DE3761930D1 - Herstellung von elektronischen bauelementen durch ein lithographisches verfahren. - Google Patents

Herstellung von elektronischen bauelementen durch ein lithographisches verfahren.

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Elsa Reichmanis
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    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5064681A (en) * 1986-08-21 1991-11-12 International Business Machines Corporation Selective deposition process for physical vapor deposition
US5139922A (en) * 1987-04-10 1992-08-18 Matsushita Electronics Corporation Method of making resist pattern
JPH02500152A (ja) * 1987-05-21 1990-01-18 ヒューズ・エアクラフト・カンパニー シリコン含有ネガレジスト材料および基体のパターン化用処理方法
US4935094A (en) * 1989-05-26 1990-06-19 At&T Bell Laboratories Negative resist with oxygen plasma resistance
JP2707785B2 (ja) * 1990-03-13 1998-02-04 富士通株式会社 レジスト組成物およびパターン形成方法
US5693928A (en) 1996-06-27 1997-12-02 International Business Machines Corporation Method for producing a diffusion barrier and polymeric article having a diffusion barrier
TW574622B (en) * 2000-05-05 2004-02-01 Ibm Copolymer photoresist with improved etch resistance
CN102870247A (zh) * 2010-03-18 2013-01-09 得克萨斯大学体系董事会 含硅嵌段共聚合物及其合成和使用方法
WO2017110290A1 (ja) 2015-12-22 2017-06-29 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、半導体デバイス製造プロセス用樹脂の製造用モノマー、樹脂、樹脂の製造方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び、感活性光線性又は感放射線性膜

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3453136A (en) * 1967-01-05 1969-07-01 Dow Corning Primer for room temperature vulcanizing polyurethanes
DE3271595D1 (de) * 1982-05-03 1986-07-10 Ibm Poly(halostyrene) for negative resists
US4551417A (en) * 1982-06-08 1985-11-05 Nec Corporation Method of forming patterns in manufacturing microelectronic devices
JPS59148055A (ja) * 1983-02-14 1984-08-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 感エネルギ−線材料及びその使用方法
JPS59148056A (ja) * 1983-02-14 1984-08-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高エネルギ−線感応材料及びその使用方法
JPS59208542A (ja) * 1983-05-12 1984-11-26 Nec Corp レジスト材料
JPS6069647A (ja) * 1983-09-27 1985-04-20 Fujitsu Ltd パタ−ン形成方法
US4481049A (en) * 1984-03-02 1984-11-06 At&T Bell Laboratories Bilevel resist
JPS60212757A (ja) * 1984-04-06 1985-10-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> レジスト材料
JPS61151530A (ja) * 1984-12-26 1986-07-10 Kanto Kagaku Kk 電子線レジスト材料組成物

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