DE3786692T2

DE3786692T2 - Vorrichtung mit flachem Suszeptor, der parallel zu einer Referenzfläche um eine Achse lotrecht zu dieser Fläche rotiert.

Info

Publication number: DE3786692T2
Application number: DE87200478T
Authority: DE
Inventors: Peter Michael Societe Frijlink
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1986-03-21
Filing date: 1987-03-16
Publication date: 1994-02-17
Anticipated expiration: 2007-03-17
Also published as: FR2596070A1; US4860687A; JPS62230982A; DE3786692D1; EP0242898A1; JPH0778276B2; EP0242898B1

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung mit einer flachen Platte, die sich parallel zu einer Bezugsebene drehbar ist, eine Struktur zum Zentrieren dieser Platte und Strukturen in der Bezugsebene enthält, um durch Anwendung einer Gasströmung an der Rückseite der Platte diese Platte in den Schwebezustand und in den Rotationszustand zu bringen.
Die Erfindung bezieht sich ebenfalls auf eine Reaktionskammer für Epitaxie in der Dampfphase mit einer derartigen Vorrichtung.
Der Anwendungsbereich der Erfindung liegt in der Verwirklichung von flachen drehenden Probenträgern für die Kammer der Epitaxie in der Dampfphase, insbesondere für die in der Dampfphase durchgeführte epitaxiale Züchtung von Schichten von Komponenten aus der Gruppe III-V zur Herstellung von Halbleiteranordnungen.
Die Verwendung von rotierenden Probenträgern im Bereich der in der Dampfphase durchgeführten Epitaxialzüchtung von Komponenten der Gruppe III-V ist aus der Veröffentlichung mit dem Titel "Multi-Wafer Growth of Extremely Uniform GaAs Layers by organometallic Vapor Phase Epitaxy" des Jahres 1985, Electronic Materials Conference, University of Colorado, Junie 19/21, 1985" von S. Komeno, H. Tanaka, I. Itoh et al bekannt. Diese Veröffentlichung beschreibt, daß es wichtig ist, bei der in der Damppfhase durchgeführten Züchtung von Epitaxialschichten die Proben drehen zu lassen, um einheitliche Schichten zu erhalten, wodurch es möglich wird, Bestandteile hoher Güte zu verwirklichen, wie z. B. Feldeffekttransistoren, Dioden, usw.
Jedoch erfordern die Bedingungen, unter denen diese Schichten verwirklicht werden, hohe Temperaturen in der Größenordnung von 850ºC und eine gesteuerte Atmosphäre beispielsweise eine Wasserstoffatmosphäre und sind Ursache davon, daß die Anwendung klassischer Herstellungsverfahren mit externem Motor bei der Kammer schwer verwirklichbar ist.
In dieser Anmeldung muß der Probenträger sich in gutem Wärmekontakt mit einer Heizeinrichtung befinden, um Temperaturänderungen in der Probe zu verhindern, wobei diese Änderungen Homogenitätsänderungen in den an der Oberfläche verwirklichten Epitaxialschichten auslösen.
Aus der Patentschrift GB Nr. 2 136 258 sind ein Verfahren und eine Vorrichtung für die Wärmebehandlung von Platten und insbesondere von Halbleitersubstraten bekannt.
In diesem vorgenannten Patent dient die bekannte Vorrichtung bei einer ersten Inbetriebstellung zum Verwirklichen einer Kieselerdschicht auf einem Siliziumsubstrat. Dazu befindet sich ein Substrat in einer geschlossenen Kammer und im Gleichgewicht auf Spitzkeilen. Außerdem ist es durch ein trichterförmiges Gestell mit flachem Boden und mit großer umgekehrter Öffnung abgedeckt. Eine Gasströmung wird durch das Rohr des Trichters eingeführt und durch ein Filter mit mehreren Öffnungen schräg auf die Fläche des gegenüberliegenden Substrats verteilt, wobei die Öffnungen in bezug auf der Substratebene schräg angeordnet sind. Mit der Zufuhr dieses Flusses durch diese schrägen Öffnungen wird das Substrat in der Kammer in einen derartigen Schwebezustand gebracht, daß seine Heizung durch ein elektromagnetisches Mittel ohne Wärmeverlust möglich wird. Die erforderlichen Gase zum Ablagern von SiO&sub2; werden gleichzeitig mit dem Schwebegas mitgenommen und der Niederschlag erfolgt im wesentlichen auf der Substratebene, die die Gaseintrittsöffnungen zugewandt ist. Die erwähnte Patentschrift lehrt uns, daß in diesen Umständen das Substrat sich ebenfalls drehen kann.
In der erwähnten Patentschrift besteht in einem anderen Ausführungsbeispiel die Vorrichtung aus einer Glühkammer zur Verwirklichung der Glühphase einer Photoresistschicht auf einem Halbleitersubstrat in einem photolithographischen Verfahren bei der Verwirklichung einer integrierten Schaltung.
In der Kammer befindet sich eine Einspannvorrichtung (jig) mit flachem Boden an der Innenseite zum Aufnehmen des Substrats und außerdem mit Einfassungen. Jedoch liegt das Substrat nicht direkt auf dem flachen Boden der Einspannvorrichtung. Es ist auf Unterlegkeilen angeordnet, die selbst wieder auf diesem flachen Boden stehen.
Die Vorrichtung enthält weiter Mittel zum Abheben des Substrats über den Unterlegkeilen derart, daß es in einem geringen Abstand über diesen Unterlegkeilen schwebt. Diese Mittel zum Aufrechterhalten des Schwebezustands bestehen aus dem Einlaß eines Gasstroms durch ein Rohr, das durch die untere Wand der Kammer geht. Dieses Rohr führt den Gasstrom bis zur unteren Fläche des flachen Bodens der Einspannvorrichtung (jig) und verteilt sich in vier Linearrohre mit geringerem Durchmesser, die zur Vertikale derart geneigt verlaufen, daß beim Transport des Stromes er sich nach den Rändern des Substrats ausbreitet. Diese kleinen Rohre gehen durch die Wand des flachen Bodens der Einspannvorrichtung (jig) und münden an ihren oberen Fläche genau unter dem auf den Unterlegkeilen aufliegenden Substrat. Auf diese Weise kann der Strom die untere Fläche des Substrats erreichen und ihn über den Unterlegkeilen in den Schwebezustand versetzen.
Die bekannte Vorrichtung enthält außerdem Mittel zum Rotieren des Substrats nach dem Erreichen des Schwebezustands. Die obengenannten vier kleinen linearen Rohre verhalten sich nicht nur in schräger Lage in bezug auf der Vertikalachse des Hauptrohrs zum Führen des Stroms, sondern sind außerdem in bezug auf dieses Rohr tangential angeordnet. Gerade diese Lage leitet eine Rotationsbewegung des Substrats ein, wenn der Strom mit ausreichender Menge zugeführt wird, um eine Wirbelbewegung auszulösen, wenn er auf die Einfassungen der Einspannvorrichtung prallt.
Die bekannte Vorrichtung enthält weiter Heizmittel für die Probe in Form eines Mikrowellengenerators und eines Wellenleiters.
Im bekannten System stellt die Einspannvorrichtung (jig) also den Probenträger dar, der nur über die Unterlegkeile mit der Probe in Kontakt steht.
Dieser Probenträger, d. h. Einspannvorrichtung (jig) + Unterlegkeile ist nicht fahrbar. Er ist fest. Nur die Probe wird in einen Schwebezustand und in einen Rotationszustand gebracht. Alle Mittel für den Schwebezustand und den Rotationszustand sind integrierende Teile des Probenträgers. Im Betrieb ist die Probe nicht mehr in Kontakt mit dem Probenträger.
Die Mikrowellenheizvorrichtung erwärmt also die Photoresistschicht an der Innenseite, aber nicht das Substrat oder den Probenträger. Insbesondere bleibt die ganze Kammer auf niedriger Temperatur.
Andererseits spielt der Gasstrom, der zum Erreichen des Schwebezustands und des Rotationszustands des Substrats mitarbeitet, keine Rolle in den Bearbeitungen der Probe.
Also zeigt keine dieser erwähnten Ausführungsbeispiele Mittel für eine genaue Zentrierung der rotierenden Probe. Andererseits enthalten die Mittel zum Schwebenlassen und zum Rotieren der Probe kein Mittel zum spezifischen Erzeugen der wirklichen einheitlichen Rotation dieser Probe.
Daher liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung mit einer drehenden Platte zu schaffen, die beispielsweise in einer in der Dampfphase betriebenen Epitaxiekammer als Probenträger verwendbar ist, wodurch es möglich ist, diese Probleme zu lösen.
Erfindungsgemäß werden diese Probleme dadurch gelöst, daß eine Vorrichtung der eingangs erwähnten Art dadurch gekennzeichnet ist, daß die Zentrierstruktur ein erstes Profil, das in bezug auf eine der gegenüberliegenden Oberflächen während des Schwebe/Rotationszustands konvex ist, d. h. der Bezugsebenefläche oder der Innenfläche der Platte, und ein zweites Profil enthält, das dem ersten komplementär konkav in bezug auf die andere gegenüber liegende Oberfläche ist, wobei die beiden Profile derart miteinander verschachtelt sind, daß das konvexe Profil im konkaven Profil frei rotieren kann, wobei eine Lateralverlagerung der Platte vermieden wird, daß zum Erhalten des Schwebezustands der Platte die Bezugsebene eine erste aus n > 2 nicht ausgerichteten Öffnungen bestehende Struktur enthält, die in dem von der Projektion des externen Plattenrands verwirklicht wird, wobei durch die Öffnungen senkrecht zur Plattenfläche gegenüber der Bezugsebene ein erster Gasfluß derart zugeführt wird, daß ein Schlitz der Nichtnullabmessung h zwischen der Rückfläche der Platte und der Bezugsebene erhalten wird, und daß zum Erhalten der Rotation der Platte die Bezugsebene oder die untere Fläche der Platte eine zweite Struktur enthält, die wenigstens durch eine gerundete Rille gebildet wird, in dem ein zweiter Gasstrom umläuft und in der gewählten Richtung für die Rotation dreht.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung bietet also u. a. folgende Vorteile: - keine mechanischen Teile, die durch die Bezugswand gehen, was einerseits bei der Arbeit mit höheren Temperaturen und andererseits für die Einführung umweltverschmutzender Gase in die Kammer, wie Arsen oder Phosphin, ohne Gefahr des Entweichens vorteilhaft sind; - einen guten Wärmekontakt durch die Leitung im Gas mit der Bezugswand. Faktisch ist die Dicke der Gasschicht zwischen der Platte und dieser Wand im allgemeinen sehr gering. Dies ist ebenfalls vorteilhaft bei der Anwendung dieser Platte in einer Epitaxiekammer; - der Rotationszustand wird mit den unterschiedenen spezifischen Mitteln der Schwebezustandsmittel erreicht. Man kann also den Probeträger ohne Rotation in den Schwebezustand versetzen. Weiter kann auf einfache Weise die Drehung bei Aufrechterhaltung des Schwebezustands eingestellt werden; - der Rotationszustand und der Bewegungsabbruch sind dadurch leicht steuerbar, daß sie einfach vom Umlauf eines Gasstroms abhängig sind; - die beschriebene Technik eignet sich insbesondere zum Ausführen von Planetenbewegungen durch einfaches Überlagern mehrerer rotierender Teller auf einem größeren rotierenden Teller. Die Verwirklichung einer derartigen Bewegung mittels klassischer mechanischer Mittel beispielsweise mit Hilfe von Getrieben wäre äußerst kompliziert, da die Wahl der Werkstoffe durch die erforderliche Reinheit beschränkt wird, die die bezweckte Anwendung in der Kammer eines Reaktors auferlegt. So würde in einer Verwirklichung, die die Verwendung eines Getriebes umfaßt, für diese Anwendung, die außerdem hohe Temperaturen erforderlich macht, die Verwendung feuerfester nicht fetter Materialien notwendig sein. Die Einheit würde also einen sehr starken Verschleiß zeigen, der durch äußerst feine und für die bezweckte Anwendung insbesondere nachteilige Staubpartikel verursacht wird. Außerdem ist bei diesen klassischen Mitteln ein geringer Abstand zwischen Teller und Bezugsfläche schwer erreichbar, da er immer einen mechanischen Kontakt mit sich bringt, der Staub erzeugt. Mit diesen klassischen Mitteln würde also eine geringere Wärmeleitung erhalten werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen
Fig. 1a einen Querschnitt durch eine erfindungsgemäße Vorrichtung,
Fig. 1b einen Querschnitt durch ein zweites Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Vorrichtung,
Fig. 1c von unten gesehen die Bezugsebene eines dritten Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Vorrichtung,
Fig. 1d einen Querschnitt durch die in Fig. 1c veranschaulichte Vorrichtung,
Fig. 2 das gleiche Schaltbild der den Gasströmen entgegengebrachten Widerstandswerte in den verschiedenen Teile des durch eine dieser Vorrichtungen gebildeten Systems,
Fig. 3 die Isobaren entsprechend eines Gasflusses aus einer Öffnung in der Bezugsebene,
Fig. 4a ein Ausführungsbeispiel einer Platte mit einer Drehungsachse,
Fig. 4b ein zweites Ausführungsbeispiel einer Platte mit einer Drehungsachse,
Fig. 5a eine Platte mit einer Drehungsachse in einer vorteilhaft beurteilten Form, und mit einem System zum Verwirklichen des Rotationszustands nach einem Ausführungsbeispiel, das eine Viskositätskraft auslöst,
Fig. 5b eine Platte mit einer Drehungsachse in einer vorteilhaft beurteilten Form und mit einem System zum Verwirklichen des Rotationszustands nach einem zweiten Ausführungsbeispiel, das eine Viskositätskraft auslöst,
Fig. 5c die Bezugsfläche nach Fig. 5b in Draufsicht,
Fig. 6a eine Platte mit einer Drehungsachse in einer als vorteilhaft bewerteten Form und mit einem System zum Verwirklichen des Rotationszustands nach einem Ausführungsbeispiel, das Trägheitskräfte auslöst,
Fig. 6b eine Platte mit einer Drehungsachse in einer vorteilhaft beurteilten Form und mit einem System zum Verwirklichen des Rotationszustands nach einem anderen Ausführungsbeispiel, das Trägheitskräfte auslöst,
Fig. 7a eine Explosiv-Zeichnung und eine perspektivische Darstellung einer Vorrichtung zum Planetendrehen mehrerer Platten in einem der erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiele,
Fig. 7b die obere Fläche der Basisplatte bei einer Planetendrehung in einem Ausführungsbeispiel,
Fig. 8 eine Vorrichtung zum Erleichtern der Drehungsbeendigung in einer gewählten Position, wobei die Beendigung auf die Platten mit der Planetendrehung angewandt wird.
In Fig. 1a ist die erfindungsgemäße Vorrichtung dargestellt, die aus einem Rotationsteller 20 um eine Achse 30 parallel zur Bezugsebene 10 besteht, wobei die Achse 30 senkrecht auf diese Ebene steht.
In der nachstehenden Beschreibung wird vorzugsweise ein scheibenförmiger Teller gewählt.
Erfindungsgemäß wird dieser Teller 20 durch die Wirkung eines Gasstroms oder mehrerer Gasströme gleichzeitig im Schwebezustand über der Oberfläche 10 und im Rotationszustand um die Achse 30 gehalten.
In Fig. 1a ist der Teller 20 im Querschnitt im Schwebezustand in einem Abstand h über der Bezugsfläche 10 dargestellt.
Der Schwebezustand wird im Ausführungsbeispiel nach Fig. 1a durch die Gaszuleitungen 1a, . . . . . 1n derart erhalten, daß das System im Gleichgewicht ist, wobei der Gaszuleitungsstrom andererseits senkrecht zur Ebene des Tellers 20 und der Ebene 10 verläuft.
Im Schwebezustand erfährt das durch die Zuleitungen 1a, 1b, . . . 1n injizierte Gas im Intervall zwischen dem Teller 20 und der Bezugsfläche 10 einen Widerstand bei den Strömungen im Spalt 4 mit der Höhe h, wodurch eine Druckerhöhung auf die Fläche 22 der Platte 20 im Vergleich zum Umgebungsdruck ausgelöst wird. Der Gasstrom muß hoch genug sein, um den Unterschied zwischen diesem Druck und dem integrierten Umgebungsdruck auf die Fläche 22 wenigstens gleich der Schwerkraft auf die Platte 20 zu machen.
In einem stationären Schwebezustand wird dieser Druckunterschied durch das Gewicht der Platte 20 bestimmt und kann nicht ansteigen. Dabei neigt der Teller bei jeder langsamen Erhöhung des Stroms zum Schweben und die Höhe h neigt zum Vergrößern. Der Widerstand des Spalts 4 wird also kleiner und das Gleichgewicht der Flächen wird wiederhergestellt.
In der wirklichen Anwendung muß der Teller 20 eine Masse, beispielsweise eine Probe 100 unterstützen, die außermittig sein kann. In diesem Fall ist das System asymmetrisch und es muß dafür gesorgt werden, daß die Höhe h des Spaltes 4 in jedem Punkt von 0 abweichend bleibt, d. h. daß die Druckverteilung auf die untere Fläche 22 des Tellers 20 ebenfalls entsprechend asymmetrisch ist, bei der der Schwebezustand stabil genannt werden kann.
Wenn die Gaszuleitung 1 eindeutig ist, und derart angeordnet, daß sie mit der Symmetrieachse des unbelasteten Tellers zusammenfällt, was der Fall ist, in dem der Teller eine Platte ist und sich mit der Rotationsachse 30 deckt, ist also das System total symmetrisch und die Höhe des Spaltes h wird durch nachstehende Beziehung gegeben:
h = [(3η/πρDg) (1-d²&sub2;/d²&sub1;)·Deb]1/3 1/
worin:
η die Gasviskosität ist
ρD die Masse je Oberflächeneinheit der Platte 20 ist,
g die Schwerebeschleunigung ist,
d&sub1; der Plattendurchmesser ist,
d&sub2; hier der Durchmesser der Gaszuleitung ist,
Deb die Gaszufuhr ist.
Dieses System ist in Fig. 1b dargestellt.
Wenn dieses einheitliche Versorgungssystem auf asymmetrische Weise belastet wird, wobei der Stabilitätsbereich vom Verhältnis der Durchmesser d&sub1; und d&sub2; und von der Gaszufuhr abhängig ist, zeigt es sich, daß der Stabilitätsbereich genügend zurückgegangen ist, was darin zum Ausdruck kommt, daß die Dezentrierung der vom Teller 20 getragenen Masse 100 nicht sehr groß sein kann.
Erfindungsgemäß wird eine andere Gaszuleitungsvorrichtung als vorteilhaft beurteilt, um den Stabilitätsbereich zu vergrößern. Diese Vorzugsvorrichtung enthält die Gaszuleitung mit n > 2 nicht ausgerichteten Öffnungen 1a, 1b . . . 1n.
Vorzugsweise lassen diese Öffnungen 1a . . . 1n sich voneinander durch eine Rotation von 2π/n ableiten.
In den erfindungsgemäßen nachstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen wird eine Gaszuleitungsvorrichtung mit drei Öffnungen 1a, 1b, 1c gewählt, die auf den Spitzen eines äquilateralen Dreiecks angeordnet sind, deren Symmetriemitte mit der Rotationsachse zusammenfällt. Diese Vorrichtung ist in Fig. 1c veranschaulicht, die von oben gesehen die Oberfläche 10 der Bezugswand darstellt. Die Bahn der schwebenden Platte wird mit 21 durch eine gestrichelte Linie dargestellt.
In Fig. 1d ist dasselbe System im Querschnitt entlang der Linie I-I' durch die Mitte von zwei Öffnungen 1b und 1c dargestellt. In dieser Figur ist dargestellt, daß diese Öffnungen 1b und 1c mit einer Gasspeiseleitung 40 über die Rohre 41b und 41c verbunden sind. Die Öffnung 1a, die sich nicht in der Ebene der Fig. 1d befindet, ist ebenfalls über ein Rohr mit der Leitung 40 verbunden. Außerdem enthalten die Versorgungen 41a, 41b und 41c die Einengungen R1a, R1b, R1c, die die Widerstandswerte Ri bilden. Jeder Widerstandswert Ri hat einen höheren Wert oder wenigstens einen Wert gleich dem Widerstand R des Spaltes 4 im Teil dieses Spalts mit der Höhe h zwischen der Gaszuleitung, beispielsweise 1a, in der Bezugsebene 10, und der Umgebung um das von der Platte gebildete System herum.
Diese Widerstände Ri sorgen für die Stabilisierung des Stromwertes Φ&sub1; auf dem Niveau der Einmündung der Gaszuleitungen 1a, 1b, 1c. In Fig. 2 ist das gleiche Schaltbild des Systems mit den Widerständen R1a, R1b, R1c dargestellt. In diesem Schaltbild stellt PA den Speisedruck eines der Rohre, Ri den in diesem Rohr angebrachten Widerstand, R den Widerstand im Spalt nahe bei der Gaszuleitung und Ps den Schwebedruck dar.
Bei einer Gaszuleitung, beispielsweise 1a, die in bezug auf die Symmetrieachse (oder die Rotationsachse 30) stark dezentriert angeordnet ist, zeigen die Schwebedruckisobaren nach Fig. 3, daß, wenn die Höhe h des Spaltes 4 in jedem Punkt gleich ist, der Schwebedruck hauptsächlich nahe bei der Öffnung 1a ausgeübt wird. Der größere Teil des Stroms, dessen örtlicher Wert durch den Abstand zwischen zwei Isobaren gegeben ist, passiert im Bereich zwischen der Öffnung 1a des Gaseinlasses und dem Rand 21 der Platte 20.
Es ist also klar, daß, wenn eine Änderung in der Höhe h der Platte 20 vom einen Rand zum anderen auftritt, hauptsächlich die örtliche Höhe nahe bei der Gaszuleitungsöffnung den Widerstandswert R bestimmt.
Wenn auf dem Teller 20 eine Masse gleichzeitig mit der Ortung einer Gaszuleitungsöffnung angebracht wird, beispielsweise 1a, wird der Wert von h an dieser Stelle kleiner und der Wert des Widerstands R größer. Daraus geht hervor (siehe Fig. 2), daß der Schwebedruck Ps ebenfalls ansteigt und an den Schwebezustand in der Nähe der Öffnung 1a selektiv beiträgt.
In der Mitte dieser Einrichtung wird mit Hilfe des Gasstroms eine gute Schwebestabilität erhalten.
Jedoch ist es zum Vermeiden der lateralen Verschiebung der schwebenden Platte notwendig, ihn zu orten, ohne daß jedoch ihre Rotation um ihre Symmetrieachse verhindert wird. Dazu lassen sich mehrere Verfahren verwenden.
In Fig. 4a und 4b sind je eine mögliche Ausführungsform dieser Ortung mit einem Querschnittsprofil der Bezugsfläche 10 und mit einem komplementaren Profil der Oberfläche 22 der Scheibe 20 dargestellt. Diese Ortungsart kann mehreren nachstehend näher erläuterten Verfahren zum Rotieren der Platte zugeordnet werden.
Zum Erhalten einer bei ihrer Bearbeitung weniger kritischen Vorrichtung wird es jedoch als vorteilhaft beurteilt, zum besten Anwenden der Erfindung mit einer Epitaxiekammer eine Plattenordnung durch eine zylindrische Rotationsachse 30 zu wählen.
Die verschiedenen Verfahren zum Rotieren der Platte nach der Erfindung sind mit einigen Ausführungsbeispielen einschließlich des letztgenannten Ortungsverfahrens (Fig. 5a ff.) dargestellt.
Die Rotationsbearbeitung kann also mittels eines aus den beiden nachstehend beschriebenen Verfahren gewählten Verfahrens oder mit Hilfe einer Kombination dieser beiden Verfahren erhalten werden.
Das erste Verfahren besteht aus einer Rotationsbearbeitung durch Viskositätskraft. Anhand dieses Verfahrens wird eine Kraft Fv auf einen Teil der Oberfläche 22 der schwebenden Platte ausgeübt. Diese Kraft löst in der Nähe dieser Oberfläche 22 einen Gasstrom aus, der eine Geschwindigkeitskomponente in der Rotationsrichtung hat, die mit der Pfeilspitze T angegeben ist, wie sie in Fig. 5 dargestellt ist, die zwei Vorrichtungen entsprechend dieses Verfahrens darstellen. Da der Teil der Oberfläche 22 der Platte, auf die diese Kraft ausgeübt wird, wesentlich glatt ist, wird die Kraft durch einen Gasviskositätseffekt ausgeübt. Diese Kraft läßt sich in folgender Beziehung schreiben:
Fv = η·δV/δZ 2/
worin Fv die Kraft je Oberflächeneinheit ist,
δV/δZ die Ableitung ihrer Geschwindigkeit in der Richtung senkrecht zur Oberfläche 22 ist.
Diese Kraft kann ebenfalls mit folgendem Proportionalitätsverhältnis ausgedrückt werden = Fyαη·Deb 3/
worin Deb die Durchflußmenge ist.
Wenn das System bei höherer Temperatur angewandt wird, wird das Gasvolumen größer. Hinsichtlich der Viskosität η andererseits steigt sie für alle Gase beim Ansteigen der Temperatur an. Also zum Ausüben einer gleichen Vikositätskraft auf die Platte bei einer höheren Temperatur, muß eine weniger große spezifische Durchflußmenge verwendet werden. Das System ist also für höheren Temperaturen besonders geeignet.
In der Perspektive ist in Fig. 5a in Explosiv-Zeichnung ein Ausführungsbeispiel unter Verwendung der Viskositätskraft eines Gases zum Rotieren der Platte 20 nach obiger Beschreibung ist in der Perspektive in Fig. 5a in Explosiv-Zeichnung dargestellt, um die Mittel zum Verwirklichen des Rotationszustands darzustellen.
Wie in Fig. 5a dargestellt, enthält die erfindungsgemäße Vorrichtung also eine Platte 20 mit einer Achse 30. Die Fläche 22 der Platte ist, wie bereits erwähnt, äußerst glatt. Die Drehbewegung wird in Richtung der Pfeilspitze T dadurch verwirklicht, daß ein Gasfluß Φ&sub2; durch den Einlaß 2 in die in der Bezugsfläche 10 angebrachte Rille 5 eingeführt wird. Diese Rille 5 hat eine runde Form und einen kleineren Strahl als der der Platte, damit der Fluß Φ&sub2; durch Viskosität auf diese Platte einwirken kann. Die Transversalabmessung der Rille kann von 0,1 mm bis mehrere Zentimeter betragen. Die Oberfläche 10 enthält außerdem, wie dies bereits oben erwähnt wurde, wenigstens 3 Öffnungen 1a, 1b, 1c für die Zuleitung des Gasflusses Φ&sub1; zum Verwirklichen des Schwebezustands.
Im Betrieb wird die Platte 20 in bezug auf die Oberfläche 10 angeordnet, wie in Fig. 1a dargestellt.
Für die Rotationsbewegung der Platte 20 sind einer oder mehrere Gasflüsse verwendbar. Die Speisung der Zuleitungen 1a, 1b, 1c kann mit einem in Fig. 1d veranschaulichten Verfahren verwirklicht werden. Die Versorgung der Zuleitung 2 ist ebenfalls nach diesem Verfahren verwirklichbar.
Ein zweites Ausführungsbeispiel zum Ausüben der Viskositätskraft eines Gases zum Rotieren der Platte 20 nach obiger Beschreibung ist in der Perspektive in Fig. 5b in Explosiv-Zeichnung dargestellt, um die Mittel zum Verwirklichen des Rotationszustands darzustellen.
Wie in Fig. 5b dargestellt, enthält die erfindungsgemaße Vorrichtung also eine Scheibe 20 mit einer Achse 30. Die Fläche 22 der Scheibe 20 ist hier noch wesentlich glatt. Die Rotationsbewegung wird in der Richtung der Pfeilspitze T dadurch ausgelöst, daß ein Gasfluß Φ&sub3; durch die Zuleitungen 1a, 1b bzw. 1c in die in der Bezugsfläche 10 angebrachten Rillen 51a, 51b und 51c eingeführt wird. Diese Rillen 51a, 51b, 51c haben eine runde Form und erstrecken sich nicht über die Bahn 21 des Plattenrandes hinaus, damit der Fluß Φ&sub3; durch Viskosität auf diese Platte einwirken kann. In Fig. 5c ist ein Ausführungsbeispiel dieser Rillen in Draufsicht dargestellt.
Die Anzahl der Rillen 51 kann nicht auf drei beschränkt werden, wie die Anzahl der Zuleitungen 1. Die Transversalabmessung der Rillen kann von 0,1 mm bis mehrere Zentimeter und die Tiefe von 10 um bis mehreren Millimetern betragen.
In dem in Fig. 5b dargestellen Ausführungsbeispiel sind die Aufgabe zum Verwirklichen des Rotationszustands und die Aufgabe zum Verwirklichen des stabilen Schwebezustands kombiniert, da jede Öffnung in 1a, 1b, 1c der Gaszuleitung für den Schwebezustand einer Rille 51a, 51b, 51c für den Rotationszustand entspricht.
Oben wurde angegeben, daß die Temperaturänderungen im Probenträger einer Epitaxiekammer Homogenitätsänderungen in den Epitaxialschichten herbeiführen können. Dem Fachmann ist bekannt, daß außerdem, wenn derartige Strukturen von Rillen auf der Rückfläche des Probenträgers verwendet werden, das thermische Bild dieser Strukturen auf den endgültigen Epitaxialschichten in Form eines Homogenitätsfehlers erscheint. Deshalb müssen diese Strukturen, jedenfalls soweit möglich, für eine derartige Anwendung vermieden werden, oder auch muß ihr Vorhandensein sich auf den Rand der Platte beschränken in einer Zone, die nicht zum Aufnehmen einer Probe bestimmt ist.
In den in Fig. 5a und 5b dargestellten Ausführungsbeispielen sind diese Rillen also auf vorteilhafte Weise in der Bezugsebene 10 statt in der Oberfläche 22 angebracht.
Das zweite Rotationsverfahren nach obiger Beschreibung besteht aus der Ausübung von Trägheitskräften.
Es ist dabei möglich, eine Winkelbewegung auf die schwebende Platte dadurch auszuüben, daß ein Gasfluß an eine der Platte entsprechende Struktur prallt. Möglich sind verschiedene Strukturen, die sich zum Auslösen von Bewegungen beim Zuführen eines Gasflusses eignen. Eine bevorzugte Struktur für die Anwendung einer Epitaxiekammer ist weiter unten näher erläutert.
Mit Hilfe einer derartigen Struktur überträgt das Gas also auf die Platte einen Teil seiner Bewegungsmenge, die proportional ρ,v² ist, worin ρ die Gasmasse je Volumeneinheit ist, die sich wie folgt schreiben läßt
Fiαro·v² 4/
oder die ebenfalls auf andere Weise geschrieben werden kann:
Fiα·Deb² 5/
Beim Vergleich der Beziehungen 3 und 5 läßt sich feststellen, daß die gewonnene Kraft durch Trägheit wenigstens in Abhängigkeit von der Temperatur in geringerem Maße ansteigt als die gewonnene Kraft durch Viskosität. Jedoch sind sowohl das eine als das andere Verfahren bei höheren Temperaturen ausgezeichnet verwendbar.
In Fig. 6a und 6b ist ein Ausführungsbeispiel zum Ausüben der Trägheitskräfte eines Gases zum Rotieren der Platte 20 nach obiger Beschreibung dargestellt.
In Fig. 6a ist die Anordnung der in der Oberfläche 22 der Platte 20 angebrachten Anordnung der Rillen 61, 62, 63 und 64 dargestellt, die die Strukturen bilden, gegen die der Gasfluß Φ&sub4; anprallt.
Für die Anwendung in einer Epitaxiekammer werden diese Strukturen vorzugsweise auf dem Umfang der Platte 20 angeordnet, wie dies bereits erwähnt wurde.
Diese Rillen 61, 62, 63 und 64 haben in diesem Ausführungsbeispiel eine U-Form und münden an den Rand 21 des Tellers 20. Die Anzahl der Rillen ist hier n' = 4 und lassen sich aus einer Drehung von 2π/4 ableiten.
Diese Rillen 61, 62, 63 und 64 werden durch eine ringförmige Rille 7 gespeist, die in der Bezugsebene 10, wie in Fig. 6a dargestellt, oder in der Oberfläche 22 der Platte angebracht wird, wie in Fig. 6b dargestellt, in der sie also direkt in die Rillen 61, 62, 63 und 64 mündet.
So genügen erfindungsgemäß einer oder mehrere Gasflüsse zum Verwirklichen des Schwebezustands und zum Rotieren einer Platte.
Hinsichtlich des Verhaltens der verschiedenen Drücke gegen den Umgebungsdruck für die zwei erfindungsgemäß empfohlenen Verfahren ermöglichen die zuvor gegebenen Beziehungen für die Kräfte eine Auswertung.
Für die Viskositätswirkung kann folgendes geschrieben werden:
in welcher Beziehung Debo die Durchflußmenge des Umgebungsdrucks ist,
po der Umgebungsdruck, und
p der Arbeitsdruck ist.
Die Viskosität η ist zunächst nicht vom Druck abhängig, und hier für alle Gase, vorausgesetzt dieser Druck hoch genug, damit der freie Durchsatz von Molekeln nicht die charakteristische Abmessung der durchlaufenen Struktur überschreitet, hier die Stärke des Spalts 4, der h beträgt (typisch 50 um bis 100 um). Dieses Verfahren zum Bearbeiten und zum Schweben ist für alle Gase bei jedem Druck bis zu dieser Grenze verwendbar, d. h. in der Praxis über 0,1 mbar.
Zum Verwirklichen derselben Viskositätskraft bei einem um den Faktor K verringerten Druck kann also die spezifische Durchflußmenge um denselben Faktor K verringert werden.
Eine analoge Analyse, dabei ausgehend von der Beziehung:
Fi a r Deb e h t 5/
für die Ausübung der Trägheitskraft zeigt, daß in diesem Fall die Verringerung der spezifischen Durchflußmenge K beträgt.
Für sehr niedrige Drücke ist die Ausübung mit Hilfe der Viskosität also in der Gasdurchflußmenge wirtschaftlicher.
Diese Erfindung kann auf vorteilhafte Weise zum Verwirklichen von Probenträgern für eine Epitaxiekammer in der Dampfphase verwendet werden.
Es ist klar, daß das Verhalten der verschiedenen beschriebenen Systeme bei Temperaturanstieg hervorragend ist.
Es ist ebenfalls klar, daß die Anordnung von Schwebestrukturen oder Rotationsstrukturen für die Erzeugung homogener Schichten besonders vorteilhaft ist.
Ergänzende Bedingungen zum Erzeugen homogener Schichten sind einerseits ein guter Wärmekontakt zwischen dem Probenträger und der Bezugsebene, die die Wärmequelle darstellt, und andererseits eine einheitliche Rotation von Proben, wie dies in der ersten erwähnten Veröffentlichung nach dem Stand der Technik angegeben wurde.
In der besonderen Anwendung zur Verwirklichung epitaxialer Schichten aus Werkstoffen der Gruppe III-V wird der Probenträger 20 auf eine Temperatur in der Größenordnung von 600ºC bis 800ºC in der Nähe der Bezugsebene 10 gebracht, die von der unteren Wand der Epitaxiekammer gebildet wird, die die Wärme einer Quelle überträgt. Die Durchflußmenge in der Gasphase erfolgt mit Hilfe gemischter Werkstoffe in Gasform beispielsweise mit Wasserstoff, der also ein Vektorgas bildet.
Es ist also insbesondere vorteilhaft, die Erfindung zur Verwirklichung des Probenträgers der Epitaxiekammer bei der Wahl dieses Vektorgases zur Bildung des Gasflusses anzuwenden, der den Schwebezustand und den Rotationszustand herbeiführt.
Die Verwirklichung des Schwebezustands und des Rotationszustands ist also besonders einfach.
Zum weiteren Fördern der Homogenität der Schichten kann die obere Fläche der Platte 20 mit mehreren Probenträgerplatten ausgerüstet werden, die je in bezug auf die Platte 20 nach einem der oben beschriebenen Verfahren rotieren, und so eine Planetenrotation für die Proben bildet.
In Fig. 7a ist ein Ausführungsbeispiel dargestellt, in dem eine Anzahl von n'' = 3 Platten nach einem bereits beschriebenen Prinzip rotieren, und dieses Ausführungsbeispiel ist in Fig. 5b dargestellt.
In diesem Ausführungsbeispiel wird die Platte 20 in den Schwebezustand und in den Rotationszustand beispielsweise durch einen Gasfluß gebracht, der durch die nicht in einer Reihe liegenden Öffnungen 1a, 1b, 1c ankommt und sich durch die gerundeten Rillen 51a, 51b, 51c fortpflanzt. Um die Rotationsachse 30 des Tellers 20 ist die Zuleitung eines Flusses Φ&sub5; vorgesehen, die sich durch die Dicke des Tellers 20 fortpflanzt, in der Kanäle zum Leiten des Flusses Φ&sub5; bis zu wenigstens drei Öffnungen unter jeder der Sekundärplatten 201, 202, 203 angebracht sind.
Die Platte 201 wird auf diese Weise den Öffnungen 201a, 201b, 201c zugeordnet. Die Platten 202 und 203 selbst sind wieder je drei Öffnungen zugeordnet, die in Fig. 7a der Einfachheit halber nicht dargestellt sind.
Jeder der Öffnungen entspricht eine gekrümmte Rille beispielsweise nach der Darstellung in Fig. 7b, die eine Darstellung der Oberfläche 23 der Platte 20 ist. Für die Öffnungen 201a, 201b und 201c sind die entsprechenden Rillen mit 251a, 251b und 251c bezeichnet.
In diesem in Fig. 7a dargestellten System sind die Proben auf den Oberflächen 223 der Platten 201, 202 und 203 aufgestellt. Das Prinzip des Rotationszustands ist anhand der Fig. 5b bereits beschrieben.
Es ist klar, daß jedes der veranschaulichten Prinzipien in Fig. 5a oder 6a, 6b verwendbar sind oder sogar miteinander kombiniert werden können.
Die verschiedenen erfindungsgemäßen Platten können in jedem harten Werkstoffart mit geringer Verformung verwirklicht werden, darunter die Polymere.
Bei der Anwendung in einer Epitaxiekammer müssen diese Werkstoffe außerdem feuerfest sein. Diese Werkstoffe können sein: Graphit, Metalle, Keramikwerkstoffe, kristalline Werkstoffe, wie z. B. Silizium, Galliumarsenid, Saphir.
Alle diese Werkstoffe eignen sich gut für die Platte, die Achse oder den Träger.
Die geeigneten Gase können aus Wasserstoff, Stickstoff und allen neutralen Gasen gewählt werden. Jedoch können andere Gase für nicht erwähnte besondere Anwendungen verwendet werden.
Eine erfindungsgemäße Vorrichtung ist besonders vorteilhaft zum Einstellen der Drehbewegung in einer vorgegebenen Position. Dies ist insbesondere nützlich beim Laden und Entladen der Proben bei Planetenrotation.
Diese Vorrichtung ist in Fig. 8 dargestellt. Diese Figur zeigt die Öffnungen und die in der Bezugsfläche 10 einerseits angebrachten Rillen und die in der Oberfläche 22 der Probenträgerplatte 22 andererseits angebrachten Rillen.
Die Bezugsfläche 10 enthält die Rotationsachse 30 und drei Rillen 51a, 51b und 51c, die in der Nähe der Bahn 21 des Plattenrandes verwirklicht sind. Diese Oberfläche enthält außerdem drei radialen Rillen 52a, 52b bzw. 52c, die in diese drei Rillen münden. Die Rillen 52a, 52b und 52c werden aus den drei Öffnungen 1a, 1b bzw. 1c gespeist, wie bereits beschrieben wurde.
Die Oberfläche 22 der Platte 20 enthält eine kreisförmige Rille 53, die konzentrisch um die Rotationsachse liegt und in der Nähe dieser Rotationsachse angebracht ist, und diese Rille wird mit zentraler Rille bezeichnet. Die Oberfläche 22 enthält außerdem drei Radialrillen 71a, 71b und 71c. In einer Abwandlung kann die Zentralrille 53 in der Bezugsfläche 10 angebracht werden.
In der Oberfläche 10 ist eine Öffnung 54 verwirklicht, die mit einem durch ein Ventil abgeschlossenes Rohr verbunden ist. Diese Öffnung 54 mit der Bezeichnung Zentralöffnung wird gegenüber der Zentralrille 53 oder darin mündend angebracht.
Wenn der Gasfluß (die Gasflüsse), der bzw. die durch die Öffnungen 1a, 1b und 1c ankommt bzw. ankommen, gestoppt wird (werden), und wenn das die Zentralöffnung 54 abschließende Ventil geöffnet ist, stoppt die Platte 20 in der Position, in der eine der Rillen 71a, 71b, 71c mit einer der Rillen 52a, 52b, 52c zusammenfällt. Diese Struktur ermöglicht also drei Winkel-Stoppstellungen der Platte 20, und diese Positionen liegen um 120º auseinander.
Bei Planetenrotation ist es vorteilhaft, diese Struktur auf dem Teller 20 und auf der Oberfläche 10 anzuordnen.

Claims

1. Vorrichtung mit einer flachen Platte (20), die parallel zu einer Bezugsebene (10) drehbar ist und eine Struktur zum Zentrieren dieser Platte und Strukturen in der Bezugsebene enthält, um durch Zufuhr einer Gasströmung an der Rückseite der Platte diese Platte in den Schwebezustand und in den Rotationszustand zu bringen, dadurch gekennzeichnet, daß die Zentrierstruktur ein erstes, in bezug auf eine der einander gegenüberliegenden Flächen beim Schweben/Rotieren konvexes Profil (30), d. h. in bezug auf die Fläche der Bezugsebene (10) oder auf die untere Fläche der Platte (22), und ein zweites konkaves, dem ersten Profil komplementäres Profil in bezug auf die andere jeweils gegenüberliegende Fläche enthält, wobei die zwei Profile derart ineinander verschachtelt sind, daß das konvexe Profil sich im konkaven Profil ohne seitliche Verlagerung der Platte frei drehen kann, daß zum Erhalten des Schwebezustands der Platte die Bezugsebene eine erste, aus n > 2 nicht ausgerichteten Öffnungen (1a, 1b, 1c) gebildete Struktur in einem von der Projektion des Außenrandes der Platte begrenzten Bereichs enthält, wobei durch die Öffnungen senkrecht zur Plattenoberfläche in bezug auf die Bezugsebene ein erster gasförmiger Fluß (Φ1) zugeführt wird, so daß zwischen der Rückfläche der Platte und der Bezugsebene ein Spalt mit der Nicht-Null- Abmessung h entsteht, und daß zum Erhalten der Rotation der Platte die Bezugsebene oder die untere Fläche der Platte eine zweite Struktur (5, 51a-51b-51c, 7) enthält, die durch wenigstens eine gerundete Rille gebildet wird, in der ein zweiter gasförmiger Fluß (Φ2, Φ3, Φ4) umläuft und die sich in dem für die Rotation gewählten Sinn dreht.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das erste konvexe Profil (30) ein Zylinder mit geringem Durchmesser gegenüber dem Durchmesser der Platte (20) ist, der auf der Fläche der Bezugsebene (10) angeordnet ist, und das zweite konkave Profil ein zylindrischer Hohlraum mit komplementären Abmessungen an der unteren Fläche (22) und in der Mitte der Platte (20) ist, und daß die Öffnungen der ersten Struktur sich durch eine Rotation von 2π/η ableitbar sind.

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zum Erhalten des Rotationszustands der schwebenden Platte nach einem genannten Verfahren durch eine Viskositätskraft einerseits die zweite Struktur (5) sich in der Bezugsebene befindet und außerdem eine Öffnung (2) enthält, die zum Zuführen eines zweiten Gasflusses (Φ2) in die gerundete Rille mündet und sie speist, wobei diese Rille in dem von der Projektion des Außenrandes der Platte begrenzten Bereich verwirklicht wird, diesem Plattenrand folgt und sich in der für die Rotation gewählten Richtung dreht, und andererseits diese Rille außerhalb des vom Außenrand der Platte begrenzten Bereichs endet.

4. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zum Erhalten des Rotationszustands der schwebenden Platte nach einem genannten Verfahren durch eine Viskositätskraft die zweite Struktur sich in der Bezugsebene befindet und n gerundete Rillen (51a, 51b, 51c) enthält, in die jeweils die n Öffnungen (1a, 1b, 1c) münden, durch die der bzw. die erste(n) Fluß bzw. Flüsse (Φ1, Φ3) zum Erhalten des Schwebezustands zugeführt wird bzw. werden, wobei diese Rillen von den Öffnungen in einer für die Rotation vorgesehenen Richtung drehen und dabei in dem durch die Projektion des Außenrandes des Auflagers begrenzten Bereich bleiben.

5. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zum Erhalten des Rotationszustands der schwebenden Platte nach einem genannten Verfahren durch eine Trägheitskraft die Rille der zweiten Struktur (7) sich in der Bezugsebene befindet und kreisförmig ist, ihr Durchmesser kleiner als der Durchmesser der Platte ist, und daß die Platte weiter eine sog. dritte Struktur (61, 62, 63, 64) enthält, die durch n' U- förmige Rillen gebildet wird, die durch eine Rotation von 2π/η abgeleitbar sind, einerseits auf den Pegel der kreisförmigen Rille (7) der Bezugsebene und zum anderen an den Rand der Platte münden.

6. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zum Erhalten des Rotationszustands der schwebenden Platte nach einem genannten Verfahren durch eine Trägheitskraft die Rille der zweiten Struktur (7) sich in der unteren Fläche der Platte befindet und einerseits durch eine kreisförmige Rille mit einem Durchmesser kleiner als der Durchmesser der dazu konzentrischen Platte und zum anderen durch n' U-förmige Rillen (61, 62, 63, 64) gebildet wird, die durch eine Rotation von 2π/n' ableitbar sind, einerseits in die kreisförmige Rille und andererseits an den Rand der Platte münden.

7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß n' = 4 ist.

8. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zum Erhalten des Rotationszustands der schwebenden Platte nach einem genannten Verfahren durch eine Viskositätskraft die zweite Struktur sich in der Bezugsebene befindet und folgende Elemente umfaßt

a) n gekrümmte Rillen (51a, 51b, 51c) parallel zum Plattenrand.

b) n radial angeordnete Rillen (52a, 52b, 52c) in dem durch die Projektion des Randes der Platte begrenzten Bereich mit einer Abmessung kleiner als die des Plattenstrahls, wobei in diese Rillen jeweils die n Öffnungen (1a, 1b, 1c) münden, durch die der Fluß (die Flüsse) zum Erhalten des Schwebezustands zugeführt wird und in die die n gekrümmten Rillen münden,

c) eine zur Rotationsachse konzentrische und in der Nähe dieser Achse liegende sog. zentrale Rille (53),

d) eine sog. zentrale Öffnung in Verbindung mit einem durch einen Schieber abgeschlossenen Ausgang, der in die zentrale Rille mündet, daß die untere Fläche der Platte weiter eine sog. dritte Struktur enthält, die durch n radiale Rillen (71a, 71b, 71c) mit einer Abmessung kleiner als die des Strahls der n parallel zur Plattenrand verlaufenden Rillen (51a, 51b, 51c) der Bezugsebene gebildet wird (auf der Fläche gegenüber der Bezugsebene verwirklicht), wobei diese n radialen Rillen auf den Pegel der zentralen Rille (53) münden, und daß zum Stoppen der Platte in den n möglichen Positionen, in denen die radialen Rillen der Platte mit den radialen Rillen der Bezugsebene zusammenfallen, der (die) nach den n Öffnungen (1a, 1b, 1c) der Bezugsebene zugeführte(n) Fluß (Flüsse) gleichzeitig mit dem Öffnen des Schiebers für die zentrale Öffnung abgeschlossen wird (werden).

9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte auf ihrer Fläche (23) gegenüber der Bezugsebene n'' sog. sekundäre Platten (201, 202, 203) enthält, deren Position durch eine Rotation von 2π/n'' ableitbar ist, wobei die Platte mit einer der n'' sekundären Platten selbst eine Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 8 bildet.

10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß n'' = 3 ist.

11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß n = 3 ist.

12. Reaktionskammer für Epitaxie in der Dampfphase, dadurch gekennzeichnet, daß sie zur Bildung eines Probenträgers wenigstens eine Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11 enthält.

13. Verfahren zur Verwirklichung einer Halbleitervorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß es die Ablagerung von Epitaxialschichten mittels der Kammer nach Anspruch 12 umfaßt.