DE3785448T2 - Thermisch isolierende und elektrisch leitende verbindung und verfahren zu deren herstellung. - Google Patents

Thermisch isolierende und elektrisch leitende verbindung und verfahren zu deren herstellung.

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DE3785448T2 DE8787903592T DE3785448T DE3785448T2 DE 3785448 T2 DE3785448 T2 DE 3785448T2 DE 8787903592 T DE8787903592 T DE 8787903592T DE 3785448 T DE3785448 T DE 3785448T DE 3785448 T2 DE3785448 T2 DE 3785448T2
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Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Verbindungskonstruktion und ein Verfahren für deren Anwendung zum sowohl elektrischen Verbinden, als auch thermischen Isolieren von benachbarten elektrischen Vorrichtungen.
  • Bei vielen elektrischen Einrichtungen ist es notwendig, daß zwei oder mehrere Elemente sowohl elektrisch verbunden, als auch thermisch voneinander isoliert sind, um eine Übertragung von in einem Abschnitt erzeugter Hitze auf einen elektrisch verbundenen Abschnitt und umgekehrt zu verhindern. Beispielsweise kann ein Abschnitt wärmeempfindlich sein, wobei dessen Betriebsweise temperaturabhängig ist, d. h. eine Anderung in dessen Temperatur kann die Betriebsweise negativ beeinflussen. Ein insbesonderes Beispiel stellt einen pyroelektrischen Detektor dar, dessen Signale elektrisch mit einem Ausleseschaltkreis zum Verarbeiten der Signale verbunden ist. Eine typische Konstruktion weist einen pyroelektrischen Detektor-Brennebenen-Matrix-Hybridschaltkreis auf, der auf einer integrierten Schaltung befestigt ist und Wärme mit einer groben thermischen Masse erzeugt. Da die von einem pyroelektrischen Detektor erzeugten Signale proportional zu dessen Zeitrate der Temperaturänderung ist, wird eine beliebige an den Detektor übertragene Wärmemenge das Detektorsignal verschlechtern.
  • Es ist gängige Praxis, Infrarotdetektoren zu kühlen, wie beispielsweise durch eine Kühlvorrichtung. Obwohl eine derartige Kühlung durchaus wirksam ist, wird aufgrund dieser Vorrichtung ein zusätzliches Gewicht und entsprechender Kosten- und Service-Aufwand der gesamten elektronischen Einrichtung verursacht. In den Bereichen, wo es auf die Einsparung von Gewicht, Raum und Kosten ankommt, müssen somit andere Alternativen ins Auge gefaßt werden. Die Betriebsweise eines pyroelektrischen Festkörper-Matrix-Detektors ohne Kühlung ist insbesondere bei der thermischen Abbildung wichtig.
  • Derzeitige Systeme, die photoleitendes Quecksilber-Cadmium-Telurid als Detektor verwenden, benutzen entweder einen Sterling-Kompressor oder einen JT-Kristall mit einer Flasche zum Kühlen des Detektors auf 77ºK, welcher ungefähr 5 Pfund wiegt, wobei im Falle des Kompressors eine Leistung von mehr als 20 Watt benötigt wird. Zur Erzielung einer thermoelektrischen Abkühlung bis auf 185ºK für einen Betrieb bei 300ºK sind weitere Einrichtungen für transportable Systeme, die etwa ein Gewicht von ungefähr 5 Pfund aufweisen, notwendig mit dem Gewicht von 5 bis 6 Pfund, um zu gewährleisten, daß die Systeme von einer Einzelperson getragen werden können.
  • Solche bislang bekannte thermischen Abbildungssysteme, die transportabel ausgebildet sind, beispielsweise für eine Anwendung im Feld oder bei der Brandvorsorge, sind teuer, sperrig, wobei die zugehörigen photoleitenden Detektoren eine Tieftemperaturkühlung benötigen. Diese Abbildungssysteme müssen daher ständig auf einem großen Fahrzeug, wie etwa einem Panzer oder einem Flugzeug, installiert sein. Sie sind schwierig in der Handhabung im Feld und verursachen erhebliche logistische Probleme aufgrund der Kühlf laschen, welche flüssigen Stickstoff enthalten und regelmäßig ersetzt werden müssen. Trotz dieser Schwierigkeiten hat sich herausgestellt, dar thermische Abbildungssysteme ausgezeichnete Beobachtungssensoren darstellen und den zusätzlichen Vorteil aufweisen, eine Nachtbeobachtung durch eine passive Erfassung zur Verfügung zu stellen.
  • Durch starre pyroelektrische Systeme, welche keine Kühlung oder Abtasten benötigen, würde der größte Teil der Komplexität und Kosten eliminiert werden, und dessen Leistungsfähigkeit, d. h. in Auflösung und Empfindlichkeit, aufrechterhalten. Demzufolge ist es äußerst wünschenswert, Systeme zu haben, welche ungekühlte pyroelektrische Detektor-Arrays verwenden.
  • Die vorliegende Erfindung löst diese und weitere Aufgaben und ermöglicht das gewünschte Ergebnis durch Verbinden eines Detektors oder einer anderen wärineempfindlichen Vorrichtung mit einer wärmeproduzierenden Vorrichtung, wie beispielsweise einem Signalprozessor, durch eine oder mehrere thermisch isolierende und elektrisch leitende Verbindungen des Typs gemäß Anspruch 1. Die vorliegende Erfindung bezieht sich ferner auf ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Verbindung gemäß Anspruch 12.
  • Insbesondere ist ein pyroelektrischer Festkörper-Array-Detektor mit einem Signalprozessor-Auslese-Chip durch isolierende Auswüchse, vorzugsweise in der Form von Pyramidenstümpf en mit einer dünnen Schicht mit einer Dicke von z. B. 1000 bis 2000 Angström aus Metall verbunden, welches sich oberhalb einer abgeschrägten Seite der Pyramide erstreckt.
  • Das Verfahren zur Herstellung einer derartigen Verbindung weist im wesentlichen die Schritte auf des Bildens der Auswüchse aus einem thermisch und elektrisch isolierenden Material auf elektrischen Kontakten, vorzugsweise der Ausleseschaltung, Anbringen einer elektrisch leitenden Verbindung an das isolierende Material und elektrisches Verbinden von Abschnitten der Verbindung mit dem Kontakt auf der Schaltung und zu den Kontakten auf dem Detektor auf.
  • Aufgrund dieser Konstruktion ergeben sich verschiedene Vorteile. Die Verbindung zwischen dem Detektor und der Ausleseschaltung weist eine geringe thermische Leitfähigkeit auf, um eine Verstärkung des Wärmesignales durch Abkühlen des Detektors, oder umgekehrt hiervon Erzeugen von unberechtigtem Rauschen durch Aufheizen der Detektoren durch die Schaltung zu verhindern, und somit die Empfindlichkeit der Detektoren aufrechzuerhalten. Neben der Aufrechterhaltung dieser thermischen Isolierung wird eine hohe elektrische Leitfähigkeit erhalten, durch welche elektrische Signale von den Detektorelementen zu dem Eingang der Ausleseschaltung führen. Ein spezielles und kostenintensives Kühlen, wie beispielsweise durch eine Tieftemperaturvorrichtung, wird vermieden, und desweiteren wird auch die Notwendigkeit für einen Ersatz und Wartung vermieden. Eine solche Vereinfachung verringert das Gewicht, und demzufolge wird die Transportierbarkeit der Detektor- und Sensoreinrichtung verbessert.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
  • Weitere Einzelheiten, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung. Es zeigt:
  • Fig. 1 eine schematische Schnittansicht im Aufriß zur Verdeutlichung der Verbindung zwischen einem pyroelektrischen Detektor und Ausleseschaltkreis durch thermisch isolierende elektrisch leitende Verbindungen, die entsprechend der vorliegenden Erfindung angeordnet sind;
  • Fig. 2 eine schematische Diagrammdarstellung der Verfahrensschritte zur Herstellung der in Fig. 1 dargestellten Konstruktion; und
  • Fign. 3(a) bis 3(1) Darstellungen der verschiedenen Schritte gemäß dem in Fig. 2 dargestellten Verfahren zur Herstellung der in Fig. 1 gezeigten Konstruktion.
  • Wie es in Fig. 1 dargestellt ist, weist ein pyroelektrischer Festkörper-Array-Detektor 10 einen pyroelektrischen Detektor 12 auf, der mit einem Ausleseschaltkreis bzw. Signalprozessor-Chip 14 durch eine Vielzahl von thermisch isolierenden und elektrisch leitenden Verbindungen 16 verbunden ist. Der Detektor 12 weist eine Vielzahl von retikulierten Chips 18 auf, die durch ein geeignetes polymerisches Material 20 zur Verhinderung von thermischer Diffusion zwischen den Chips 18 zusainmengebondet sind. Eine dünne Chromschicht mit einer beispielhaften Dicke von 200-400 Angström ist oberhalb der Chips l8 abgeschieden, um eine gemeinsame Elektrode und einen dünnen Filmabsorber im 8-12 Mikrometer Spektralbereich zur Verfügung zu stellen. Aluminiumkontakte 24 sind befestigt mit und schließen die einzelnen Chips auf deren entgegengesetzten Seite ab und sind als Elektroden für die Chips retikular bzw. netzartig angeordnet. Die Retikulation des Detektormaterials kann durch eine beliebig geeignete Art und Weise durchgeführt werden, wobei das bevorzugte Verfahren Laserschneiden zur Bildung von Schnitten mit Längen von 5 um in der Breite und 20-30 um in der Tiefe darstellt.
  • Die Detektor-Chips können durch ein beliebiges pyroelektrisches Material hergestellt sein, wobei ein bevorzugtes Material Kaliumtantalniobat (KTN) darstellt.
  • Die Ausleseschaltung 14 weist eine an sich bekannte Signalprozessor-Chip-Konstruktion auf, beispielsweise ein Siliciumsubstrat 26 für eine x-y-adressierte Auslese auf einer ladungsträgergekoppelten Vorrichtungsauslese in den x- und y-Achsen. Die Ausleseschaltung 14 wird durch eine Vielzahl von Kontakten bzw. Kontaktstellen 28, wie beispielsweise aus Aluminium, abgeschlossen.
  • Die Verbindungen 16 weisen thermisch und elektrisch isolierende Auswüchse 30 eines geeigneten isolierenden Materials, wie beispielsweise ein Polymer von z. B. einem Polyimid auf. Während die Abschrägung der Auswüchse 30 für die Zwecke der Isolierung nicht benötigt wird, sind die Seiten der Polymerauswüchse derart geneigt, dar sie geneigte Seiten 32 bilden, so dar diese die Konfiguration eines vierseitigen Pyramidenstumpfes mit einer oberen Oberfläche 34 aufweisen, welche kleiner ist als deren bodenseitige Oberfläche 36. Die Neigung einer Seite 32 zwischen der oberen und der bodenseitigen Oberfläche 34 und 36 ist vorteilhafterweise so eingestellt, daf3 die Auftragung und Bedeckung der oberen Oberfläche 34 und einer Seite 32 durch einen metallischen Kontakt 38 verbessert ist, wobei die Neigung eine zuverlässige Metallbedeckung auf dem Auswuchs 30 ermöglicht. Der Metallkontakt 38 weist einen Abschnitt 40 auf, der eine elektrische Verbindung mit einer Aluminiumeingangskontaktstelle 28 der Schaltung 14 definiert. Ein weiterer Abschnitt 42 des Kontaktes 38 ist mit der oberen Oberfläche 34 des Auswuchses 30 verbunden. Eine Verbindung zwischen dem Abschnitt 42 und dem Aluminiumkontakt 24 des Detektor-Chips 18 wird durch ein leitendes Bondmaterial 44-45, vorzugsweise aus Indium, erzielt. Vorzugsweise wird das Indium-Material jeweils auf die Kontaktabschnitte 42 und den Kontakt 24 zur Bildung von getrennten Abscheidungen 44 und 45 derart aufgetragen, daß, wenn der Detektor 12 für den Zusammenbau mit der Ausleseschlatung angeordnet wird, die Indium-Materialien 44 und 45 zur Bildung eines sicheren elektrischen Kontaktes zusammenwirken.
  • Die typischen Abmessungen der Polymerauswüchse in den Verbindungen 16 betragen 20x20x5 um für eine 3x3 mil Einheitszelle und 12x12x5 um für eine 2x2 mil Einheitszelle. In beiden Fällen betragen die verbleibenden Abmessungen 1000 Angström sowohl für Titan, als auch Nickel für den Metallkontakt 38, und eine Dicke von 3 um von lndium für die beiden Bondstellen 44 und 45. Der Abstand zwischen dem Detektor 12 und der Schaltung 14 beträgt ungefähr 5 um.
  • Unter Bezugnahme auf die Fig. 2 und die Fign. 3(a)-3(l) wird im folgenden das Verfahren zur Herstellung der in Fig. 1 dargestellten Konstruktion erläutert. Dieses Verfahren kann in vier Hauptherstellungsschritte unterteilt werden, welche in den in Fig. 2 dargestellten Zeilen I-IV dargestellt sind. Diese Schritte, mit ihrer Entsprechung in Fig. 3, weisen die Polymerauftragung in Zeile I gemäß Fign. 3(a)-(b), die Bildung der geneigten Auswüchse gemäß Zeile II und Fign. 3(c)- (g), die Metallisierung über den Rand gemäß Zeile III und gemäß Fign. 3(h)-(l), und das Abheben der Indiumauswüchse gemäß Zeile IV auf.
  • Für die Zwecke der vorliegenden Darstellung beginnt das Verfahren bei einem Auslese-Wafer 14 mit Metallanschlußstellen 28 aus Aluminium mit einer Dicke von 1,5 um, von denen eine in Fig. 3(a) dargestellt ist, und einen retikulierten Detektor 12 mit Aluminiumanschlußstellen 24. Eine Polymerschicht 50 wird auf die Ausleseschaltung 14 und deren Aluminiumkontaktstellen 28 aufgetragen. Ein bevorzugtes Polymer weist Polyimid auf. Zur Bildung der Schicht 50 wird eine Polyaniic-Säure lösung im Schleuderverf ahren auf die Oberfläche der Schaltung 14 und der Aluminiumkontaktstellen 28 mit einer Dicke von etwa 5 um aufgetragen, wie es bei dem Unterschritt A des Hauptschrittes gemäß Zeile I dargestellt ist. Die Polyamic-Säurelösung wird anschließend polymerisiert, wie es in den Unterschritten B und C dargestellt ist, aufweisend eine "A"-Stufenheilung bei 130ºC, mit einer Prüfung der Dicke, gefolgt von einer "B"-Stufenheilung bei 350ºC. Die Dicke wird erneut geprüft, um zu gewährleisten, dar das mit der Bezugsziffer 50 in Fig. 3(b)-(e) bezeichnete resultierende, ausgeheilte Polymer eine gleichmäßige Dicke von 5 um aufweist.
  • Nachdem die geeignete Polymerschicht 50 auf dem Wafer 14 und deren Kontaktanschlußstelle 28 gebildet worden ist, werden daran anschließend Polymerauswüchse aus der Schicht 50 gemäf3 dem Hauptherstellung nach Zeile II und der Schritte D-G, Fign. 3(c)-(g) gebildet. Eine Schicht aus Nickel 52 wird zuerst in einer Dicke von 1000 Angström auf der Polymerschicht abgeschieden, wie es in Fig. 3(c) und dem Unterschritt D gemäß Fig. 2 dargestellt ist. Nickel stellt ein bevorzugtes Material dar, da die nachfolgenden Schritte bei der Definition der Polymerauswüchse die Verwendung von Sauerstof fplasmaätzen einschließen. Es versteht sich jedoch, dar auch andere Materialien verwendet werden können, die als Plasmamaske wirken können, oder, falls andere Auswuchsdefinitionsverf ahren verwendet werden, auch andere geeignete Materialien verwendet werden können.
  • Zur Bildung der Nickelschicht 52 in eine Maske wird ein Photolack 54 auf der Nickelschicht angeordnet und zur Bildung einer Maske verarbeitet, um eine Entfernung von Abschnitten der ungeschützten Nickelschicht zur Definierung der in Fig. 3(d) dargestellten Konfiguration zu ermöglichen. Diese Strukturierung von Nickel zur Bildung einer Maske hieraus wird durch die Verwendung von Standardphotolithographietechniken und Säureätzen oder, alternativ durch irgendeinen weiteren beliebigen Standardabhebeprozeß durchgeführt. Diese Unterschritte sind allgemein als Unterschritte D und F des Hautpschrittes II gemäß Fig. 2 definiert.
  • Die Definierung der Polymerschicht in Auswüchse 30 umf alt einen Zweistufen-Plasinaätzprozeß, der als Unterschritt G in Fig. 2 erläutert und in den Fign. 3(e)-3(g) dargestellt ist. Dieser Zweistufen-Sauerstoff-Plasmaätzprozeß stellt an sich einen Standardprozeß dar. Zuerst wird das Polymer anisotrop in einem Parallelplatten- bzw. RIE-Plasmasystem geätzt. Diese Ätzung bewirkt nicht nur die Entfernung von Abschnitten der Polymerschicht 50, die nicht durch die Nickel-Plasmaniaske 52 geschützt sind, zur Bildung einer allgemein in Fig. 3(e) dargestellten Konfiguration, sondern auch die Entfernung der Photolackmaske 54. Die erste Plasmaätzung wird solange fortgeführt, bis ungefähr 80% der Dicke der ungeschützen Polymerschicht entfernt worden sind. Bei dem zweiten Plasmaätzschritt wird die verbleibende ungeschützte Polymerschicht entfernt, während zur selben Zeit Abschnitte hiervon unterhalb der Nickel-Plasmamaske 52 unterschnitten werden, wie es in Fig. 3(f) dargestellt ist, durch Verwenden einer isotropen Ätzung in einem Plasmasystem vom Barrel-Typ. Der Endpunkt der Ätzung ist erreicht, wenn die Metalleingangselektroden 28 der integrierten Ausleseschaltung 14 freigelegt sind. Die Nickelmaske wird anschließend in einer selektiv ätzenden Lösung entfernt, welche so ausgebildet ist, dar sie nicht das freigelegte Aluminium angreift, wie beispielsweise eine 110ºC Lösung von Burmar 712D, welches die Nickelmaske in ungefähr 30 Minuten ätzt. Das resultierende Produkt weist den Polymerauswuchs 30 gemäß Fig. 3(g) auf, der für den Auftrag des Metallkontaktes 38 fertig ist.
  • Der Kontakt 38 über den Auswuchs 30 wird entsprechend dem Hauptschritt 111 gemäß Fig. 2 und den Fign. 3(h)-(l) gebildet. Ein Photolack 56 wird dick vermittels Schleudertechnik über den Wafer 14, die Kontaktstellen 28 und die Polymerauswüchse 30 abgeschieden, wie es in Fig. 3(h) und den Unterschritt H dargestellt ist. Dieser Photolack weist ungefähr 7 m auf und wird sanft ausgebacken ("soft-baked?). Eine Schicht aus Aluminium 58 mit einer Dicke von 1000 Angström wird anschließend über den Photolack 56 abgeschieden, Unterschritt I. Gemäß dem Unterschritt J wird eine Über-den-Rand- Maske 60 (O-T-E = over-the-edge), wie beispielsweise Titannickel, auf genaue Weise über die Aluminiumschicht 58 angeordnet, wie es in Fig. 3(i) dargestellt ist, und die Aluminiumschicht wird auf geeignete Weise geätzt (Unterschritt K). Anschließend wird die Maske 60 entfernt, und der freiliegende Lack von der Schicht 56 wird freigelegt und entwickelt und entfernt (Unterschritt L), um die in Fig. 3(j) dargestellte Konfiguration zur Verfügung zu stellen.
  • Die Über-den-Rand-Metallisierung wird daran anschließend über die auf der Aluminiumschicht 58 gebildete Maske und innerhalb der somit gebildeten Öffnung in der Aluminiummaske 58 und dem verbleibenden Photolack 56 angeordnet, wie es in Fig. 3(k) und dem Unterschritt M dargestellt ist. Die Anordnung der Metallisierung umf alt das Sputtern von ungefähr 1000 Angström von sowohl Titan, als auch Nickel, zur Bildung der Kontaktstelle 38.
  • Daran anschließend wird gemäß Unterschritt N sämtliche bis auf die gewünschte Über-den-Rand-Metallisierung aufweisend den Kontakt 38 durch die Ultraschallwirkung des Arbeitsstückes in Aceton entfernt, welches den Photolack auflöst und die Maske von der Aluminiumschicht 58 und beliebiges gesputtertes Metall 62, welches dieselbe Zusammensetzung aufweist wie der Kontakt 38, weggeschwemmt werden, wodurch die Vielzahl von Polymerauswüchsen 30 und Metallkontakten 38 auf den Kontaktstellen 28 des Wafers 14 resultieren.
  • Der letzte Haupt-Indiumauswuchs-Abhebeschritt IV benötigt einen sehr dicken Überzug aus aufzutragendem Photolack, da die Indiumauswüchse oben auf den Polymerauswüchsen 5 um oberhalb der Oberfläche des Wafers 14 angeordnet werden. Dementsprechend wird ein Überzug aus ungefähr 13 um Photolack bevorzugt, vorzugsweise mit einem zweifachen Schleuderverfahren von zuerst 10 um und anschließend 3 um Photolack, der zwischen den Auftragungen sanft ausgebacken wird ("soft- baked"), welches als Unterschritt O bezeichnet ist. Anschließend wird eine photolithographische Maske oberhalb des -Photolackes (Unterschritt P) ausgerichtet, um Öffnungen innerhalb des Photolackes zur Verfügung zu stellen. Nach Entfernung des gewünschten Photolackes oberhalb der Fläche des Metallkontaktes 38 oberhalb der Oberfläche 34 des Polymerauswuchses 30 wird Indium mit einer ungefähren Dicke von 3 um (Unterschritt Q) zur Bildung von Kontakten 44 gemäß Fig. 1 aufgedampft. Daran anschließend wird der Photolack durch Ultraschallwirkung in Aceton entfernt (Unterschritt R).
  • Anschließend wird der pyroelektrische Detektor 12, aufweisend Chips 18 mit Aluminiumkontakten 24 zum Vorsehen von Indiumauswüchsen 45 hierauf derart prozessiert, dar die Indiumauswürfe 45 auf dem pyroelektrischen Detektor 12 eine Verbindung mit den Indiumauswürfen 44 auf den Polymerauswürfen 30 und deren Metallkontaktabschnitt 42 ermöglichen.

Claims (27)

1. Thermisch isolierende und elektrisch leitende Verbindung zwischen einer ersten Vorrichtung (14) aufweisend eine wärmeerzeugende Einrichtung mit einem ersten elektrischen Kontakt (28) und einer zweiten Vorrichtung (12) aufweisend eine wärmeempfindliche Einrichtung mit einem zweiten elektrischen Kontakt (24), wobei die Verbindung aufweist:
ein thermisch und elektrisch isolierendes Material (30), welches einen Auswuchs auf der ersten Vorrichtung (14) bildet, welcher sich zur zweiten Vorrichtung (12) erstreckt, und benachbart zu dem ersten elektrischen Kontakt (24) angeordnet ist; und
einen elektrisch leitenden Verbund (38), der an dem thermisch und elektrisch-isolierenden Material (30) haftet und mit ersten (40) und zweiten (42) Verbindungsabschnitten ausgestattet ist, wobei die ersten (40) und zweiten (42) Verbindungsabschnitte jeweils in sicherein elektrischen Kontakt mit den ersten (28) und zweiten (24) elektrischen Kontakten sind.
2. Verbindung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dar das thermisch und elektrisch isolierende Material (30) zumindest eine geneigte Seite (32) aufweist.
3. Verbindung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das thermisch und elektrisch isolierende Material (30) einen Pyramidenstumpf bildet.
4. Verbindung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dar der elektrisch leitende Verbund (38) an der geneigten Seite (35) des thermisch und elektrisch isolierenden Materials (30) haftet.
5. Verbindung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch ein elektrisch leitendes Bondmaterial (44, 45), welches auf dem zweiten Verbindungsabschnitt (42) und dem zweiten elektrischen Kontakt (24) aufgetragen ist.
6. Verbindung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dar das elektrisch leitende Bondmaterial Indium aufweist.
7. Verbindung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dar das elektrisch leitende Bondmaterial (44, 45) getrennte Abscheidungen auf dem zweiten Verbindungsabschnitt (42) und dem zweiten elektrischen Kontakt (24) bildet.
8. Verbindung nach Anspruch 5, 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dar die kombinierte Dicke des elektrisch leitenden Bondmaterials (44, 45) ungefähr 3 um beträgt.
9. Verbindung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dar die Höhe des thermisch und elektrisch isolierenden Materials (30) ungefähr 5 um beträgt.
10. Verbindung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des elektrisch leitenden Verbundes (30) ungefähr 100 nm beträgt.
11. Verbindung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dafß die erste Vorrichtung (14) eine Ausleseschaltung mit einer ersten Vielzahl von Kontaktflächen aufweist, auf denen eine Vielzahl der ersten elektrischen Kontakte (28) angeordnet ist, und die zweiten Vorrichtung (12) ein pyroelektrisches Detektor-Brennebenen-Array mit einer zweiten Vielzahl von Kontaktflächen aufweist, auf der eine Vielzahl der zweiten elektrischen Kontakte (24) angeordnet ist.
12. Verfahren zur Herstellung einer thermisch isolierenden und elektrisch leitenden Verbindung zwischen einer ersten Vorrichtung (14) aufweisend eine wärmeerzeugende Einrichtung mit einem ersten elektrischen Kontakt (28) und einer zweiten Vorrichtung (12) aufweisend eine wärmeempf indliche Einrichtung mit einem zweiten elektrischen Kontakt (24), welches die Schritte aufweist:
Bilden eines Auswuchses aus thermisch und elektrisch isolierendem Material (30), welcher sich von der ersten Vorrichtung (14) benachbart zu dem ersten elektrischen Kontakt (28) erstreckt;
Haften eines elektrisch leitenden Verbundes (38) mit ersten (40) und zweiten (42) Verbindungsabschnitten an das thermisch und elektrisch isolierende Material (30), und Bilden eines sicheren elektrischen Kontaktes zwischen dem ersten Verbindungsabschnitt (40) und dem ersten elektrischen Kontakt (28); und
Bilden eines sicheren elektrischen Kontaktes zwischen dem zweiten Verbindungsabschnitt (42) und dem zweiten elektrischen Kontakt (24).
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dar das thermisch und elektrisch isolierende Material (30) mit zumindest einer geneigten Seite (32) gebildet wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dar der elektrisch leitende Verbund (38) an der geneigten Seite (32) des thermisch und elektrisch isolierenden Materials (30) haftet.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dar das Bilden des thermisch und elektrisch isolierenden Materials (30) mit einer geneigten Seite (32) die Schritte aufweist:
Bilden einer Ätzmaske (52) oberhalb einer Schicht (50) des thermisch und elektrisch isolierenden Materiales;
anisotropes Ätzen der meisten Dicke des thermisch und elektrisch isolierenden Materials, welches nicht durch die Ätzmaske geschützt ist; und
daran anschließendes isotropes Ätzen des verbleibenden thermisch und elektrisch isolierenden Materials, welches nicht durch die Ätzmaske geschützt ist, in einem Plasmasystem vom Barrel-Typ.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß ungefähr 80% der Dicke des Teiles der thermisch und elektrisch isolierenden Schicht, die nicht durch die Ätzmaske (50) geschützt ist, bei dem anisotropen Ätzschritt entfernt wird.
17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dar der anisotrope Ätzschritt in einem Parallelplatten- oder reaktiven Ionenätz-(RIE)-System durchgeführt wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Haftens eines elektrisch leitenden Verbundes (38) die Schritte aufweist:
Auftragen eines Abdeckmittels (56) auf das thermisch und elektrisch isolierende Material (30);
5 Auftragen eines zweiten Abdeckmittels (60) über das erste Abdeckmittel (56), wobei die Zusammensetzung des zweiten Abdeckmittels (60) von der des ersten Abdeckmittels (56) unterschiedlich ist;
10 Entfernen von Abschnitten des zweiten Abdeckmittels (60), während eine Entfernung des ersten Abdeckmittels (56) verhindert wird;
Verwenden des zweiten Abdeckmittels (60) als eine Maske, Entfernen von Abschnitten des ersten Abdeckmittels (56), die nicht durch das zweite Abdeckmittel (60) geschützt sind;
Abscheiden des elektrisch leitenden Materials zur Bildung des elektrisch leitenden Verbundes (38); und
Entfernen der ersten (56) und zweiten (60) Abdeckmittels.
19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Abdeckmittel (56) einen Photolack aufweist, und das zweite Abdeckmittel (60) Aluminium aufweist.
20. Verfahren nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, dar der Schritt des Entfernens der ersten (56) und zweiten (60) Abdeckmittel den Schritt des Entfernens des ersten Abdeckmittel (56) aufweist, wodurch das zweite Abdeckmittel (60) weggeschwemmt wird.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dar der elektrisch leitende Verbund (38) Titan und Nickel aufweist.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dar der Schritt der Bildung eines sicheren elektrischen Kontaktes zwischen dem zweiten Verbindungsabschnitt (42) und dem zweiten elektrischen Kontakt (24) die Schritte aufweist:
Auftragen einer dicken Schicht von Photolack über frei liegende Abschnitte des elektrisch leitenden Verbundes (38);
des ersten elektrischen Kontaktes (28) und des thermisch und elektrisch isolierenden Materials (30);
Entfernen des Photolackes von dem zweiten Verbindungsabschnitt (42);
Abscheiden eines elektrisch leitenden Bondmaterials (44) auf den zweiten Verbindungsabschnitt (42);
Entfernen des Photolackes; und
Verbinden des zweiten elektrischen Kontaktes (24) mit dem zweiten Verbindungsabschnitt (42).
23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die dicke Schicht von Photolack in zwei Auftragungsschritten aufgetragen wird.
24. Verfahren nach Anspruch 22 oder 23, gekennzeichnet durch den Schritt des Anordnens des elektrisch leitenden Bondmaterials (45) auf dem zweiten elektrischen Kontakt (24) vor der Verbindung des zweiten elektrischen Kontaktes (24) mit dem zweiten Verbindungsabschnitt (42).
25. Verfahren nach Anspruch 22, 23 oder 24, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch leitende Bondmaterial (44, 45) Indium aufweist.
26. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dar die Höhe der thermisch und elektrisch isolierenden Struktur (30) ungefähr 5 um beträgt.
27. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dar die erste Vorrichtung (14) eine Ausleseschaltung mit einer ersten Vielzahl von Kontaktflächen aufweist, auf der eine Vielzahl von ersten elektrischen Kontakten (28) angeordnet ist, und wobei die zweite Vorrichtung (12) ein pyroelektrisches Detektor-Brennebenen-Array aufweist mit einer zweiten Vielzahl von Kontaktflächen, auf der eine Vielzahl der zweiten Kontakte (24) angeordnet ist, und das Verfahren zur gleichzeitigen Herstellung einer Vielzahl von thermisch isolierenden und elektrisch leitenden Verbindungen zwischen den vielen ersten und zweiten elektrischen Kontakten verwendet wird.
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