DE3809476A1 - Verfahren zum herstellen einer dielektrischen dickfilmstruktur oder eines dickfilm-kupferleiters - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer dielektrischen dickfilmstruktur oder eines dickfilm-kupferleiters

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer dielektrischen Dickfilmstruktur oder eines Dickfilm-Kupfer­ leiters auf einem Substrat, bei dem auf das Substrat ein Muster einer eine Glasfritte, gegebenenfalls Kupferteilchen und ein organisches Bindemittel enthaltenden Dickfilm-Farbe (ink) aufgebracht wird, die Farbe zum Bilden einer gemu­ sterten Schicht getrocknet wird, die gemusterte Schicht bei einer Temperatur unterhalb der thermischen Zersetzungs­ temperatur des organischen Bindemittels für eine ausreichen­ de Zeitdauer zum im wesentlichen vollständigen Entfernen des organischen Bindemittels aus der Schicht mit einem Plas­ ma behandelt wird und die gemusterte Schicht in einer iner­ ten Atmosphäre bis zum Verschmelzen der Glasfritte minde­ stens bei der Glasumwandlungstemperatur gebrannt wird.
Das Material von dielektrischen bzw. isolierenden Farben wird zum Herstellen dielektrischer Dickfilm-Materialien und deren Verwendung beim Herstellen elektrischer Mehrla­ gen-Schaltungsstrukturen, insbesondere von Leitern auf Kup­ ferbasis, verwendet. In der Praxis werden spezielle Farb­ zusammensetzungen zum Herstellen von Dickschichten mit ver­ schiedenen Funktionen auf passenden Substraten bzw. von integrierten Mehrlagenschaltkreisen eingesetzt. Diese Tech­ nologie erlangt steigendes Interesse beim Herstellen sehr kompakter Mehrlagenschaltkreismuster mit unterschiedlichen Substraten für zahlreiche Anwendungen in der Elektronik­ industrie.
Von den leitenden Metallen finden Gold und Kupfer das Haupt­ interesse bei der Bildung leitender Muster aus den Farben bzw. Inks. Kupfer ist natürlich attraktiver, weil es fast dieselbe Leitfähigkeit wie Gold besitzt aber wesentlich billiger ist. Es gibt jedoch einige Schwierigkeiten beim Herstellen von Leiterbahnen oder -linien aus Farben auf Kup­ ferbasis. Typisch wird eine solche Farbe zusammengesetzt aus fein verteiltem Kupfer mit einer Teilchengröße von etwa 1 bis 5 Mikrometern, einer passenden Glasfritte, die eben­ falls auf eine kleine Partikelgröße gebracht wird, und ei­ nem organischen Bindemittel.
Eines der Hauptprobleme beim Herstellen von Kupferkomponen­ ten betrifft das Entfernen des organischen Bindemittels vor dem bei hoher Temperatur erfolgenden Verschmelzen der Glas­ fritte. Ein unvollständiges Entfernen des organischen Binde­ mittels führt dazu, daß das organische Material in der verschmolzenen Glasfritte eingeschlossen wird. Dieses einge­ schlossene Material kann in kohlenstoffhaltige Komponenten zerfallen und dadurch Änderungen der elektrischen Eigen­ schaften des Kupferleiters des Dickfilms verursachen, so daß in einer Vorrichtung, die einen solchen Leiter enthält, Kurzschlüsse, ungleichmäßige Leitung u.dgl. auftreten kön­ nen. Beim erneuten Brennen der Kupfer enthaltenden gemu­ sterten Schichten kann das verbliebene organische Material auch in Gase zerfallen, die zu Blasen oder Poren in der endgültigen Struktur führen. Hierdurch können ebenfalls Kurzschlüsse verursacht werden. Die Blasen oder Poren sind in Mehrschichtstrukturen besonders nachteilig, weil sie eine Trennung der Schichten zur Folge haben können. Weiter­ hin können Blasen oder Poren zu Strompfaden mit niedrigem Widerstand führen, was natürlich in dielektrischen Schich­ ten, die notwendig einen hohen Widerstand aufrechterhalten sollen, besonders unerwünscht ist.
Wäre Kupfer nicht ein leicht oxidierbares Material, könnte das gesamte organische Material beispielsweise durch Erhitzen der Kupferschicht auf 400 bis 500°C in einer oxi­ dierenden Atmospäre entfernt werden. Kupfer oxidiert jedoch bei einer solchen Behandlung und der Grad der Oxidation macht es extrem schwierig, die gewünschte Qualität des End­ produkts zu erhalten. Die Bildung von Kupferoxid beeinträch­ tigt die Leitfähigkeit der Kupferstruktur, die Lötfähigkeit der gebrannten Dickfilmkomponenten und das Sintern der Kup­ ferteilchen beim letzten Brennen erheblich.
Die unvermeidliche Gegenwart von etwas Kupferoxid auf der Oberfläche eines Kupferleiters beeinträchtigt die Integri­ tät einer darüberliegenden Isolatorschicht erheblich. Wenn eine oben liegende Isolatorschicht bei hoher Temperatur in einer inerten Atmosphäre verschmolzen wird, zerfällt das Kupferoxid auf der Oberfläche des darunterliegenden Kupfer­ leiters unter Rückbildung von Kupfer und Freisetzung von Sauerstoff. Dieser Prozeß setzt sich natürlich fort, wenn mehr Schichten und Brennvorgänge beim Herstellen der Struk­ tur aufeinanderfolgen. Der freigesetzte Sauerstoff setzt die Integrität der darüberliegenden dielektrischen Schicht herab, was sich darin äußert, daß die nachfolgend aufge­ brachten Schichten Blasen bilden und sich ablösen. Außerdem werden die dielektrischen Schichten porös, was zu einer Verminderung des Widerstandes durch Erleichterung einer Kup­ fermigration in das Dielektrikum führen kann. All dies hat eine erheblich ungünstige Wirkung auf die Leistung der Struktur, weil die dielektrische Integrität für eine gute Funktionsfähigkeit des jeweiligen Bauelements notwendig ist.
Zum Vermindern der durch das Brennen in einer oxidierenden Atmosphäre verursachten Effekte ist vorgeschlagen worden, die Dickfilmfarben, namentlich Kupferleiterfarben, in einer nicht oxidierenden Atmosphäre, wie Stickstoff, zu brennen, um die Oxidation der anderen Materialien der Farbe zu be­ grenzen. Die Verwendung einer nicht oxidierenden Atmosphäre ist - abgesehen von dem gegenüber der Verwendung einer oxidierenden Atmosphäre größeren Aufwand - nicht vollstän­ dig befriedigend, weil beträchtliche Mengen des organischen Materials thermisch zu kohlenstoffhaltigen Produkten zer­ setzt werden, die in der getrockneten Schicht verbleiben und Kurzschlüsse od.dgl., wie oben angegeben, verursachen können.
In der US-PS 46 19 836 wird beschrieben, daß das organische Bindemittel aus der Dickfilmfarbe vor dem Brennen entfernt werden kann, indem die getrocknete Farbe mit einem passen­ den Plasma, d.h. mit einem oxidierenden oder reduzierenden Plasma, behandelt wird. Auf Kupferfarben wird dort speziell hingewiesen. Es hat sich aber ergeben, daß die bekannte Methode trotz ihrer Wirksamkeit, einen nicht tolerierbar hohen Oxidationsgrad des Kupferleiters der Kupferschicht zur Folge haben kann, wenn die Plasmabehandlung so lange durchgeführt wird, bis sichergestellt ist, daß die organi­ schen Materialien vollständig entfernt sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das Verfahren, bei dem die Dickfilmfarben mit einem Plasma behandelt wer­ den, so zu verbessern, daß die organischen Materialien wirk­ sam und vollständig entfernt werden können, ohne daß die vorgenannten Nachteile, insbesondere eine Oxidation des Kupferleiters, auftreten. Die erfindungsgemäße Lösung be­ steht für die eingangs genannten Verfahren zum Herstellen einer dielektrischen Dickfilmstruktur bzw. eines Dickfilm- Kupferleiters auf einem Substrat darin, daß als Plasma ein Kohlendioxid-Plasma verwendet wird.
Kupfer enthaltende, elektrische Dickfilmstrukturen werden danach hergestellt durch Aufbringen und Trocknen von Kupfer­ dickfilmfarben und dielektrischen Dickfilmfarben auf ein geeignetes Substrat, erfindungsgemäßes Behandeln der ge­ trockneten Farben mit einem Kohlendioxidplasma für eine zum Austreiben des organischen Bindemittels ausreichende Zeit­ dauer und Brennen der resultierenden Schichten bei hohen Temperaturen in einer inerten Atmosphäre. Eine getrocknete dielektrische Schicht kann zu Anfang auch mit einem Sauer­ stoffplasma behandelt werden, bis wenigstens etwa 75% des organischen Bindemittels entfernt sind. Das Sauerstoff­ plasma wird dann durch ein Kohlendioxidplasma ausgetauscht, mit letzterem wird der Rest des Bindemittels ausgetrieben.
Die erfindungsgemäße Plasmabehandlung ist sowohl anwendbar bei dielektrischen Farben als auch bei Kupferleiterfarben. Diese Farben enthalten typisch eine Glasfritte und ein organisches Bindemittel. Die Kupferfarben enthalten zusätz­ lich Kupferteilchen, die im allgemeinen aus reinem Kupfer mit einer Partikelgröße von etwa 1 bis 10, vorzugsweise 1 bis 5 Mikrometern bestehen. Die Farbe soll etwa 50 bis etwa 90 Gew.%, bevorzugt etwa 65 bis etwa 85 Gew.%, Kupferteil­ chen enthalten.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann unter Verwendung von im Handel erhältlichen Kupferleiterfarben angewendet werden. Es läßt sich jedoch im allgemeinen nicht besonders vorteilhaft mit im Handel erhältlichen dielektrischen Far­ ben durchführen, weil diese im allgemeinen Oxidationshil­ fen, wie Bariumnitrat und Kupferoxid, enthalten, die eine Porosität in den dielektrischen Schichten hervorrufen, der dann durch die erfindungsgemäße Plasmabehandlung nicht vor­ zubeugen ist. Die erfindungsgemäße Plasmabehandlung ist jedoch höchst vorteilhaft für verbesserte dielektrische Farben, die solche Oxidationshilfen nicht erfordern. Solche verbesserten dielektrischen Farben werden beispielsweise in der EP-Patentanmeldung 8 73 08 726.6 beschrieben.
Die Glasfritte der erfindungsgemäß behandelten Farben soll chemisch kompatibel mit Kupfer oder gegebenenfalls einem anderen Leiter sowie mit dem Substrat ebenso wie mit den anderen zum Herstellen der Mehrlagenschaltung verwendeten Materialien sein. Zusätzlich zur chemischen Kompatibilität soll die Glasfritte auch einen Ausdehnungskoeffizienten nahe demjenigen des Substrats und des verwendeten dielek­ trischen Materials besitzen. Die Glasfritte soll auch eine Glasumwandlungstemperatur haben, die wesentlich höher als die Temperatur der thermischen Zersetzung des Bindemittels, vorzugsweise zwischen etwa 700 und 1000°C, liegt. Schließ­ lich soll die Glasfritte auf eine sehr feine Partikelgröße, typisch etwa 3 bis 5 Mikrometer, gebracht werden. Gegebe­ nenfalls können dadurch Kupferteilchen gleichmäßig mit dich­ ter Packung in der ganzen Farbe verteilt werden. Besonders bevorzugte Glasfritten sind Zink-Kalzium-Aluminium-Silikat- und Zink-Magnesium-Barium-Aluminium-Zirkon-Phosphorsili­ kat-Fritten, wie sie in der EP-Patentanmeldung 8 73 08 727.4 beschrieben werden.
Das organische Bindemittel ist typisch eine Lösung von ei­ nem oder mehreren Harzbindern in einem oder mehreren passen­ den Lösungsmitteln. Bei den Harzbindern kommen Zellulosede­ rivate, wie Methylzellulose oder Ethylzellulose, syntheti­ sche Harze, wie Polymethacrylat, Polyester, Polyolefin u. dgl. infrage. Ein besonders bevorzugtes Bindemittel ist Poly(isobuthylmethacrylat). Zu den übrigen Bindemitteln gehören beispielsweise Pineöl, Terpineol, Butylcarbitolaze­ tat, 2,2,4-Trimethyl-1,3-Pentandiol-Monoisobutyrat, letzte­ res erhältlich von der Firma Texas Eastman Company unter dem Warenzeichen "Texanol". Die Bindemittel enthalten vor­ teilhaft bis etwa 25 Gew.% der Binderkomponente.
Die Bindemittel können üblicherweise ein Viskositäts-Modi­ fiziermittel, z.B. ein Rizinusölderivat, das von N.L. In­ dustries unter dem Warenzeichen "Thixatrol" erhältlich ist, ein oder mehrere oberflächenaktive Substanzen in üblichen Mengen, und ein Netzmittel, wie es herkömmlich in solchen Farben zum Verbessern der Benetzung der Kupferteilchen mit dem organischen Bindemittel eingesetzt wird. Das Bindemit­ tel kann bis zu etwa 25, vorzugsweise etwa 10 bis etwa 20 Gew.% des Netzmittels enthalten. Ein typisches Netzmittel ist eine Dispersion aus einem komplexen, multifunktionalen, aliphatischen Kohlenwasserstoff in einem aliphatischen Koh­ lenwasserstofföl, wie es von Central Compounding Company, Chicago, Illinois, USA, unter dem Warenzeichen "Hypothio­ late 100" erhältlich ist. Die Komponenten des Bindemittels sollen, wenn sie nicht schon beim Trocknen der Farbe ver­ dampft werden, eine thermische Zersetzungstemperatur von höchstens etwa 400°C besitzen.
Die Farben werden auf herkömmliche Weise, z.B. durch Schirm­ druck, durch Bürsten, Sprühen mit Hilfe eines Abziehbandes od.dg1. auf ein geeignetes Substrat aufgebracht. Zu den erfindungsgemäß geeigneten Substraten gehören herkömmliche Materialien, wie Siliziumdioxid, Tonerde, mit Porzellan be­ schichtete Leiterplatten aus Metall u.dg1.. Der Ausdruck "Substrat" schließt auch Schichten aus herkömmlichem dielek­ trischem Material, Kupferleiter und Kupferdurchgangsfüllun­ gen ein, wie sie bei der Herstellung einer herkömmlichen komplexen Mehrlagenschaltung auf Kupferbasis vorkommen.
Nach dem Aufbringen auf ein Substrat wird die Farbe in Luft bei etwa 100 bis 125°C 10 bis 15 Minuten lang getrocknet, um den größten Teil des Bindemittels zu entfernen. Die Far­ be wird dann erfindungsgemäß mit einem Plasma behandelt. Die Plasmabehandlung wird bei einer Temperatur unterhalb der thermischen Zersetzungstemperatur der Komponenten des organischen Bindemittels, vorzugsweise zwischen etwa 100 und 200°C, durchgeführt.
Erfindungsgemäß kann im wesentlichen die Gesamtmenge des organischen Materials aus einer Kupferfarbe entfernt wer­ den, ohne das Kupfer in störender Weise zu oxidieren, wenn die getrocknete Farbe in einem Kohlendioxidplasma behan­ delt wird. Kohlendioxid wird zwar nicht als oxidierendes Plasma betrachtet, es ist aber wahrscheinlich, daß Sauer­ stoffionen in dem Plasma existieren, jedoch unterhalb einer Menge, die einen unerwünschten Oxidationsgrad der Kupfer­ teilchen während der im wesentlichen zum Austreiben des organischen Materials aus der Farbe erforderlichen Zeit hervorrufen. Durch eine erfindungsgemäße Behandlung der getrockneten Kupferfarbe mit einem Kohlendioxidplasma wird daher im wesentlichen das gesamte organische Material wirk­ sam aus der Farbe entfernt, ohne daß die Kupferteilchen der getrockneten Farbe nennenswert oxidiert würden.
Durch Behandeln einer getrockneten, auf einer Kupferleiter­ schicht liegenden dielektrischen Farbe mit einem Sauerstoff­ plasma entsteht Kupferoxid an der Oberfläche der Leiter­ schicht, weil die aktiven Plasmateilchen die poröse dielek­ trische Schicht durchdringen. Die Bildung des Kupferoxids beeinträchtigt die Integrität der dielektrischen Schicht in der oben beschriebenen Weise erheblich. Wenn die Integri­ tät der dielektrischen Schicht erhalten werden soll, ist es daher notwendig, daß auch sie erfindungsgemäß mit einem Kohlendioxidplasma behandelt wird. Es hat sich jedoch her­ ausgestellt, daß die zum Behandeln der dielektrischen Schicht erforderliche Zeit wesentlich vermindert werden kann, indem eine Zwei-Stufen-Plasmabehandlung, in der einem Sauerstoffplasma ein Kohlendioxidplasma folgt, vorgenommen wird.
In dem Zwei-Stufen-Verfahren wird die Behandlung der ge­ trockneten Farbe in einem Sauerstoffplasma durchgeführt, bis etwa 75 bis 99% des Bindemittels entfernt worden sind. Es muß darauf hingewiesen werden, daß ein beträchtlicher Teil des Bindemittels bereits während der einleitenden Trocknungsstufe ausgetrieben worden ist. Die Menge des ver­ bleibenden Bindemittels kann leicht durch herkömmliche Me­ thoden, z.B. durch Wiegen des Substrats od.dgl. bestimmt werden. Für eine vorgegebene Farbe wird der Punkt des Ver­ fahrens, bei der in der Plasmabehandlung von Sauerstoff auf Kohlendioxid umgeschaltet wird, durch die Temperatur be­ stimmt, bei der die Glasfritte sich zu erweichen und zu verdichten beginnt. Das gilt, weil die Menge des ausgetrie­ benen Bindemittels als Funktion der Zeit in Bezug steht zur Bildung von Kupferoxid auf dem darunterliegenden Leiter. Es besteht daher ein Zusammenhang zwischen der Erweichungstem­ peratur der Fritte und der Menge des ausgetriebenen Binde­ mittels, wenn das Plasma gewechselt wird.
Im allgemeinen sinkt mit der Erweichungstemperatur der Glas­ fritte in einer Farbe auch die zulässige Menge an auf dem darunterliegenden Leiter zu bildendem Kupferoxid. Bei einer Farbe mit einer niedrigen Erweichungstemperatur kann nur relativ weniger Kupferoxid gebildet werden, da für den durch Zersetzung von Kupferoxid gebildeten Sauerstoff eine geringere Chance besteht, durch die dielektrische Schicht zu entweichen, bevor die Temperatur ausreichend hoch ist, um das Glas zum Fließen und Verdichten zu bringen. Eine Farbe mit einer niedrigen Erweichungstemperatur, z.B. etwa 650°C, wird daher nur mit dem Sauerstoffplasma behandelt, bis etwa 75 bis 80% des Bindemittels ausgetrieben sind. Im Gegensatz dazu, kann eine Farbe mit einer hohen Erwei­ chungstemperatur, z.B. etwa 900°C, mit dem Sauerstoffplasma behandelt werden, bis etwa 99% des Bindemittels entfernt worden sind. Im allgemeinen soll der Vorgang des Behandelns mit dem Sauerstoffplasma etwa 10 Minuten unter herkömmli­ chen Bedingungen nicht überschreiten.
Das zum erfindungsgemäßen Behandeln getrockneter, dielek­ trischer und funktioneller Farben, wie Kupferleiter, verwen­ dete Plasma kann unter Benutzung herkömmlicher Reaktoren erzeugt werden. Die spezifischen Bedingungen des Plasmas können innerhalb eines relativ breiten Bereichs variieren. Im allgemeinen werden etwa 10 bis 100 W Leistung zum Erzeu­ gen des Plasmas benötigt. Der Druck im Reaktor beträgt im allgemeinen etwa 65 bis 400 Pa, die Temperatur liegt zwi­ schen 20 und 250°C, der Gasdurchsatz an Kohlendioxid be­ trägt etwa 30 bis 300 Normal-cm3 pro Minute. Typisch sind wenigstens etwa 15, vorzugsweise etwa 30 bis 120 Minuten erforderlich, um sicherzustellen, daß im wesentlichen die Gesamtmenge der organischen Materialien aus der getrockne­ ten Farbe ausgetrieben worden ist. Die Bedingungen für das Sauerstoffplasma in der Zwei-Stufen-Behandlung sind im we­ sentlichen ähnlich. Das vollständige Austreiben des organi­ schen Materials aus der getrockneten Farbe läßt sich her­ kömmlich mit Hilfe von Überwachungsindikatoren, z.B. als Gewichtsverlust des Substrats, spezielle Reaktionsprodukte in den aus der Reaktionskammer ausströmenden Gasen od.dgl. bestimmen.
Nachdem die erfindungsgemäße Plasmabehandlung beendet ist, wird das das Farbmuster enthaltende Substrat aus der Plasma­ kammer herausgenommen und bei einer erhöhten Temperatur oberhalb der Zersetzungstemperatur der organischen Materia­ lien gebrannt. Die Brenntemperatur soll wenigstens gleich der Glasübergangstemperatur der Glasfritte sein und vorzugs­ weise etwa 850 bis etwa 950°C betragen. Das Substrat wird so lange gebrannt, bis die Teilchen der Glasfritte mitein­ ander verschmelzen. Bei einer Mehrlagenschaltungsstruktur auf Kupferbasis werden alle Schichten, einschließlich der dielektrischen Schichten wegen deren Porosität, in einer inerten Umgebung, wie Stickstoff, ausreichend gebrannt, um ein Oxidieren des Kupferleiters zu verhindern.
Die resultierende, gebrannte Dickfilmfarbe ist dicht ge­ packt ohne Poren und besitzt eine außerordentlich glatte Oberfläche. Da die verschmolzene Schicht frei von restli­ chem organischem Material ist, bleibt sie auch intakt wäh­ rend der aufeinanderfolgenden Brennvorgänge, die zum Aufbau eines Mehrlagenschaltkreises erforderlich sind, insbeson­ dere werden keine Gasblasen gebildet und die Schichten wer­ den nicht voneinander getrennt, wie es bisher bei Struktu­ ren aus solchen Materialien der Fall war. Die Integrität der erfindungsgemäß behandelten dielektrischen Schichten bleibt im wesentlichen intakt, im Gegensatz zu ähnlichen Strukturen, bei denen eine Plasmabehandlung nicht oder mit Sauerstoff ausgeführt worden ist.
Die Erfindung verbessert somit Verfahren zum Herstellen von Dickfilmwiderständen bzw -dielektrika und von Kupferlei­ tern, bei denen eine passende Dickfilmfarbe niedergeschla­ gen und getrocknet wird. Die resultierende gemusterte Schicht wird dann erfindungsgemäß mit einem Kohlenstoffdi­ oxidplasma behandelt, bis im wesentlichen die Gesamtmenge des organischen Bindemittels ausgetrieben ist. Schließlich folgt ein Brennen der Schicht in einer inerten Atmosphäre. In einer alternativen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, wird eine getrocknete dielektrische Farbe zu­ nächst mit einem Sauerstoffplasma behandelt, bis etwa 75 bis 99% des Bindemittels ausgetrieben sind. Mehrlagenschal­ tungsstrukturen auf Kupferbasis, die unter Zuhilfenahme des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellt worden sind, zeich­ nen sich durch eine hervorragende Integrität der dielektri­ schen Schichten aus.

Claims (6)

1. Verfahren zum Herstellen einer dielektrischen Dick­ filmstruktur auf einem Substrat, bei dem
  • a) auf das Substrat ein Muster einer eine Glasfritte und ein organisches Bindemittel enthaltenden dielek­ trischen Dickfilm-Farbe aufgebracht wird;
  • b) die Farbe zum Bilden einer gemusterten Schicht ge­ trocknet wird;
  • c) die gemusterte Schicht bei einer Temperatur unter­ halb der thermischen Zersetzungstemperatur des or­ ganischen Bindemittels für eine ausreichende Zeit zum im wesentlichen vollständigen Entfernen des organischen Bindemittels aus der Schicht mit einem Plasma behandelt wird; und
  • d) die gemusterte Schicht in einer inerten Atmosphäre bis zum Verschmelzen der Glasfritte mindestens bei der Glasumwandlungstemperatur gebrannt wird; dadurch gekennzeichnet, daß als Plasma ein Kohlendi­ oxid-Plasma verwendet wird.
2. Verfahren zum Herstellen eines Dickfilm-Kupferleiters auf einem Substrat, bei dem
  • a) auf das Substrat ein Muster einer eine Glasfritte, Kupferteilchen und ein organisches Bindemittel ent­ haltenden Dickfilm-Farbe aufgebracht wird;
  • b) die Farbe zum Bilden einer gemusterten Schicht ge­ trocknet wird;
  • c) die gemusterte Schicht bei einer Temperatur unter­ halb der thermischen Zersetzungstemperatur des or­ ganischen Bindemittels für eine ausreichende Zeit­ dauer zum im wesentlichen vollständigen Entfernen des organischen Bindemittels aus der Schicht mit einem Plasma behandelt wird; und
  • d) die gemusterte Schicht in einer inerten Atmosphäre bis zum Verschmelzen der Glasfritte mindestens bei der Glasumwandlungstemperatur gebrannt wird; dadurch gekennzeichnet, daß als Plasma ein Kohlendi­ oxid-Plasma verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich­ net, daß die Plasmabehandlung bei einer Temperatur von etwa 100 bis 200°C durchgeführt wird.
4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die gemusterte Schicht nach der Plasmabehandlung bei einer Temperatur von etwa 850 bis etwa 950°C gebrannt wird.
5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die gemusterte Schicht nach der Plasmabehandlung in Stickstoff ge­ brannt wird.
6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die getrocknete dielektrische Farbe vor dem Behandeln mit dem Kohlen­ dioxid-Plasma während einer zum Entfernen von etwa 75 bis 99 Gew.% des organischen Bindemittels ausrei­ chenden Zeitdauer mit einem Sauerstoffplasma behandelt wird.
DE3809476A 1987-03-23 1988-03-22 Verfahren zum herstellen einer dielektrischen dickfilmstruktur oder eines dickfilm-kupferleiters Withdrawn DE3809476A1 (de)

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