DE3717253C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine direkte Parallelschaltung abschaltbarer Halbleiterelemente, wie über das Gate abschaltbare (GTO-) Thyristoren und Transistoren, der im Oberbegriff des Patentanspruchs genannten Art.

Eine solche Schaltung ist aus der DE 33 22 641 A1 bekannt.

Die Fig. 9a und 9b der Zeichnung zeigen eine Schaltung bzw. Spannungs/Strom-Wellenformen zur Erläuterung der Arbeitsweise der bekannten Schaltung.

Die Fig. 9a zeigt eine Äquivalenzschaltung des in der erwähnten Druckschrift beschriebenen Aufbaus. Ein GTO 1 und ein GTO 2 mit gleichen Nennströmen sind parallelgeschaltet, wobei ihre Gate-Anschlüsse miteinander über eine Gate-Hilfsleitung Ga und ihre Kathoden miteinander über eine Kathoden-Hilfsleitung Ka verbunden sind. Eine Einschalt-Stromversorgung 3 und eine Ausschalt-Stromversorgung 4 sind in Reihe miteinander verbunden. Ein Transistor 5, ein Widerstand 6, eine Drosselspule 7 und ein Thyristor 8 sind in Reihe zwischen den Stromversorgungen 3 und 4 angeordnet. Die Verbindungsstelle bzw. der Mittelpunkt zwischen dem Widerstand 6 und der Drosselspule 7 ist mit dem gemeinsamen Gate-Anschluß G der GTOs 1 und 2 verbunden und der Mittelpunkt zwischen den Stromversorgungen 3 und 4 ist an die Kathoden-Hilfsleitung Ka angeschlossen. A und K sind die Hauptanschlüsse, mit denen die Anoden und Kathoden der GTOs 1 und 2 verbunden sind.

Die Besonderheit dieser Schaltung liegt in der Gate-Hilfsleitung Ga und der Kathoden-Hilfsleitung Ka.

Wenn dem Transistor 5 ein Signal zugeführt wird, fließt ein Gate-Einschaltstrom zum Gate G, wodurch die GTOs 1 und 2, die gleiche Nennströme haben, eingeschaltet werden. Andererseits fließt, wenn dem Thyristor 8 ein Signal zugeführt wird, ein Gate-Ausschaltstrom zum Gate G, wodurch die GTOs 1 und 2 abgeschaltet werden. Wenn die GTOs 1 und 2 im wesentlichen die gleichen statischen und Übergangs-Eigenschaften haben, sind die Ströme i_A1 und i_A2, die durch die GTOs 1 und 2 fließen, ausgeglichen, wenn die GTOs 1 und 2 ein- oder ausgeschaltet werden, und zwar aufgrund der Gate-Hilfsleitung Ga und der Kathoden-Hilfsleitung Ka, wie es in der Fig. 9b gezeigt ist, in der v_AK die Anoden-Kathodenspannung der GTOs 1 und 2 ist sowie i_GON1 und i_GON2 die Einschaltströme der GTOs 1 und 2 und i_GOFF1 und i_GOFF2 die Ausschaltströme der GTOs 1 und 2 sind.

Etwas unterschiedliche, fertigungsbedingte Kenndaten der parallel geschalteten Thyristoren können somit während des Ein- und Ausschaltens ausgeglichen werden.

In der bekannten Schaltung haben jedoch die Thyristoren grundsätzlich die gleichen zulässigen Nennströme, so daß allen parallel geschalteten GTO-Thyristoren von vornherein im wesentlichen die gleichen Einschalt- und Ausschaltströme zugeführt werden. Das entspricht dem schaltungstechnischen Grundsatz, daß bei Parallelschaltung von mehreren Halbleiterelementen alle Elemente für den gleichen zulässigen Nennstrom ausgelegt werden müssen.

Aus der Druckschrift "Abschaltthyristoren richtig angesteuert", W. Keuter, Technische Mitteilung 14, AEG Aktiengesellschaft, Warstein-Belecke, 2/86, Seiten 9/10 ist es bekannt, zur Begrenzung der Anstiegs- und Spitzenwerte des Gesamtsteuerstromes die Ansteuerschaltung für einen einzigen Thyristor mit einer Serienschaltung aus einem ohmschen Widerstand und einer Induktivität zu versehen.

Aus der JP-58 117 724 A (Patent Abstracts of Japan, Sect. E, Vol. 7, 1983, Nr. 226 (E-202)) ist es bekannt, zur Verringerung der Induktivität zwischen der Gate-Elektrode jedes GTO-Thyristors in einer Anzahl parallel geschalteter Thyristoren und einer Gate-Leistungsversorgung Ausgleichsinduktivitäten vorzusehen. Auch hier haben die einzelnen Thyristoren jedoch jeweils den gleichen zulässigen Nennstrom.

Aus der DE 31 29 696 A1 ist es schließlich noch bekannt, parallelgeschaltete Halbleiter, deren Ein- und Ausschaltzeiten herstellungsbedingt etwas voneinander abweichen, durch eine sehr aufwendige zeitliche Steuerung der einzelnen Steuerströme aneinander anzupassen.

Der Erfindung liegt demgegenüber die Aufgabe zugrunde, bei direkter Parallelschaltung von mehreren Abschalt-Halbleiterelementen, z. B. GTO-Thyristoren oder Leistungstransistoren, die unterschiedliche zulässige Nennströme haben, ein gleichzeitiges Einschalten und Ausschalten der parallel geschalteten Elemente zu gewährleisten.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den im Kennzeichen des Patentanspruchs angegebenen Maßnahmen gelöst. Jedem von mehreren direkt parallel geschalteten Halbleiterelementen, die jeweils unterschiedliche zulässige Nennstromwerte haben, wird somit ein Einschaltstrom bzw. ein Ausschaltstrom zugeführt, der dem jeweils zulässigen Nennstromwert entspricht. Genauer wird der Ein/Ausschalt-Steuerstrom so im Verhältnis zum Nennstrom eines jeden der parallelgeschalteten Halbleiterelementes zu diesen geführt, daß die Halbleiterelemente mit verschiedenen Nennströmen im wesentlichen gleichzeitig ein/ausgeschaltet werden. Um den Steuerstrom proportional zum Nennstrom der Halbleiterelemente zu machen, wird der Einschalt-Steuerstrom der Steuerelektrode aus der gleichen Einschalt-Stromversorgung durch einen Widerstand mit einem Wert in umgekehrter Beziehung zu dem Verhältnis der Nennströme der Halbleiterelemente und der Ausschalt-Steuerstrom zu den Steuerelektroden von der gleichen Ausschalt-Stromversorgung durch eine Drosselspule oder einen Widerstand mit einem Wert in umgekehrter Beziehung zu dem Verhältnis der Nennströme der Halbleiterelemente geführt. Der Grund, warum ein Widerstand zur Zuführung des Einschalt-Steuerstromes verwendet wird, ist der, daß der Spitzenwert des Einschalt-Steuerstromes so festgelegt ist, daß die abschaltbaren Halbleiterelemente als Schaltelemente sicher eingeschaltet werden, wobei die Anstiegsrate des Steuerstromes di/dt aufgrund des Nichtvorhandenseins einer Drosselspule angehoben werden kann. Der Grund, warum eine Drosselspule zur Zuführung des Ausschalt-Steuerstromes verwendet wird, ist der, daß, wenn das abschaltbare Halbleiterelement ein GTO-Thyristor ist, dieser sicher abgeschaltet wird (im Falle von Transistoren können auch andere Einrichtungen als Drosselspulen verwendet werden).

Die Erfindung wird im folgenden anhand der Fig. 1 bis 8 der Zeichnung beispielsweise näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 ein Schaltbild einer ersten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen direkten Parallelschaltung mit GTOs;

Fig. 2 Spannungs/Strom-Wellenformen zur Erläuterung der Arbeitsweise der Schaltung der Fig. 1;

Fig. 3 die Beziehung zwischen der n-Emitterfläche eines GTO und dem Zündstrom davon;

Fig. 4 die Beziehung zwischen der Gate-Übersteuerungsrate und der Einschaltzeit eines GTO;

Fig. 5 die Beziehung zwischen dem Wert di_GQ/dt und dem Ausschaltstrom eines GTO;

Fig. 6 ein Schaltbild einer zweiten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen direkten Parallelschaltung mit GTOs;

Fig. 7 ein Schaltbild einer dritten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen direkten Parallelschaltung mit Transistoren; und

Fig. 8 die Beziehung zwischen der Ein/Ausschaltzeit und dem Wert ±IB bei festem h_FE.

(Die Fig. 9a und 9b sind eingangs mit Bezug zum Stand der Technik bereits erläutert.)

In der Fig. 1 sind ein GTO-Thyristor 9 und ein GTO-Thyristor 10, die gleiche Nennspannung und verschiedene zulässige Nennströme bzw. Strombelastbarkeiten aufweisen, direkt zwischen einem Anodenanschluß A und einem Kathodenanschluß K parallelgeschaltet. Die Gate-Anschlüsse G₉ und G₁₀ der jeweiligen GTOs sind durch eine zusätzliche Gate-Hilfsleitung Ga miteinander verbunden und die Kathoden K₉ und K₁₀ davon durch eine zusätzliche Kathoden-Hilfsleitung Ka. Der Stromkreis wird durch das Anschließen einer Reihenschaltung aus einer Einschalt-Stromversorgung 3 und einer Ausschalt-Stromversorgung 4; einem Transistor 5 zum Schalten eines Gate- Einschaltstromes; eine Parallelschaltung aus einer Reihenverbindung eines Widerstandes 11 und einer Drosselspule 13 und, parallel dazu, einer weiteren Reihenverbindung eines Widerstandes 12 und einer Drosselspule 14; sowie einem Thyristor 8 zum Schalten eines Gate-Ausschaltstromes geschlossen. Die Verbindungsstelle (der Mittelpunkt) N₁ zwischen dem Widerstand 11 und der Drosselspule 13 ist mit dem Gate G₉ des GTO 9 verbunden, die Verbindungsstelle (der Mittelpunkt) N₂ zwischen dem Widerstand 12 und der Drosselspule 13 ist mit dem Gate G₁₀ des GTO 10 verbunden und die Verbindungsstelle (der Mittelpunkt) N₀ zwischen der Einschalt- Stromversorgung 3 und der Ausschalt-Stromversorgung 4 ist mit dem Mittelpunkt der Kathoden-Hilfsleitung Ka verbunden. Die Werte der Widerstände 11, 12 und der Drosselspulen 13, 14 sind so eingestellt, daß sie zur Zuführung des Einschaltstromes und des Ausschaltstromes im umgekehrten Verhältnis zu den zulässigen Nennströmen der GTOs stehen.

Genauer sind, wenn angenommen wird, daß der zulässige Nennstrom des GTO 9 gleich 200 A und der des GTO 10 gleich 300 A ist, die Widerstandswerte der Widerstände 11 und 12 gleich 3 : 2 gewählt, und die Induktivitäten der Drosselspulen 13 und 14 ebenfalls gleich 3 : 2. In diesem Fall sind die Widerstandswerte der Drosselspulen so klein wie möglich und auf das gleiche Verhältnis wie oben eingestellt. Ein Beispiel für die Widerstandswerte und Induktivitäten unter der Annahme, daß die Spannung der Einschalt- und Ausschaltstromversorgungen gleich 12 V ist, ist in der folgenden Tabelle dargestellt:

Im folgenden wird die Arbeitsweise der direkt parallel verbundenen GTO-Schaltung mit dem beschriebenen Aufbau erläutert.

Wenn der Transistor 5 schaltet, werden zuerst die Einschalt- Gateströme i_G1 und i_G2, die den Nennströmen des GTO 9 und GTO 10 entsprechen, über die Widerstände 11 und 12 an den GTO 9 und den GTO 10 angelegt. Der Zündstrom I_GT, der vom Nennstrom bestimmt wird, ist im GTO 9, der einen kleineren Nennstrom hat als der GTO 10, kleiner, so daß der GTO 9 ein klein wenig früher als der GTO 10 eingeschaltet wird. Das Gate-Kathoden-Potential des GTO 9 nimmt dann durch den Haupt-Schaltungsstrom i_A1 zu, so daß das Potential am Gate G₉ höher wird als das am Gate G₁₀. Im Ergebnis fließt der Strom durch die Gate-Hilfsleitung Ga vom Gate G₉ zum Gate G₁₀. Dieser Strom addiert sich zum Gate-Einschaltstrom i_G2 des GTO 10, der vom Widerstand 12 kommt, wodurch die Gate- Übersteuerungsrate des GTO 10 in diesem Umfang angehoben wird. Entsprechend wird der GTO 10 ebenfalls abrupt eingeschaltet, so daß der Schaltungs-Hauptstrom i_A2 durch den GTO 10 fließt. Auf diese Weise gleicht das Vorhandensein der Gate-Hilfsleitung Ga die Einschaltoperation aus.

Durch Einschalten des Thyristors 8 wird erreicht, daß Gate- Abschaltströme i_G1 und i_G2 in einer Richtung entgegengesetzt zu den in der Fig. 1 gezeigten Pfeilen von der Ausschalt- Stromversorgung 4 zu den GTOs 9 und 10 fließen. Wenn dann der GTO 9 früher als der GTO 10 abgeschaltet wird, nimmt die Gate-Kathoden-Impedanz des GTO 9 zu und der Gate-Auschaltstrom i_G1 nimmt abrupt ab. Andererseits fließt, da der GTO 10 noch eingeschaltet ist, der Strom durch die Gate-Hilfsleitung Ga vom Gate G₁₀ zum Gate G₉. Da dieser Strom verursacht, daß ein größerer Gate-Ausschaltstrom zum GTO 10 fließt, schreitet das Abschalten des GTO abrupt fort, wodurch die Ausschaltzeit davon verkürzt wird. Auf diese Weise wird das Abschalten ausgeglichen.

Die Fig. 2 zeigt Spannungs-Strom-Wellenformen, wenn das Verhältnis der Nennströme des GTO 9 und GTO 10 gleich 2 : 3 ist. V_AK ist die zwischen dem Anodenanschluß A und dem Kathodenanschluß K angelegte Spannung. Wie aus der Darstellung hervorgeht, kann erfindungsgemäß, sogar wenn GTOs mit verschiedenen Nennströmen direkt parallel verbunden sind, ein gutes Ein/Ausschaltverhalten erreicht werden (im Ein-Zustand fließen die Ströme im Verhältnis zu den Nennströmen der GTOs dadurch). Wenn der Hauptstrom gleich 450 A ist, kann somit eine Parallelverbindung eines GTO mit 300 A Nennstrom und eines GTO mit 200 A Nennstrom angewendet werden, wobei ein Übermaß oder Spielraum von nur 10% vorliegt.

Der Grund, warum die Parallelverbindung der GTOs mit verschiedenen Nennströmen auf diese Weise arbeitet, wird nun genauer erläutert.

Ein GTO ist im allgemeinen aus einem pnpn-Vierlagenstruktur- Halbleitersubstrat aufgebaut, wobei deren n-Kathoden-Emitterlagen Streifenform haben. Die Anzahl der streifenförmigen Kathoden-Emitterlagen wird durch den zulässigen Nennstrom des GTO festgelegt. Jede Kathode-Emitterlage ist von einer Gate-Elektrodenschicht umgeben. Dies kann so gesehen werden, daß GTO-Einheiten mit jeweils einer Endlage der streifenförmigen Kathoden-Emitterlage entsprechend der Anzahl der streifenförmigen Kathoden-Emitterlagen im Halbleitersubstrat zusammengesetzt sind.

Die Fig. 3 zeigt die Beziehung zwischen der Fläche einer n-Emitterschicht in einem GTO (das heißt eine Kathoden-Emitterlage) und I_GT (das heißt dem minimalen Gatestrom, der zum Einschalten des GTO erforderlich ist). Wie aus der Zeichnung hervorgeht, nimmt der Zündstrom mit einer zunehmenden Anzahl von streifenförmigen Kathoden-Emitterlagen zu.

Die Fig. 4 zeigt die Beziehung zwischen der Gate-Übersteuerungsrate OD (dem Verhältnis des Spitzenwertes I_GP eines Gate-Einschaltstromes zum Zündstrom I_GT, das heißt OD = I_GP/I_GT) und einer Einschaltzeit. E_GON ist die Spannung der Stromversorgung 3. Die Fig. 4 zeigt, daß die Einschaltzeit verkürzt wird, wenn die Gate-Übersteuerungsrate groß wird.

Wie aus den Fig. 3 und 4 ersichtlich ist, können GTOs mit verschiedenen zulässigen Nennströmen, die direkt parallel verbunden sind, im wesentlichen gleichzeitig durch Hindurchschicken des Gate-Einschaltstromes mit einem Spitzenwert I_GP, der so festgelegt ist, daß die Gate-Übersteuerungsrate jedes GTO fest ist, eingeschaltet werden (der Spitzenwert ist in Übereinstimmung mit dem Gate-Einschaltstrom festgelegt, der in Abhängigkeit vom Nennstrom eines jeden GTO bestimmt ist). Damit kann eine Bauteilzerstörung aufgrund eines termischen di/dt-Durchbruchs, der aus einem Strom-Ungleichgewicht während des Einschaltens resultiert, verhindert werden. Es ist anzumerken, daß wie in der Fig. 4 gezeigt die Zunahmerate di_G/dt des Einschaltstromes so eingestellt ist, daß sie in jedem GTO gleich ist.

Während des stationären Ein-Zustandes ist der Strom so auf die jeweiligen GTOs aufgeteilt, so daß die Stromdichte in jedem GTO, das heißt die Ein-Spannung davon gleich ist. Das Stromaufteilungsverhältnis entspricht dem Verhältnis der Flächen der Kathoden-Emitterschichten der jeweiligen GTOs.

Die Fig. 5 zeigt die Beziehung zwischen der mittleren Umschaltrate dI_GQ/dt zwischen 0,1 I_GQ und 0,5 I_GQ (I_GQ ist der Gatestrom, der zum Abschalten jeder Einheit erforderlich ist) und der Abschaltzeit. E_GOFF ist die Spannung der Stromversorgung 4. Um jeden GTO gleichmäßig abzuschalten, ohne daß der Strom auf einen bestimmten GTO konzentriert wird, muß der Wert dI_GQ/dt für jeden GTO gleich sein. Dies gilt auch für GTOs mit verschiedenen Nennströmen. Wenn das Verhältnis der Werte dI_GQ/dt der jeweiligen GTOs in Übereinstimmung mit dem Verhältnis der Nennströme davon (und so zu dem Verhältnis der Flächen der Kathoden-Emitterschichten davon) gebracht wird, werden die Werte dI_GQ/dt der jeweiligen GTOs gleich, so daß die GTOs gleichzeitig abgeschaltet werden, wodurch der Fehler, daß der Strom auf einem bestimmten GTO konzentriert wird, vermieden wird.

Die Fig. 6 zeigt eine andere Ausführungsform der Erfindung, bei der n GTOs direkt parallelgeschaltet sind. In der Fig. 6 bezeichnen gleiche Bezugszeichen und Buchstaben gleiche Elemente wie in der Fig. 1. Tn ist ein n-ter GTO, und Rn und Ln sind ein Widerstand und eine Drosselspule, die mit dem Gate Gn des GTO Tn verbunden sind.

Die n GTOs mit verschiedenen Nennströmen, die direkt parallel verbunden sind, können auch im wesentlichen gleichzeitig ein/ausgeschaltet werden.

Auch wenn die parallel verbundenen GTOs verschiedene Nennströme, Strukturen, Eigenschaften usw. haben - ausgenommen die in den Fig. 3 bis 5 gezeigten Beziehungen, den Spannungsabfall in Vorwärtsrichtung bei gleicher Stromdichte und der Nennspannung - treten keine Schwierigkeiten auf.

Die Stromversorgungen 3 und 4, der Transistor 5 und der Thyristor 8 usw., die zur Zuführung der Ein/Ausschaltsignale verwendet werden, können durch andere Stromversorgungseinrichtungen und Schalteinrichtungen ersetzt werden.

Die Fig. 7 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung, bei der zwei Transistoren mit verschiedenen Nennströmen direkt parallelgeschaltet sind. Diese Ausführungsform entspricht der Ausführungsform der Fig. 1 mit der Ausnahme, daß Transistoren 21 und 22 anstelle des GTO 9 und GTO 10, Widerstände 23 und 24 anstelle der Drosselspulen 13 und 14 und ein Transistor 25 anstelle des Thyristors 8 angeordnet sind. Die Basis B₂₁ und B₂₂ der Transistoren 21 und 22 sind durch eine zusätzliche Basis-Hilfsleitung Ba miteinander verbunden. Die Emitter E₂₁ und E₂₂ dieser Transistoren sind miteinander durch eine Hilfsleitung Ea verbunden. Die Widerstandswerte der Widerstände 11, 12, 23 und 24 sind wie folgt eingestellt.

Die Fig. 8 zeigt die Abhängigkeit der Ein/Ausschaltzeit eines Transistors vom Basisstrom ±I_B (-I_B ist der Basisstrom, der vom Emitter zur Basis fließt, wenn der Transistor in Rückwärtsrichtung vorgespannt ist, das heißt ausgeschaltet ist), wobei der Wert h_FE fest ist. Bei dem beschriebenen Transistor, der ein Schalt-Leistungstransistor ist, ist h_FE gewöhnlich etwa 100 beim Nennstrom, ungeachtet des Wertes des Nennstromes.

Damit können, wenn die parallel verbundenen Transistoren 21 und 22 mit verschiedenen Nennströmen die in der Fig. 8 gezeigte Beziehung zueinander haben, die Übergangscharakteristiken der jeweiligen Transistoren durch das Auswählen von I_B und -I_B so, daß die Ein/Ausschaltzeit jedes Transistors fest ist, in Übereinstimmung gebracht werden, wodurch es möglich wird, daß direkt parallel verbundene Transistoren mit verschiedenen Nennströmen gleichzeitig ein/ausgeschaltet werden.

Es ist anzumerken, daß, obwohl während des stationären Zustandes der Hauptstrom so aufgeteilt wird, daß V_CE(sat) für jeden Transistor konstant ist, der aufgeteilte Strom den Nennstrom jedes Transistors nicht übersteigen darf.

Der ausgewählte Wert I_B (±I_b1, ±I_b2) kann unter der Annahme, daß die Spannungen der Stromversorgungen gleich E_B bzw. -E_B und die Widerstandswerte der Widerstände 11, 12, 23 und 24 gleich R₁₁, R₁₂, R₂₃ und R₂₄ sind, wie folgt eingestellt werden:

Für den Transistor 21:

Ein: I_b1 = E_B/R₁₁,
Aus: -I_b1 = -E_B/R₂₃;

und für den Transistor 22:

Ein: I_b2 = E_B/R₁₂,
Aus: -I_b2 = -E_B/R₂₄.

Bei dem beschriebenen Aufbau können die direkt parallel verbundenen Transistoren mit verschiedenen Nennströmen für jeden Nenn-Hauptstrom zusammengestellt werden.

Erfindungsgemäß können die parallel verbundenen abschaltbaren Halbleiterelemente mit verschiedenen Nennströmen somit jeden Strom wirkungsvoll Ein/Aus-Steuern.

Claims (1)

1. Direkte Parallelschaltung abschaltbarer Halbleiterelemente, wobei eine Anzahl von abschaltbaren Halbleiterelementen (9, 10; Tn; 21, 22) direkt parallel zwischen einem Anodenanschluß (A) und einem Kathodenanschluß (K) angeordnet sind und die Steuerelektroden (G₉, G₁₀; G_n; B₂₁, B₂₂) der Halbleiterelemente und deren Kathoden (K₉, K₁₀; K_n; E₂₁, E₂₂) miteinander durch eine erste bzw. eine zweite Hilfsleitung (Ga, Ka; Ba, Ea) verbunden sind, wobei jeweils Reihenschaltungs-Einheiten von ersten Widerständen (11, 12; Rn) und von Drosselspulen (13, 14; Ln) oder zweiten Widerständen (23, 24) mit einer Reihenschaltung einer Einschalt-Stromversorgung (3) und einer Ausschalt-Stromversorgung (4) verbunden sind, wobei der Mittelpunkt (N₁, N₂, N_n) der Reihenschaltungs-Einheiten mit der Steuerelektrode von jedem der Halbleiterelemente und der Mittelpunkt (N₀) der Einschalt-Stromversorgung und der Ausschalt-Stromversorgung mit der zweiten Hilfsleitung (Ka, Ea) verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die abschaltbaren Halbleiterelemente verschiedene zulässige Nennströme aufweisen, und daß die gleiche Anzahl von Reihenschaltungs-Einheiten wie die der parallel verbundenen Halbleiterelemente parallel zueinander geschaltet sind, wobei der Mittelpunkt jeder der Reihenschaltungs-Einheiten mit der Steuerelektrode des entsprechenden Halbleiterelementes verbunden ist, wobei der Einschaltstrom und der Ausschaltstrom, der der Steuerelektrode von jedem der Halbleiterelemente zugeführt wird, dem zulssigen Nennstrom jedes der Halbleiterelemente proportional ist, und wobei die Verhältnisse der Werte der ersten Widerstände untereinander und der Drosselspulen bzw. der zweiten Widerstände untereinander in umgekehrter Beziehung zu dem Verhältnis der zulässigen Ströme der Halbleiterelemente stehen.