DE69407393T2 - Impedanzangepasster fotoleitfähiger infrarot-detektor mit heteroübergangskontakten - Google Patents

Impedanzangepasster fotoleitfähiger infrarot-detektor mit heteroübergangskontakten

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Description

    Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein fotoleitfähige Infrarot-Detektoren und insbesondere die Herstellung solcher Detektoren, die Heteroübergangs- Sperrkontakte besitzen.
    • Hintergrund der Erfindung
  • Ein ernstes Problem, das mit dem Betrieb fotoleitfähiger Infrarot-Detektoren verbunden ist, ist das des Abwanderns ("sweep-out"). Das ist der Übertritt von Minoritätsladungsträgern von einem ansprechenden Material zu einem Kontakt aufgrund eines äußeren elektrischen Feldes in einer Zeit, die im wesentlichen kürzer ist als die normale Lebensdauer dieser Ladungsträger. Diese verringerte Lebensdauer der Ladungsträger verschlechtert die Leistungsfähigkeit des Detektors. Abwandern (sweep-out) ist ein chronisches Problem bei den meisten p-leitenden Detektormaterialien mit hoher ambipolarer Beweglichkeit und wird zu einem größeren Problem bei n-leitenden Hochleistungsmaterialien für Detektoren. Man hat erkannt, daß das Problem des Abwanderns durch den Einsatz eines Isotyp-Heteroübergangs zwischen den ansprechenden Materialien und dem Kontakt zum Blockieren des Übertritts von Minoritätsladungsträgern verringert werden kann. Jedoch gibt es ernsthafte Schwierigkeiten beim Design und der Herstellung von Isotyp-Heteroübergängen zum Produzieren leistungsfähiger impedanzangepaßter fotoleitfähiger Infrarot-Detektoren.
  • In einem impedanzangepaßten fotoleitfähigen Infrarot- Detektor (IMPC) ist die Dicke des ansprechenden, absorbierenden Materials beträchtlich kleiner als die Absorptionstiefe, d.h., die Tiefe, über die einfallende Strahlung absorbiert wird. Um eine hohe Quantenausbeute aufrecht zuerhalten ist eine impedanzangepaßte Struktur, die normalerweise aus einem Abstandsbereich aus dielektrischen Mehrfachschichten besteht, und eine Erdungsplatte mit hohem Reflexionsvermögen erforderlich. Die ansprechende, absorbierende Schicht bildet zusammen mit der impedanzangepaßten Struktur eine optische Kavität, die einfallende Strahlung einfängt und ermöglicht, daß sie vollständig in der ansprechenden Schicht absorbiert wird. Auf diese Weise kann die Quantenausbeute eines IMPC- Detektors vergleichbar zu einem herkömmlichen Photodetektor, in dem die Dicke des ansprechenden Materials vergleichbar ist mit der Absortionstiefe der einfallenden Strahlung, gemacht werden. Eine Verringerung des Volumens des ansprechenden Materials führt bei Aufrechterhaltung einer hohen Quantenausbeute zu einem verbesserten Signal- Rausch-Verhältnis. Beispiele für Alternativen ansprechender Schichten schließen eine Quecksilber-Cadmium-Tellurid- Epischicht, eine Indium-Antimonid-Epischicht, eine Indium- Antimonid-Arsenid-Epischicht, eine aus Gallium-Indium- Antimonid-Epischicht, Indium-Antimonid/Indium-Antimonid- Arsenid-Überstruktur und Indium-Arsenid/Gallium-Indium- Antimonid-Überstruktur ein, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • In einem Isotyp-Heteroübergang-Sperrkontakt wird eine Isotyp-Halbleiterschicht mit breiterer Bandlücke epitaktisch auf der ansprechenden Schicht mit charakteristischer Energielücke aufgewachsen. Ein Beispiel eines Sperrkontakts mit Heterostruktur in einem herkömmlichen fotoleitfähigen Langwellen-Infrarot-Detektor (LWIR) aus Quecksilber-Cadmium-Tellurid ist in "High Responsivity HgCdTe Heterojunction Photoconductor" von D. D. Arch, R. A. Wood und D. L. Smith in Journal of Applied Physics, Bd. 58, Nr. 6, 15. September 1985, Seiten 2360- 2370, beschrieben.
  • Genaue Kontrolle der Schichtdicke ist für eine optimale Leistungsfähigkeit eines impedanzangepaßten fotoleitfähigen Infrarot-Detektor wichtig. Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Herstellen eines Detektors bereit, das die genaue Kontrolle der Schichtdicke in einem IMPC mit dem Einschluß eines Isotyp-Heteroübergang-Sperrkontakt erlaubt.
    • Kurzfassung der Erfindung
  • Eine ausgewählte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen eines impedanzangepaßten fotoleitfähigen Infrarot-Detektors. Dieses Verfahren schließt den Schritt zum Bilden einer auf Infrarot ansprechenden Schicht ein, die von einem Substrat getragen wird, auf dem aufgewachsen wird, gefolgt vom Herstellen einer Ladungsträger-Sperrschicht auf einer ersten Oberfläche auf der Oberfläche der ansprechenden Schicht, wodurch ein Heteroübergang gebildet wird. Die Sperrschicht wird geätzt, so daß ein Detektorbereich der ansprechenden Schicht freigelegt wird, und daß erste und zweite Bereiche der Sperrschicht auf einander gegenüberliegenden Seiten des Detektorbereichs gebildet werden. Eine Isolierschicht wird auf den freigelegten Oberflächen der Sperrschichtbereiche und auf dem Detektorbereich der ansprechenden Schicht gebildet. Die Isolierschicht wird geätzt, so daß entsprechende Öffnungen in dem ersten und zweiten Bereich der Sperrschicht entstehen. Leitende Verbindungen, die sich durch die Öffnungen bis zu dem ersten und zweiten Bereich der Sperrschicht erstrecken, werden gebildet. Verbindende Metallbeläge werden über den Kontakten gebildet und erstrecken sich lateral aus der Ebene der Vorrichtung. Eine transparente Abstandsschicht wird über dem Detektorbereich ausgebildet, wobei die Dicke der Abstandsschicht so gewählt wird, daß der Infrarot-Detektor auf die Wellenlänge der Infrarotstrahlung abgestimmt wird. Eine Erdungsebene aus Metall wird über der Oberfläche der Abstandsschicht ausgebildet. Ein Trägersubstrat wird mit der Erdungsebene, den leitenden Verbindungen und verbindenden Metallbelägen verbunden, gefolgt von dem Entfernen des Substrats, auf dem aufgewachsen wird, so daß eine zweite Oberfläche der ansprechenden Schicht freigelegt wird. Die zweite Oberfläche der ansprechenden Schicht wird geätzt, so daß eine vorbestimmte Dicke für die ansprechende Schicht entsteht.
  • Noch ein anderer Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen einer Schicht präziser Dicke aus einem ausgewählten Material und einer integrierten Struktur. Eine erste Schicht aus dem ausgewählten Material wird auf einem Substrat ausgebildet. Die erste Schicht hat eine erste, an das Substrat angrenzende Oberfläche und eine zweite Oberfläche auf der der ersten Schicht vom Substrat gegenüberliegenden Seite. Eine zweite Schicht wird von dem zweiten Material auf der zweiten Oberfläche der ersten Schicht gebildet. Ein Ätz- Stopploch wird durch Ätzen durch die zweite Schicht hindurch und in die erste Schicht bis in eine vorbestimmte Tiefe hinein gebildet, wobei der Boden des Ätz-Stopplochs in der ersten Schicht liegt. Als nächstes wird das Substrat entfernt. Schließlich wird die erste Oberfläche der ersten Schicht geätzt, damit die Dicke der ersten Schicht verringert wird, bis die angeätzte erste Oberfläche im wesentlichen parallel zum Boden des Ätz-Stopplochs wird. Als Ergebnis dieses Ätzvorganges hat die erste Schicht eine Dicke, die im wesentlichen gleich der vorbestimmten Tiefe ist.
    • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Für ein vollständigeres Verständnis der vorliegenden Erfindung und deren Vorteile wird jetzt auf die folgende Beschreibung in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen (nicht notwendigerweise maßstäblich) Bezug genommen, in denen:
  • Figur 1 eine Schnittzeichnung der Vorderansicht eines konventionellen fotoleitfähigen Heteroübergang-Infrarot- Detektors ist,
  • Figuren 2a - 2j Schnittzeichnungen der Vorderansicht sind, die aufeinander folgende Herstellungsschritte zum Bilden eines fotoleitfähigen Heteroübergang-Infrarot- Detektors gemäß der vorliegenden Erfindung veranschaulichen, und eine Schnittdarstellung des fertiggestellten Detektors in Figur 2j gezeigt ist, und
  • Figur 2k eine Schnittzeichnung der Vorderansicht einer zweiten Ausführungsform eines fertiggestellten Detektors ist.
    • Ausführliche Beschreibung der Erfindung
  • Ein bekannter Infrarot-Halbleiterdetektor 20, der einen Isotyp-Heteroübergang besitzt, ist in Figur 1 veranschaulicht (siehe den oben genannten Artikel von Arch et al.). Ein Substrat 22 trägt eine ansprechende Schicht 24, die auf einer ihrer Oberflächen eine Sperrschicht 26 besitzt. Die Schicht 22 kann beispielsweise ein CdTe- Substrat sein. Die ansprechende Schicht 24 ist aus Hg1-xCdxTe. Dieses Material hat einen Wert von x = 0.2, wobei x das Verhältnis von Cd zu Hg ist. Die Sperrschicht 26 ist ein ähnliches Material, hat aber einen Wert von x = 0.24. Dieser Unterschied im Wert von x stellt eine Differenz im Energieabstand bereit, die als Sperre für den Übergang von Minoritätsladungsträgern zum Kontakt wirkt.
  • Eine Passivierungsschicht 28, die ein Material wie etwa CdTe umfaßt, ist im Zentrum des Detektors 20 vorhanden. Auf jeder Seite der Passivierungsschicht 28 sind Kontakte 30 und 32 vorgesehen, die beispielsweise aus Titan, autokatalytisches Gold oder HgTe sind. Eine leitende Verbindung wird sowohl zwischen dem Kontakt 30 aus Titan, autokatalytisches Gold oder HgTe und der Sperrschicht 26 als auch zwischen dem Kontakt 32 aus Titan, autokatalytisches Gold oder HgTe und der Sperrschicht 26 hergestellt.
  • Die in Figur 1 dargestellte Heteroübergangsstruktur wirkt so, daß das Abwandern von Minoritätsladungsträgern verhindert und dadurch die Leistungsfähigkeit des Detektors. 20 erhöht wird. Jedoch sind diese Struktur und seine Herstellungsmethode bei der Produktion von fotoleitfähigen impedanzangepaßten Detektoren zum Einsatz in Fokalebenen- Arrays nicht wünschenswert.
  • Der Schritt bei der Herstellung eines fotoleitfähigen impedanzangepaßten Infrarot-Detektors mit Sperrkontakten gemäß der vorliegenden Erfindung sind als Schnittdarstellungen in den Figuren 2a - 2j veranschaulicht. Eine Schnittdarstellung des Endprodukts in zwei Ausführungsformen ist in den Figuren 2j und 2k veranschaulicht. Dieser Infrarot-Detektor ist zum Erfassen von Strahlung im Spektralbereich von 8 bis 12 Mikrometern ausgelegt.
  • Gemäß Figur 2a wird die Herstellung mit einem Substrat 40, auf dem aufgewachsen wird, begonnen, das beispielsweise aus Cadmium-Tellurid (CdTe), Cadmium-Zink-Tellurid (CdZnTe) oder Gallium-Arsenid (GaAs) besteht. Eine ansprechende Isotyp-Epitaxieschicht 42 wird auf der Oberfläche des Substrats 40 aufgewachsen. Die ansprechende Schicht 42 ist eine Hg1-xCdxTe-Epischicht mit x = 0.2, die eine Dicke im Bereich von 2 - 10 um besitzt. Eine Sperrschicht 44 ist gleichfalls epitaktisch auf der Oberfläche der ansprechenden Schicht 42 aufgewachsen. Die Sperrschicht ist vorzugsweise ungefähr 1 um dick und umfaßt eine Hg1-xCdxTe- Epischicht mit x = 0.24. Vorzugsweise werden die Epischichten 42 und 44 zum Beispiel durch metallorganische Dampfphasenepitaxie (OMVPE), Molekularstrahlepitaxie (MBE), Flüssigphasenepitaxie (LPE) oder "close-spaced" Dampfphasenepitaxie (CSVPE) aufgewachsen. Ebenfalls kann die Kombination dieser Aufwachstechniken für die zwei Schichten eingesetzt werden. Die Dicke der Schichten werden durch Kalibration im Aufwachsprozeß kontrolliert.
  • Die nächsten Schritte im Prozeß werden in Figur 2b veranschaulicht. Die Sperrschicht 44 wird von der oberen Oberfläche der ansprechenden Schicht 42 her abgeätzt, so daß ein für einen Detektor geeigneter Bereich 46 festgelegt wird. Die Schichten 44 und 42 werden auch geätzt, damit Löcher 48 und 50 entstehen, die sich vollständig durch die Sperrschicht 44 hindurch und bis in einen Abstand (Tiefe) ta in die ansprechende Schicht 42 hinein erstrecken. Der Abstand ta ist die gewünschte Enddicke für die ansprechende Schicht 42, die für die vorliegende Ausführungsform 0.6 Mikrometer beträgt.
  • Das Ätzen der Schicht 44 erzeugt Sperrkontakt-Bereiche 44a und 44b, die sich auf jeder Seite des Detektor- Eigenbereichs befinden. Das Ätzen der Schichten 44 und 42 wird vorzugsweise unter Einsatz entweder von Naßätzen mit Bromethylenglykol oder Plasmaätzen mit freiem Methyl ausgeführt. Die Löcher 48 und 50 werden bis in eine Tiefe von ta in die ansprechende Schicht 42 hinein ausgedehnt. Die Löcher 48 und 50, die nachfolgend zum Bestimmen des Ätzendes verwendet werden, sind lediglich zum Zweck der passenden Veranschaulichung so dargestellt, daß sie an die Detektoreigenzone 46 angrenzen. Es ist nicht nötig, daß für jede Detektorzone 46 eines der Löcher 48 oder 50 vorhanden ist. Typischerweise werden viele hundert oder tausend von Detektorzonen, wie etwa 46, auf einem einzelnen Wafer hergestellt. Es ist nur erforderlich, daß eine kleine Anzahl der Löcher 48 und 50 über die Gesamtheit des Wafers bereit gestellt wird.
  • Gemäß Figur 2c wird eine Passivierungsschicht 54 abgeschieden und geätzt, so daß sie die Oberfläche der Schicht 42 in der Detektorzone 46 überdeckt. Die Schicht 54 ist beispielsweise aufgedampftes CdTe mit einer Dicke von ungefähr 1.000 Ångström (Å) (10Å = 1nm). Als nächstes wird eine Ätzstoppschicht 56 aus Siliziumnitrid auf allen der freigelegten Oberflächen abgeschieden. Die SiN-Schicht 56 hat eine bevorzugte Dicke von etwa 1.000 Å. Besonders zu erwähnen ist, daß die Schicht 56 auch die inneren Oberflächen der Löcher 48 und 50, beide Seiten und den Boden, bedeckt. Der Abschnitt der Schicht 56 am Boden der Löcher 48 und 50 dient, wie unten bemerkt, als eine Ätzstoppschicht.
  • Die nächsten Schritte im Herstellungsprozeß des Detektors sind in Figur 2d veranschaulicht. Die Schicht 56 wird selektiv an den Oberflächen der Bereiche 44a und 44b geätzt, so daß Fenster 62 und 64 gebildet werden. Die SiN- Schicht 56 wird unter Verwendung von Flußsäure naß geätzt oder unter Verwendung von CF&sub4; plasmageätzt.
  • Unter weiterer Bezugnahme auf Figur 2d werden Kontakte 66 und 68 unter Verwendung konventioneller fotolithographischer Verfahren zum Abtragen aufgebracht und in den Fenstern 62 und 64 entsprechend angeordnet. Die Kontakte 66 und 68 sind Metallbeschichtungen, die für Quecksilber-Cadmium-Tellurid etwa als ansprechende Schicht 42 Titan für die n-leitend dotierte Schicht 42 und autokatalytisches Gold oder HgTe für das p-leitende Dotieren der Schicht 42 umfaßt. Auf die Herstellung der Kontakte 66 und 68 folgend werden die verbindenden Metallisierungskontakte 70 bzw. 72 gebildet, so daß eine elektrische Verbindung zu den Kontakten 66 und 68 hergestellt wird. Die verbindende Metallisierung ist vorzugsweise aufgedampftes Titan-Gold. Die Kontakte 66 und 68 sind vorzugsweise 500 Å dick und die Metallisierungskontakte 70 und 72 sind vorzugsweise 10.000 Å dick.
  • Nimmt man auf Figur 2e Bezug, so wird ein Teil der Herstellungsabfolge zum Ausbilden einer anpassenden Impedanzstruktur beschrieben. Ein Abstandshalter 80, der ein dielektrisches Material umfaßt, wird in der Detektorzone 46 auf der Oberfläche der Schicht 56 zwischen den Sperrschichtbereichen 44a und 44b ausgebildet. Der Abstandshalter 80 besteht vorzugsweise aus CdTe oder SiN. Die Dicke dieser Schicht wird sorgfältig eingestellt, so daß die Struktur auf die gewünschte Wellenlänge der zu empfangenden Infrarotenergie abgestimmt wird. Eine Erdungsebene 82 aus Metall, vorzugsweise aus aufgedampftem Aluminium, wird auf der Oberfläche des Abstandshalters 80 Aluminium aufgebracht. In der ausgewählten Ausführungsform besitzt der Abstandshalter 80 eine bevorzugte Dicke von 2.000 Å und die Erdungsebene 82 aus Aluminium hat eine bevorzugte Dicke von 500 Å. Nach der Bildung der Erdungsebene 82 wird die gesamte Struktur mit einer versiegelnden dielektrischen Schicht 84 aus beispielsweise SiN mit einer Dicke von ungefähr 1.000 Å beschichtet.
  • Gemäß Figur 2f ist die in Figur 2e gezeigte Struktur zur leichteren Beschreibung in der Abbildung umgedreht worden. Ein mechanisches Substrat 90 ist unter Verwendung von Epoxidharz 92 geklebt, so daß das Substrat 90 zu der in Figur 2e gezeigten Struktur zusammengefügt wird. Das Epoxidharz 92 steht in Kontakt mit der versiegelnden Schicht 84. Das Substrat 90 ist vorzugsweise ein Wafer aus Silizium oder Saphir. Das Substrat 90 kann auch ein Chip eines integrierten Ausleseschaltkreises (ROIC) sein.
  • Gemäß Figur 2g wird das Substrat 40, auf dem aufgewachsen wird, unter Verwendung einer für das Substrat 40 selektiven Beize entfernt. Für das beschriebene Substrat 40 kann jedes der drei bekannten Beispiele durch eine Vielfalt von Säure-Peroxid-Beizen oder durch E-Ätzen entfernt werden. Das E-Ätzen kann unter Verwendung von Kahumdichromat plus Salpetersäure und H&sub2;O durchgeführt werden. Diese ätzen das Substrat 40 selektiv und belassen die ansprechende Schicht 42 ungeätzt.
  • Der nächste Schritt in dem Herstellungsprozeß wird mit Bezug auf die Figur 2h beschrieben. Dieser betrifft das Dünnermachen der ansprechenden Schicht 42 bis zu einer genauen Designdicke ta. Der Ätzprozeß entfernt gleichmäßig die freiliegende Oberfläche der Schicht 42 über den Wafer hinweg. Für die beschriebene ansprechende Schicht 42 wird das Ätzen beispielsweise Naßätzen mit Brommethanol oder Plasmaätzen mit freien Methylradikalen ausgeführt. Der Ätzprozeß wird fortgesetzt, bis die oberseitige Oberfläche der Schicht 56 erscheint. Die Oberfläche dieser Schicht liegt am Boden des Loches 48, wie in Figur 2c gezeigt. Eine ausführende Person kann den Ätzprozeß beenden, wenn die oberseitige Oberfläche der Schicht 56 beim Loch 48 sichtbar wird oder dies kann durch ein Gerät bestimmt werden, die den Ätzvorgang stoppt.
  • Gemäß Figur 2i sind die ansprechende Schicht 42 und die Sperrschicht 44 durch selektives Ätzen mittels konventioneller Maskentechnik mit einem Resist mit einem Muster versehen. Das Ätzen kann durch beispielsweise Naßätzen mit Bromethylenglykol oder Plasmaätzen mit freien Methylradikalen ausgeführt werden. Dies erzeugt einen ansprechenden Bereich 42a und Sperrkontaktbereiche 44c und 44d.
  • Wie in Figur 2j gezeigt ist auf der Oberfläche des ansprechendenen Bereichs 42a eine Passivierungsschicht 93 ausgebildet. Diese Schicht besteht vorzugsweise aus 1.000 Å CdTe. Aluminiumschichten 94 und 96 zur Lichtabschirmung, die eine Dicke von ungefähr 500 Å aufweisen, werden auf der oberseitigen Oberfläche der Passivierungsschicht 93 ausgebildet. Die Abschirmschichten 94 und 96 sind über den sperrenden Bereichen 44c und 44d ausgerichtet, so daß die einfallende Infrarotstrahlung daran gehindert wird, auf die Sperrbereiche 44c und 44d einzufallen.
  • Entsprechende Anschlußfeld-Fenster werden in die Schicht 56 über den Kontakten 70 und 72 geätzt, um externe Anschlüsse mit dem Detektor zu ermöglichen. Dies wird mit einem Naßätzen mit einer Flußsäure oder CF&sub4;-Plasmaätzen durchgeführt. Verbindungsleitungen können dann an die Kontakte 70 und 72 angeschlossen werden.
  • Eine zweite Ausführungsform der Detektorzelle ist in Figur 2k gezeigt. In dem Fall, in dem das tragende Substrat 90 ein Silizium-ROIC ist, werden Durchgangslöcher durch die Kontakte 70 und 72 hindurch gebohrt, wobei die versiegelnde Schicht 84 und die Epoxidharzschicht 92 in Kontakt mit dem ROIC stehen. Metallverbindungen 98 und 100 werden durch die Durchgangslöcher unter Verwendung eines herkömmlichen photolithographischen Abtragprozesses abgeschieden. Die Schaltungseinzelheiten des ROIC sind nicht gezeigt. Infrarot-Detektoren, die ROIC beinhalten, sind in den U.S.- Patenten 5,179,283 von Cockrum et al., herausgegeben am 12. Januar 1993 mit der Bezeichnung "INFRARED DETECTOR FOCAL PLANE" und 4,970,567 von Ahlgren et al., herausgegeben am 13. November 1990 mit der Bezeichnung "METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING INFRARED RADIATION; MONOLITHIC PHOTODETECTOR" gezeigt, und auf diese beiden herausgegebenen U.S.-Patente wird hier Bezug genommen.
  • Im Betrieb sind die in den Figuren 2j und 2k gezeigten Infrarot-Detektorzellen mit einem zwischen den Kontakten 70 und 72 angelegten Gleichstromsignal vorgespannt. Dieses Signal wird moduliert, wenn infrarote Strahlung von der ansprechenden Schicht 42a absorbiert wird.
  • Die in Figur 2j und Figur 2k gezeigten Strukturen werden vorzugsweise als Mehrzahl von Elementen in einem Array hergestellt, so daß ein Infrarot-Fokalebenenarray entsteht.
  • Zusammengefaßt ist die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Infrarot-Detektors, der Isotyp-Heteroübergangs-Sperrkontakte aufweist.

Claims (5)

1. Verfahren zum Herstellen eines impedanzangepaßten fotoleitfähigen Infrarot-Detektors, mit den Schritten:
Bilden einer auf Infrarot ansprechenden Schicht (42), die von einem Substrat (40) getragen wird, auf dem aufgewachsen wird,
Bilden einer Ladungssperrschicht (44) auf einer ersten Hauptoberfläche der ansprechenden Schicht und somit Bilden eines Heteroübergangs,
Ätzen der Sperrschicht, um einen Bereich der ansprechenden Schicht freizulegen und einen ersten und einen zweiten Bereich (44a,44b) der Sperrschicht zu bilden,
Bilden einer isolierenden Schicht (56) auf freigelegten Oberflächen des ersten und zweiten Bereiches der Sperrschicht,
Ätzen der isolierenden Schicht 56, um entsprechende Öffnungen (62,64) in dem ersten und zweiten Bereich der Sperrschicht zu erzeugen,
Bilden von entsprechenden leitenden Verbindungen (66,68), die sich durch die Öffnungen bis zu dem ersten und zweiten Bereich der Sperrschicht erstrecken,
Bilden einer Infrarot-durchlässigen Abstandsschicht (80) über dem Bereich der ansprechenden Schicht, wobei die Dicke der Abstandsschicht so gewählt ist, daß der Infrarot-Detektor auf die Wellenlänge der infraroten Strahlung abgestimmt wird,
Bilden einer Erdungsebene (82) aus Metall über der Abstandsschicht,
Anfügen eines Trägersubstrats (90) wenigstens an die Erdungsplatte,
Entfernen des Substrats (40), um die zweite Hauptoberfläche der ansprechenden Schicht freizulegen,
und
Ätzen der zweiten Oberfläche der ansprechenden Schicht zum Bilden einer zweiten geätzten Oberfläche, um die Dicke der ansprechenden Schicht zu verringern.
2. Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, das den Schritt zum Bilden einer Passivierungsschicht (93) auf der geätzten zweiten Oberfläche der ansprechenden Schicht einschließt.
3. Herstellungsverfahren nach Anspruch 2, das den Schritt zum Aufbringen entsprechender Infrarot-unterbrechender Abschirmungen (94,96) auf der Passivierungsschicht unmittelbar oberhalb der Sperrschichten, um einfallende infrarote Strahlung am Durchgang durch die ansprechende Schicht und am Einfallen auf den ersten und zweiten Bereich der Sperrschicht zu hindern.
4. Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, worin der Schritt zum Bilden entsprechender leitender Verbindungen das Bilden entsprechender erster Kontakte (66,68) am ersten und zweiten Sperrschichtbereich gegenüber der ansprechenden Schicht,
Bilden entsprechender zweiter Kontakte (70,72), die eine Schnittstelle zu den ersten Kontakten bilden und Oberflächen besitzen, um externe Leiter daran anzuschließen, und das
Bilden entsprechender Durchgangslöcher und -kontakte, um eine Schnittstelle zu einem integrierten Ausleseschaltkreis zu bilden,umfaßt.
5. Herstellungsverfahrennach Anspruch 1, worin der Schritt zum Bilden entsprechender leitender Verbindungen das
Bilden entsprechender Kontakte (66,68) am ersten und zweiten Sperrschichtbereich gegenüber der ansprechenden Schicht,
Bilden entsprechender Kontakte (70,72), die eine Schnittstelle zu den ersten Kontakten bilden und Oberflächen besitzen, um externe Leiter daran anzuschließen, und das
Bilden entsprechender Durchgangslöcher und -kontakte (98,100), um eine Schnittstelle zu einem Trägersubstrat (90) eines integrierten Ausleseschaltkreises zu bilden,umfaßt.
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