DE3782240T2 - Schnelle parallelabtastung mit ionenstrahlen mit einer bipolaren magnetischen linse mit uneinheitlichem feld. - Google Patents
Schnelle parallelabtastung mit ionenstrahlen mit einer bipolaren magnetischen linse mit uneinheitlichem feld.Info
- Publication number
- DE3782240T2 DE3782240T2 DE8787905709T DE3782240T DE3782240T2 DE 3782240 T2 DE3782240 T2 DE 3782240T2 DE 8787905709 T DE8787905709 T DE 8787905709T DE 3782240 T DE3782240 T DE 3782240T DE 3782240 T2 DE3782240 T2 DE 3782240T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- axis
- magnetic
- along
- gap
- ion beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 10
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Description
- Diese Erfindung bezieht sich auf eine magnetische Linse, die als eine Alternative zu dem "konstant gleichförmigen Feldmagneten in Keilform" benutzt werden kann, auf den in WO 87/06391 von Berrian et al. mit dem Titel ION BEAM SCANNING METHOD AND APPARATUS Bezug genommen wird. In der Beschreibung von Berrian et al. wurde der keilförmige Magnet insbesondere so bezeichnet, daß das Magnetfeld überall innerhalb der Magnetpole dasselbe ist. Als eine Konsequenz des keilförmigen Profils der Pole wurden die von einem Punkt ausstrahlenden Ionenbahnen so abgelenkt, daß alle Ionen, die aus dem Magneten heraustreten, parallel zueinander sind. Im Ergebnis wirkt der Magnet als eine Linse, in der Ionen, die in verschiedene Gegenden des Magneten eintreten, eine unterschiedliche Weglänge in demselben Magnetfeld besitzen, und folglich um verschiedene Winkel abgelenkt werden.
- US 4 276 477 offenbart ein Gerät, das eine Ionenstrahlquelle, eine Ablenkeinrichtung zur Ablenkung des Ionenstrahls und eine magnetischen Dipoleinrichtung enthält, um einen Abtastionenstrahl zur Verfügung zu stellen, der parallele Bahnen besitzt. Die Ablenkmagneten, die in US 4 276 477 benutzt werden, unterscheiden sich im Aufbau und erzeugen eine von der des Antragstellers abweichende Feldkonfiguration.
- US 2 777 958 offenbart ein magnetisches Gerät zur Fokussierung eines Teilchenstrahls zum Gebrauch in einem Elektronenspektrometer.
- Der hier offenbarte Magnet wirkt auch als eine Linse, in der Ionen um verschiedene Winkel, abhängig vom Eintrittspunkt, abgelenkt werden, aber er unterscheidet sich von dem Keilmagneten dadurch, daß die Ionen alle im wesentlichen dieselbe Weglänge im Gebiet des Magnetfeldes besitzen. In diesem Fall ergeben sich verschiedene Ablenkwinkel, da das Magnetfeld in verschiedenen Bereichen des Magneten unterschiedlich ist. Die Magnetpole sind rechteckig, wenn sie aus einer Richtung, die senkrecht zur Mittelebene des Spaltes ist, gesehen werden, jedoch ändert sich die Spaltweite mit der Position x entlang des Magneten. Die Änderung von D verursacht eine Änderung im Magnetfeld B in dem Spalt, derart, daß B (x)α 1/D(x) ist. Fig. 1 veranschaulicht die Form der Pole, indem es den rechteckigen Querschnitt und die sich verändernde Spaltbreite zeigt.
- Nimmt man an, daß die Änderung des Feldes in dem Magneten als Funktion von x gegeben ist durch
- B(x) = B&sub0; (1 + ax + bx² + ----),
- wobei B&sub0; das Feld bei x=0 und a, b, -- Konstanten sind. Die Werte von Bo und den Konstanten können mit einem Computerprogramm berechnet werden, derart, daß Ionen, die von einem Punkt vor dem Magneten ausstrahlen, aus dem Magneten parallel zueinander hervortreten. Das Programm "Raytrace" berechnet die Austrittswinkel einer Reihe von Strahlen, und die Konstanten a, b, --- werden dann so lange angepaßt, bis die Bedingung der Parallelität mit der erforderlichen Genauigkeit erfüllt werden. Um das erforderliche magnetische Feldprofil zu erreichen, soll der Spalt D gegeben sein durch:
- D = D&sub0; (1 + ax + bx + - -)&supmin;¹
- Diese Änderung von D wird durch mechanische Bearbeitung des entsprechenden Profils auf jedem der Pole, wie in Fig. 1 gezeigt, erreicht.
- Fig. 2 veranschaulicht Ionenbahnen, die von einem Punkt ausstrahlen und die durch einen rechteckigen, nicht gleichförmigen Feldmagneten so abgelenkt werden, daß alle Bahnen aus dem Magneten parallel zueinander heraustreten.
- Es ist hinreichend bekannt (s. z. B. H.A. Enge, Rev. Sci. Instrum. 35, 1964, 278), daß das Magnetfeld zwischen Polen mit scharfen Ecken sich über die physikalischen Polecken hinaus ausdehnt. Um die Ablenkung von geladenen Teilchen zu berechnen, kann eine effektive Feldgrenze (EFB) von "Effective Field Boundary" definiert werden, und im allgemeinen ist die Entfernung Δ von den Polecken zu der EFB proportional zu dem Polspalt D:
- Σ 0,07 D, wie in dem oben zitierten Aufsatz dargelegt wird. Die Änderung des Magnetfeldes B mit der Entfernung z von den Polenden und die Anordnung der EFB für zwei unterschiedliche Werte von D, ist in Fig. 3a veranschaulicht. Fig. 4a zeigt den Ort der EFB in der x-z-Ebene für die Magnetpole, die in Fig. 1 veranschaulicht sind. Die EFB ist gebogen im Verhältnis zu der Krümmung des Polspaltprofils, wobei die Ausdehnung des Streufeldes größer ist, wo der Polspalt größer ist. Folglich unterscheidet sich die Weglänge der Strahlen in den Streufeldern für unterschiedliche Gegenden des Magneten, und es ist notwendig, dies in Betracht zu ziehen, wenn die Werte für die Konstanten a, b, ---, die das Polprofil definieren, berechnet werden. Die Methode zur Berechnung besteht darin, Anfangswerte der Konstanten unter Vernachlässigung der EFB-Krümmung zu bestimmen und dann iterativ neue Werte unter Einschluß der Krümmung zu berechnen, bis eine selbstkonsistente Lösung erhalten wird.
- Eine alternative Ausführungsform der Erfindung besteht darin, eine Magneten herzustellen, bei dem die Streufelder mittels Feldhalteeinrichtungen oder "Feldklemmen" (auch bekannt als Spiegelplatten) beschränkt werden, derart, daß die EFB linear wird, wie in Fig. 4b gezeigt. Die Benutzung von Feldklemmen wurde schon früher beschrieben (s. den zitierten Aufsatz). Der Effekt einer solchen Klemme ist es, das Feld auf einen sehr niedrigen Wert innerhalb des Spaltes der Klemme zu beschränken und folglich das EFB an einer festgelegten Stelle zu erhalten, unabhängig von dem Polspalt D oder dem Feld B (s. Fig. 3b). Als ein Ergebnis der Benutzung von Feldklemmen ist es möglich, die erforderliche Form der Pole zu berechnen unter der Annahme, daß die EFBs auf jeder Seite des Magneten linear und parallel sind. Dies vereinfacht die Berechnung, und überdies kann, wenn der Magnet gefertigt wird, die Linearität und Parallelität der EFBs durch die Abstimmung der Form und der Plazierung der Feldklemmen sichergestellt werden.
- Fig. 5 zeigt ein komplettes ionenoptisches System, das auf der Benutzung eines rechtwinkligen, nicht gleichförmigen Feldmagneten, wie er hier beschrieben wurde, zusammen mit anderen magnetischen und elektrostatischen Komponenten, die alle in der Patentanmeldung von Berrian et al. beschrieben wurden, basiert.
Claims (6)
1. Vorrichtung zum Erzeugen eines Abtastionenstrahls mit im
wesentlichen parallelen Ionenbahnen, wobei die Vorrichtung
aufweist: eine Ionenstrahlquelle, eine Ablenkeinrichtung, um
den Ionenstrahl im wesentlichen in einer Strahlebene
abzulenken und einen abgelenkten Ionenstrahl zu liefern, eine
magnetische Dipollinseneinrichtung zum Ausbilden eines Magnetfelds
zur Ablenkung des abgelenkten Ionenstrahls, um einen
Abtastionenstrahl mit im wesentlichen parallelen Ionenbahnen zu
bilden, der nach Austritt aus der magnetischen
Dipollinseneinrichtung längs einer ersten Achse verläuft, wobei die
magnetische Dipollinseneinrichtung ein Paar von Magnetpolen
hat,
dadurch gekennzeichnet,
daß jeder der Magnetpole Rechteckquerschnitt in Ebenen hat,
die zu der Strahlebene parallel sind, wobei diese Pole
zwischen sich einen Spalt gleichmäßiger Breite an jedem Punkt
entlang der genannten ersten Achse und veränderlicher Breite
entlang einer zweiten Achse, die parallel zu der Strahlebene
und senkrecht zu der ersten Achse verläuft, bilden, so daß in
dem Spalt ein nichtgleichmäßiges Magnetfeld ausgebildet ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Ablenkeinrichtung Mittel zum Ablenken des
Ionenstrahls zu einem Abtaststrahl mit divergierenden Ionenbahnen
aufweist,
daß die magnetische Dipollinseneinrichtung die
divergierenden Abtastionenbahnen zu einem Abtaststrahl ablenkt, der
im wesentlichen parallele Ionenbahnen hat, die entlang der
ersten Achse und in einer Ebene verlaufen, die durch die
erste Achse und eine dazu quer verlaufende zweite Achse
definiert ist, und
daß die magnetische Dipollinseneinrichtung aufweist
ein Paar von Magnetpolstücken mit gegenüberstehenden
Flächen, die zwischen sich einen Spalt bilden, durch den die
divergierenden Ionenbahnen gehen,
wobei die Magnetpolstücke den Spalt so begrenzen, daß er
eine im wesentlichen gleichmäßige Längendimension entlang der
ersten Achse und zwischen den Polstücken eine ausgewählte
Breitendimension hat, die mit der Lage entlang der zweiten
Achse veränderlich ist, wobei die zweite Achse zu der
Spaltbreite quer verläuft,
so daß die Magnetpolstücke in dem Spalt ein Magnetfeld
ausbilden, das entlang der ersten Achse im wesentlichen
gleichförmig ist und sich entlang der zweiten Achse selektiv
ändert.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß jedes Polstück mit einer Seite des Rechteckquerschnitts
parallel zu der ersten Achse orientiert ist und mit einer
weiteren Seite parallel zu einer zweiten Achse quer zu der
ersten Achse verläuft.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1,
gekennzeichnet durch
Mittel, um das Magnetfeld zwischen dem Paar von Polstücken im
wesentlichen zu beschränken, so daß es im Inneren des Spalts
liegt.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1,
gekennzeichnet durch
eine Feldhalteeinrichtung, um die effektive Feldgrenze des
Magnetfelds zwischen dem Paar von Polen so zu halten, daß sie
eine im wesentlichen unveränderliche bekannte Lage hat.
6. Verfahren zum Erzeugen eines Abtastionenstrahls mit im
wesentlichen parallelen Ionenbahnen entlang einer ersten
Achse, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
Aussetzen eines Abtastionenstrahls mit divergierenden
Ionenbahnen einem Ablenkmagnetfeld, das von einem Paar von
Magnetpolen erzeugt wird, die gegenüberstehende Flächen
haben, die zwischen sich einen Spalt zum Durchtritt der
divergierenden Bahnen definieren,
gekennzeichnet durch
den Schritt der Ausbildung des Ablenkmagnetfelds mit einem
Wert, der sich mit der Position entlang einer zweiten Achse
ändert, die parallel zu der Ebene des Strahls und quer zu der
ersten Achse verläuft, den Schritt der Bereitstellung des
Ablenkmagnetfelds, der aufweist: Anordnen der magnetischen
Polstücke derart, daß sie zwischen sich eine Spaltbreite - senkrecht
zu der ersten und der zweiten Achse gemessen - haben,
die im wesentlichen gleichförmig - entlang der ersten
Achse gemessen - ist und sich fortschreitend entlang der
zweiten Achse ändert, und Anordnen der magnetischen Polstücke
so, daß sie in Ebenen, die parallel zu der Ebene des Strahls
sind, einen Rechteckquerschnitt haben.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/899,966 US4745281A (en) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | Ion beam fast parallel scanning having dipole magnetic lens with nonuniform field |
PCT/US1987/002135 WO1988001731A1 (en) | 1986-08-25 | 1987-08-24 | Ion beam fast parallel scanning having dipole magnetic lens with nonuniform field |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3782240D1 DE3782240D1 (de) | 1992-11-19 |
DE3782240T2 true DE3782240T2 (de) | 1993-02-25 |
Family
ID=25411787
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE8787905709T Expired - Fee Related DE3782240T2 (de) | 1986-08-25 | 1987-08-24 | Schnelle parallelabtastung mit ionenstrahlen mit einer bipolaren magnetischen linse mit uneinheitlichem feld. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4745281A (de) |
EP (1) | EP0278969B1 (de) |
JP (1) | JPH01501187A (de) |
AT (1) | ATE81566T1 (de) |
DE (1) | DE3782240T2 (de) |
WO (1) | WO1988001731A1 (de) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE463055B (sv) * | 1989-02-10 | 1990-10-01 | Scanditronix Ab | Anordning foer att bestraala artiklar med elektroner samt magnetisk lins foer avboejning av straalar av laddade partiklar, saerskilt elektroner |
US5053627A (en) * | 1990-03-01 | 1991-10-01 | Ibis Technology Corporation | Apparatus for ion implantation |
JP2648642B2 (ja) * | 1990-04-17 | 1997-09-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 巾広ビームでイオンインプランテーションを行なう方法及び装置 |
US5311028A (en) * | 1990-08-29 | 1994-05-10 | Nissin Electric Co., Ltd. | System and method for producing oscillating magnetic fields in working gaps useful for irradiating a surface with atomic and molecular ions |
US5132544A (en) * | 1990-08-29 | 1992-07-21 | Nissin Electric Company Ltd. | System for irradiating a surface with atomic and molecular ions using two dimensional magnetic scanning |
US5350926A (en) * | 1993-03-11 | 1994-09-27 | Diamond Semiconductor Group, Inc. | Compact high current broad beam ion implanter |
US5438203A (en) * | 1994-06-10 | 1995-08-01 | Nissin Electric Company | System and method for unipolar magnetic scanning of heavy ion beams |
US5481116A (en) * | 1994-06-10 | 1996-01-02 | Ibis Technology Corporation | Magnetic system and method for uniformly scanning heavy ion beams |
US5557178A (en) * | 1994-11-01 | 1996-09-17 | Cornell Research Foundation, Inc. | Circular particle accelerator with mobius twist |
US5672879A (en) * | 1995-06-12 | 1997-09-30 | Glavish; Hilton F. | System and method for producing superimposed static and time-varying magnetic fields |
US5834786A (en) * | 1996-07-15 | 1998-11-10 | Diamond Semiconductor Group, Inc. | High current ribbon beam ion implanter |
AU1067799A (en) * | 1997-10-07 | 1999-04-27 | Sti Optronics Inc. | Magnetic separator for linear dispersion and method for producing the same |
US6521895B1 (en) | 1999-10-22 | 2003-02-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wide dynamic range ion beam scanners |
US6677599B2 (en) * | 2000-03-27 | 2004-01-13 | Applied Materials, Inc. | System and method for uniformly implanting a wafer with an ion beam |
AU2001270133A1 (en) | 2000-06-22 | 2002-01-02 | Proteros, Llc | Ion implantation uniformity correction using beam current control |
US6762423B2 (en) * | 2002-11-05 | 2004-07-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Methods and apparatus for ion beam neutralization in magnets |
US6933511B2 (en) * | 2003-11-18 | 2005-08-23 | Atomic Energy Council Institute Of Nuclear Energy Research | Ion implanting apparatus |
JP4646574B2 (ja) * | 2004-08-30 | 2011-03-09 | 株式会社日立製作所 | データ処理システム |
US8164070B2 (en) * | 2008-12-05 | 2012-04-24 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Collimator magnet for ion implantation system |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE509097A (de) * | 1951-02-10 | |||
US3122631A (en) * | 1960-02-05 | 1964-02-25 | Atlas Werke Ag | Apparatus for focusing a line type ion beam on a mass spectrometer analyzer |
US3379911A (en) * | 1965-06-11 | 1968-04-23 | High Voltage Engineering Corp | Particle accelerator provided with an adjustable 270deg. non-dispersive magnetic charged-particle beam bender |
FR2036373A5 (de) * | 1969-03-12 | 1970-12-24 | Thomson Csf | |
GB1280013A (en) * | 1969-09-05 | 1972-07-05 | Atomic Energy Authority Uk | Improvements in or relating to apparatus bombarding a target with ions |
US3816748A (en) * | 1972-04-28 | 1974-06-11 | Alpha Ind Inc | Ion accelerator employing crossed-field selector |
US4021675A (en) * | 1973-02-20 | 1977-05-03 | Hughes Aircraft Company | System for controlling ion implantation dosage in electronic materials |
US4017403A (en) * | 1974-07-31 | 1977-04-12 | United Kingdom Atomic Energy Authority | Ion beam separators |
JPS5836464B2 (ja) * | 1975-09-12 | 1983-08-09 | 株式会社島津製作所 | シツリヨウブンセキソウチ |
DE2702445C3 (de) * | 1977-01-20 | 1980-10-09 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur verkleinernden Abbildung einer Maske auf ein zu bestrahlendes Präparat |
US4117339A (en) * | 1977-07-01 | 1978-09-26 | Burroughs Corporation | Double deflection electron beam generator for employment in the fabrication of semiconductor and other devices |
NL182924C (nl) * | 1978-05-12 | 1988-06-01 | Philips Nv | Inrichting voor het implanteren van ionen in een trefplaat. |
US4276477A (en) * | 1979-09-17 | 1981-06-30 | Varian Associates, Inc. | Focusing apparatus for uniform application of charged particle beam |
JPS57182956A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-11 | Hitachi Ltd | Ion-implantation device |
US4447773A (en) * | 1981-06-22 | 1984-05-08 | California Institute Of Technology | Ion beam accelerator system |
US4433247A (en) * | 1981-09-28 | 1984-02-21 | Varian Associates, Inc. | Beam sharing method and apparatus for ion implantation |
FR2532112A1 (fr) * | 1982-08-17 | 1984-02-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour faire varier en fonction du temps la trajectoire d'un faisceau de particules chargees |
US4587433A (en) * | 1984-06-27 | 1986-05-06 | Eaton Corporation | Dose control apparatus |
JPH0630237B2 (ja) * | 1984-09-10 | 1994-04-20 | 株式会社日立製作所 | イオン打込み装置 |
US4661712A (en) * | 1985-05-28 | 1987-04-28 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for scanning a high current ion beam with a constant angle of incidence |
-
1986
- 1986-08-25 US US06/899,966 patent/US4745281A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-08-24 EP EP87905709A patent/EP0278969B1/de not_active Expired
- 1987-08-24 DE DE8787905709T patent/DE3782240T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-08-24 WO PCT/US1987/002135 patent/WO1988001731A1/en active IP Right Grant
- 1987-08-24 JP JP62505290A patent/JPH01501187A/ja active Granted
- 1987-08-24 AT AT87905709T patent/ATE81566T1/de not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4745281A (en) | 1988-05-17 |
EP0278969A4 (de) | 1988-12-12 |
EP0278969B1 (de) | 1992-10-14 |
JPH01501187A (ja) | 1989-04-20 |
DE3782240D1 (de) | 1992-11-19 |
ATE81566T1 (de) | 1992-10-15 |
WO1988001731A1 (en) | 1988-03-10 |
JPH0568058B2 (de) | 1993-09-28 |
EP0278969A1 (de) | 1988-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3782240T2 (de) | Schnelle parallelabtastung mit ionenstrahlen mit einer bipolaren magnetischen linse mit uneinheitlichem feld. | |
DE69230174T2 (de) | Flugzeitmassenspektrometer mit einer oeffnung zum ausgleich von uebertragungsvermoegen und aufloesung | |
EP0218920B1 (de) | Elektronenenergiefilter vom Omega-Typ | |
DE69302729T2 (de) | Ionenimplantier-Gerät mit Fokusiereigenschaften in der Ebene senkrecht zur Rasterebene | |
DE69118492T2 (de) | Massenspektrometer mit elektrostatischem Energiefilter | |
DE69903827T2 (de) | Überwachungstechnik für einen teilchenstrahl | |
DE3913965A1 (de) | Direkt abbildendes sekundaerionen-massenspektrometer mit laufzeit-massenspektrometrischer betriebsart | |
DE1798021B2 (de) | Einrichtung zur buendelung eines primaer-ionenstrahls eines mikroanalysators | |
DE2825760C2 (de) | Einrichtung zum alternativen Nachweis von positiv und negativ geladenen Ionen am Ausgang eines Massenspektrometers | |
DE1948396A1 (de) | Vorrichtung zur Beschleunigung und Ablenkung eines Ionenstrahles | |
DE2538123A1 (de) | Anordnung zum massenspektrometrischen nachweis von ionen | |
DE69623728T2 (de) | Massenspektrometer | |
DE3231036C2 (de) | ||
DE2331091C3 (de) | Einrichtung zur Bestimmung der Energie geladener Teilchen | |
DE69121463T2 (de) | Ionenbündelvorrichtung | |
DE4041297A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum waehlen der aufloesung eines ladungsteilchenstrahl-analysators | |
DE1598392A1 (de) | Vierpol-Massenspektrograph | |
DE3923345A1 (de) | Ionenimplantationssystem | |
DE2705430A1 (de) | Elektrostatischer analysator fuer geladene teilchen | |
EP0633602B1 (de) | Flugzeit-Massenspektrometer mit Gasphasen-Ionenquelle, mit hoher Empfindlichkeit und grossem dynamischem Bereich | |
DE4016138A1 (de) | Gleichzeitig erfassendes massenspektrometer | |
DE3020281C2 (de) | Vorrichtung zur Doppelablenk-Abtastung eines Partikelstrahls | |
DE2659385C3 (de) | Ionen-Mikrosonden-Analysator | |
DE4322101C2 (de) | Ionenquelle für Flugzeit-Massenspektrometer | |
DE69610823T2 (de) | Generator für bandförmigen ionenstrahl |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: BLUMBACH, KRAMER & PARTNER, 65193 WIESBADEN |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.(N. |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |