DE3805293A1 - Bootanordnung zum halten von halbleiterscheiben - Google Patents
Bootanordnung zum halten von halbleiterscheibenInfo
- Publication number
- DE3805293A1 DE3805293A1 DE3805293A DE3805293A DE3805293A1 DE 3805293 A1 DE3805293 A1 DE 3805293A1 DE 3805293 A DE3805293 A DE 3805293A DE 3805293 A DE3805293 A DE 3805293A DE 3805293 A1 DE3805293 A1 DE 3805293A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- rod
- boat
- electrode
- insulating
- electrode plates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67313—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements
- H01L21/67316—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by a material, a roughness, a coating or the like
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
Description
Die Erfindung bezieht sich allgemein auf eine Vorrichtung
zum Bearbeiten von Halbleiterscheiben. Insbesondere bezieht
sich die Erfindung auf eine Bootanordnung für Halbleiter
scheiben, die dazu dient, Halbleiterscheiben oder dgl. in
extern erregten, chemischen Reaktionssystemen zu halten,
bei denen das Reaktionsmittel über die Halbleiterscheiben
oder Werkstücke strömt, die mit ihren Breitseiten senkrecht
zur Reaktionsmittelströmung gehalten werden.
Plasmaverstärkte chemische Dampfreaktoren, bei denen
Plasmareaktionsmittelgas oder -gase senkrecht zu den Breit
flächen von in Serie angeordneten Werkstücken strömt/strö
men, sind bekannt. Representativ für die Art von plasma
verstärkten chemischen Dampfreaktoren, auf die die Erfin
dung anwendbar ist, ist beispielsweise das U.S.-Patent
44 01 507 (George M. Engle et al.) vom 30. August 1983,
das hier durch Bezugnahme ausdrücklich eingeführt wird. Die
chemischen Reaktorsysteme von der in dem US-Patent
44 01 507 offenbarten Art verwenden eine evakuierbare Um
hüllung, die in einem Ofen gehalten ist. In die rohrartige
Umhüllung ist herausnehmbar eine Bootanordnung eingesetzt,
die dazu dient, die Werkstücke senkrecht zur Strömung der
gasförmigen Reaktionsmittel zu halten, die während des
Abscheidungsprozesses auf die Werkstücke durch die rohr
förmige Umhüllung geleitet werden. Ein großes Anliegen und
das letztliche Ziel bei chemischen Dampfreaktorsystemen ist
die Gleichförmigkeit des Prozesses. Man wünscht, eine im
wesentlichen gleichförmige Dicke des auf den Werkstücken
abzuscheidenden Films zu erhalten. Im Idealfalle sollte die
Filmdicke auf den in den chemischen Reaktoren bearbeiteten
Werkstücken eine maximale Abweichung von ±3% Scheibe
zu Scheibe von einem Ende der beladenen Bootanordnung zum
anderen aufweisen. Darüber hinaus wünscht man fähig zu
sein, während jedes chemischen Dampfabscheidungsprozesses
so viele Werkstücke wie möglich zu bearbeiten, um den
Scheibendurchsatz zu maximieren.
Das am 9. September 1986 unter der Bezeichnung "Vorrichtung
zum Bearbeiten von Halbleiterscheiben oder dgl." erteilte
U.S.-Patent 46 10 748 (George M. Engle et al) , das hier
mit auch durch Bezugnahme eingeführt wird, gibt eine de
taillierte Beschreibung einer Bootanordnung, die zum Halten
von scheibenförmigen Werkstücken, z.B. Halbleiterscheiben,
für die Bearbeitung in plasmaverstärkten chemischen Dampf
reaktoren geeignet ist. Die in dem U.S. Patent 46 10 748
erörterte Bootanordnung stellt zwar einen bedeutenden Fort
schritt gegenüber dem Stande der Technik dar, doch ist
eine solche Konfiguration hinsichtlich der Leichtigkeit des
Auseinanderbaus zum Auswechseln von Komponenten, hinsicht
lich einer Verformung oder eines Verziehens der Anordnung
unter Temperaturschwankungen und hinsichtlich der Kompo
nenten-Austauschbarkeit zwischen bei diversen Anwendungen
zum Einsatz gelangenden Anordnungen unterschiedlicher Ab
messungen verbesserungsfähig. Es ist ferner sehr erwünscht,
über eine Bootanordnung zu verfügen, die die Verunreinigung
mir Partikeln während der Behandlung minimiert.
Es besteht daher ein Bedarf für einen verbesserten Apparat,
der in derzeitigen Reaktoren zur plasmaverstärkten
chemischen Dampfabscheidung verwendbar ist und Abweichungen
der Behandlungsgleichförmigkeit unter ±3% hält, während
er gleichzeitig einen größeren Scheibendurchsatz als gegen
wärtig mit üblichen Bootanordnungen möglich, gestattet.
Demgemäß besteht ein Ziel der Erfindung darin, eine ver
besserte Bootanordnung zur Verwendung beim Behandeln von
Werkstücken zu schaffen.
Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, eine Vor
richtung für eine verbesserte Gleichförmigkeit der Behand
lung in einem extern erregten chemischen Reaktionsprozess
zu schaffen.
Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, eine Vor
richtung für eine bessere Gleichförmigkeit der Ätz-Rate
oder -geschwindigkeit des Atzprofils und selektiv in einem
extern erregten chemischen Reaktionsprozess zu schaffen.
Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, eine Vor
richtung zu schaffen, die eine größere Abscheidungsrate
unter Verwendung einer geringeren Spitzenleistung in einem
extern erregten chemischen Reaktionsprozess ermöglicht.
Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, eine Boot
anordnung zur Verwendung in einem chemischen Reaktionspro
zess zu schaffen, die es gestattet, eine große Anzahl von
Werkstücken in einem chemischen Reaktionsprozess mit ver
besserter Prozessgleichförmigkeit zu behandeln.
Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, eine Elek
troden-Bootanordnung zu schaffen, die es ermöglicht, eine
große Zahl von Halbleiterscheiben mit ihren Breitseiten
oder -flächen senkrecht zur Strömung eines Reaktionsmittels
während der Behandlung in einem chemischen Reaktionsprozess
so zu halten, daß verbesserte Prozesskomponenten, größere
Abscheidungsraten und der Einsatz einer geringeren Spitzen
leistung erzielt werden.
Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht auch noch darin,
eine Bootanordnung zu schaffen, die einen
zwangsweisen und zuverlässigen elektrischen Kontakt zu
Scheiben-Plattenelektroden ermöglicht, während sie ein
leichtes Auseinander-und Zusammenbauen erlaubt, und die
sich dennoch durch einen besseren Widerstand gegen Quali
tätsverlust während des Temperaturgangs oder Temperatur
schwankungen, die typischerweise in einer Behandlungsse
quenz auftreten, auszeichnet.
Die obigen und weitere, nachstehend erörterte Ziele werden
mit einer Elektroden-Bootanordnung erreicht, die gemäß
der Erfindung ein Paar leitender Tragglieder aufweist, von
denen jedes eine Vielzahl daran gehaltener hintereinander
angeordneter Elektrodenplatten aufweist und bis auf die
Stellen, wo es elektrisch mit einer Elektrodenplatte ver
bunden ist, mit einem Isoliermittel bedeckt ist. Jedes von
dem Isoliermittel oder der Isoliereinrichtung koaxial um
gebene leitende Tragglied weist einen Wärmeausdehnungs
koeffizienten auf, der so gewählt ist, daß er im wesent
lichen demjenigen der Isoliereinrichtung entspricht. Druck-
Fittings stellen einen zwangsweisen elektrischen Kontakt
zwischen den Elektrodenplatten und dem leitenden Tragglied
her.
Die vorstehenden und weitere Merkmale und Vorteile der
Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung
einer in der Zeichnung dargestellten bevorzugten Ausfüh
rungsform.
In der Zeichnung zeigt:
Fig. 1 eine Seitenansicht, teilweise im Schnitt, eines
Abschnittes der erfindungsgemäßen Elektroden-
Bootanordnung,
Fig. 2 den Querschnitt durch den Elektroden-Bootanord
nungsteil gemäß Fig. 1 entlang der Schnittlinie
2-2 in Fig. 1,
Fig. 3 eine Seitenansicht, teilweise im Schnitt, eines
Teiles der Elektroden-Bootanordnung gemäß einer
weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfin
dung, und
Fig. 4 eine vergrößerte Seitenansicht, teilweise im
Schnitt, die eine weitere Ausführungsform einer
einzelnen, einstückigen Leiterstangenanordnung
wiedergibt, die anstelle der in Fig. 1 dargestell
ten Leiterstangenschraube oder Bolzenelemente
und Mutterelemente verwendet werden kann.
Die Fig. 1 zeigt einen Teil einer Elektroden-Bootanord
nung, die bei dem Dampfbehandlungsapparat gemäß dem U.S.-
Patent 42 23 048 verwendbar ist. Die in diesem Patent
beschriebene Vorrichtung ist nur eines der vielen konti
nuierlichen oder gepulsten, mit HF betriebenen, plasma
verstärkten oder anderweitigen chemischen Behandlungs
systeme, bei denen die erfindungsgemäße Elektroden-
Bootanordnung einsetzbar ist.
Der in Fig. 1 dargestellte Elektrodenbootteil weist eine
Vielzahl hintereinander angeordneter Elektroden 22 und
24 auf. Die Elektroden 22 und 24 sind vorzugsweise aus
Graphit oder einem anderen leitenden Material gefertigt,
das gegen chemische Umgebungen hoher Temperatur wider
standsfähig ist. Die Elektroden 22 und die Elektroden 24
gehören elektrisch jeweils zusammen, so daß ein HF-Plasma
in dem Raum zwischen jedem alternierenden Paar von Elek
troden 22 und 24 erzeugt werden kann. Die zu behandelnden
Werkstücke oder Halbleiterscheiben 44 können an beiden
Flächen einer jeden Elektrode 22 und 24 montiert werden.
Sie können beispielsweise von Zapfen 16 getragen werden,
die kegelförmig gestaltet sind und vorzugsweise aus dem
gleichen Material wie die Elektroden 22 und 24 bestehen.
Die Elektrodenanordnung ist von einer Vielzahl von Längs
traggliedern getragen, die Stangen 8 a und 12 sowie
koaxiale Abstandshalter 10 a und 14 umfassen. Die nicht
dargestellten Endabschnitte der Längstragglieder er
strecken sich zu nicht dargestellten Anschluß-Endelemen
ten, die einen tragenden mechanischen Kontakt und/oder
einen elektrischen Kontakt herstellen, wie dies ausführ
licher in der US-PS 46 10 748 beschrieben ist. Die
Stange 12 in Fig. 1 ist ein isolierendes Tragglied, das
sich durch eine Bohrung in jeder der Elektroden 22 und 24
erstreckt. Sie weist vorzugsweise Aluminiumoxyd auf und
ist koaxial von einer Vielzahl von Isolierhülsen 14 aus
vorzugsweise ebenfalls Aluminiumoxyd umgeben, die eine
weitere Stütze ergeben und den gewünschten Abstand
zwischen den vielen Elektroden 22 und 24 aufrechterhal
ten.
Die Stange 8 a weist ein leitendes Material zum Herstellen
des elektrischen Kontaktes zwischen den Elektrodenplatten
22 auf. Die Stange 8 a durchsetzt eine Bohrung in einer
leitenden Schraube 32, die durch die Elektrode 22 hin
durchgeht. Ein fester zwangsweiser elektrischer Kontakt
zu der Elektrode 22 wird beispielsweise mittels einer
Mutter 34 erzielt, die zusammen mit der Schraube 32
einen Druckkontakt zur Elektrode 22 herbeiführt. Die
Schrauben 32 können durch Schrauben 36 an der leitenden
Stange 8 a befestigt werden. Isolierhülsen 10 a halten den
Abstand zwischen den Elektroden und verhindern eine aus
gedehnte Plasmabildung an Stellen außerhalb des Raumes
zwischen den Werkstücken 44. Solche falschen Plasma
bildungen können die Qualität der Gleichförmigkeit des
auf den Werkstücken 44 abgeschiedenen Films ernsthaft
herabsetzen.
Es ist ein besonderes Merkmal der Erfindung, daß die lei
tende Stange 8 a im wesentlichen den gleichen Wärmeaus
dehnungskoeffizienten aufweist wie die Hülsen 10 a und
vorzugsweise auch den Bleichen wie die Isolierstange 12
und die Hülsen 14. Durch das Vorsehen von im wesentlichen
zueinander passenden thermischen Expansionskoeffizienten
wird eine Verschiebung und Verformung der Elektrodenplat
ten 22 und 24 während der großen Temperaturschwankungen
und -gänge, die in Dampfbehandlungsvorrichtungen auftre
ten, weitestgehend vermieden. Gleichermaßen bedeutungs
voll ist es auch, daß eine Verunreinigung durch Parti
kel, die in die auf den Werkstüken 44 abzuscheidenden
Filme eingebracht werden können, drastisch reduziert
wird. Bei der Ausführungsform nach Fig. 1 ist ein be
vorzugtes Material für die Elektrodenstange 8 a ein fein
körniges, hochfestes Graphitmaterial mit einem Wärmeaus
dehnungskoeffizienten von etwa 7,8 ppm pro Grad Celsius.
Ein solches Material ist von der Firma Poco Division
of Unocal Corporation erhältlich und eine exzellente
thermische Anpassung an das bevorzugte Aluminiumoxyd
material der Stange 12 und der Abstandshaltehülsen 10 a
und 14.
Falls erwünscht, können gemäß Fig. 4 die Mutter 34 und
die Schraube oder der Bolzen 32 zusammen mit der Leiter
stange 8 (sh. Fig. 1) zu einem einzelnen einstückigen Teil,
nämlich einer Leiterstangenanordnung 18, zusammengepaßt
werden, wodurch die Funktion der Stange 8 effektiv er
setzt wird, während gleichzeitig alle anderen körper
lichen oder physikalischen Notwendigkeiten oder Parameter
der Stange 8 aufrechterhalten werden. Die Leiterstangen
anordnung 18 weist ein leitendes Material zur Herstellung
eines elektrischen Kontaktes zwischen den Elektroden
platten 22 auf und ist mit einem Bolzenteil 32 a, einem
Mutterteil 34 a und einem Abstandshalteteil 26 versehen.
Die Leiterstangenanordnungen sind, wie in Fig. 4 gezeigt,
zusammengeschlossen, um einen sich ungefähr über die Länge
der Bootanordnung erstreckenden kontinuierlichen leiten
den Zug der gewünschten, durch die gewählte Zahl von Lei
terstangenanordnungen 18 bestimmten Länge zu bilden.
Die Fig. 2 zeigt den Elektroden-Bootteil der Fig. 1 im
Querschnitt entlang der Schnittlinie 2-2 in Fig. 1. Eine
Aussparung im unteren linken Teil der Elektrodenplatte 22
wird dafür benützt, zu ermöglichen, daß eine zweite
leitende Stange 8 b und eine zweite isolierende Abstands
haltehülse 10 b die Elektrodenplatte 22 durchsetzen kön
nen, ohne einen elektrischen Kontakt herzustellen. Eine
gleiche Aussparung wird in jeder der Elektrodenplatten
benutzt, wobei die Elektrodenplatten 24 die Aussparung
unten rechts haben, damit es möglich ist, einen Kontakt
zu alternierenden Elektrodenplatten durch jede Elektro
denstange 8 a und 8 b herzustellen. Durch die Verwendung
der Elektrodenstange 8 a und 8 b und der beiden isolieren
den Stangen 12 mit ihren zugehörigen Abstandshaltehülsen
werden für jede Elektrodenplatte drei Haltepunkte Beschaf
fen. Für sehr große Elektrodenplatten können weitere
lsolierstangen und Abstandshaltehülsen vorgesehen werden.
Die Fig. 3 zeigt einen Teil einer Elektrodenbootanordnung
gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung. Diese
Ausführungsform entspricht im wesentlichen derjenigen
gemäß Fig. 1 mit der Ausnahme, daß die Elektrodenstange
42 die die Elektrodenstange 8 a der Fig. 1 ersetzt hat,
eine mit Gewinde versehene, für die Leitfähigkeit mit
Nickel metallisierte Stange aus Aluminiumoxyd ist. Die
Abstandshülse 40, die ebenfalls aus Aluminiumoxyd
(alumina) besteht, trennt alternierende Paare von Elek
trodenplatten 22, und eine Nickelmutter 34 wird jeweils
dafür benutzt, einen festen elektrischen Kontakt zwischen
der Elektrodenstange 42 und den Elektrodenplatten 22 her
zustellen. Auch hier ist wieder eine wesentliche Anpas
sung der Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen der
Elektrodenstange 42 und den Abstandshülsen 40 er
zielt.
Bei allen bevorzugten Ausführungsformen gestattet die
Verwendung der Tragstangen, isolierenden Abstandshalte
hülsen und Gewinde-Kontaktanordnungen einen raschen
Zusammenbau des Bootes und eine rasche Demontage zum
Reinigen und zum Ersetzen defekter Elemente. Außerdem ist
diese Art von Anordnung an Elektrodenplatten jeglicher
Größe anpaßbar, so daß die meisten Komponenten aus
tauschbar sind. Durch Verwendung der erfindungsgemäßen
Elektroden-Bootanordnungen ist eine Abscheidungsgleich
förmigkeit von besser als 2% (über ein Werkstück hinweg,
von Werkstück zu Werkstück und von Ladung zu Ladung) er
zielt worden. Hinzu kommt der Vorteil eines wesentlichen
Fehlens der Verunreinigung durch Partikel.
Die leitenden Stangen im Inneren der Aluminiumoxyd-Ab
standshaltehülsen könnten auch Kovar- oder Rodar-Legie
rungen sowie die bevorzugten Graphitmaterialien oder
metallisierten Aluminiumoxyd-Materialien sein.
Claims (6)
1. Elektroden-Bootanordnung für eine chemische Dampfbe
handlungsvorrichtung zum Behandeln von Werkstücken
in einer Plasmareaktion innerhalb einer evakuierba
ren Umhüllung, die den chemischen Dampf und die Werk
stücke enthält, wobei die Elektroden-Bootanordnung
herausnehmbar in die Umhüllung einsetzbar ist und
eine Vielzahl von elektrisch leitenden Elektroden
platten aufweist, die in Bezug aufeinander hinter
einander angeordnet sind, gekennzeichnet durch
mindestens eine isolierende Stange, die durch die Vielzahl von Elektrodenplatten hindurchgeht,
mindestens eine leitende Stange, die durch die Vielzahl von Elektrodenplatten hindurchgeht und jede zweite von diesen elektrisch kontaktiert, und
eine Vielzahl von isolierenden Hülsen über der isolierenden Stange und über der leitenden Stange zwischen der Vielzahl von Elektrodenplatten zum Tragen derselben und zum Halten derselben im gegen seitigen Abstand,
wobei die isolierende Stange, die leitende Stange und die Vielzahl von isolierenden Hülsen alle im wesent lichen den gleichen Wärmeausdehnungskoeefizienten auf weisen.
mindestens eine isolierende Stange, die durch die Vielzahl von Elektrodenplatten hindurchgeht,
mindestens eine leitende Stange, die durch die Vielzahl von Elektrodenplatten hindurchgeht und jede zweite von diesen elektrisch kontaktiert, und
eine Vielzahl von isolierenden Hülsen über der isolierenden Stange und über der leitenden Stange zwischen der Vielzahl von Elektrodenplatten zum Tragen derselben und zum Halten derselben im gegen seitigen Abstand,
wobei die isolierende Stange, die leitende Stange und die Vielzahl von isolierenden Hülsen alle im wesent lichen den gleichen Wärmeausdehnungskoeefizienten auf weisen.
2. Bootanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die leitende Stange ein Graphitmaterial
und die Vielzahl von isolierenden Hülsen Aluminiumoxyd
aufweisen.
3. Bootanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die leitende Stange metallisiertes
Aluminiumoxyd und die Vielzahl von isolierenden Hülsen
Aluminiumoxyd aufweisen.
4. Bootanordnung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch
eine Gewindeeinrichtung über der leitenden Stange zum
Herstellen eines sicheren, festen elektrischen
Kontaktes zu den Elektrodenplatten.
5. Bootanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichent , daß die leitende Stange Kovar aufweist.
6. Bootanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die leitende Stange Rodar aufweist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/017,778 US4799451A (en) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | Electrode boat apparatus for processing semiconductor wafers or the like |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3805293A1 true DE3805293A1 (de) | 1988-09-01 |
DE3805293C2 DE3805293C2 (de) | 1999-08-05 |
Family
ID=21784497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3805293A Expired - Fee Related DE3805293C2 (de) | 1987-02-20 | 1988-02-19 | Bootanordnung zum Halten von Halbleiterscheiben |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4799451A (de) |
JP (1) | JPH0834207B2 (de) |
DE (1) | DE3805293C2 (de) |
GB (1) | GB2201162B (de) |
NL (1) | NL193664C (de) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4873942A (en) * | 1988-06-08 | 1989-10-17 | The Stackpole Corporation | Plasma enhanced chemical vapor deposition wafer holding fixture |
US5175021A (en) * | 1990-02-01 | 1992-12-29 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | Transmission line for providing power to an electrode boat in a plasma enhanced chemical vapor deposition system |
GB9010000D0 (en) * | 1990-05-03 | 1990-06-27 | Stc Plc | Phosphide films |
DE102005031602A1 (de) * | 2005-07-06 | 2007-01-11 | Robert Bosch Gmbh | Reaktor zur Durchführung eines Ätzverfahrens für einen Stapel von maskierten Wafern und Ätzverfahren |
US20080006204A1 (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-10 | General Electric Company | Corrosion resistant wafer processing apparatus and method for making thereof |
US20080016684A1 (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | General Electric Company | Corrosion resistant wafer processing apparatus and method for making thereof |
JP2011117046A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Fuji Electric Co Ltd | 真空処理装置 |
DE102015004419A1 (de) * | 2015-04-02 | 2016-10-06 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Waferboot und Plasma-Behandlungsvorrichtung für Wafer |
DE102015004352A1 (de) * | 2015-04-02 | 2016-10-06 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Waferboot und Behandlungsvorrichtung für Wafer |
DE102018004436A1 (de) | 2017-06-06 | 2018-12-06 | Solaytec B.V. | Wafergreifer-einheit, system und verwendung davon |
CN110872689A (zh) * | 2018-08-30 | 2020-03-10 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 蒸发舟拆装工具及蒸镀设备 |
DE102019002647A1 (de) * | 2019-04-10 | 2020-10-15 | Plasmetrex Gmbh | Waferboot und Behandlungsvorrichtung für Wafer |
CN110565075B (zh) * | 2019-09-20 | 2024-04-23 | 苏州拓升智能装备有限公司 | 一种用于管式pecvd设备的石墨舟电极对接装置 |
JP6937806B2 (ja) * | 2019-09-25 | 2021-09-22 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、及び半導体の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4178877A (en) * | 1977-03-11 | 1979-12-18 | Fujitsu Limited | Apparatus for plasma treatment of semiconductor materials |
US4223048A (en) * | 1978-08-07 | 1980-09-16 | Pacific Western Systems | Plasma enhanced chemical vapor processing of semiconductive wafers |
EP0143479A1 (de) * | 1983-10-19 | 1985-06-05 | Johannes Hendrikus Leonardus Hanssen | Vorrichtung zur Plasma aktivierten chemischen Dampfphasenabscheidung insbesondere Einrichtung als Substratträger und Elektrode und ähnliche Bestandteile |
US4610748A (en) * | 1984-12-10 | 1986-09-09 | Advanced Semiconductor Materials Of America, Inc. | Apparatus for processing semiconductor wafers or the like |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4287851A (en) * | 1980-01-16 | 1981-09-08 | Dozier Alfred R | Mounting and excitation system for reaction in the plasma state |
US4401507A (en) * | 1982-07-14 | 1983-08-30 | Advanced Semiconductor Materials/Am. | Method and apparatus for achieving spatially uniform externally excited non-thermal chemical reactions |
-
1987
- 1987-02-20 US US07/017,778 patent/US4799451A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-18 NL NL8702240A patent/NL193664C/nl not_active IP Right Cessation
- 1987-11-09 GB GB8726205A patent/GB2201162B/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-02-19 JP JP63037350A patent/JPH0834207B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-02-19 DE DE3805293A patent/DE3805293C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4178877A (en) * | 1977-03-11 | 1979-12-18 | Fujitsu Limited | Apparatus for plasma treatment of semiconductor materials |
US4223048A (en) * | 1978-08-07 | 1980-09-16 | Pacific Western Systems | Plasma enhanced chemical vapor processing of semiconductive wafers |
EP0143479A1 (de) * | 1983-10-19 | 1985-06-05 | Johannes Hendrikus Leonardus Hanssen | Vorrichtung zur Plasma aktivierten chemischen Dampfphasenabscheidung insbesondere Einrichtung als Substratträger und Elektrode und ähnliche Bestandteile |
US4610748A (en) * | 1984-12-10 | 1986-09-09 | Advanced Semiconductor Materials Of America, Inc. | Apparatus for processing semiconductor wafers or the like |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8726205D0 (en) | 1987-12-16 |
GB2201162A (en) | 1988-08-24 |
GB2201162B (en) | 1991-01-30 |
NL8702240A (nl) | 1988-09-16 |
NL193664B (nl) | 2000-02-01 |
US4799451A (en) | 1989-01-24 |
JPS63224330A (ja) | 1988-09-19 |
JPH0834207B2 (ja) | 1996-03-29 |
DE3805293C2 (de) | 1999-08-05 |
NL193664C (nl) | 2000-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3805293A1 (de) | Bootanordnung zum halten von halbleiterscheiben | |
EP0789666B1 (de) | Vorrichtung zur erzeugung von ozon | |
DE2026622C2 (de) | Koronareaktorkern zur Ozonerzeugung | |
EP3278355B1 (de) | Waferboot und behandlungsvorrichtung für wafer | |
DE4235953C2 (de) | Sputterquelle mit einer linearen Hohlkathode zum reaktiven Beschichten von Substraten | |
EP0916153B1 (de) | Vorrichtung zur erzeugung von plasma | |
CH656020A5 (de) | Vorrichtung zur beeinflussung von werkstuecken durch gasplasma. | |
EP3278358A1 (de) | Waferboot und plasma-behandlungsvorrichtung für wafer | |
DE3144759A1 (de) | "waermespannungen beseitigende bimetallplatte" | |
DE3525708A1 (de) | Ozonisierungsvorrichtung | |
DE102015004430A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabehandlung von Wafern | |
DE102010053389A1 (de) | Elektrischer Leistungswiderstand | |
DE3543588C2 (de) | ||
DE102019107857A1 (de) | Heizvorrichtung für einen Suszeptor eines CVD-Reaktors | |
DE3427289A1 (de) | Hochleistungsozonisator | |
EP1397308B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung von ozon | |
DE1900569B2 (de) | Festkorper-Ionenquelle | |
DE69907687T2 (de) | Plasmabearbeitungsvorrichtung mit elektrisch leitender Wand | |
DE19518717C2 (de) | Vorrichtung zum Bestrahlen von Oberflächen mit Elektronen | |
DE19727857C1 (de) | Plasmarektor mit Prallströmung zur Oberflächenbehandlung | |
DE3110783A1 (de) | Vorrichtung zum zerstaeuben einer probe | |
DE2618243C3 (de) | Ozonisator | |
EP0004333A2 (de) | Verfahren zur Kühlung elektrischer Bauelemente mittels Gas und Kühlkörper | |
EP0309826B1 (de) | Entladungskanal für Hochleistungslaser | |
DE102010011156B4 (de) | Vorrichtung zur thermischen Behandlung von Halbleitersubstraten |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |