DE3837301C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3837301C2
DE3837301C2 DE19883837301 DE3837301A DE3837301C2 DE 3837301 C2 DE3837301 C2 DE 3837301C2 DE 19883837301 DE19883837301 DE 19883837301 DE 3837301 A DE3837301 A DE 3837301A DE 3837301 C2 DE3837301 C2 DE 3837301C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
arms
housing
pair
side parts
stamps
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE19883837301
Other languages
English (en)
Other versions
DE3837301A1 (de
Inventor
Karl-Heinz 8450 Amberg De Meislitzer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Newcombe Peter 90478 Nuernberg De
Original Assignee
Technotron Elektrotechnische Geraete und Komponenten 8450 Amberg De GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Technotron Elektrotechnische Geraete und Komponenten 8450 Amberg De GmbH filed Critical Technotron Elektrotechnische Geraete und Komponenten 8450 Amberg De GmbH
Priority to DE19883837301 priority Critical patent/DE3837301A1/de
Priority to DE3904219A priority patent/DE3904219C2/de
Priority to AT89908164T priority patent/ATE78362T1/de
Priority to PCT/EP1989/000852 priority patent/WO1990005378A1/de
Priority to DE8989908164T priority patent/DE58901850D1/de
Priority to EP89908164A priority patent/EP0441785B1/de
Publication of DE3837301A1 publication Critical patent/DE3837301A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3837301C2 publication Critical patent/DE3837301C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4817Conductive parts for containers, e.g. caps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Casings For Electric Apparatus (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer hermetisch verschließbaren Gehäusewanne für ein Hybridschaltkreisgehäuse, das bodenseitig und/oder seitlich isolierte Elektrodendurchführungen aufweist, das stirnseitig eine eng tolerierte plangeschliffene Randfläche aufweist, und von dessen Seitenwänden sich ggf. eine oder mehrere Kühl- oder Befestigungslaschen seitlich erstrecken.
Derartige Gehäusewannen verschiedener Ausgestaltung für einen vielfältigen Bedarf sind als Tiefziehteile aus Journ. of the Internat. Soc. for Hybrid Microelectronics- Europe, No 16, Mai 1988, Titelseite bekannt. An derartige Hybridschaltkreisgehäuse werden gewöhnlich hohe technische Anforderungen hinsichtlich der Härtetestbedingungen und der Langlebensdauer gestellt. Solche Hybridschaltkreisgehäuse werden bei großen Serien durch Tiefziehen der Gehäusewanne und Stanzen der Löcher hergestellt, wobei die genannten Materialien für den Herstell- und den Verbindungsprozeß geeignet aufbereitet werden. Das Gehäusematerial ist im normalen Schmelzverfahren nicht herstellbar, sondern es wird nach einem pulvermetallurgischen Preßverfahren und/oder einem Vakuumschmelzverfahren in Bleichstreifenform erzeugt und unter Luftabschluß geglüht, so daß es dadurch zäh, duktil und homogen wird und tiefziehfähig ist. Das Tiefziehen zu einer Gehäusewanne kann nur bis zu einer geringen Ziehhöhe von maximal 6 mm in mehreren Ziehschritten auf sehr teuren Werkzeugen erfolgen, wobei ein Werkzeugsatz nur für eine Gehäuseform verwendbar ist.
Die Löcher für die Elektrodendurchführungen werden üblicherweise über ein jeweils zu einem Tiefziehwerkzeugsatz passendes Stanzstempelwerkzeug eingebracht, wobei sich jedoch häufig Stempelbrüche ereigneten, da die Stempeldurchmesser sehr klein sind und das Gehäusematerial in den randseitigen Bodenzonen, in die die Löcher einzubringen sind, durch das Tiefziehen inhomogen verfestigt ist. Diese bekannte, aufwendige Herstellungsmethode ist nicht geeignet, kostengünstig die vielfältigen Anforderungen an Gehäuse für die Raumfahrtechnik, Medizin- und Meßelektronik, die häufig nur in kleinen Stückzahlen und mit besonderen Abmessungen und mit spezieller Lage und/oder mit einer speziellen Anzahl der Kontaktdurchführungen benötigt werden, zu erfüllen.
Aus der US 42 62 300 ist es bekannt, Kleinserien von Hybridschaltkreisgehäusewannen dadurch herzustellen, daß auf eine Bodenplatte Seitenteile aufgesetzt und mit dieser und an deren Stoßfugen untereinander hartverlötet werden, wobei jeweils ein gegenüberliegendes Seitenteilpaar mit seinen Endflächen den jeweils anderen Seitenteilpaaren, einen engen Spalt bildend, gegenüberliegt. Auf die Stirnseiten der Seitenteile wurde zwecks Bildung einer glatten, mit einem Deckel dicht verschließbaren, Abschlußfläche ein einstückiger Rahmen aufgelötet, da die einzelnen auf der Bodenplatte aufgelöteten Seitenteile kein zuverlässiges Verschließen erlaubten. Die Vielzahl der zu verbindenden Gehäuseteile und der Lötnähte verringern die Toleranzgenauigkeit und die Langzeitdichtigkeit dieses Gehäuses.
Es ist weiterhin aus GB 21 09 277 A bekannt, eine gehäuseförmige Tür herzustellen, indem aus einem Rechteckzuschnitt die Ecken rechteckig ausgeklinkt werden, so daß ein kreuzförmiger Zuschnitt entsteht. Dessen freistehende Arme werden aufgebogen. Es ist somit für jede Gehäuseabmessung ein eigenes Komplettwerkzeug erforderlich. Der in den Ecken verbleibende Zwischenraum wird durch einen zusätzlichen Biegevorgang verringert und dann vom Boden zum Rand hin verschweißt, um Materialspannungen gering zu halten. Diese Biegungen der Ecken und diese Schweißverbindungen sind recht aufwendig herzustellen und für kleine Schaltkreisgehäuse wegen der Maßgenauigkeitsanforderungen ungeeignet.
Weiterhin ist aus der FR 25 51 683 A1 die Herstellung relativ großer Blechbüchsen aus einem kreuzförmigen Zuschnitt aus relativ dünnem Blech bekannt, das eine hohe Biegefähigkeit besitzt. Dabei werden Seitenteile an ein Bodenblech angebördelt und nach dem Hochbiegen der Seitenteile wurden diese entlang der Seitenkanten durch Bördeln verbunden. Ein derartiges Falten und Bördeln ist jedoch bei dem spröden und relativ dicken Blechmaterial von Hybridschaltkreisgehäusen nicht anwendbar.
Es ist Aufgabe der Erfindung, das Herstellverfahren vorzugsweise kleinerer Stückzahlen von Gehäusen für Sonderkonstruktionen und das danach hergestellte Produkt, gemäß US 42 62 300 einfacher zu gestalten, so daß die Gehäuse bei erhöhter Maßgenauigkeit und größerer Langzeitdichtigkeit aus weniger Einzelteilen herzustellen sind.
Die Lösung der Aufgabe ist im Hauptanspruch angegeben. Vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens sind in den Unteransprüchen angegeben.
Das Fertigungsverfahren ermöglicht die Verwendung einer numerisch gesteuerten automatischen Werkzeugmaschine. Auf dieser wird in einem ersten Arbeitsgang aus dem Blechband ein Zuschnitt vorgegebener Längs- und Querabmessung in zwei Schritten hergestellt. In einem zweiten Arbeitsgang werden mit einem rechteckigen Stanzstempel in vier Schritten die vier Ecken aus dem Zuschnitt ausgeklinkt, so daß eine kreuzförmige Platte entsteht. In einem dritten Arbeitsgang werden dann in zwei Schritten zwei der gegenüberliegenden Arme der Platte abgewinkelt. Alle diese Arbeitsgänge lassen sich auf einem programmierbaren Stanz- und Biegeautomaten ausführen; Sonderwerkzeuge sind für verschiedene Gehäuseabmessungen nicht erforderlich.
In einem vierten Arbeitsgang werden in zwei Schritten die beiden übrigen gegenüberliegenden Arme des kreuzförmigen Zuschnittes abgewinkelt. Hierbei wird die Platte jeweils innenseitig der Abwinkelung so von einem passenden Innenstempel gehalten, daß sich diese jeweils abgewinkelt zwischen den bereits im dritten Arbeitsgang aufgestellten Seitenwänden mit geringer Spaltweite und bündig abschließend befinden. Nur für diese eine Gehäuseabmessung, nämlich die durch die eingebogene Seitenwand bestimmte, wird somit ein einfacher rechteckiger Innenhaltestempel entsprechender Breite benötigt. Die äußere Biegebacke für dieses Biegen kann lang durchgehend sein, hat also keine durch das Gehäuse bestimmte Länge. Ein solcher Innenstempel ist jedoch mit relativ geringem Aufwand zu erstellen. Der Innenstempel läßt sich vorteilhaft auch aus einer Anzahl von Teilstempeln, die vorzugsweise eine binär gestaffelte Breite aufweisen, zusammensetzten, so daß z.B. für 32 verschiedene Gehäusebreiten nur 5 verschiedene Teilstempel jeweils in den verschiedenen Kombinationen benötigt werden. Beispielsweise lassen sich so verschiedene Gehäusebreiten mit je 2,54 mm Normraster-Unterschied herstellen. Fast eine beliebige Anzahl von unterschiedlichen Gehäusen läßt sich also programmgesteuert ohne spezielle Werkzeugerstellung fließbandmäßig herstellen.
Zwischen den verschiedenen Arbeitsgängen und Schritten wird das Werkstück geeignet zu den Werkzeugen positioniert und dann gehalten; der Innenhaltestempel wird programmgesteuert aus den notwendigen Teilstempeln jeweils zusammengefügt.
In einem fünften Arbeitsgang werden die Spalten zwischen den abgewinkelten Seitenwänden mit einem geeigneten Kupfhartlot in einem Durchlaufofen abgedichtet. Diese Lötung genügt den Anforderungen einer Heliumdichtigkeit von 10-8.
Danach werden die Löcher für die Elektrodendurchführungen mit einer Hochfrequenz-Bohrmaschine, z.B. mit 60 000 Umdrehungen pro Minute, positionsgerecht in schneller Folge eingebracht. Vorzugsweise im gleichen Arbeitsgang läuft ein Fräser am Gehäuserand entlang, der eine Egalisierung auf 1/100 Höhen- und Planheits-Toleranz erbringt. Bei fachgerechter Ausführung der Stanz- und Biegevorgänge liegen auch die Längs- und Querabmessungen in diesem Toleranzbereich. Die Biegeradien und Materialdehnungen bei dem Biegevorgang lassen sich abhängig von der Materialart und Materialdicke in bekannter Weise ermitteln und berücksichtigen.
Außer im Boden der so hergestellten Gehäusewanne lassen sich auch seitlich Bohrungen koordinatengesteuert in diese einbringen, wobei die beliebige Höhe des Gehäuses, von z.B. 15 mm Höhe, es vorteilhaft ermöglicht, besondere Anschlüsse für in mehreren Ebenen eingebrachte Bauteile oder solche die eine relativ hohe Spannung, ein Meßsignal, ein Höchstfrequenz- oder ein optisches Signal führen, in geeigneter Lage unmittelbar auf kürzestem Wege dem zugehörigen Schaltkreispunkt zuzuführen.
Nach dem Bohren wird das Gehäuse poliert, wonach die Durchführungen mit den Isoliergläsern in bekannter Weise eingeschmolzen werden. Nach Einbau der Schaltkreise wird die Gehäusewanne in bekannter Weise mit einem Deckel dicht verschlossen.
Eine weitere vorteilhafte Möglichkeit des Verfahrens besteht darin, daß die Ecken des Zuschnittes nicht vollständig ausgestanzt, sondern nur freigeschnitten werden. Auf diese Weise verbleiben nach dem Abwinkeln an den Seitenwänden außen Laschen stehen, die Befestigungs- und/oder Kühlzwecken dienen können. Geeignete Befestigungsbohrungen können beim Freischnitt bereits mitgestanzt werden. An der oder den Seitenwänden oder zumindest in deren Nähe werden vorteilhaft im Gehäuse Kühlbleche, die vorzugsweise aus Molybdän bestehend, eingelötet, geschweißt oder geklebt, die die Wärme aus den aufgebrachten Schaltkreisteilen abführen. Die durch das Verfahren des Aufbiegens und Verlötens der Seitenwände ermöglichte große Bauhöhe des Gehäuses bietet vielfältige neue Ausgestaltungs- und Verwendungs- Möglichkeiten.
In den Fig. 1 bis 5 sind die verschiedenen Fertigungszustände eines Gehäuses dargestellt.
Fig. 1 zeigt einen Zuschnitt mit ausgeklinkten Ecken;
Fig. 2 zeigt den Fertigungszustand nach dem dritten Arbeitsgang, mit den ersten Seitenteilen;
Fig. 3 zeigt eine Gehäusewanne mit eingesetzten Boden-Kontaktdurchführungen;
Fig. 4 zeigt einen Zuschnitt mit Freischnitten;
Fig. 5 zeigt eine Gehäusewanne mit Befestigungs- und Kühllaschen.
Fig. 1 zeigt einen Zuschnitt (1), dessen Ecken im zweiten Arbeitsgang ausgeklinkt worden sind, so daß eine kreuzförmige Platte (10) verblieben ist. Ein erstes sich gegenüberliegendes Armpaar (11, 12) ist etwa um die Materialstärke länger als das andere, senkrecht zum ersten orientierte zweite Armpaar (13, 14) ausgebildet. Die genauen Abmessungen der Armlängen ergeben sich durch einfache Biegeversuche mit dem jeweiligen Gehäusematerial.
Fig. 2 zeigt die U-förmig ausgebildete Platte (10), nachdem im dritten Arbeitsgang nacheinander zwei der Arme zu ersten Seitenteilen (11A, 12A) aufgebogen worden sind. Im vierten Arbeitsgang werden dann die anderen Arme des zweiten Armpaares (13, 14) zwischen die bereits hochgebogenen ersten Seitenteile (11A, 12A) gebogen, so daß die so entstehenden zweiten Seitenteile mit deren Endflächen bündig abschließen, wobei der Innenstempel (N, N′) sich jeweils in der gestrichelten bzw. strichpunktierten Stellung befindet.
Fig. 3 zeigt eine fertige Gehäusewanne (10A), deren Seitenteile (11A-14A) zwischen den Seitenteilen in den Eckbereichen hart verlötet sind. Der Lötspalt (15) ist nur wenige Zehntel Millimeter weit. Bodenseitig sind im genormten Raster Elektrodendurchführungen (16) mittels einer Glaseinschmelzung (17) in die Bohrungen (18) eingesetzt.
Die obenliegende Randfläche (19) der Seitenteile (11A-14A) ist eng toleriert plan geschliffen.
Fig. 4 zeigt einen andersartigen Zuschnitt (2), bei dem Freischnitte (28) eingebracht sind, die die Arme (21-24) freilegen. In den stehengebliebenen Eckbereichen sind mit der Einbringung der Freischnitte (28) Befestigungslöcher (29) eingestanzt.
Fig. 5 zeigt eine aus dem Zuschnitt gemäß Fig. 4 fertiggestellte Gehäusewanne (20), deren im dritten Arbeitsgang gebogenen Seitenteile (21, 22) die aus den stehengebliebenen Eckbereichen gebildeten Kühl- und Befestigungslaschen (30) mit den Befestigungslöchern tragen. Die Seitenteile (23, 24) sind mit Bohrungen versehen, in die Durchführungsstifte (26) isoliert eingesetzt sind. An dem Seitenteil (21) mit den Befestigungslaschen (30) ist innenseitig in der Gehäusewanne (20) eine Kühlfahne (31) für die Montage eines Leistungsschaltkreises befestigt.

Claims (5)

1. Verfahren zur Herstellung einer hermetisch verschließbaren Gehäusewanne für ein Hybridschaltkreisgehäuse, bei dem ein rechteckiger Zuschnitt (1, 2) jeweils in den Eckbereichen rechteckig, symmetrisch ausgeklinkt oder freigeschnitten wird, so daß der einteilige Zuschnitt kreuzförmig jeweils gegenüberliegende Armpaare (11, 12; 13, 14) erhält, von denen jeweils das erste Armpaar (11, 12) zu ersten Seitenteilen (11A, 12A) abgewinkelt wird und anschließend das zweite Armpaar (13, 14) so zu zweiten Seitenteilen (13A, 14A) abgewinkelt wird, daß diese Seitenteile (13A, 14A) jeweils mit ihren Endflächen zwischen die ersten Seitenteile (11A, 12A) zu liegen kommen, so daß enge Spalte (15) zwischen den genannten Endflächen und den ersten Seitenteilen (11A, 12A) entstehen, und wonach diese Spalte (15) mit einem Hartlot in einem Durchlaufofen verschlossen werden, woran sich ein Einbringen von Löchern (18) in die Gehäusewanne (10A, 23) sowie ein Einschmelzen je einer Durchführung (16) mittels einer Glaseinschmelzung (17) in die Löcher (18) anschließen und schließlich ein Planschleifen der Randfläche (19) der Gehäusewanne (10A, 20) erfolgt, wodurch ein dichtes Verschließen des Gehäuses ermöglicht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß beim Freischneiden entlang des zweiten Armpaares (23, 24) Freischnitte (28) eingebracht werden, durch die Laschen (30) in den Ecken zumindest an einem Arm (21) des ersten Armpaares (21, 22) stehen bleiben.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß in die Laschen (30) mit dem Freischnitt (28) Befestigungslöcher (29) eingestanzt werden.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß während des Abwinkelns der Arme des zweiten Armpaares (13, 14) der Zuschnitt (1) mit einem Innenstempel (N, N′) gehalten wird, der aus mehreren Teilstempeln ausgewählt und/oder zusammengesetzt ist, so daß dessen Gesamtbreite annähernd der Breite des zweiten Armpaares (13, 14) entspricht.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilstempel jeweils beim Zusammensetzen des Innenstempels (N, N′) in ihren Breiten binär gestaffelt aus einer Vielzahl der Teilstempel verschiedener Breite ausgewählt werden.
DE19883837301 1988-11-03 1988-11-03 Herstellverfahren fuer hybridschaltkreisgehaeuse Granted DE3837301A1 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19883837301 DE3837301A1 (de) 1988-11-03 1988-11-03 Herstellverfahren fuer hybridschaltkreisgehaeuse
DE3904219A DE3904219C2 (de) 1988-11-03 1989-02-13 Verfahren zur Herstellung einer hermetisch verschließbaren Gehäusewanne für ein Hybridschaltkreisgehäuse und danach hergestellte Gehäusewanne
AT89908164T ATE78362T1 (de) 1988-11-03 1989-07-20 Herstellungsverfahren fuer hybridschaltkreisgehaeuse.
PCT/EP1989/000852 WO1990005378A1 (de) 1988-11-03 1989-07-20 Herstellungsverfahren für hybridschaltkreisgehäuse
DE8989908164T DE58901850D1 (de) 1988-11-03 1989-07-20 Herstellungsverfahren fuer hybridschaltkreisgehaeuse.
EP89908164A EP0441785B1 (de) 1988-11-03 1989-07-20 Herstellungsverfahren für hybridschaltkreisgehäuse

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19883837301 DE3837301A1 (de) 1988-11-03 1988-11-03 Herstellverfahren fuer hybridschaltkreisgehaeuse

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3837301A1 DE3837301A1 (de) 1990-05-10
DE3837301C2 true DE3837301C2 (de) 1992-03-26

Family

ID=6366388

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19883837301 Granted DE3837301A1 (de) 1988-11-03 1988-11-03 Herstellverfahren fuer hybridschaltkreisgehaeuse

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3837301A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3904219A1 (de) * 1988-11-03 1990-08-16 Technotron Elektrotechnische G Herstellverfahren fuer hybridschaltkreisgehaeuse
DE4212948A1 (de) * 1992-04-18 1993-10-21 Telefunken Microelectron Halbleiterbaugruppe, insbesondere Fernsteuer-Empfangsmodul

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5930493B2 (ja) * 1978-02-24 1984-07-27 友和産業株式会社 金属板製箱状体の折曲製造装置
US4262300A (en) * 1978-11-03 1981-04-14 Isotronics, Inc. Microcircuit package formed of multi-components
JPS5885083A (ja) * 1981-11-13 1983-05-21 株式会社東芝 冷蔵庫扉の製造方法
FR2561683B2 (fr) * 1984-03-22 1987-01-30 Ruyter Jackie De Dispositif de balai plastique a ramure brochee

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3904219A1 (de) * 1988-11-03 1990-08-16 Technotron Elektrotechnische G Herstellverfahren fuer hybridschaltkreisgehaeuse
DE3904219C2 (de) * 1988-11-03 1998-12-10 Technotron Elektrotechnische G Verfahren zur Herstellung einer hermetisch verschließbaren Gehäusewanne für ein Hybridschaltkreisgehäuse und danach hergestellte Gehäusewanne
DE4212948A1 (de) * 1992-04-18 1993-10-21 Telefunken Microelectron Halbleiterbaugruppe, insbesondere Fernsteuer-Empfangsmodul

Also Published As

Publication number Publication date
DE3837301A1 (de) 1990-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69318397T2 (de) Verfahren zur genauen verbindung von zwei blechen
DE3883908T2 (de) Metalldose zum Unterbringen eines IC und dazugehöriges Herstellungsverfahren.
DE10335622B4 (de) Harzversiegelte Halbleiterbaugruppe
EP0605800A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Widerständen aus Verbundmaterial und insbesondere nach diesem Verfahren hergestellte Widerstände
DE69419659T2 (de) Tragbarer Gegenstand mit integrierter Schaltung und Verfahren zur Herstellung
EP0297236A2 (de) Leiterplatte
DE3880067T2 (de) Leiterplatten für hohe Ströme und Verfahren zur Herstellung.
DE3837301C2 (de)
EP0441785B1 (de) Herstellungsverfahren für hybridschaltkreisgehäuse
DE2630237A1 (de) Verfahren zur herstellung von besser abstimmbaren dickschichtwiderstaenden
DE3445690C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Trägerplatte für eine gedruckte Schaltung
DE69218074T2 (de) Verfahren zur Laserverpackung von elektronischen Schaltungen, insbesondere für Hybrid-Schaltungen zur Minimisierung von Spannungen
DE69227859T4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Verpackung zur Unterbringung von elektronischen Elementen
DE69400980T2 (de) Elektrische Anschlussvorrichtung und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE3834361C2 (de)
EP1502691A1 (de) Lötverbindung mit mehreren überlappenden Blechen und mit einem zwischen einem oberen Deckblech und einem unteren Bodenblech angeordneten Distanzstück
DE2249209B2 (de) Leiterrahmen zur verwendung in gehaeusen fuer halbleiterbauelemente
EP0240769A2 (de) Steuerscheibe für Bildwiedergabevorrichtungen
DE2720466C2 (de)
DE19711325C2 (de) Befestigungskonstruktion für gedruckte Platinen
DE2103057C2 (de) Verfahren zur Befestigung von Elektrodenelementen an Anschlußstiften einer Gasentladungsanzeigevorrichtung
WO2018197314A1 (de) Lotformteil zum diffusionslöten, verfahren zu dessen herstellung und verfahren zu dessen montage
DE3726572A1 (de) Bearbeitungsvorrichtung fuer grossflaechige blechzuschnitte
EP0639425A1 (de) Verfahren zum Befestigen eines Gerätebauteiles
DE69024527T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Mikroplatten

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
AG Has addition no.

Ref country code: DE

Ref document number: 3904219

Format of ref document f/p: P

8125 Change of the main classification

Ipc: H01L 23/04

AG Has addition no.

Ref country code: DE

Ref document number: 3904219

Format of ref document f/p: P

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: TECHNOTRON ELEKTROTECHNISCHE GERAETE UND KOMPONENT

AG Has addition no.

Ref country code: DE

Ref document number: 3904219

Format of ref document f/p: P

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: NEWCOMBE, PETER, 90478 NUERNBERG, DE

8339 Ceased/non-payment of the annual fee