DE3822737A1 - Verfahren zum versetzen von blochlinien und blochlinienspeicher - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Versetzen von Blochlinien in der Domänenwand einer in einem magneti­ schen Dünnfilm gebildeten magnetischen Domäne entlang der Domänenwand sowie auf einen Blochlinienspeicher.

Als externe Speicher für Computer, elektronische Dateispei­ cher und Stehbilddateispeicher werden verschiedenerlei Spei­ chervorrichtungen wie Magnetbänder, Festplatten, Disketten, optische Speicherplatten, optomagnetische Speicherplatten und Magnetblasenspeicher eingesetzt. Von diesen Speichervorrich­ tungen ist es außer bei dem Magnetblasenspeicher erforder­ lich, zum Aufzeichnen und Wiedergeben von Informationen einen Aufzeichnungs/Wiedergabekopf in bezug auf das Aufzeichnungs­ material zu bewegen. Bei der Relativbewegung des Kopfes kann mit diesem eine Folge von Informationen festgelegt auf einer Informationsspur aufgezeichnet oder diese aufgezeichnete Folge von Informationen reproduziert werden.

Da in den letzten Jahren eine höhere Aufzeichnungsdichte gefordert wurde, wurde die Spurnachführung für das genaue Nachführen des Kopfes an der Informationsspur kompliziert. Wenn die Spurnachführung unzureichend ist, wird dadurch die Qualität der aufgezeichneten oder reproduzierten Signale beeinträchtigt. Ferner wird die Qualität der aufgezeichneten oder reproduzierten Signale durch Vibrationen eines Kopf­ stellmechanismus oder durch auf der Oberfläche des Aufzeich­ nungsmaterials abgesetzte Staubteilchen verringert. In einer Speichervorrichtung, in der Informationen unter Berührung des Kopfes mit einem Magnetband oder einem anderen Aufzeichnungs­ material aufgezeichnet und wiedergegeben werden, entsteht infolge der Gleitberührung Abrieb. In einer Speichervorrich­ tung zur berührungsfreien Aufzeichnung oder Wiedergabe wie an einer optischen Speicherplatte ist eine hochgenaue Fokussier­ steuerung erforderlich, so daß die Qualität des Aufzeich­ nungs- oder Wiedergabesignals herabgesetzt ist, falls diese Steuerung unzureichend ist.

In einem Magnetblasenspeicher, z. B. gemäß der US-Patentanmel­ dung 8 01 401, können Informationen an einer vorbe­ stimmten Stelle aufgezeichnet werden, die aufgezeichneten Informationen versetzt werden und die versetzten Informa­ tionen an einer vorbestimmten Stelle reproduziert werden. Bei dem Aufzeichnen und Wiedergeben der Informationen ist infol­ gedessen keine Relativbewegung eines Kopfes erforderlich, so daß daher selbst bei einer erhöhten Aufzeichnungsdichte die vorstehend genannten Probleme nicht auftreten und eine hohe Zuverlässigkeit erreicht wird.

In dem Magnetblasenspeicher wird als einzelnes Informations­ element bzw. Bit eine kreisförmige magnetische Domäne oder Magnetblase benutzt, die durch das Errichten eines Magnet­ felds an einem magnetischen Dünnfilm erzeugt wird, dessen Achse leichter Magnetisierbarkeit senkrecht zu der Filmebene steht, wie beispielsweise bei einem magnetischen Granatfilm oder dergleichen. Infolgedessen ist selbst bei kleinsten Blasen (mit einem Durchmesser von 0,3 µm), die durch die Eigenschaften des gegenwärtig verfügbaren Granatfilmmaterials bestimmt sind, eine Aufzeichnungsdichte von einigen zehn MBit/cm² eine Grenze, während eine höhere Dichte schwierig zu erreichen ist.

In der letzten Zeit hat ein Blochlinienspeicher Aufmerksam­ keit gefunden, der eine höhere Aufzeichnungsdichte als die begrenzte Aufzeichnungsdichte des Magnetblasenspeichers hat. Gemäß der Beschreibung in der US-PS 45 83 200 wird in dem Blochlinienspeicher als eine Informationseinheit bzw. als ein Bit ein Paar von Neil-Domänenwandstrukturen (Blochlinien) zwischen Bloch-Domänenwandstrukturen um eine magnetische Domäne herum eingesetzt, die in einem magnetischen Dünnfilm erzeugt ist. Daher kann eine um zwei Stellen höhere Aufzeich­ nungsdichte als mit dem Magnetblasenspeicher erreicht werden. Beispielsweise wird bei der Verwendung eines Granatfilms mit einem Blasendurchmesser von 0,5 µm eine Aufzeichnungsdichte von 1,6 GBit/cm² erreicht.

Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Blochlinien­ speichers mit einem Aufbau aus magnetischem Material. In der Fig. 1 ist mit 2 ein Substrat aus einem nichtmagnetischen Granat wie GGG oder NdGG bezeichnet, auf das ein Dünnfilm 4 aus magnetischem Granat aufgebracht ist. Der Dünnfilm 4 kann durch Flüssigphasenepitaxie (LPE) aufgebracht werden, wobei die Dicke des Dünnfilmes 5 µm betragen kann. Mit 6 ist eine streifenförmige magnetische Domäne bezeichnet, die in dem magnetischen Granat-Dünnfilm 4 ausgebildet ist. Eine Domänen­ wand 8 bildet die Grenze der magnetischen Domäne 6 gegen den übrigen Bereich des Films. Die streifenförmige magnetische Domäne 6 hat eine Breite von 5 µm und eine Länge von 100 µm. Die Dicke der Domänenwand 8 beträgt 0,5 µm. Gemäß der Dar­ stellung durch Pfeile ist die Magnetisierung in der magneti­ schen Domäne 6 nach oben gerichtet, während sie außerhalb der magnetischen Domäne 6 nach unten gerichtet ist.

Die Richtung der Magnetisierung in der Domänenwand 8 ist von der der magnetischen Domäne 6 zugewandten Innenfläche weg zu der Außenfläche hin gedreht. Die Richtung der Drehung ist in bezug auf eine senkrechte Blochlinie 10 in der Domänenwand 8 umgekehrt. In Fig. 1 ist die Magnetisierungsrichtung an der Dickenmitte der Domänenwand 8 durch Pfeile und die Magneti­ sierungsrichtung in der Blochlinie 10 auf gleichartige Weise dargestellt.

An der Struktur aus dem magnetischen Material wird ein nach unten gerichtetes externes Vormagnetisierungsfeld HB errich­ tet.

Gemäß der Darstellung bestehen in den Blochlinien 10 zwei verschiedene Magnetisierungsrichtungen, wobei das Vorliegen bzw. Fehlen eines derartigen Blochlinienpaares jeweils der Information "1" bzw. "0" entspricht. Das Blochlinienpaar liegt jeweils in einer von Potentialmulden, die periodisch in der Domänenwand 8 gebildet werden. Durch das Errichten eines zur Substratebene senkrechten Impulsmagnetfelds wird das Blochlinienpaar aufeinanderfolgend zu der benachbarten Poten­ tialmulde versetzt. Auf diese Weise kann das Aufzeichnen der Information in dem Blochlinienspeicher, nämlich das Ein­ schreiben eines Blochlinienpaars in die Domänenwand 8, und das Reproduzieren der in dem Blochlinienspeicher aufgezeich­ neten Information, nämlich das Auslesen des Blochlinienpaars aus der Domänenwand 8 an vorbestimmten Stellen vorgenommen werden, während die Blochlinienpaare in der Domänenwand 8 versetzt werden. Das Aufzeichnen und Reproduzieren der Infor­ mation erfolgt durch das Erreichen eines Impulsmagnetfelds in einer vorbestimmten Stärke senkrecht zu der Substratebene an einem Rand der streifenförmigen magnetischen Domäne 6. Obwohl dies in Fig. 1 nicht dargestellt ist, ist als Magnetisierein­ richtung für das Errichten des Impulsmagnetfelds zum Auf­ zeichnen und Wiedergeben der Informationen ein Leitermuster für das Anlegen der Impulse auf der Oberfläche des magneti­ schen Dünnfilms 4 in einer vorbestimmten Lage in bezug auf die streifenförmige magnetische Domäne 6 ausgebildet.

In dem vorstehend beschriebenen Blochlinienspeicher werden die Potentialmulden für die Blochlinienpaare dadurch gebil­ det, daß ein periodisches und gleichmäßiges Muster auf die Oberfläche des magnetischen Dünnfilms derart aufgebracht wird, daß das Muster die Domänenwand kreuzt.

Fig. 2 ist eine Teildraufsicht eines Blochlinienspeichers und zeigt ein Leitermuster. Nach Fig. 2 ist auf der Oberfläche des magnetischen Dünnfilms 4 eine Anzahl von zueinander pa­ rallelen, sich quer zu der streifenförmigen magnetischen Domäne 6 erstreckenden Leitern 9 des Musters angeordnet. Die Leiter bestehen jeweils aus einer leitenden Schicht aus Cr, Al, Au oder Ti mit einer Breite von 0,5 µm und einem Tei­ lungsabstand von 1 µm. Wegen der auf das Bilden der leitenden Schicht des Musters zurückzuführenden magnetischen Verzerrung können die Potentialmulden in der Domänenwand 8 mit der periodischen und gleichmäßigen Anordnung geformt werden. Die Leitermuster bzw. Leiter 9 können eine Schicht aus magneti­ schem Material sein oder es können in die Nähe der Oberfläche des magnetischen Dünnfilms 4 H-Ionen, He-Ionen oder Ne-Ionen implantiert werden. Die mittels dieser Leitermuster gebilde­ ten Potentialmulden sind in bezug auf die durch Pfeile dargestellte Richtung des Versetzens der Blochlinien symme­ trisch.

Die Blochlinien werden dadurch versetzt, daß senkrecht zur Filmebene des magnetischen Dünnfilms 4 ein Impulsmagnetfeld errichtet wird und die Blochlinie durch Nutzung einer Präzes­ sionsbewegung der durch das Impulsmagnetfeld hervorgerufenen Magnetisierung zu der benachbarten Potentialmulde versetzt wird. Dabei wird gemäß Fig. 3 als Impulsmagnetfeld Hp für das Versetzen der Blochlinien ein asymmetrisches Impulsmagnetfeld verwendet, um die Blochlinien nicht umkehrbar in der bestimm­ ten Richtung versetzen.

Gemäß der vorstehenden Beschreibung wird durch das Errichten eines senkrechten Impulsmagnetfelds die Übergangsansprechcha­ rakteristik der Magnetisierung genutzt, so daß daher ein Problem dadurch entstanden ist, daß bei einer geringfügigen Verformung der Kurvenform des Impulsmagnetfelds oder einer Fehlerstelle des magnetischen Dünnfilms 4 eine genaue Verset­ zung der Blochlinien schwierig wird.

In Anbetracht dieses dem Stand der Technik anhaftenden Prob­ lems liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Versetzen von Blochlinien sowie einen Blochlinienspeicher zu schaffen, bei denen die Blochlinien immer auf genaue Weise versetzt werden können.

Zur Lösung der Aufgabe wird erfindungsgemäß bei dem Verfahren zum Versetzen von Blochlinien in der Domänenwand einer in einem magnetischen Dünnfilm gebildeten magnetischen Domäne entlang der Domänenwand auf dem magnetischen Dünnfilm ein vorbestimmtes Muster einer Schicht aus einem weichmagneti­ schen Material verteilt, das Muster parallel zu der Filmober­ fläche des magnetischen Dünnfilms magnetisiert, um dadurch in dem magnetischen Dünnfilm Potentialmulden zu bilden, in die Blochlinien eingesetzt werden, und die Richtung der Magneti­ sierung des Musters in einer zur Filmoberfläche parallelen Ebene geändert, um dadurch die Potentialmulden entlang der Domänenwand zu bewegen, wodurch die Blochlinien versetzt werden.

Hinsichtlich des Blochlinienspeichers wird die Aufgabe mit den im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 5 aufge­ führten Mitteln gelöst.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unter­ ansprüchen aufgeführt.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren bzw. Blochlinienspeicher ist die Potentialmulde eine Stelle, an der das in zumindest dem Domänenwandbereich des magnetischen Dünnfilms hervorgeru­ fene magnetische Potential einen Extremwert annimmt, so daß daher damit eine Stelle bezeichnet ist, die zu dem Einfangen bzw. Festhalten von Blochlinien (in Paaren) geeignet ist.

Die Erfindung wird nachstend anhand eines Ausführungsbei­ spiels ausführlich erläutert.

Fig. 1 ist eine schematische perspektivische An­ sicht der einen Blochlinienspeicher bildenden Struktur aus magnetischem Material.

Fig. 2 ist eine Teildraufsicht auf einen Blochli­ nienspeicher nach dem Stand der Technik und zeigt Leiter­ muster für das Bilden von Potentialmulden.

Fig. 3 ist eine grafische Darstellung der Kurven­ form eines herkömmlicherweise zur Blochlinienversetzung ver­ wendeten Impulsmagnetfelds.

Fig. 4 ist eine Teildraufsicht auf einen Blochli­ nienspeicher, bei dem das erfindungsgemäße Versetzungsverfah­ ren angewandt wird.

Fig. 5 ist die Ansicht eines Schnitts durch den in Fig. 4 gezeigten Blochlinienspeicher entlang einer Linie X-X.

Fig. 6A bis 6D zeigen die Änderungen einer X- Komponente Hx eines in einer Domänenwand errichteten Magnet­ felds.

Fig. 7 ist eine schematische Blockdarstellung einer Magnetspeichervorrichtung, in der Blochlinien nach dem Ver­ setzungsverfahren versetzt werden.

Die Fig. 4 ist eine Teildraufsicht auf einen Blochlinienspei­ cher gemäß einem Ausführungsbeispiel, bei dem das Verset­ zungsverfahren angewandt wird, während die Fig. 5 die Ansicht eines Schnitts entlang einer Linie X-X in Fig. 4 ist.

In diesen Figuren ist mit 2 ein nichtmagnetisches Granat- Substrat bezeichnet, während mit 4 ein magnetischer Granat- Dünnfilm bezeichnet ist. In dem magnetischen Dünnfilm 4 ist ein magnetischer Teilabschnitt bzw. eine magnetische Domäne 6 in Form eines flachen Streifens ausgebildet. Mit 8 ist eine die streifenförmige magnetische Domäne 6 umgebende Domänen­ wand bezeichnet. Diese Elemente sind den im Zusammenhang mit Fig. 1 beschriebenen Elementen gleichartig.

Die Magnetisierung in der streifenförmigen magnetischen Do­ mäne 6 ist nach oben gerichtet, während sie in dem außerhalb der Domäne 6 liegenden Bereich des magnetischen Dünnfilms 4 nach unten gerichtet ist. Von außen her wird ein nach unten gerichtetes Vormagnetisierungsfeld errichtet.

Auf der Oberfläche des magnetischen Dünnfilms 4 ist ein Muster von Schichten 12 aus weichmagnetischem Material gebil­ det. Das weichmagnetische Material kann beispielsweise eine Permalloy-Legierung sein. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind zwischen die Schichten 12 aus dem weichmagnetischen Material und dem magnetischen Dünnfilm 4 Abstandsschichten 14 einge­ fügt. Die Abstandsschichten 14 können aus einem nichtmagneti­ schen Material wie SiO₂ gebildet sein.

Es wird nun die Versetzung der Blochlinien bei diesem Ausfüh­ rungsbeispiel beschrieben.

Die Fig. 6A bis 6D zeigen Änderungen einer Komponente Hx eines Magnetfelds in X-Richtung bzw. Potentialänderungen, die in einem Abschnitt L der Domänenwand 8 entsprechend der in den Schichten 12 aus dem weichmagnetischen Material induzier­ ten Magnetisierung dann hervorgerufen werden, wenn nach Fig. 4 in der Filmebene des magnetischen Dünnfilms 4 ein gleich­ flächiges Magnetfeld erreicht wird, das in der Filmebene gemäß der Darstellung durch A → B → C → D gedreht wird. Die Fig. 6A bis 6D zeigen jeweils die Komponente Hx bei den Richtungen A, B, C bzw. D des gleichflächigen, in gleicher Ebene liegenden Magnetfelds nach Fig. 4. Hierbei ist angenommen, daß die Magnetisierung des weichmagnetischen Materials der Schichten 12 800 elektromagnetische Einheiten/cm³ beträgt, die Schichten 12 aus dem weichmagnetischen Material 800 nm dick sind und die Dicke der Abstandsschichten 14 2 µm beträgt. Die Abstandsschichten 14 dienen dazu, das Verhältnis zwischen der in zur Filmebene senkrechter Richtung verlaufenden Komponente und der zur Filmebene parallelen Komponente des durch die Magnetisierung in dem weichmagnetischen Material der Schich­ ten 12 gebildeten Magnetfelds in dem magnetischen Dünnfilm 4 einzustellen; dieses Verhältnis wird durch Steuern der Dicke der Abstandsschichten 14 eingestellt, wobei die Stabilisie­ rung bzw. Festlegung der Blochlinien erreicht wird.

Wie aus den Fig. 6A bis 6D ersichtlich ist, bewegen sich bei der Drehung des Magnetfelds im Uhrzeigersinn die Maximalwert­ stelle und die Minimalwertstelle der Komponente Hx allmählich nach links. Gemäß der Darstellung in Fig. 1 und 2 hat das Blochlinienpaar in der Mitte eine Magnetisierung in X-Rich­ tung, so daß daher die Blochlinien an der Stelle des Maximal­ werts oder des Minimalwerts der Komponente Hx stabil gehalten werden und zugleich mit der Bewegung des Extremwerts (der Potentialmulde) aufeinanderfolgend nach links bewegt werden, wodurch die Blochlinien versetzt werden.

Gemäß Fig. 4 ist an der dem Abschnitt L der Domänenwand 8 gegenüberliegenden Seite das Muster der Schichten 12 aus dem weichmagnetischen Material gegenüber dem Muster an dem Ab­ schnitt L umgekehrt, so daß daher in einem Abschnitt L′ der Domänenwand 8 die durch das Errichten des im Uhrzeigersinn gedrehten gleichflächigen Magnetfelds verursachte Bewegung der Extremwertstellen der Komponente Hx nach rechts gerichtet ist; dadurch bewegen sich gemäß der Darstellung durch einen Pfeil T in Fig. 4 die Extremwerte um die ganze Domänenwand 8 entgegen dem Uhrzeigersinn, wodurch die Versetzung der Bloch­ linien herbeigeführt wird.

Bei dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel wird als Muster der Schichten 12 aus dem weichmagnetischen Material das in Fig. 4 gezeigte Muster verwendet, jedoch können in dem Blochlinienspeicher auch andere Muster verwendet werden, solange damit entsprechend der durch das Errichten eines drehenden Magnetfelds in gleicher Ebene in dem weichmagneti­ schen Material der Schichten 12 induzierten Magnetisierung zur Oberfläche des magnetischen Dünnfilms in der Domänenwand 8 ein magnetisches Potential hervorgerufen wird, dessen Ex­ tremwert sich längs der Domänenwand 8 bewegt. Dieses Muster wird derart ausgebildet, daß dann, wenn gemäß Fig. 4 das Muster durch die Mittellinie X-X der streifenförmigen magne­ tischen Domäne 6 in ein oberes und ein unteres Muster geteilt ist, das obere und das untere Muster bei einer Drehung um 180° gleiche Formen haben. Dadurch können die Potentialmulden in einer Richtung entlang der Domänenwand bewegt werden.

Gemäß der vorstehenden Beschreibung wird durch das in der gleichen Ebene errichtete drehende Magnetfeld entlang der Domänenwand das Potential für das Steuern der Lage der Bloch­ linen erzeugt, dessen die Potentialmulde bildender Extrem­ wert sich bewegt, und dadurch die Versetzung der Blochlinien erreicht, wodurch eine stabile und zuverlässige Versetzung der Blochlinien ermöglicht ist.

Die Fig. 7 ist eine schematische Blockdarstellung einer Ma­ gnetspeichervorrichtung gemäß einem Beispiel, bei dem Blochli­ nien als Informationsträger unter Anwendung des Versetzungs­ verfahrens versetzt werden, um Informationen einzuschreiben und auszulesen.

In Fig. 7 ist mit 101 ein Blochlinienspeicher-Substrat be­ zeichnet. Auf dem Substrat 101 ist gemäß der Darstellung eine Vielzahl von streifenförmigen magnetischen Abschnitten bzw. Domänen 6 in einem vorbestimmten Teilungsabstand in der zur Längsrichtung der streifenförmigen Domänen senkrechten Rich­ tung angeordnet. Auf dem die streifenförmigen magnetischen Domänen 6 enthaltenden magnetischen Dünnfilm ist ein Muster aus Schichten aus weichmagnetischem Material gemäß der Dar­ stellung in Fig. 4 ausgebildet; durch die Wirkung eines in gleicher Ebene errichteten bzw. gleichflächigen Magnetfelds, das nachfolgend beschrieben wird, wird das weichmagnetische Material der Schichten in einer vorbestimmten Richtung magne­ tisiert und es wird an dem magnetischen Dünnfilm, insbeson­ dere an den Domänenwänden der streifenförmigen magnetischen Domänen 6 ein vorbestimmtes magnetisches Potential gebildet. In die Potentialmulden dieses Potentials werden Blochlinien eingesetzt, wobei Aufzeichnungsinformationen als zeitlich serielles Signal gespeichert werden, welches durch die Ver­ teilung der Blochlinien bestimmt ist.

Mit 102 ist ein Magnetblasengenerator bezeichnet, der ent­ sprechend eingegebenen Informationen zeitlich aufeinanderfol­ gend Magnetblasen erzeugt. Die zeitlich seriell erzeugten Magnetblasen werden nacheinander mittels einer Schreibtrei­ berstufe 105 jeweils zu dem Ende der entsprechenden streifen­ förmigen magnetischen Domäne 6 versetzt. Diese Magnetblasen dienen zum Einschreiben der Blochlinien.

Andererseits ist mit 106 eine Lesetreiberstufe bezeichnet, die die Blochlinien in Magnetblasen für die Reproduktion der Informationen umsetzt und diese Magnetblasen danach zu einem Magnetblasendetektor 107 versetzt.

Der Magnetblasendetektor 107 erfaßt die mittels der Lesetrei­ berstufe 106 zugeführten Magnetblasen durch Nutzung des Ma­ gnetwiderstandeffekts oder dergleichen und gibt ein zeitlich serielles elektrisches Signal ab, das den aufgezeichneten Informationen entspricht.

Mit 103 ist eine Schreibstromquelle für das Zuführen von Strom zu Schreibstromleitern 111 bei dem Einschreiben der Blochlinien in die Enden der jeweiligen streifenförmigen magnetischen Domänen 6 bezeichnet, während mit 104 eine Lese­ stromquelle für das Zuführen von Strom zu Lesestromleitern 114 bei dem Auslesen der Blochlinien an den Enden der jewei­ ligen streifenförmigen magnetischen Domänen 6 bezeichnet ist.

Mit 110 ist ein Drehfeldgenerator bezeichnet, der parallel zu der Filmebene des magnetischen Dünnfilms des Blochlinienspei­ cher-Substrats 101 ein Magnetfeld erzeugt und auch die Rich­ tung dieses Magnetfelds gemäß der Beschreibung im Zusammen­ hang mit Fig. 4 verändert. Das heißt, die Richtung des Magnetfelds wird gedreht, um die in der Domänenwand gebildeten Potential­ mulden entlang der Domänenwand zu bewegen, wodurch die Bloch­ linien versetzt werden.

Mit 109 ist eine Steuerschaltung bezeichnet, die die Treiber­ stufen 105 und 106, die Generatoren 102 und 110, den Detektor 107 und die Stromquellen 103 und 104 entsprechend einem Eingangssignal IN steuert.

Ein Verfahren zum Erzeugen von Blochlinien in den Domänenwän­ den an den Endbereichen der streifenförmigen magnetischen Domänen 6 in der Magnetspeichervorrichtung nach Fig. 7 sowie ein Verfahren zum Umsetzen bzw. Umwandeln der Blochlinien an den Endbereichen der streifenförmigen magnetischen Domänen 6 sind ausführlich in der eingangs genannten US-PS 45 83 200 beschrieben, so daß daher diese Verfahren hier nicht be­ schrieben werden müssen.

Das Versetzen der Blochlinien bzw. Blochlinienpaare mittels des Drehfeldgenerators 110 und das Einschreiben der Blochli­ nien mittels der Schreibstromleiter 111 oder Auslesen der Blochlinien mittels der Lesestromleiter 114 werden miteinan­ der durch die Steuerschaltung 109 synchronisiert ausgeführt. Durch das Versetzen der Blochlinien nach dem beschriebenen Versetzungsverfahren können die Blochlinien bzw. Blochlinien­ paare auf genaue Weise bewegt werden, so daß die Leistungsfä­ higkeit hinsichtlich des Aufzeichnens oder Wiedergebens von Informationen außerordentlich verbessert ist.

In einem Blochlinienspeicher bzw. bei einem Verfahren zum Versetzen von Blochlinien in der Domänenwand einer in einem magnetischen Dünnfilm gebildeten magnetischen Domäne entlang der Domänenwand wird auf dem magnetischen Dünnfilm ein vorbe­ stimmtes Muster aus Schichten aus weichmagnetischem Material gebildet, das weichmagnetische Material der Schichten paral­ lel zur Filmebene des magnetischen Dünnfilms magnetisiert, um in dem magnetischen Dünnfilm Potentialmulden zu bilden, in denen die Blochlinien gebildet werden, und die Richtung der Magnetisierung des weichmagnetischen Materials der Schichten des Musters in einer zur Filmebene parallelen Ebene verän­ dert, um die Potentialmulden entlang der Domänenwand zu bewe­ gen und damit die Blochlinien zu versetzen.

Claims (7)

1. Verfahren zum Versetzen von Blochlinien in der Domä­ nenwand einer in einem magnetischen Dünnfilm gebildeten ma­ gnetischen Domäne entlang der Domänenwand, dadurch gekenn­ zeichnet, daß auf dem magnetischen Dünnfilm ein vorbestimmtes Muster einer Schicht aus weichmagnetischem Material aufge­ bracht wird, daß das Muster aus der Schicht aus dem weichma­ gnetischem Material parallel zur Filmebene des magnetischen Dünnfilms magnetisiert wird, um in dem magnetischen Dünnfilm Potentialmulden zu bilden, daß in die Potentialmulden Bloch­ linien eingesetzt werden und daß die Richtung der Magnetisie­ rung des Musters der Schicht aus dem weichmagnetischen Mate­ rial in einer zur Filmebene parallelen Ebene verändert wird, um die Potentialmulden entlang der Domänenwand zu bewegen und die Blochlinien zu versetzen.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei dem Verändern der Richtung der Magnetisierung ein Magnetfeld für das Magnetisieren des Musters der Schicht aus dem weich­ magnetischen Material in einer zur Filmebene parallelen Ebene gedreht wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Muster der Schicht aus dem weichmagnetischen Material auf einer auf dem magnetischen Dünnfilm aufgebrachten Abstands­ schicht einer vorbestimmten Dicke ausgebildet wird.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Abstandsschicht aus SiO₂ gebildet wird.

5. Blochlinienspeicher zum Aufzeichnen und Wiedergeben von Informationen mittels Blochlinien in der Domänenwand einer in einem magnetischen Dünnfilm gebildeten magnetischen Domäne, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem magnetischen Dünnfilm (4) ein vorbestimmtes Muster (12) einer Schicht aus weichmagneti­ schem Material gebildet ist und daß eine Magnetisiereinrich­ tung (110) zum Errichten eines zur Filmebene des magnetischen Dünnfilms parallelen Magnetfelds an dem weichmagnetischen Material des Schichtmusters vorgesehen ist, wobei in dem magnetischen Dünnfilm durch das magnetisierte weichmagneti­ sche Material des Schichtmusters erzeugte Potentialmulden durch das Ändern der Richtung des durch die Magnetisierein­ richtung erzeugten Magnetfelds entlang der Domänenwand bewegt und dadurch die in den Potentialmulden eingefangenen Blochli­ nien versetzt werden.

6. Blochlinienspeicher nach Anspruch 5, dadurch gekennzeich­ net, daß auf dem magnetischen Dünnfilm (4) eine Abstands­ schicht (14) ausgebildet ist, auf der das Muster (12) der Schicht aus dem weichmagnetischen Material ausgebildet ist.

7. Blochlinienspeicher nach Anspruch 6, dadurch gekennzeich­ net, daß die Abstandsschicht (14) aus SiO₂ gebildet ist.