JP2565524B2 - 熱的絶縁性及び導電性を有する相互接続構造及びその生成方法 - Google Patents
熱的絶縁性及び導電性を有する相互接続構造及びその生成方法Info
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Description
て電気的に接続する相互接続構造及びその生成方法に関
する。
分に、または該部分から或る部分に、発生された熱が伝
わるのを防ぐため、互いに電気的に接続されて熱的に絶
縁された2つ以上の素子が要求されている。例えば、そ
の動作が温度に依存される部分は簡単に熱されることが
できるもので、すなわち、温度の変化は動作とは逆に影
響が及ぶ。1つの例としては、信号が信号処理のために
読出し回路に電気的に結合される焦電検出器がある。代
表的な構造は、集積回路に取付けられて大きな熱量を構
成するための熱を発生する焦電検出焦点面アレイハイブ
リッドから成る。焦電検出器によって発生された信号
が、温度変化の時間の割合に比例することによって、伝
えられる何れの熱も検出器信号を変衰させる。
ことを実行してきた。このような冷却は効果的である一
方、装置、重量及びコスト、そして全体の電子アセンブ
リに対してメンテナンスのサービスが増える。重量、ス
ペース及びコストを倹約することが必要であり、他の二
者択一性は要求しなければならない。冷却しない焦電固
体アレイ検出器の動作は、温度画像照準に於いて特に重
要である。
物を使用した本システムは、77゜Kに検出器を冷却する
ために純銀の圧縮器または閉じ込められたJTクリスタル
の何れかを使用しており、前記圧縮器の重量は略2.265k
gであり、20ワットよりも大きいパワーが要求される。
略2.265kgの重さの、輸送可能なシステムの他の要求
は、個々に実行されるべく本システムを可能にするため
に、2.265乃至2.718kgの重量で300゜Kで動作するため、
185゜Kに熱電気冷却を得ることが考えられる。
来の熱画像システムは、高価で、巨大なものであり、極
低温冷却を必要とする光導電性検出器である。これらの
画像システムは、戦車または航空機等の、大きな乗物に
不変に取付けられなければならない。そして、液体窒素
を含んでいる冷却ボルトはしばしば交換しなければなら
ないので、戦場で維持するのが困難なものであり、大き
な論理的な問題となる。これらの欠点にもかかわらず、
熱画像システムは、優秀な監視センサであることが立証
されており、更に受動検出器によって夜間の視界を提供
することを可能にする付加的な利益も有している。
走査を必要とせず、大抵の複雑さ及びコストの問題を除
去すると同時に、性能、例えば解像度及び感度を保持す
るものである。故に、それは冷却しない焦電検出器アレ
イを使用するシステムを有することが、非常に望ましい
ものである。
あり、この目的は、1つ以上の熱絶縁性及び導電性相互
接続による、信号処理等の熱生成デバイスに、検出器、
すなわち他の熱感知デバイスを結合することによって、
熱絶縁性及び導電性相互接続構造及びその生成方法を提
供することである。
手段と第2の電気接点を有する第2の手段間の熱的絶縁
性及び導電性を有する相互接続構造に於いて、前記第1
の電気接点に隣接して位置付けられる熱的及び電気的絶
縁材料と、第1及び第2の相互接続部を有するもので、
前記熱的及び電気的絶縁材料に接合された導電性相互接
続部とを具備し、前記第1及び第2の相互接続部は前記
第1及び第2の電気接点にそれぞれ電気的に接続される
ことを特徴とする。
信号処理読出しチップに相互接続されるもので、好まし
くはピラミッドの1つの斜面に延出された、例えば厚さ
1000乃至2000オングストロームの金属の薄い層で面取り
されたピラミッド形状となる。
出し回路の電気接点上の熱的及び電気的絶縁材料を形成
する工程と、前記絶縁材料に導電性相互接続部を接続す
る工程と、前記読出し回路の接点と検出器の接点との相
互接続部を電気的に結合する工程とを備えている。
前記読出し回路間の相互接続は、前記検出器の冷却工程
によって、または逆に、前記回路による前記検出器の熱
工程によるスプリアスノイズを発生することによって、
熱信号の減衰を防止し、これによって前記検出器の感度
を維持するため、低い熱導電率を有する。高い電気的導
電率は、この熱絶縁性を維持する一方、前記検出器素子
から読出し回路の入力端に導く電気信号を介して高い導
電性が得られるものである。極低温技術等の特別高価は
冷却工程は避けられると共に、加えて、交換及びサービ
スの必要もなくなる。故に、このような簡易化は、重量
を低減し、且つ検出及び感知装置の軽便さを高める。
び導電性相互接続による焦電検出器と読出し回路間の相
互接続を表す立面断面図である。第1図を参照すると、
焦電固体アレイ検出器10は、複数の熱絶縁性及び導電性
の相互接続部16による読出し回路、または信号処理チッ
プ14に結合された焦電検出器12を有している。焦電検出
器12は、チップ18間の熱拡散を防止するために適切な高
分子材料20によって取付けられた複数の網状のチップ18
で構成される。例えば、厚さが200〜400オングストロー
ムの薄いクロム層は、8〜12ミクロメートルのスペクト
ル領域内の薄膜吸収材と、共通電極を提供するためにチ
ップ18の頂上にデポジットされる。アルミニウム接点24
は、それらの反対側の個々のチップを確実に遮るもので
あり、且つ前記チップ用の電極として網状に構成される
ものである。検出器材料の網状組織は何れかの適切な手
法で成し遂げ得るもので、好ましい方法は、幅5μm、
深さ20〜30μmの切口を形成するためのレーザスクライ
ビングによるものである。
カリウム(KTN)であり、何れか適切な焦電材料から形
成することができる。
合素子にx−yアドレスを読出すシリコン基板26等の、
従来の信号プロセッサチップ構造で構成される。読出し
回路14は、アルミニウム等の複数の接点またはパッド28
によって覆われる。
切な絶縁材料の熱的及び電気的な絶縁バンブ30を有して
いる。バンプ30の斜面は絶縁を目的としていないが、頂
面34が底面36より小さく4つの側面が面取りされたピラ
ミッド形状を有するので、高分子バンプの側面は斜面32
を形成するために傾斜がつけられている。頂面34及び底
面36の間の斜面32の傾斜は、金属接点38による頂面34及
び側面32の適用範囲を高めるために望ましいものであ
り、前記傾斜はバンプ30の確実な金属適用範囲を高めて
いる。金属接点38は、回路14の1つのアルミニウム入力
パッド28に電気的結合を限定する1つの部分40を有す
る。接点38のもう1つの部分42は、バンプ30の頂面34に
設けられる。検出器チップ18の部分42とアルミニウム接
点24の接続は、好ましくはインジウムで、導電性取付け
材料44〜45によってなされる。好ましくは、前記インジ
ウム材料は、分離したデポジット(導電性取付け材料)
44及び45を形成するために接点部42及び接点24にそれぞ
れ供給されるもので、検出器12が読出し回路14によりア
センブリの位置が定められると、インジウムの導電性取
付け材料44及び45が安全な電気接点を形成するために位
置決めされる。
×76.2μmユニットセルの場合20×20×5μmであり、
50.8×50.8μmミルユニットセルの場合12×12×5μm
である。どちらの場合も残りの寸法は、金属接点38用の
チタニウム及びニッケルで1000オングストロームとな
り、取付け材料44と45用のインジウムの厚さは両方で3
μmとなる。検出器12と読出し回路14との間隔は、略5
μmである。
表された相互接続構造を生成する方法を説明するための
流れ図及び工程図である。この方法は、4つの主要な組
立て工程に細別されるもので、第2図に列I−IVで表さ
れる。これらの工程が第3図に該当するもので、列Iと
第3(a)〜(b)図の高分子形成工程と、列IIと第3
(c)〜(g)図の傾斜バンプ形成工程と、列IIIと第
3(h)〜(l)図のエッジ上のメタライゼーション工
程と、列IVのインジウムバンプリウトオフ工程から成っ
ている。
ムの金属パッド28を有する読出しウェーハ14と、アルミ
ニウムパッド24を有して網状にされた検出器12とで開始
されるもので、そのうちの1つが第3(a)図に示され
る。高分子層50が、読出し回路14とそのアルミニウムパ
ッド28に供給される。好ましい高分子は、ポリイミドか
ら成る。高分子層50を形成するために、ポリアミド酸溶
剤が、主要工程で列Iの副工程Aに示されるように、読
出し回路14及び約5μmの厚さのアルミニウムパッド28
の表面上に形成される。ポリアミド酸溶剤は、副工程B
及びCに示されるように重合させるものであり、130℃
で熱処理する「A」ステージと、その厚さをチェック
し、続いて350℃で熱処理する「B」ステージから成っ
ている。第3(b)〜(e)図に於いて、インジウムの
高分子層50により表示されるように、熱処理された高分
子を接続するために、前記厚さが再度チェックされるも
ので、平らな5μmの厚さの膜を有している。
上に形成されると、列IIの主要な組立て工程の副工程D
〜G、第3(c)〜(g)に示されるように、層50から
高分子バンプが形成される。ニッケルの層52は、第3
(c)図及び第2図の副工程Dで示されるように、前記
高分子層上に、初めに1000オングストロームの厚さにデ
ポジットされる。ニッケルは、酵素プラズマエッチング
の使用を含む高分子バンプの限定に於ける後の工程によ
り好ましい材料となる。しかしながら、他の材料が利用
され得るプラズママスクとして行なうことができるが、
または他のバンプ限定プロセスが使用された場合に他の
適切な材料を使用することができるということが理解さ
れる。
スト54は前記ニッケル層52上に位置され、第3(d)に
示されるように、除去されるべく保護されないニッケル
層の部分を可能にするためにマスク処理される。マスク
を形成するためのニッケルのこのパターンニングは、標
準的なフォトグラフィック技術及び酸エッチングの使
用、或いは他の標準的なリフトオフ法によって成し遂げ
られる。これらの副工程は、第2図の主要工程IIの副工
程D及びFとして表される。
Gとして表されると共に、第3(e)〜(g)図に示さ
れる2ステップのプラズマエッチング法を含んでいる。
この2ステップ酸素プラズマエッチング法は、標準的な
ものである。先ず、高分子層が、平行板またはRIEプラ
ズマシステムに於いて異方性エッチングされる。このエ
ッチングは、第3(e)図に表される形状となるため、
ニッケルプラズママスク52によって保護されないが、高
分子層50の一部を除去するだけでなくレジストマスク54
も除去する。第1のプラズマエッチングは、保護されな
い高分子層の厚さの略80パーセントが除去されるまで続
けられる。第2のプラズマエッチングに於いては、残り
の保護されない高分子層が除去されると同時に、それら
の部分が、バレル・タイププラズマシステムの等方性エ
ッチングによって、第3(f)図に示されるように、ニ
ッケルプラズママスクのすぐ下側が切取られる。前記エ
ッチング端点は、読出し集積回路14の金属入力パッド28
が露出される時に達成される。前記ニッケルマスクは、
Burmar712Dの110℃の溶剤等の、選択的なエッチング溶
剤で除去されるもので、露出されたアルミニウムに作用
しないように選択されるものであり、略30分間ニッケル
マスクをエッチングする。結果的な生成は、第3(g)
に示されるように、金属接点38に適用できる状態で高分
子30を備えている。
第3(h)〜(I)図に従って形成される。フォトレジ
スト56は、第3(h)図及び副工程Hに示されるよう
に、ウェーハ14、パッド28及び高分子バンプ30を覆って
厚く形成される。このフォトレジストは、約7ミクロメ
ートルでベーキング処理される。厚さ1000オングストロ
ームのアルミニウムの層58は、副工程Iでフォトレジス
ト56上にデポジットされる。副工程Jでチタニウムニッ
ケル等の、オーバー・ザ・エッジ(O−T−E)マスク
60が、第3(i)図に示されるようにアルミニウム層58
上に正確に位置決めされ、前記アルミニウム層が適切に
エッチングされる(副工程K)。マスク60が先ず除去さ
れて、第3(j)図に示される形状を提供するために層
56から露出されたレジストが露出され、焼付けられて除
去される(副工程L)。
(K)図及び副工程Mに示されるように、アルミニウム
層58から形成された前記マスク上と、アルミニウムマス
ク58及び残りのフォトレジスト56に於いて形成された孔
内になされる。前記メタライゼーションは、接点38を形
成するため、チタニウム及びニッケルの両者で約1000オ
ングストロームのスパッタリングをする工程を備える。
所望のオーバー・ザ・エッジ・メタライゼーション以外
は、アセトン内で超音波振動によって除去される。これ
は、前記フォトレジストを分解して、接点38と同じ組成
であるアルミニウム層58及びスパッタされた金属62から
マスクを遊離させ、これによって複数の高分子バンプ30
及びウェーハ14の接点パッド28上の金属接点38が得られ
る。
は、前記インジウムバンプが高分子バンプの頂部、すな
わちウェーハ14の表面から5μmの位置に配置されなけ
ればならないので、フォトレジストの非常に厚い被覆を
供給する必要がある。したがって、フォレジストの約13
μmの被覆は好ましいものであり、好ましくはフォトレ
ジストが最初に10μm、次いで3μmの二重スピン・オ
ンプロセスで行なわれるもので、副工程Oとして示され
るベーキング処理される。フォトリソグラフィックマス
クは、前記フォトレジスト内の孔を提供するために、前
記フォトレジストの頂部に配置される(副工程P)。高
分子バンプ30の頂面34上の金属接点38の領域の頂上の所
望のフォトレジストを除去した後、インジウムが第1図
に示される接点44を形成するために、約3μmの厚さに
配置される(副工程Q)。そして、前記フォトレジスト
は、アセトン内の超音波振動によって除去される(副工
程R)。
バンプ30及びその金属接点部分42上のインジウムの取付
け材料44と組合わせるので、アルミニウム接点24を有し
たチップ18を具備する焦電検出器12は、インジウムの取
付け材料45を提供するために処理される。
及び導電性相互接続による、信号処理等の熱生成デバイ
スに、検出器、すなわち他の熱感知デバイスを結合する
ことによって、熱絶縁性及び導電性相互接続構造及びそ
の生成方法を提供することができる。
導電性相互接続による焦電検出器と読出し回路間の相互
接続を表す立面断面図、第2図は第1図に表された相互
接続構造を構成するための処理工程を概略的に説明する
流れ図、第3(a)図乃至第3(l)図は第1図に示さ
れた相互接続構造を生成するために第2図の流れ図に従
って実施された状態を表す工程図である。
…読出し回路(信号処理チップ、ウェーハ)、16……相
互接続部、18……チップ、20……高分子材料、24……ア
ルミニウム接点、26……シリコン基板、28……パッド、
30……絶縁バンプ(高分子バンプ)、32……斜面、34…
…頂面、36……底面、38……金属接点、44、45……導電
性取付け材料、50……高分子層、52……ニッケル層、5
4、56……フォトレジスト。
Claims (27)
- 【請求項1】第1の電気接点(28)を有する第1の手段
(14)と第2の電気接点(24)を有する第2の手段(1
2)間の熱的絶縁性及び導電性を有する相互接続構造に
於いて、 前記第1の電気接点(28)に隣接して位置付けられる熱
的及び電気的絶縁材料(30)と、 第1及び第2の相互接続部(40,42)を有するもので、
前記熱的及び電気的絶縁材料(30)に接合された導電性
相互接続部(38)とを具備し、 前記第1及び第2の相互接続部(40,42)は前記第1及
び第2の電気接点(28,24)にそれぞれ電気的に接続さ
れることを特徴とする熱的絶縁性及び導電性を有する相
互接続構造。 - 【請求項2】前記熱的及び電気的絶縁材料(30)は少な
くとも前記相互接続部(38)と接合される部分に傾斜
(32)がつけられることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の熱的絶縁性及び導電性を有する相互接続構
造。 - 【請求項3】露出された第2の相互接続部(42)上に導
電材料(44,45)を更に有することを特徴とする特許請
求の範囲第2項記載の熱的絶縁性及び導電性を有する相
互接続構造。 - 【請求項4】前記第2の相互接続部(42)上の前記導電
材料(44,45)はインジウムで構成されることを特徴と
する特許請求の範囲第3項記載の熱的絶縁性及び導電性
を有する相互接続構造。 - 【請求項5】前記第2の相互接続部(42)は前記第1の
電気接点(28)の上方に形成され、前記インジウムの導
電材料(44,45)は3μmの厚さを有することを特徴と
する特許請求の範囲第4項記載の熱的絶縁性及び導電性
を有する相互接続構造。 - 【請求項6】前記第2の電気接点(24)上のインジウム
材料と前記第2の相互接続部(42)上の前記インジウム
材料は相互にボンディングされることを特徴とする特許
請求の範囲第4項記載の熱的絶縁性及び導電性を有する
相互接続構造。 - 【請求項7】前記第1及び第2の電気接点(28,24)を
有する第1及び第2の手段(14,12)は、読出し回路と
焦電検出器をそれぞれ備えるもので、各々は複数の前記
第1及び第2の電気接点(28,24)がそれぞれ配置され
る位置に複数の接点領域を有し、更に前記第2の電気接
点(24)上に配置されたインジウム材料は、前記電気的
に接続する手段を得るためのものであることを特徴とす
る特許請求の範囲第4項記載の熱的絶縁性及び導電性を
有する相互接続構造。 - 【請求項8】前記絶縁材料(30)は約5μmの厚さを有
し、前記導電性相互接続部(38)は約0.1μmの厚さを
有することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の熱
的絶縁性及び導電性を有する相互接続構造。 - 【請求項9】前記熱的及び電気的絶縁材料(30)は面取
りされたピラミッド形状を有して構成されることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の熱的絶縁性及び導電
性を有する相互接続構造。 - 【請求項10】第1の電気接点(28)を有する第1の手
段(14)と第2の電気接点(24)を有する第2の手段
(12)間の熱的絶縁性及び導電性を有する相互接続構造
の生成方法であって、 前記第1の電気接点(28)に隣接して熱的及び電気的絶
縁材料(30)を形成する工程と、 第1及び第2の相互接続部(40,42)を有して、前記熱
的及び電気的絶縁材料(30)に導電性の相互接続を行う
工程と、 前記第1及び第2の電気接点(28,24)のそれぞれに前
記第1及び第2の相互接続部(40,42)を電気的に接続
する工程と 具備することを特徴とする熱的絶縁性及び導電性を有す
る相互接続構造の生成方法。 - 【請求項11】前記熱的及び電気的絶縁材料(30)を形
成する工程は少なくとも前記相互接続部(40,42)と接
合させる前記熱的及び電気的絶縁材料(30)に傾斜(3
2)をつける工程から成ることを特徴とする特許請求の
範囲第10項記載の相互接続熱的絶縁性及び導電性を有す
る相互接続構造の生成方法。 - 【請求項12】前記傾斜(32)をつける工程は前記第1
の電気接点(28)に接近して前記熱的及び電気的絶縁材
料(30)を異方性にエッチングする工程と、この異方性
にエッチングする工程の後にバレル・タイププラズマシ
ステムに於いて前記熱的及び電気的絶縁材料(30)を等
方性にエッチングする工程から成ることを特徴とする特
許請求の範囲第11項記載の熱的絶縁性及び導電性を有す
る相互接続構造の生成方法。 - 【請求項13】前記異方性にエッチングする工程は前記
熱的及び電気的絶縁材料(30)の厚さの略80%をエッチ
ングする工程から成ることを特徴とする特許請求の範囲
第12項記載の熱的絶縁性及び導電性を有する相互接続構
造の生成方法。 - 【請求項14】前記異方性にエッチングする工程は平行
板に於いて若しくはRIEシステムによりエッチングを行
う工程から成ることを特徴とする特許請求の範囲第13項
記載の熱的絶縁性及び導電性を有する相互接続構造の生
成方法。 - 【請求項15】前記異方性にエッチングする工程は平行
板に於いて若しくはRIEシステムによりエッチングを行
う工程から成ることを特徴とする特許請求の範囲第12項
記載の熱的絶縁性及び導電性を有する相互接続構造の生
成方法。 - 【請求項16】前記熱的及び電気的絶縁材料(30)は前
記第1の電気接点(28)上に最初に供給される高分子材
料から成り、 前記傾斜(32)をつける工程は、 前記第1の電気接点(28)の材料とは異なった材料から
成るレジスト(54)を、前記高分子材料(50)上にデポ
ジットする工程と、 前記レジスト(54)上のマスクを調整する工程と、 前記高分子材料(50)の厚さを略80%に異方性にエッチ
ングする工程と、 この異方性にエッチングする工程の後にバレル・タイプ
プラズマシステムにより前記高分子材料(50)を等方性
にエッチングする工程と を備えることを特徴とする特許請求の範囲第11項記載の
熱的絶縁性及び導電性を有する相互接続構造の生成方
法。 - 【請求項17】前記異方性にエッチングする工程は平行
板に於いて若しくはRIEシステムによりエッチングを行
う工程から成る請求の範囲第16項記載の方法熱的絶縁性
及び導電性を有する相互接続構造の生成方法。 - 【請求項18】前記相互接続を行う工程は、 前記傾斜(32)がつけられた熱的及び電気的絶縁材料
(30)に第1のレジスト(56)を供給する工程と、 前記第1のレジスト(56)上に、前記第1のレジスト
(56)とは異なる第2のレジスト(60)を配置する工程
と、 前記第2のレジスト(60)の一部を除去すると同時に前
記第1のレジスト(56)の除去を保護する工程と、 前記第2のレジスト(60)をマスクとして利用して、こ
の第2のレジスト(60)によって保護されない前記第1
のレジスト(56)の一部を除去する工程と、 前記第1及び第2の相互接続部(40,42)を有する導電
性相互接続部(38)を形成するために導電材料をデポジ
ットする工程と、 前記第1及び前記第2のレジスト(56,60)を除去する
工程と から成ることを特徴とする特許請求の範囲第11項記載の
熱的絶縁性及び導電性を有する相互接続構造の生成方
法。 - 【請求項19】前記相互接続部(38)の前記導電材料は
チタニウム及びニッケルで構成されることを特徴とする
特許請求の範囲第18項記載の熱的絶縁性及び導電性を有
する相互接続構造の生成方法。 - 【請求項20】前記第1のレジスト(56)はフォトレジ
ストから成り、前記第2のレジスト(60)はアルミニウ
ムから成ることを特徴とする特許請求の範囲第19項記載
の熱的絶縁性及び導電性を有する相互接続構造の生成方
法。 - 【請求項21】前記第1及び第2のレジスト(56,60)
を除去する工程は前記フォトレジストを除去する工程か
ら成り、これによって前記アルミニウムのレジストを浮
遊させることを特徴とする特許請求の範囲第20項記載の
熱的絶縁性及び導電性を有する相互接続構造の生成方
法。 - 【請求項22】前記電気的に接続する工程は、 前記相互接続部(38)と前記第1の電気接点(28)及び
前記絶縁材料(30)の露出された部分を覆うフォトレジ
ストの厚い層を供給する工程と、 前記第2の相互接続部(42)から前記フォトレジストを
除去する工程と、 前記露出された第2の相互接続部(42)に導電材料(4
4)をデポジットする工程と、 前記露出された第2の相互接続部分(42)上に導電材料
(44)を配置する工程と、 前記フォトレジストを除去する工程と、 前記第2の相互接続部分(42)に前記第2の電気接点
(24)を結合する工程と から成ることを特徴とする特許請求の範囲第18項記載の
熱的絶縁性及び導電性を有する相互接続構造の生成方
法。 - 【請求項23】前記露出された第2の相互接続部(42)
上の前記導電材料はインジウムで構成されることを特徴
とする特許請求の範囲第22項記載の熱的絶縁性及び導電
性を有する相互接続構造の生成方法。 - 【請求項24】前記フォトレジストの厚い層を供給する
工程は前記フォトレジストを約13μmコーティングする
工程から成る請求の範囲第23項記載の方法熱的絶縁性及
び導電性を有する相互接続の生成方法。 - 【請求項25】前記第2の相互接続部(42)は前記第1
の電気接点(28)の上方に2μmの位置に形成され、前
記インジウム導電材料は3μmの厚さを有することを特
徴とする特許請求の範囲第24項記載の熱的絶縁性及び導
電性を有する相互接続構造の生成方法。 - 【請求項26】前記第2の電気接点(24)上にインジウ
ム材料を組合わせて配置する工程と、前記電気的に接続
する工程を得るために前記インジウム材料をボンディン
グする工程とを更に具備することを特徴とする特許請求
の範囲第23項記載の熱的絶縁性及び導電性を有する相互
接続の生成方法。 - 【請求項27】前記第1及び前記第2の接点(28,24)
を有する第1及び第2の手段(14,12)は、読出し回路
と焦電検出器をそれぞれ備えるもので、その各々は複数
の前記第1及び第2の電気接点(28,24)がそれぞれ配
置される位置に複数の接点領域を有し、更に前記第1及
び第2の電気接点(28,24)上にそれぞれ組合わされて
いるインジウム材料を配置する工程と、前記電気的に接
続する工程を得るために前記インジウム材料をボンディ
ングする工程とを更に含むことを特徴とする特許請求の
範囲第11項記載の熱的絶縁性及び導電性を有する相互接
続構造の生成方法。
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