DE3809476A1 - Verfahren zum herstellen einer dielektrischen dickfilmstruktur oder eines dickfilm-kupferleiters - Google Patents
Verfahren zum herstellen einer dielektrischen dickfilmstruktur oder eines dickfilm-kupferleitersInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer
dielektrischen Dickfilmstruktur oder eines Dickfilm-Kupfer
leiters auf einem Substrat, bei dem auf das Substrat ein
Muster einer eine Glasfritte, gegebenenfalls Kupferteilchen
und ein organisches Bindemittel enthaltenden Dickfilm-Farbe
(ink) aufgebracht wird, die Farbe zum Bilden einer gemu
sterten Schicht getrocknet wird, die gemusterte Schicht
bei einer Temperatur unterhalb der thermischen Zersetzungs
temperatur des organischen Bindemittels für eine ausreichen
de Zeitdauer zum im wesentlichen vollständigen Entfernen
des organischen Bindemittels aus der Schicht mit einem Plas
ma behandelt wird und die gemusterte Schicht in einer iner
ten Atmosphäre bis zum Verschmelzen der Glasfritte minde
stens bei der Glasumwandlungstemperatur gebrannt wird.
Das Material von dielektrischen bzw. isolierenden Farben
wird zum Herstellen dielektrischer Dickfilm-Materialien
und deren Verwendung beim Herstellen elektrischer Mehrla
gen-Schaltungsstrukturen, insbesondere von Leitern auf Kup
ferbasis, verwendet. In der Praxis werden spezielle Farb
zusammensetzungen zum Herstellen von Dickschichten mit ver
schiedenen Funktionen auf passenden Substraten bzw. von
integrierten Mehrlagenschaltkreisen eingesetzt. Diese Tech
nologie erlangt steigendes Interesse beim Herstellen sehr
kompakter Mehrlagenschaltkreismuster mit unterschiedlichen
Substraten für zahlreiche Anwendungen in der Elektronik
industrie.
Von den leitenden Metallen finden Gold und Kupfer das Haupt
interesse bei der Bildung leitender Muster aus den Farben
bzw. Inks. Kupfer ist natürlich attraktiver, weil es fast
dieselbe Leitfähigkeit wie Gold besitzt aber wesentlich
billiger ist. Es gibt jedoch einige Schwierigkeiten beim
Herstellen von Leiterbahnen oder -linien aus Farben auf Kup
ferbasis. Typisch wird eine solche Farbe zusammengesetzt
aus fein verteiltem Kupfer mit einer Teilchengröße von etwa
1 bis 5 Mikrometern, einer passenden Glasfritte, die eben
falls auf eine kleine Partikelgröße gebracht wird, und ei
nem organischen Bindemittel.
Eines der Hauptprobleme beim Herstellen von Kupferkomponen
ten betrifft das Entfernen des organischen Bindemittels vor
dem bei hoher Temperatur erfolgenden Verschmelzen der Glas
fritte. Ein unvollständiges Entfernen des organischen Binde
mittels führt dazu, daß das organische Material in der
verschmolzenen Glasfritte eingeschlossen wird. Dieses einge
schlossene Material kann in kohlenstoffhaltige Komponenten
zerfallen und dadurch Änderungen der elektrischen Eigen
schaften des Kupferleiters des Dickfilms verursachen, so
daß in einer Vorrichtung, die einen solchen Leiter enthält,
Kurzschlüsse, ungleichmäßige Leitung u.dgl. auftreten kön
nen. Beim erneuten Brennen der Kupfer enthaltenden gemu
sterten Schichten kann das verbliebene organische Material
auch in Gase zerfallen, die zu Blasen oder Poren in der
endgültigen Struktur führen. Hierdurch können ebenfalls
Kurzschlüsse verursacht werden. Die Blasen oder Poren sind
in Mehrschichtstrukturen besonders nachteilig, weil sie
eine Trennung der Schichten zur Folge haben können. Weiter
hin können Blasen oder Poren zu Strompfaden mit niedrigem
Widerstand führen, was natürlich in dielektrischen Schich
ten, die notwendig einen hohen Widerstand aufrechterhalten
sollen, besonders unerwünscht ist.
Wäre Kupfer nicht ein leicht oxidierbares Material, könnte
das gesamte organische Material beispielsweise durch
Erhitzen der Kupferschicht auf 400 bis 500°C in einer oxi
dierenden Atmospäre entfernt werden. Kupfer oxidiert jedoch
bei einer solchen Behandlung und der Grad der Oxidation
macht es extrem schwierig, die gewünschte Qualität des End
produkts zu erhalten. Die Bildung von Kupferoxid beeinträch
tigt die Leitfähigkeit der Kupferstruktur, die Lötfähigkeit
der gebrannten Dickfilmkomponenten und das Sintern der Kup
ferteilchen beim letzten Brennen erheblich.
Die unvermeidliche Gegenwart von etwas Kupferoxid auf der
Oberfläche eines Kupferleiters beeinträchtigt die Integri
tät einer darüberliegenden Isolatorschicht erheblich. Wenn
eine oben liegende Isolatorschicht bei hoher Temperatur in
einer inerten Atmosphäre verschmolzen wird, zerfällt das
Kupferoxid auf der Oberfläche des darunterliegenden Kupfer
leiters unter Rückbildung von Kupfer und Freisetzung von
Sauerstoff. Dieser Prozeß setzt sich natürlich fort, wenn
mehr Schichten und Brennvorgänge beim Herstellen der Struk
tur aufeinanderfolgen. Der freigesetzte Sauerstoff setzt
die Integrität der darüberliegenden dielektrischen Schicht
herab, was sich darin äußert, daß die nachfolgend aufge
brachten Schichten Blasen bilden und sich ablösen. Außerdem
werden die dielektrischen Schichten porös, was zu einer
Verminderung des Widerstandes durch Erleichterung einer Kup
fermigration in das Dielektrikum führen kann. All dies hat
eine erheblich ungünstige Wirkung auf die Leistung der
Struktur, weil die dielektrische Integrität für eine gute
Funktionsfähigkeit des jeweiligen Bauelements notwendig ist.
Zum Vermindern der durch das Brennen in einer oxidierenden
Atmosphäre verursachten Effekte ist vorgeschlagen worden,
die Dickfilmfarben, namentlich Kupferleiterfarben, in einer
nicht oxidierenden Atmosphäre, wie Stickstoff, zu brennen,
um die Oxidation der anderen Materialien der Farbe zu be
grenzen. Die Verwendung einer nicht oxidierenden Atmosphäre
ist - abgesehen von dem gegenüber der Verwendung einer
oxidierenden Atmosphäre größeren Aufwand - nicht vollstän
dig befriedigend, weil beträchtliche Mengen des organischen
Materials thermisch zu kohlenstoffhaltigen Produkten zer
setzt werden, die in der getrockneten Schicht verbleiben
und Kurzschlüsse od.dgl., wie oben angegeben, verursachen
können.
In der US-PS 46 19 836 wird beschrieben, daß das organische
Bindemittel aus der Dickfilmfarbe vor dem Brennen entfernt
werden kann, indem die getrocknete Farbe mit einem passen
den Plasma, d.h. mit einem oxidierenden oder reduzierenden
Plasma, behandelt wird. Auf Kupferfarben wird dort speziell
hingewiesen. Es hat sich aber ergeben, daß die bekannte
Methode trotz ihrer Wirksamkeit, einen nicht tolerierbar
hohen Oxidationsgrad des Kupferleiters der Kupferschicht
zur Folge haben kann, wenn die Plasmabehandlung so lange
durchgeführt wird, bis sichergestellt ist, daß die organi
schen Materialien vollständig entfernt sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das Verfahren,
bei dem die Dickfilmfarben mit einem Plasma behandelt wer
den, so zu verbessern, daß die organischen Materialien wirk
sam und vollständig entfernt werden können, ohne daß die
vorgenannten Nachteile, insbesondere eine Oxidation des
Kupferleiters, auftreten. Die erfindungsgemäße Lösung be
steht für die eingangs genannten Verfahren zum Herstellen
einer dielektrischen Dickfilmstruktur bzw. eines Dickfilm-
Kupferleiters auf einem Substrat darin, daß als Plasma ein
Kohlendioxid-Plasma verwendet wird.
Kupfer enthaltende, elektrische Dickfilmstrukturen werden
danach hergestellt durch Aufbringen und Trocknen von Kupfer
dickfilmfarben und dielektrischen Dickfilmfarben auf ein
geeignetes Substrat, erfindungsgemäßes Behandeln der ge
trockneten Farben mit einem Kohlendioxidplasma für eine zum
Austreiben des organischen Bindemittels ausreichende Zeit
dauer und Brennen der resultierenden Schichten bei hohen
Temperaturen in einer inerten Atmosphäre. Eine getrocknete
dielektrische Schicht kann zu Anfang auch mit einem Sauer
stoffplasma behandelt werden, bis wenigstens etwa 75% des
organischen Bindemittels entfernt sind. Das Sauerstoff
plasma wird dann durch ein Kohlendioxidplasma ausgetauscht,
mit letzterem wird der Rest des Bindemittels ausgetrieben.
Die erfindungsgemäße Plasmabehandlung ist sowohl anwendbar
bei dielektrischen Farben als auch bei Kupferleiterfarben.
Diese Farben enthalten typisch eine Glasfritte und ein
organisches Bindemittel. Die Kupferfarben enthalten zusätz
lich Kupferteilchen, die im allgemeinen aus reinem Kupfer
mit einer Partikelgröße von etwa 1 bis 10, vorzugsweise 1
bis 5 Mikrometern bestehen. Die Farbe soll etwa 50 bis etwa
90 Gew.%, bevorzugt etwa 65 bis etwa 85 Gew.%, Kupferteil
chen enthalten.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann unter Verwendung von im
Handel erhältlichen Kupferleiterfarben angewendet werden.
Es läßt sich jedoch im allgemeinen nicht besonders
vorteilhaft mit im Handel erhältlichen dielektrischen Far
ben durchführen, weil diese im allgemeinen Oxidationshil
fen, wie Bariumnitrat und Kupferoxid, enthalten, die eine
Porosität in den dielektrischen Schichten hervorrufen, der
dann durch die erfindungsgemäße Plasmabehandlung nicht vor
zubeugen ist. Die erfindungsgemäße Plasmabehandlung ist
jedoch höchst vorteilhaft für verbesserte dielektrische
Farben, die solche Oxidationshilfen nicht erfordern. Solche
verbesserten dielektrischen Farben werden beispielsweise
in der EP-Patentanmeldung 8 73 08 726.6 beschrieben.
Die Glasfritte der erfindungsgemäß behandelten Farben soll
chemisch kompatibel mit Kupfer oder gegebenenfalls einem
anderen Leiter sowie mit dem Substrat ebenso wie mit den
anderen zum Herstellen der Mehrlagenschaltung verwendeten
Materialien sein. Zusätzlich zur chemischen Kompatibilität
soll die Glasfritte auch einen Ausdehnungskoeffizienten
nahe demjenigen des Substrats und des verwendeten dielek
trischen Materials besitzen. Die Glasfritte soll auch eine
Glasumwandlungstemperatur haben, die wesentlich höher als
die Temperatur der thermischen Zersetzung des Bindemittels,
vorzugsweise zwischen etwa 700 und 1000°C, liegt. Schließ
lich soll die Glasfritte auf eine sehr feine Partikelgröße,
typisch etwa 3 bis 5 Mikrometer, gebracht werden. Gegebe
nenfalls können dadurch Kupferteilchen gleichmäßig mit dich
ter Packung in der ganzen Farbe verteilt werden. Besonders
bevorzugte Glasfritten sind Zink-Kalzium-Aluminium-Silikat-
und Zink-Magnesium-Barium-Aluminium-Zirkon-Phosphorsili
kat-Fritten, wie sie in der EP-Patentanmeldung 8 73 08 727.4
beschrieben werden.
Das organische Bindemittel ist typisch eine Lösung von ei
nem oder mehreren Harzbindern in einem oder mehreren passen
den Lösungsmitteln. Bei den Harzbindern kommen Zellulosede
rivate, wie Methylzellulose oder Ethylzellulose, syntheti
sche Harze, wie Polymethacrylat, Polyester, Polyolefin u.
dgl. infrage. Ein besonders bevorzugtes Bindemittel ist
Poly(isobuthylmethacrylat). Zu den übrigen Bindemitteln
gehören beispielsweise Pineöl, Terpineol, Butylcarbitolaze
tat, 2,2,4-Trimethyl-1,3-Pentandiol-Monoisobutyrat, letzte
res erhältlich von der Firma Texas Eastman Company unter
dem Warenzeichen "Texanol". Die Bindemittel enthalten vor
teilhaft bis etwa 25 Gew.% der Binderkomponente.
Die Bindemittel können üblicherweise ein Viskositäts-Modi
fiziermittel, z.B. ein Rizinusölderivat, das von N.L. In
dustries unter dem Warenzeichen "Thixatrol" erhältlich ist,
ein oder mehrere oberflächenaktive Substanzen in üblichen
Mengen, und ein Netzmittel, wie es herkömmlich in solchen
Farben zum Verbessern der Benetzung der Kupferteilchen mit
dem organischen Bindemittel eingesetzt wird. Das Bindemit
tel kann bis zu etwa 25, vorzugsweise etwa 10 bis etwa 20
Gew.% des Netzmittels enthalten. Ein typisches Netzmittel
ist eine Dispersion aus einem komplexen, multifunktionalen,
aliphatischen Kohlenwasserstoff in einem aliphatischen Koh
lenwasserstofföl, wie es von Central Compounding Company,
Chicago, Illinois, USA, unter dem Warenzeichen "Hypothio
late 100" erhältlich ist. Die Komponenten des Bindemittels
sollen, wenn sie nicht schon beim Trocknen der Farbe ver
dampft werden, eine thermische Zersetzungstemperatur von
höchstens etwa 400°C besitzen.
Die Farben werden auf herkömmliche Weise, z.B. durch Schirm
druck, durch Bürsten, Sprühen mit Hilfe eines Abziehbandes
od.dg1. auf ein geeignetes Substrat aufgebracht. Zu den
erfindungsgemäß geeigneten Substraten gehören herkömmliche
Materialien, wie Siliziumdioxid, Tonerde, mit Porzellan be
schichtete Leiterplatten aus Metall u.dg1.. Der Ausdruck
"Substrat" schließt auch Schichten aus herkömmlichem dielek
trischem Material, Kupferleiter und Kupferdurchgangsfüllun
gen ein, wie sie bei der Herstellung einer herkömmlichen
komplexen Mehrlagenschaltung auf Kupferbasis vorkommen.
Nach dem Aufbringen auf ein Substrat wird die Farbe in Luft
bei etwa 100 bis 125°C 10 bis 15 Minuten lang getrocknet,
um den größten Teil des Bindemittels zu entfernen. Die Far
be wird dann erfindungsgemäß mit einem Plasma behandelt.
Die Plasmabehandlung wird bei einer Temperatur unterhalb
der thermischen Zersetzungstemperatur der Komponenten des
organischen Bindemittels, vorzugsweise zwischen etwa 100
und 200°C, durchgeführt.
Erfindungsgemäß kann im wesentlichen die Gesamtmenge des
organischen Materials aus einer Kupferfarbe entfernt wer
den, ohne das Kupfer in störender Weise zu oxidieren, wenn
die getrocknete Farbe in einem Kohlendioxidplasma behan
delt wird. Kohlendioxid wird zwar nicht als oxidierendes
Plasma betrachtet, es ist aber wahrscheinlich, daß Sauer
stoffionen in dem Plasma existieren, jedoch unterhalb einer
Menge, die einen unerwünschten Oxidationsgrad der Kupfer
teilchen während der im wesentlichen zum Austreiben des
organischen Materials aus der Farbe erforderlichen Zeit
hervorrufen. Durch eine erfindungsgemäße Behandlung der
getrockneten Kupferfarbe mit einem Kohlendioxidplasma wird
daher im wesentlichen das gesamte organische Material wirk
sam aus der Farbe entfernt, ohne daß die Kupferteilchen
der getrockneten Farbe nennenswert oxidiert würden.
Durch Behandeln einer getrockneten, auf einer Kupferleiter
schicht liegenden dielektrischen Farbe mit einem Sauerstoff
plasma entsteht Kupferoxid an der Oberfläche der Leiter
schicht, weil die aktiven Plasmateilchen die poröse dielek
trische Schicht durchdringen. Die Bildung des Kupferoxids
beeinträchtigt die Integrität der dielektrischen Schicht
in der oben beschriebenen Weise erheblich. Wenn die Integri
tät der dielektrischen Schicht erhalten werden soll, ist
es daher notwendig, daß auch sie erfindungsgemäß mit einem
Kohlendioxidplasma behandelt wird. Es hat sich jedoch her
ausgestellt, daß die zum Behandeln der dielektrischen
Schicht erforderliche Zeit wesentlich vermindert werden
kann, indem eine Zwei-Stufen-Plasmabehandlung, in der einem
Sauerstoffplasma ein Kohlendioxidplasma folgt, vorgenommen
wird.
In dem Zwei-Stufen-Verfahren wird die Behandlung der ge
trockneten Farbe in einem Sauerstoffplasma durchgeführt,
bis etwa 75 bis 99% des Bindemittels entfernt worden sind.
Es muß darauf hingewiesen werden, daß ein beträchtlicher
Teil des Bindemittels bereits während der einleitenden
Trocknungsstufe ausgetrieben worden ist. Die Menge des ver
bleibenden Bindemittels kann leicht durch herkömmliche Me
thoden, z.B. durch Wiegen des Substrats od.dgl. bestimmt
werden. Für eine vorgegebene Farbe wird der Punkt des Ver
fahrens, bei der in der Plasmabehandlung von Sauerstoff auf
Kohlendioxid umgeschaltet wird, durch die Temperatur be
stimmt, bei der die Glasfritte sich zu erweichen und zu
verdichten beginnt. Das gilt, weil die Menge des ausgetrie
benen Bindemittels als Funktion der Zeit in Bezug steht zur
Bildung von Kupferoxid auf dem darunterliegenden Leiter. Es
besteht daher ein Zusammenhang zwischen der Erweichungstem
peratur der Fritte und der Menge des ausgetriebenen Binde
mittels, wenn das Plasma gewechselt wird.
Im allgemeinen sinkt mit der Erweichungstemperatur der Glas
fritte in einer Farbe auch die zulässige Menge an auf dem
darunterliegenden Leiter zu bildendem Kupferoxid. Bei einer
Farbe mit einer niedrigen Erweichungstemperatur kann nur
relativ weniger Kupferoxid gebildet werden, da für den
durch Zersetzung von Kupferoxid gebildeten Sauerstoff eine
geringere Chance besteht, durch die dielektrische Schicht
zu entweichen, bevor die Temperatur ausreichend hoch ist,
um das Glas zum Fließen und Verdichten zu bringen. Eine
Farbe mit einer niedrigen Erweichungstemperatur, z.B. etwa
650°C, wird daher nur mit dem Sauerstoffplasma behandelt,
bis etwa 75 bis 80% des Bindemittels ausgetrieben sind.
Im Gegensatz dazu, kann eine Farbe mit einer hohen Erwei
chungstemperatur, z.B. etwa 900°C, mit dem Sauerstoffplasma
behandelt werden, bis etwa 99% des Bindemittels entfernt
worden sind. Im allgemeinen soll der Vorgang des Behandelns
mit dem Sauerstoffplasma etwa 10 Minuten unter herkömmli
chen Bedingungen nicht überschreiten.
Das zum erfindungsgemäßen Behandeln getrockneter, dielek
trischer und funktioneller Farben, wie Kupferleiter, verwen
dete Plasma kann unter Benutzung herkömmlicher Reaktoren
erzeugt werden. Die spezifischen Bedingungen des Plasmas
können innerhalb eines relativ breiten Bereichs variieren.
Im allgemeinen werden etwa 10 bis 100 W Leistung zum Erzeu
gen des Plasmas benötigt. Der Druck im Reaktor beträgt im
allgemeinen etwa 65 bis 400 Pa, die Temperatur liegt zwi
schen 20 und 250°C, der Gasdurchsatz an Kohlendioxid be
trägt etwa 30 bis 300 Normal-cm3 pro Minute. Typisch sind
wenigstens etwa 15, vorzugsweise etwa 30 bis 120 Minuten
erforderlich, um sicherzustellen, daß im wesentlichen die
Gesamtmenge der organischen Materialien aus der getrockne
ten Farbe ausgetrieben worden ist. Die Bedingungen für das
Sauerstoffplasma in der Zwei-Stufen-Behandlung sind im we
sentlichen ähnlich. Das vollständige Austreiben des organi
schen Materials aus der getrockneten Farbe läßt sich her
kömmlich mit Hilfe von Überwachungsindikatoren, z.B. als
Gewichtsverlust des Substrats, spezielle Reaktionsprodukte
in den aus der Reaktionskammer ausströmenden Gasen od.dgl.
bestimmen.
Nachdem die erfindungsgemäße Plasmabehandlung beendet ist,
wird das das Farbmuster enthaltende Substrat aus der Plasma
kammer herausgenommen und bei einer erhöhten Temperatur
oberhalb der Zersetzungstemperatur der organischen Materia
lien gebrannt. Die Brenntemperatur soll wenigstens gleich
der Glasübergangstemperatur der Glasfritte sein und vorzugs
weise etwa 850 bis etwa 950°C betragen. Das Substrat wird
so lange gebrannt, bis die Teilchen der Glasfritte mitein
ander verschmelzen. Bei einer Mehrlagenschaltungsstruktur
auf Kupferbasis werden alle Schichten, einschließlich der
dielektrischen Schichten wegen deren Porosität, in einer
inerten Umgebung, wie Stickstoff, ausreichend gebrannt, um
ein Oxidieren des Kupferleiters zu verhindern.
Die resultierende, gebrannte Dickfilmfarbe ist dicht ge
packt ohne Poren und besitzt eine außerordentlich glatte
Oberfläche. Da die verschmolzene Schicht frei von restli
chem organischem Material ist, bleibt sie auch intakt wäh
rend der aufeinanderfolgenden Brennvorgänge, die zum Aufbau
eines Mehrlagenschaltkreises erforderlich sind, insbeson
dere werden keine Gasblasen gebildet und die Schichten wer
den nicht voneinander getrennt, wie es bisher bei Struktu
ren aus solchen Materialien der Fall war. Die Integrität
der erfindungsgemäß behandelten dielektrischen Schichten
bleibt im wesentlichen intakt, im Gegensatz zu ähnlichen
Strukturen, bei denen eine Plasmabehandlung nicht oder mit
Sauerstoff ausgeführt worden ist.
Die Erfindung verbessert somit Verfahren zum Herstellen von
Dickfilmwiderständen bzw -dielektrika und von Kupferlei
tern, bei denen eine passende Dickfilmfarbe niedergeschla
gen und getrocknet wird. Die resultierende gemusterte
Schicht wird dann erfindungsgemäß mit einem Kohlenstoffdi
oxidplasma behandelt, bis im wesentlichen die Gesamtmenge
des organischen Bindemittels ausgetrieben ist. Schließlich
folgt ein Brennen der Schicht in einer inerten Atmosphäre.
In einer alternativen Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Verfahrens, wird eine getrocknete dielektrische Farbe zu
nächst mit einem Sauerstoffplasma behandelt, bis etwa 75
bis 99% des Bindemittels ausgetrieben sind. Mehrlagenschal
tungsstrukturen auf Kupferbasis, die unter Zuhilfenahme des
erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellt worden sind, zeich
nen sich durch eine hervorragende Integrität der dielektri
schen Schichten aus.
Claims (6)
1. Verfahren zum Herstellen einer dielektrischen Dick
filmstruktur auf einem Substrat, bei dem
- a) auf das Substrat ein Muster einer eine Glasfritte und ein organisches Bindemittel enthaltenden dielek trischen Dickfilm-Farbe aufgebracht wird;
- b) die Farbe zum Bilden einer gemusterten Schicht ge trocknet wird;
- c) die gemusterte Schicht bei einer Temperatur unter halb der thermischen Zersetzungstemperatur des or ganischen Bindemittels für eine ausreichende Zeit zum im wesentlichen vollständigen Entfernen des organischen Bindemittels aus der Schicht mit einem Plasma behandelt wird; und
- d) die gemusterte Schicht in einer inerten Atmosphäre bis zum Verschmelzen der Glasfritte mindestens bei der Glasumwandlungstemperatur gebrannt wird; dadurch gekennzeichnet, daß als Plasma ein Kohlendi oxid-Plasma verwendet wird.
2. Verfahren zum Herstellen eines Dickfilm-Kupferleiters
auf einem Substrat, bei dem
- a) auf das Substrat ein Muster einer eine Glasfritte, Kupferteilchen und ein organisches Bindemittel ent haltenden Dickfilm-Farbe aufgebracht wird;
- b) die Farbe zum Bilden einer gemusterten Schicht ge trocknet wird;
- c) die gemusterte Schicht bei einer Temperatur unter halb der thermischen Zersetzungstemperatur des or ganischen Bindemittels für eine ausreichende Zeit dauer zum im wesentlichen vollständigen Entfernen des organischen Bindemittels aus der Schicht mit einem Plasma behandelt wird; und
- d) die gemusterte Schicht in einer inerten Atmosphäre bis zum Verschmelzen der Glasfritte mindestens bei der Glasumwandlungstemperatur gebrannt wird; dadurch gekennzeichnet, daß als Plasma ein Kohlendi oxid-Plasma verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich
net, daß die Plasmabehandlung bei einer Temperatur von
etwa 100 bis 200°C durchgeführt wird.
4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
3, dadurch gekennzeichnet, daß die gemusterte
Schicht nach der Plasmabehandlung bei einer Temperatur
von etwa 850 bis etwa 950°C gebrannt wird.
5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1
bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die gemusterte
Schicht nach der Plasmabehandlung in Stickstoff ge
brannt wird.
6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1
bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die getrocknete
dielektrische Farbe vor dem Behandeln mit dem Kohlen
dioxid-Plasma während einer zum Entfernen von etwa
75 bis 99 Gew.% des organischen Bindemittels ausrei
chenden Zeitdauer mit einem Sauerstoffplasma behandelt
wird.
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US5302412A (en) * | 1989-02-03 | 1994-04-12 | The Boc Group, Inc. | Single atmosphere for firing compatible thick film material |
US5408574A (en) * | 1989-12-01 | 1995-04-18 | Philip Morris Incorporated | Flat ceramic heater having discrete heating zones |
US5112462A (en) * | 1990-09-13 | 1992-05-12 | Sheldahl Inc. | Method of making metal-film laminate resistant to delamination |
US5137791A (en) * | 1990-09-13 | 1992-08-11 | Sheldahl Inc. | Metal-film laminate resistant to delamination |
US6060175A (en) * | 1990-09-13 | 2000-05-09 | Sheldahl, Inc. | Metal-film laminate resistant to delamination |
US5405572A (en) * | 1992-03-18 | 1995-04-11 | Printron, Inc. | Reduction of oxides from metal powders wherein the de-oxidized powder is ready to be applied in its de-oxidized state directly from the furnace for fusing to a substrate |
US5468936A (en) * | 1993-03-23 | 1995-11-21 | Philip Morris Incorporated | Heater having a multiple-layer ceramic substrate and method of fabrication |
ES2145910T3 (es) * | 1994-05-19 | 2000-07-16 | Minnesota Mining & Mfg | Articulo polimerico con hidrofilia mejorada y un metodo para su fabricacion. |
US5820978A (en) * | 1995-11-09 | 1998-10-13 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Durability improved colloidal silica coating |
US6165309A (en) * | 1998-02-04 | 2000-12-26 | General Electric Co. | Method for improving the adhesion of metal films to polyphenylene ether resins |
US6265061B1 (en) | 1998-05-04 | 2001-07-24 | 3M Innovative Properties Company | Retroflective articles including a cured ceramer composite coating having abrasion and stain resistant characteristics |
US6132861A (en) * | 1998-05-04 | 2000-10-17 | 3M Innovatives Properties Company | Retroreflective articles including a cured ceramer composite coating having a combination of excellent abrasion, dew and stain resistant characteristics |
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WO2003032334A1 (fr) * | 2001-09-10 | 2003-04-17 | Noritake Co., Limited | Element en pellicule epaisse, son dispositif d'application et ses procedes de fabrication |
US7438829B2 (en) * | 2003-11-13 | 2008-10-21 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film getter paste compositions for use in moisture control |
US20070154634A1 (en) * | 2005-12-15 | 2007-07-05 | Optomec Design Company | Method and Apparatus for Low-Temperature Plasma Sintering |
US20070138405A1 (en) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | 3M Innovative Properties Company | Corona etching |
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