JPS63224330A - 半導体ウェーハ等を加工するための電極ボート組立体 - Google Patents
半導体ウェーハ等を加工するための電極ボート組立体Info
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- JPS63224330A JPS63224330A JP63037350A JP3735088A JPS63224330A JP S63224330 A JPS63224330 A JP S63224330A JP 63037350 A JP63037350 A JP 63037350A JP 3735088 A JP3735088 A JP 3735088A JP S63224330 A JPS63224330 A JP S63224330A
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- H01L21/67313—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements
- H01L21/67316—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by a material, a roughness, a coating or the like
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、一般に半導体ウェーハを加工する装置に関し
、とくに、外部から励起される化学反応システム内で半
導体ウェーハ等を保持するために用いられるウェーハ用
ボート組立体に関する。前記化学反応システムでは、反
応性材料がその流れに対して垂直な広い面をもって保持
されているつ工−ハ又は加工材料を越えて流れる。
、とくに、外部から励起される化学反応システム内で半
導体ウェーハ等を保持するために用いられるウェーハ用
ボート組立体に関する。前記化学反応システムでは、反
応性材料がその流れに対して垂直な広い面をもって保持
されているつ工−ハ又は加工材料を越えて流れる。
従来の技術
プラズマ強化された化学蒸着反応炉は公知であり、その
際プラズマ反応性ガス（単数又は複数）が直列に配列さ
れた加工材料の広い表面に対して垂直に流れる。例えば
、本明細書に於ても引用文献として参照されており、１
９８３年８月３０日付でジョージ１Ｍ、エンゲル（Ｇｅ
ｏｒｇｅ Ｍ、 Ｅｎｇｌｅ）他に授与された米国特許
第４．４０１．５０７号は、本発明が応用可能である代
表的な種類のプラズマ化学蒸着反応炉である。米国特許
第４．４０１．５０７号に開示されている種類の化学反
応システムは、炉内に保持された排気可能な外囲器を使
用している。平板状の外囲器へと取出し可能に装入され
るボート組立体は、加工材料への蒸着工程中に、平板状
の外囲器に対して流通されるガス反応剤の流れに対して
垂直に加工材料を保持するために使用される。
際プラズマ反応性ガス（単数又は複数）が直列に配列さ
れた加工材料の広い表面に対して垂直に流れる。例えば
、本明細書に於ても引用文献として参照されており、１
９８３年８月３０日付でジョージ１Ｍ、エンゲル（Ｇｅ
ｏｒｇｅ Ｍ、 Ｅｎｇｌｅ）他に授与された米国特許
第４．４０１．５０７号は、本発明が応用可能である代
表的な種類のプラズマ化学蒸着反応炉である。米国特許
第４．４０１．５０７号に開示されている種類の化学反
応システムは、炉内に保持された排気可能な外囲器を使
用している。平板状の外囲器へと取出し可能に装入され
るボート組立体は、加工材料への蒸着工程中に、平板状
の外囲器に対して流通されるガス反応剤の流れに対して
垂直に加工材料を保持するために使用される。
化学蒸着反応炉システムでは工程の均質性が極めて重要
であり且つ究極の目標である。加工材料上に蒸着される
薄膜の厚さがほぼ均一になるように蒸着することが必要
である。理想的には、化学反応炉内で加工される材料上
の薄膜の厚さは装入されたボート組立体の一端から他端
までのウェーハごとの偏差が±３％以下であるべきであ
ろう。更に、ウェーハの加工量を最大にするため、各化
学蒸着工程中、できる限り多くの加工材料を処理できる
ことが望ましい。
であり且つ究極の目標である。加工材料上に蒸着される
薄膜の厚さがほぼ均一になるように蒸着することが必要
である。理想的には、化学反応炉内で加工される材料上
の薄膜の厚さは装入されたボート組立体の一端から他端
までのウェーハごとの偏差が±３％以下であるべきであ
ろう。更に、ウェーハの加工量を最大にするため、各化
学蒸着工程中、できる限り多くの加工材料を処理できる
ことが望ましい。
１９８０年９月９日付でジョージ０Ｍ、エンゲル他に授
与され、これも本明細書中、引用文献として参照される
「半導体ウェーハ等の加工装置（Ａｐｐａｒａｔｕｓ
ｆｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ５ｅｎｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒＷａｆｅｒｓ ｏｒ ｔｈｅ Ｌｉｋｅ）
Ｊの名称の米国特許第４．６１０．７４８号は、プラズ
マ増強化学蒸着反応炉内で加工される半導体ウェーへの
ような板状の加工材料を保持するためのボート組立体を
詳細に説明している。米国特許第４．６１０．７４８号
に開示されているボート組立体は公知の従来型と比較し
て著しい進歩を示しているものの、その構造は、部品交
換の際の分解しやすさ、温度変化中の組立体のひずみ及
び異なる用途に使用される異なる寸法の組立体どうしの
部品の互換性に関して改良の余地がある。加工材料を支
持する電極板に対して確実且つ信頼性の高い電気的接触
を行なうことも必要である。加工中、微粒汚染物を最小
限に防備するボート組立体を製造することも極めて必要
である。
与され、これも本明細書中、引用文献として参照される
「半導体ウェーハ等の加工装置（Ａｐｐａｒａｔｕｓ
ｆｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ５ｅｎｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒＷａｆｅｒｓ ｏｒ ｔｈｅ Ｌｉｋｅ）
Ｊの名称の米国特許第４．６１０．７４８号は、プラズ
マ増強化学蒸着反応炉内で加工される半導体ウェーへの
ような板状の加工材料を保持するためのボート組立体を
詳細に説明している。米国特許第４．６１０．７４８号
に開示されているボート組立体は公知の従来型と比較し
て著しい進歩を示しているものの、その構造は、部品交
換の際の分解しやすさ、温度変化中の組立体のひずみ及
び異なる用途に使用される異なる寸法の組立体どうしの
部品の互換性に関して改良の余地がある。加工材料を支
持する電極板に対して確実且つ信頼性の高い電気的接触
を行なうことも必要である。加工中、微粒汚染物を最小
限に防備するボート組立体を製造することも極めて必要
である。
従って、加工の均質性からの偏差を±３％以下に保ち、
しかも同時に、従来型のボート組立体によって可能であ
る以上のウェーハ生産量が可能である、最近型のプラズ
マ強化化学蒸着反応炉で使用可能な改良されたボート組
立体が必要である。
しかも同時に、従来型のボート組立体によって可能であ
る以上のウェーハ生産量が可能である、最近型のプラズ
マ強化化学蒸着反応炉で使用可能な改良されたボート組
立体が必要である。
発明の要約
従って本発明の目的は加工材料の処理に利用するための
改良されたボート組立体を提供することである。
改良されたボート組立体を提供することである。
本発明の別の目的は外部から励起される化学反応工程で
加工の均質性を向上せしめる装置を提供することである
。
加工の均質性を向上せしめる装置を提供することである
。
本発明の更に別の目的は、外部から励起される化学反応
工程で腐食速度、腐食輪郭及び選択度の均一性を向上せ
しめる装置を提供することである。
工程で腐食速度、腐食輪郭及び選択度の均一性を向上せ
しめる装置を提供することである。
本発明の更に別の目的は、外部から励起される化学反応
工程で、より少ないピーク電力でより速い蒸着速度を可
能にする装置を提供することである。
工程で、より少ないピーク電力でより速い蒸着速度を可
能にする装置を提供することである。
本発明の別の目的は、向上した処理の均質性をもって大
量の材料が加工可能である、化学反応処理用のボート組
立体を提供することである。
量の材料が加工可能である、化学反応処理用のボート組
立体を提供することである。
本発明の更に別の目的は、加工部品の改良、速い蒸着速
度及びより少ないピーク電力が達成されるように、化学
反応工程で処理中に、反応剤の流れに対して垂直な広い
表面を有する大量の半導体ウェーハを保持するための電
極ボート組立体を提供することである。
度及びより少ないピーク電力が達成されるように、化学
反応工程で処理中に、反応剤の流れに対して垂直な広い
表面を有する大量の半導体ウェーハを保持するための電
極ボート組立体を提供することである。
本発明の更に別の目的は、組立て、分解が容易に可能で
あり、しかも円板形電極に対する、確実且つ信頼性のあ
る電気的接触を可能にし、且つ処理手順中によく発生す
る温度変化中の品質低下に対する耐性を向上せしめる電
極ボート組立体を提供することである。
あり、しかも円板形電極に対する、確実且つ信頼性のあ
る電気的接触を可能にし、且つ処理手順中によく発生す
る温度変化中の品質低下に対する耐性を向上せしめる電
極ボート組立体を提供することである。
上記の目的及び以下に開示する別の目的に基づき、一対
の導電性の支部部材から成り、各部材はそこに保持され
た複数個の間隔隔離された電極板を有し、且つ各部材は
電極板と電気的に接続されている部位を除き絶縁部材に
より被覆された構成の電極ボート組立体が提供される。
の導電性の支部部材から成り、各部材はそこに保持され
た複数個の間隔隔離された電極板を有し、且つ各部材は
電極板と電気的に接続されている部位を除き絶縁部材に
より被覆された構成の電極ボート組立体が提供される。
好適に絶縁部材により同軸に包囲されたそれぞれの導電
性支持部材は、絶縁部材の熱膨張率とほぼ一致する熱膨
張率を有している。圧縮ばめによって電極板と導電性支
持部材との間の確実な電気的接触が可能である。
性支持部材は、絶縁部材の熱膨張率とほぼ一致する熱膨
張率を有している。圧縮ばめによって電極板と導電性支
持部材との間の確実な電気的接触が可能である。
実施例
次に本発明の好適な実施例を添付図面を参照しつつ詳細
に説明する。
に説明する。
第１図を参照すると、米国特許第４．２２３．０４８号
に開示されている形式の蒸着処理装置と共に使用する電
極ボート組立体の部分が示されている。しかし、米国特
許第４．２２３，０４８号に開示されている装置は、本
発明に基づく電極ボート組立体を利用できる連続的又は
パルスによる無線周波数プラズマ強化又は他の化学処理
システムの一形態であるに過ぎない。
に開示されている形式の蒸着処理装置と共に使用する電
極ボート組立体の部分が示されている。しかし、米国特
許第４．２２３，０４８号に開示されている装置は、本
発明に基づく電極ボート組立体を利用できる連続的又は
パルスによる無線周波数プラズマ強化又は他の化学処理
システムの一形態であるに過ぎない。
第１図に示す電極ボート部は複数個の間隔隔離された電
極２２及び２４を具備している。電極２２及び２４は黒
鉛又は高温の化学的環境に対する耐性を有する別の導電
材料から成っていることが好適である。電極２２は電極
２４と電気的に共通であるので、無線周波数プラズマは
それぞれ互い違いの一対の電極２２と２４の間の間隔に
セントすることができる。加工される材料又は半導体ウ
ェーハは各電極２２及び２４の双方の面に装着可能であ
る。加工材料は例えば、くさび形であり、好適に電極２
２及び２４と同一の材料から成っているペグ１６により
支持されることができる。電極組立体は、棒８ａ及び１
２．及び同軸のスペーサ１０ａ及び１４を含む複数個の
縦の支持部材によって支持される。縦の支持部材の先端
部（図示せず）は、前に引用いた米国特許第４．６１０
，７４８号により詳細に開示されているとうり、機械的
支持及び（又は）電気的接触をもたらす終端部材（図示
せず）へと延びている。第１図の棒１２は電極２２と２
４のそれぞれの孔を貫いて延びる絶縁支持部材である。
極２２及び２４を具備している。電極２２及び２４は黒
鉛又は高温の化学的環境に対する耐性を有する別の導電
材料から成っていることが好適である。電極２２は電極
２４と電気的に共通であるので、無線周波数プラズマは
それぞれ互い違いの一対の電極２２と２４の間の間隔に
セントすることができる。加工される材料又は半導体ウ
ェーハは各電極２２及び２４の双方の面に装着可能であ
る。加工材料は例えば、くさび形であり、好適に電極２
２及び２４と同一の材料から成っているペグ１６により
支持されることができる。電極組立体は、棒８ａ及び１
２．及び同軸のスペーサ１０ａ及び１４を含む複数個の
縦の支持部材によって支持される。縦の支持部材の先端
部（図示せず）は、前に引用いた米国特許第４．６１０
，７４８号により詳細に開示されているとうり、機械的
支持及び（又は）電気的接触をもたらす終端部材（図示
せず）へと延びている。第１図の棒１２は電極２２と２
４のそれぞれの孔を貫いて延びる絶縁支持部材である。
棒１２は好適にアルミナから成り且つ、複数個の絶縁ス
リーブ１４により同軸に包囲されており、前記絶縁スリ
ーブ１４も好適にアルミナから成り、これも更に支持体
の機能を果し且つ、複数個の電極２２及び２４の間の所
望の間隔を保っている。
リーブ１４により同軸に包囲されており、前記絶縁スリ
ーブ１４も好適にアルミナから成り、これも更に支持体
の機能を果し且つ、複数個の電極２２及び２４の間の所
望の間隔を保っている。
棒８ａは電極板２２間を電気的に接触する導電性材料か
ら成っている。棒８ａは電極２２を貫通する導電性のね
じ３２内の孔を貫通している。電極２２に対する確実な
接触は、例えば、ねじ３２と共に電極板に対して圧縮接
触を与えるナツト３４によって達成される。ねじ３２は
止めねじ３６によって導電性の棒８ａに固定できる。絶
縁スリーブ１０ａは電極間の間隔を保ち、且つ、加工材
料から離れた位置での広範囲のプラズマ形成を防止する
。このような見かけのプラズマ形成は、加工材料４４上
に蒸着された薄膜の均質性を著しく損ねることがあるか
らである。
ら成っている。棒８ａは電極２２を貫通する導電性のね
じ３２内の孔を貫通している。電極２２に対する確実な
接触は、例えば、ねじ３２と共に電極板に対して圧縮接
触を与えるナツト３４によって達成される。ねじ３２は
止めねじ３６によって導電性の棒８ａに固定できる。絶
縁スリーブ１０ａは電極間の間隔を保ち、且つ、加工材
料から離れた位置での広範囲のプラズマ形成を防止する
。このような見かけのプラズマ形成は、加工材料４４上
に蒸着された薄膜の均質性を著しく損ねることがあるか
らである。
導電性の捧８ａはスリーブ１０ａとほぼ同一の熱膨張率
を有し、且つ、好適には絶縁棒１２及びスリーブ１４と
同一の熱膨張率を有することが本発明の著しい特徴であ
る。はぼ−敗した熱膨張率を備えていることにより、蒸
着処理装置に発生する大きな熱変動中の電極板２２及び
２４のずれやひずみは大幅に防止される。等しく重要な
点は、加工材料４４上に蒸着される薄膜に入り込む危険
性がある微粒汚染物が著しく減少することである。
を有し、且つ、好適には絶縁棒１２及びスリーブ１４と
同一の熱膨張率を有することが本発明の著しい特徴であ
る。はぼ−敗した熱膨張率を備えていることにより、蒸
着処理装置に発生する大きな熱変動中の電極板２２及び
２４のずれやひずみは大幅に防止される。等しく重要な
点は、加工材料４４上に蒸着される薄膜に入り込む危険
性がある微粒汚染物が著しく減少することである。
第１図の実施例に於ては、電極棒８ａの好適な材料は、
摂氏１°あたり１００万分の７．８の熱膨張率を有する
微細粒子の高力黒鉛材料である。このような材料はＵｎ
ｏｃａ １コーポレーシヨンのボコ部から購入可能であ
り、棒１２及びスリーブ・スペーサ１０ａ及び１４の好
適なアルミナ材料と熱膨張率が優れて適合する。
摂氏１°あたり１００万分の７．８の熱膨張率を有する
微細粒子の高力黒鉛材料である。このような材料はＵｎ
ｏｃａ １コーポレーシヨンのボコ部から購入可能であ
り、棒１２及びスリーブ・スペーサ１０ａ及び１４の好
適なアルミナ材料と熱膨張率が優れて適合する。
必要なれば、第４図に示すように、ねじ又はボルト３２
は導電性の棒８ （第１図参照）と共に単一の一体部材
、すなわち導電棒組立体１８として形成可能であり、棒
８の他の全ての物理的条件又はパラメタを維持しつつ、
棒８の機能を有効に代行することができる。導電棒組立
体１８は電極板２２間を電気的に接触する導電材料から
成り、且つ、ボルト部３２ａ１ナツト部３４ａ及びスペ
ーサ部２６を含む。１つの導電棒１８は少なくとも１つ
の別の導電棒組立体と作動的に連結され、適宜の長さの
ボート組立体を通して所望の任意の長さの連続した。導
電線を形成する。この長さは、第４図に示すように、相
互に組立て又は連結するように選択された導電棒組立体
１８の量又は数によって定まる。
は導電性の棒８ （第１図参照）と共に単一の一体部材
、すなわち導電棒組立体１８として形成可能であり、棒
８の他の全ての物理的条件又はパラメタを維持しつつ、
棒８の機能を有効に代行することができる。導電棒組立
体１８は電極板２２間を電気的に接触する導電材料から
成り、且つ、ボルト部３２ａ１ナツト部３４ａ及びスペ
ーサ部２６を含む。１つの導電棒１８は少なくとも１つ
の別の導電棒組立体と作動的に連結され、適宜の長さの
ボート組立体を通して所望の任意の長さの連続した。導
電線を形成する。この長さは、第４図に示すように、相
互に組立て又は連結するように選択された導電棒組立体
１８の量又は数によって定まる。
さて第２図を参照すると、第１図の電極ボート部の断面
図が示されている。電極板２２の左下部の切欠きは第２
導電棒８ｂと絶縁スリーブ・スペーサ１０ｂとが、電気
的接触をせずに電極板２２を貫通できるために設けられ
ている。当業者には、各電極棒８ａ及び８ｂが互い違い
の電極板と接触可能であるように、右下部に切欠きを有
する電極板２４に示す同一の切欠きを各電極板に配設す
ることが了解されよう。電極棒８ａ又は８ｂ及び２個の
絶縁棒１２を関連のスリーブ・スペーサと共に使用する
ことにより、各電極板ごとに３つの支持ポイントが設け
られる。極めて大型の電極板用には、更に、追加の絶縁
棒とスペーサ・スリーブを設けてもよい。
図が示されている。電極板２２の左下部の切欠きは第２
導電棒８ｂと絶縁スリーブ・スペーサ１０ｂとが、電気
的接触をせずに電極板２２を貫通できるために設けられ
ている。当業者には、各電極棒８ａ及び８ｂが互い違い
の電極板と接触可能であるように、右下部に切欠きを有
する電極板２４に示す同一の切欠きを各電極板に配設す
ることが了解されよう。電極棒８ａ又は８ｂ及び２個の
絶縁棒１２を関連のスリーブ・スペーサと共に使用する
ことにより、各電極板ごとに３つの支持ポイントが設け
られる。極めて大型の電極板用には、更に、追加の絶縁
棒とスペーサ・スリーブを設けてもよい。
第３図は本発明の別の好適な実施例に基づく電極ボート
部を示している。この実施形態は、第１図の電極棒８ａ
の代りに、電極棒４２が、導電用にニッケルで金属被覆
されたねし山つきアルミナから成っていること以外は、
第１図とほぼ同一である。これもアルミナから成るスペ
ーサ・スリーブ４０は互い違いの電極板２２の対隅を分
離し、且つ、ニッケルのナツト３４が電極棒４２と電極
板２２との確実な電気的接触用に使用されている。
部を示している。この実施形態は、第１図の電極棒８ａ
の代りに、電極棒４２が、導電用にニッケルで金属被覆
されたねし山つきアルミナから成っていること以外は、
第１図とほぼ同一である。これもアルミナから成るスペ
ーサ・スリーブ４０は互い違いの電極板２２の対隅を分
離し、且つ、ニッケルのナツト３４が電極棒４２と電極
板２２との確実な電気的接触用に使用されている。
更に、電極棒４２とスペーサ・スリーブ４ｏとのほぼ等
しい熱膨張率が達成されている。
しい熱膨張率が達成されている。
好適な実施形態のいずれに於ても、支持棒、絶縁スリー
ブ・スペーサ及びねじ付の接触体を使用することにより
、ボートの迅速な組立て及び欠陥部品の洗浄又は交換の
ための迅速な分解が可能である。更に、この種類の組立
体は任意の寸法の電極板に適応可能であるので、はとん
どの部品に互換性がある。本発明に基づく電極ボート組
立体を使用することによって、２％以上の蒸着均一性（
１個の材料内、別個の材料間及び別個の工程間での均一
性）が達成された。更に、微粒子汚染はほぼ存在しない
。
ブ・スペーサ及びねじ付の接触体を使用することにより
、ボートの迅速な組立て及び欠陥部品の洗浄又は交換の
ための迅速な分解が可能である。更に、この種類の組立
体は任意の寸法の電極板に適応可能であるので、はとん
どの部品に互換性がある。本発明に基づく電極ボート組
立体を使用することによって、２％以上の蒸着均一性（
１個の材料内、別個の材料間及び別個の工程間での均一
性）が達成された。更に、微粒子汚染はほぼ存在しない
。
本発明をこれまで好適な実施例に基づき図示し、且つ、
説明してきたが、専門家は、本発明の精神から逸脱実る
ことなく形態及び材料の多くの変更が可能であることを
了解するであろう。例えば、アルミナのスペーサ・スリ
ーブ内の導電棒は、好適な黒鉛又は金属化アルミナ材と
同様にコバール又はロダール合金製であることが可能で
あろう。
説明してきたが、専門家は、本発明の精神から逸脱実る
ことなく形態及び材料の多くの変更が可能であることを
了解するであろう。例えば、アルミナのスペーサ・スリ
ーブ内の導電棒は、好適な黒鉛又は金属化アルミナ材と
同様にコバール又はロダール合金製であることが可能で
あろう。
第１図は本発明に基づく電極ボート組立体の電極ボート
組立体部の一部の部分的に断面化された側面図である。 第２図は第１図の２−２線に沿った電極ボート組立体部
の断面図である。 第３図は本発明に基づく別の好適な実施例の電極ボート
組立体部の部分的に断面化された側面図である。 第４図は第１図に示す導電体の棒ねし又はボルト及びナ
ツトの代りに使用可能な単一の一体化された導電棒組立
体の別の実施例を示す、部分的に断面化された側面図で
ある。 図中符号 ８・・・・・・棒、 ８ａ・・・・・・棒、
１０・・・・・・同軸スペーサ、１０ａ・・・・・・同
軸スペーサ、１２・・・・・・棒、 １４・
・・・・・スリーブ、１６・・・・・・ペグ、
１８・・・・・・導電棒組立体、２２・・・・・・電極
板、 ２４・・・・・・電極板、２６・・・・・・
スペーサ部、 ３２・・・・・・ねじ、３２ａ・・・・
・・ボルト部、 ３４・・・・・・ナンド、３４ａ・・
・・・・ナツト部、 ３６・・・・・・止めねじ、４
０・・・・・・スペーサ・スリーブ、４２・・・・・・
電極棒、 ４４・旧・・半導体ウェーハ。
組立体部の一部の部分的に断面化された側面図である。 第２図は第１図の２−２線に沿った電極ボート組立体部
の断面図である。 第３図は本発明に基づく別の好適な実施例の電極ボート
組立体部の部分的に断面化された側面図である。 第４図は第１図に示す導電体の棒ねし又はボルト及びナ
ツトの代りに使用可能な単一の一体化された導電棒組立
体の別の実施例を示す、部分的に断面化された側面図で
ある。 図中符号 ８・・・・・・棒、 ８ａ・・・・・・棒、
１０・・・・・・同軸スペーサ、１０ａ・・・・・・同
軸スペーサ、１２・・・・・・棒、 １４・
・・・・・スリーブ、１６・・・・・・ペグ、
１８・・・・・・導電棒組立体、２２・・・・・・電極
板、 ２４・・・・・・電極板、２６・・・・・・
スペーサ部、 ３２・・・・・・ねじ、３２ａ・・・・
・・ボルト部、 ３４・・・・・・ナンド、３４ａ・・
・・・・ナツト部、 ３６・・・・・・止めねじ、４
０・・・・・・スペーサ・スリーブ、４２・・・・・・
電極棒、 ４４・旧・・半導体ウェーハ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、化学蒸気と加工材料を収納するための排気可能な外
囲器内でプラズマ反応で材料を加工するための化学蒸着
加工装置に於て、外囲器内に取はずし自在に挿入可能な
電極ボート組立体であって、 相互に間隔隔離された複数個の導電性電極板部材と、 前記複数個の電極板部材を貫通する少なくとも１個の絶
縁棒と、 前記複数個の電極板部材を貫通し、前記複数個の電極板
部材の他の全てと電気的に接触する少なくとも１個の導
電棒と、 前記複数個の電極部材の間で前記絶縁棒と前記導電棒を
覆い、前記複数個の電極部材を支持し且つ間隔隔離する
複数個の絶縁スリーブ部材とから構成されており、その
際、前記導電棒及び前記複数個の絶縁スリーブ部材は全
てほぼ等しい熱膨張率を有することを特徴とする電極ボ
ート組立体。 ２、前記導電棒は黒鉛から成り、且つ前記複数個の絶縁
スリーブ部材はアルミナから成る請求項１記載のボート
組立体。 ３、前記導電棒は金属化アルミナから成り、且つ前記複
数個の絶縁スリーブ部材はアルミナから成る請求項１記
載のボート組立体。 ４、前記電極板と確実な電気的接触を行なうための前記
電極板を覆うねじ部材を更に設けた請求項１記載のボー
ト組立体。 ５、前記導電棒はコバールから成る請求項１記載のボー
ト組立体。 ６、前記導電棒はロダールから成る請求項１記載のボー
ト組立体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17778 | 1987-02-20 | ||
| US07/017,778 US4799451A (en) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | Electrode boat apparatus for processing semiconductor wafers or the like |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63224330A true JPS63224330A (ja) | 1988-09-19 |
| JPH0834207B2 JPH0834207B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=21784497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63037350A Expired - Lifetime JPH0834207B2 (ja) | 1987-02-20 | 1988-02-19 | 半導体ウェーハ等を加工するための電極ボート組立体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4799451A (ja) |
| JP (1) | JPH0834207B2 (ja) |
| DE (1) | DE3805293C2 (ja) |
| GB (1) | GB2201162B (ja) |
| NL (1) | NL193664C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011117046A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Fuji Electric Co Ltd | 真空処理装置 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4873942A (en) * | 1988-06-08 | 1989-10-17 | The Stackpole Corporation | Plasma enhanced chemical vapor deposition wafer holding fixture |
| US5175021A (en) * | 1990-02-01 | 1992-12-29 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | Transmission line for providing power to an electrode boat in a plasma enhanced chemical vapor deposition system |
| GB9010000D0 (en) * | 1990-05-03 | 1990-06-27 | Stc Plc | Phosphide films |
| DE102005031602A1 (de) * | 2005-07-06 | 2007-01-11 | Robert Bosch Gmbh | Reaktor zur Durchführung eines Ätzverfahrens für einen Stapel von maskierten Wafern und Ätzverfahren |
| US20080016684A1 (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | General Electric Company | Corrosion resistant wafer processing apparatus and method for making thereof |
| US20080006204A1 (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-10 | General Electric Company | Corrosion resistant wafer processing apparatus and method for making thereof |
| DE102015004352A1 (de) * | 2015-04-02 | 2016-10-06 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Waferboot und Behandlungsvorrichtung für Wafer |
| DE102015004419A1 (de) * | 2015-04-02 | 2016-10-06 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Waferboot und Plasma-Behandlungsvorrichtung für Wafer |
| KR20180133335A (ko) | 2017-06-06 | 2018-12-14 | 템프레스 아이피 비.브이. | 웨이퍼 파지기 조립체, 시스템, 및 그 사용 |
| CN110872689B (zh) * | 2018-08-30 | 2024-05-28 | 上海祖强能源有限公司 | 蒸发舟拆装工具及蒸镀设备 |
| DE102019002647A1 (de) * | 2019-04-10 | 2020-10-15 | Plasmetrex Gmbh | Waferboot und Behandlungsvorrichtung für Wafer |
| CN110565075B (zh) * | 2019-09-20 | 2024-04-23 | 苏州拓升智能装备有限公司 | 一种用于管式pecvd设备的石墨舟电极对接装置 |
| JP6937806B2 (ja) * | 2019-09-25 | 2021-09-22 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、及び半導体の製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53112066A (en) * | 1977-03-11 | 1978-09-30 | Fujitsu Ltd | Plasma treatment apparatus |
| US4223048A (en) * | 1978-08-07 | 1980-09-16 | Pacific Western Systems | Plasma enhanced chemical vapor processing of semiconductive wafers |
| US4287851A (en) * | 1980-01-16 | 1981-09-08 | Dozier Alfred R | Mounting and excitation system for reaction in the plasma state |
| US4401507A (en) * | 1982-07-14 | 1983-08-30 | Advanced Semiconductor Materials/Am. | Method and apparatus for achieving spatially uniform externally excited non-thermal chemical reactions |
| NL8303602A (nl) * | 1983-10-19 | 1985-05-17 | Johannes Hendrikus Leonardus H | Plasma-gestimuleerde chemische opdampinrichting en in het bijzonder een substratenondersteunings- en elektrodeopstelling daarvoor en de betreffende onderdelen. |
| US4610748A (en) * | 1984-12-10 | 1986-09-09 | Advanced Semiconductor Materials Of America, Inc. | Apparatus for processing semiconductor wafers or the like |
-
1987
- 1987-02-20 US US07/017,778 patent/US4799451A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-18 NL NL8702240A patent/NL193664C/nl not_active IP Right Cessation
- 1987-11-09 GB GB8726205A patent/GB2201162B/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-02-19 DE DE3805293A patent/DE3805293C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-02-19 JP JP63037350A patent/JPH0834207B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011117046A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Fuji Electric Co Ltd | 真空処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8726205D0 (en) | 1987-12-16 |
| NL193664B (nl) | 2000-02-01 |
| US4799451A (en) | 1989-01-24 |
| DE3805293A1 (de) | 1988-09-01 |
| DE3805293C2 (de) | 1999-08-05 |
| NL193664C (nl) | 2000-06-06 |
| GB2201162B (en) | 1991-01-30 |
| NL8702240A (nl) | 1988-09-16 |
| GB2201162A (en) | 1988-08-24 |
| JPH0834207B2 (ja) | 1996-03-29 |
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