型トランジスタ（FET）を含む光デバイ
ス。 - 【請求項９】請求項８に記載の光デバイスにおいて、該
第１および第２の手段は、それぞれ第１および第２の真
性領域を有する第１および第２のｐ−ｉ−ｎフォトダイ
オードを含み、該第１および第２の量子井戸領域はそれ
ぞれ該第１および第２の真性領域中に含まれる光デバイ
ス。 - 【請求項１０】それぞれが第１および第２の量子井戸領
域を含み各々強度を有する第１および第２の光ビームに
応答する第１および第２の手段と、強度を有する第３の
光ビームに応答して該第１および第２の量子井戸領域の
各々の光吸収を電気的に制御するための第３の手段であ
って、該第１の光ビームに対する該第３の光ビームの強
度の第１の比および該第２の光ビームに対する該第３の
光ビームの強度の第２の比のうちの少なくとも一方が第
１の予め定められた量を上回るときに、第１の量子井戸
領域の光吸収が第１および第２の予め定められたレベル
のうちの一方のレベルになるようにし、かつ該第１およ
び第２の量子井戸領域の他方の光吸収が該第１および第
２の予め定められたレベルの他方のレベルになるように
し、該第１および第２の比の両方が第２の予め定められ
た量を下回るときに、該第１および第２の量子井戸領域
の両方の光吸収が該第１および第２の予め定められたレ
ベルのうちの最大のものとなるように制御する第３の手
段とを含むものである光デバイス。 - 【請求項１１】請求項10に記載の光デバイスにおいて、
該第１、第２および第３の手段はそれぞれ真性領域を有
するｐ−ｉ−ｎフォトダイオードを含み、該第１および
第２の手段は真性領域中にそれぞれ該第１および第２の
量子井戸領域を有する光デバイス。 - 【請求項１２】請求項11に記載の光デバイスにおいて、
前記第３の手段は真性領域と前記真性領域中に量子井戸
領域を有するｐ−ｉ−ｎフォトダイオードを含む光デバ
イス。 - 【請求項１３】請求項10に記載の光デバイスにおいて、
該光デバイスは、該第１および第２の比の両方が該予め
定められた量よりも大きく該第２の光ビームに対する該
第１の光ビームの強度の比が第３の予め定められた量よ
りも大きいときに、該第１および第２の量子井戸領域の
光吸収がそれぞれ該第１および第２の予め定められたレ
ベルにある第１の相補状態を有しており、また光デバイ
スは、該第１および第２の比の両方が該第１の予め定め
られた量よりも大きく、該第２の光ビームに対する該第
１のものの強度の該比が第４の予め定められた量よりも
小さいときに、該第１および第２の量子井戸領域の光吸
収が該第２および第１の予め定められたレベルにある第
２の相補状態を有するものである光デバイス。 - 【請求項１４】光電流を制御するための第１および第２
の状態を有し光電流を制御するためのスイッチ手段と、 該スイッチ手段に直列に電気接続され各々量子井戸領域
を有する２つのｐ−ｉ−ｎダイオードからなる双安定光
デバイスであって、 第１および第２の制御光ビームに応答して該第２の制御
光ビームに対する第１の制御光ビームの比が予め定めら
れた閾値を上回り該スイッチ手段が該第１の状態にある
ときに相補的なパワーレベルを有する第１および第２の
出力光ビームを放出し、また該スイッチ手段が該第２の
状態にあるときにともに定められたパワーレベルを有す
る第１および第２の出力光ビームを放出する双安定光デ
バイスとを含む光デバイス。 - 【請求項１５】請求項14に記載の光デバイスにおいて、
該スイッチ手段が電気的に制御可能なスイッチを含む光
デバイス。 - 【請求項１６】請求項15に記載の光デバイスにおいて、
該スイッチ手段がフォトダイオードを含む光デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US140,198 | 1987-12-31 | ||
| US07/140,198 US4800262A (en) | 1987-12-31 | 1987-12-31 | Tri-state optical device with quantum well absorption |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0277039A JPH0277039A (ja) | 1990-03-16 |
| JP2664454B2 true JP2664454B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=22490172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32638288A Expired - Lifetime JP2664454B2 (ja) | 1987-12-31 | 1988-12-26 | 三状態光デバイス |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4800262A (ja) |
| EP (1) | EP0323074B1 (ja) |
| JP (1) | JP2664454B2 (ja) |
| CA (1) | CA1299717C (ja) |
| DE (1) | DE3881368T2 (ja) |
| ES (1) | ES2040360T3 (ja) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4904859A (en) * | 1989-01-17 | 1990-02-27 | American Telephone And Telegraph Company | Self electrooptic effect device employing asymmetric quantum wells |
| US4985621A (en) * | 1989-04-11 | 1991-01-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Electrooptical switch with separate detector and modulator modules |
| EP0392480B1 (en) * | 1989-04-12 | 1997-03-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device |
| US4914286A (en) * | 1989-04-20 | 1990-04-03 | At&T Bell Laboratories | Method and apparatus for increasing the processing capacity of optical digital processing systems having optically bistable devices |
| US4967068A (en) * | 1989-08-28 | 1990-10-30 | At&T Bell Laboratories | Single-ended optical logic arrangement |
| FR2655433B1 (fr) * | 1989-12-01 | 1992-06-26 | France Etat | Procede et dispositif de modulation electro-optique, utilisant la transition oblique a basse energie d'un super-reseau tres couple. |
| JPH03228032A (ja) * | 1990-02-01 | 1991-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光方向性結合器 |
| US5093565A (en) * | 1990-07-18 | 1992-03-03 | At&T Bell Laboratories | Apparatus for sequential optical systems where an independently controllable transmission gate is interposed between successive optoelectronic gates |
| US5126553A (en) * | 1990-11-28 | 1992-06-30 | Bell Communications Research, Inc. | Bistable optically switchable resonant-tunneling device and its use in signal processing |
| US5130528A (en) * | 1991-03-01 | 1992-07-14 | International Business Machines Corporation | Opto-photo-electric switch |
| JP2906713B2 (ja) * | 1991-03-29 | 1999-06-21 | 三菱電機株式会社 | 光素子の多重安定性取得方法 |
| US5198656A (en) * | 1991-06-06 | 1993-03-30 | At&T Bell Laboratories | Dynamic optical logic using voltage pull up |
| JPH0782754B2 (ja) * | 1991-08-02 | 1995-09-06 | 株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所 | 半導体光素子 |
| US5251052A (en) * | 1992-09-02 | 1993-10-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | System for solving boolean equations using optical lookup tables |
| US5311008A (en) * | 1992-12-28 | 1994-05-10 | At&T Bell Laboratories | Self-electrooptic effect device for providing integer gain to input optical signals having series connected quantum well diodes |
| US5408107A (en) * | 1993-05-20 | 1995-04-18 | The Board Of Regents Of The University Of Texas System | Semiconductor device apparatus having multiple current-voltage curves and zero-bias memory |
| US5414785A (en) * | 1993-09-13 | 1995-05-09 | At&T Corp. | Optical data bus having collision detection capability |
| EP0682373B1 (en) * | 1994-05-12 | 1998-06-03 | Hitachi Europe Limited | Optoelectronic integrated circuit |
| US5747791A (en) * | 1996-04-25 | 1998-05-05 | Coroy; Trenton G. | Method and devices for wavelength and power demodulation based on the use of a quantum well electroabsorption filtering detector |
| US6198580B1 (en) | 1998-08-17 | 2001-03-06 | Newport Corporation | Gimballed optical mount |
| US6516130B1 (en) | 1998-12-30 | 2003-02-04 | Newport Corporation | Clip that aligns a fiber optic cable with a laser diode within a fiber optic module |
| FR2790115B1 (fr) | 1999-02-23 | 2001-05-04 | Micro Controle | Procede et dispositif pour deplacer un mobile sur une base montee elastiquement par rapport au sol |
| US6996506B2 (en) * | 1999-02-23 | 2006-02-07 | Newport Corporation | Process and device for displacing a moveable unit on a base |
| US6511035B1 (en) | 1999-08-03 | 2003-01-28 | Newport Corporation | Active vibration isolation systems with nonlinear compensation to account for actuator saturation |
| US6655840B2 (en) | 2001-02-13 | 2003-12-02 | Newport Corporation | Stiff cross roller bearing configuration |
| US6601524B2 (en) | 2001-03-28 | 2003-08-05 | Newport Corporation | Translation table with a spring biased dovetail bearing |
| US6791058B2 (en) | 2001-04-25 | 2004-09-14 | Newport Corporation | Automatic laser weld machine for assembling photonic components |
| US6568666B2 (en) | 2001-06-13 | 2003-05-27 | Newport Corporation | Method for providing high vertical damping to pneumatic isolators during large amplitude disturbances of isolated payload |
| US6619611B2 (en) | 2001-07-02 | 2003-09-16 | Newport Corporation | Pneumatic vibration isolator utilizing an elastomeric element for isolation and attenuation of horizontal vibration |
| US6754417B2 (en) | 2002-04-24 | 2004-06-22 | Agilent Technologies, Inc. | Optical fiber tap capable of random placement along an optical fiber |
| US7184669B2 (en) | 2002-04-26 | 2007-02-27 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optical transceiver systems and methods |
| US6966535B2 (en) * | 2002-05-07 | 2005-11-22 | Newport Corporation | Snubber for pneumatically isolated platforms |
| US7320455B2 (en) | 2003-10-24 | 2008-01-22 | Newport Corporation | Instrumented platform for vibration-sensitive equipment |
| US8231098B2 (en) | 2004-12-07 | 2012-07-31 | Newport Corporation | Methods and devices for active vibration damping of an optical structure |
| US11011666B2 (en) * | 2018-08-15 | 2021-05-18 | National Taiwan University Of Science And Technology | Optoelectronic semiconductor structure having a bipolar phototransistor structure and manufacturing method thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4546244A (en) | 1984-03-14 | 1985-10-08 | At&T Bell Laboratories | Nonlinear and bistable optical device |
| US4716449A (en) | 1984-03-14 | 1987-12-29 | American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories | Nonlinear and bistable optical device |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3753247A (en) * | 1971-04-22 | 1973-08-14 | Rca Corp | Array of devices responsive to differential light signals |
| US4166224A (en) * | 1977-06-17 | 1979-08-28 | Hutson Jerald L | Photosensitive zero voltage semiconductor switching device |
| CA1188753A (en) * | 1981-07-30 | 1985-06-11 | R. Ian Macdonald | Optoelectronic logic |
| US4525687A (en) * | 1983-02-28 | 1985-06-25 | At&T Bell Laboratories | High speed light modulator using multiple quantum well structures |
| US4691111A (en) * | 1984-04-05 | 1987-09-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Multiple gap optically activated switch |
| JPS63501528A (ja) * | 1985-10-08 | 1988-06-09 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | 非線形双安定光デバイス |
| US4720175A (en) * | 1985-12-02 | 1988-01-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Composite logic gate element and multiplexer for optical computing and optical communication |
| US4754132A (en) * | 1987-04-24 | 1988-06-28 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Symmetric optical device with quantum well absorption |
| US4751378B1 (en) * | 1987-04-24 | 2000-04-25 | Bell Telephone Labor Inc | Optical device with quantum well absorption |
| US4749850A (en) * | 1987-04-27 | 1988-06-07 | American Telephone And Telegraph Company | High speed quantum well optical detector |
-
1987
- 1987-12-31 US US07/140,198 patent/US4800262A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-11-29 CA CA000584403A patent/CA1299717C/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-13 DE DE8888311780T patent/DE3881368T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-13 EP EP88311780A patent/EP0323074B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-13 ES ES198888311780T patent/ES2040360T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-26 JP JP32638288A patent/JP2664454B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4546244A (en) | 1984-03-14 | 1985-10-08 | At&T Bell Laboratories | Nonlinear and bistable optical device |
| US4716449A (en) | 1984-03-14 | 1987-12-29 | American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories | Nonlinear and bistable optical device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0323074B1 (en) | 1993-05-26 |
| US4800262A (en) | 1989-01-24 |
| JPH0277039A (ja) | 1990-03-16 |
| DE3881368T2 (de) | 1993-09-02 |
| ES2040360T3 (es) | 1993-10-16 |
| DE3881368D1 (de) | 1993-07-01 |
| EP0323074A2 (en) | 1989-07-05 |
| EP0323074A3 (en) | 1990-05-30 |
| CA1299717C (en) | 1992-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2664454B2 (ja) | 三状態光デバイス | |
| US4806997A (en) | Double heterostructure optoelectronic switch | |
| US5132982A (en) | Optically controlled surface-emitting lasers | |
| US4388633A (en) | Monolithic transistor coupled electroluminescent diode | |
| JP3016302B2 (ja) | ｐｎｐｎ半導体素子とその駆動回路 | |
| US4439910A (en) | Process for fabrication of monolithic transistor coupled electroluminescent diode | |
| US6841806B1 (en) | Heterojunction thyristor-based amplifier | |
| US4710936A (en) | Optoelectronic semiconductor device | |
| US5414282A (en) | Semiconductor optoelectronic switch and method for driving the same | |
| Lu et al. | Binary optical switch and programmable optical logic gate based on the integration of GaAs/AlGaAs surface-emitting lasers and heterojunction phototransistors | |
| Zhou et al. | Inverting and latching optical logic gates based on the integration of vertical-cavity surface-emitting lasers and photothyristors | |
| Zhou et al. | Surface‐emitting laser‐based optical bistable switching device | |
| US5021694A (en) | Circuit for driving a gated p-n-p-n device | |
| US5204521A (en) | GaAS-based optoelectronic neurons | |
| US5329113A (en) | Optoelectronic switching node | |
| Zhou et al. | Versatile bistable optical switches and latching optical logic using integrated photothyristors and surface-emitting lasers | |
| JPH02125467A (ja) | 光電子集積回路 | |
| JP3228384B2 (ja) | 光スイッチアレイ | |
| Kim et al. | Monolithically integrated two-dimensional arrays of optoelectronic threshold devices for neural network applications | |
| Kiely et al. | Demonstration of a smart pixel using DOES device technology | |
| JPS62503139A (ja) | 半導体デバイス | |
| Woodward et al. | Operating characteristics of GaAs/AlGaAs FET-SEED smart pixels | |
| JP2000114659A (ja) | 発光素子の光出力を測定するシステム、及びそれに使用される回路 | |
| Psaltis et al. | MONOLITHIC OPTOELECTRONIC IMPLEMENTATION ELECTE-'. 7 | |
| JPH01297860A (ja) | 光電子集積回路 |