DE3702837A1 - Beschichtungsglas-zusammensetzung - Google Patents

Beschichtungsglas-zusammensetzung

Info

Publication number
DE3702837A1
DE3702837A1 DE19873702837 DE3702837A DE3702837A1 DE 3702837 A1 DE3702837 A1 DE 3702837A1 DE 19873702837 DE19873702837 DE 19873702837 DE 3702837 A DE3702837 A DE 3702837A DE 3702837 A1 DE3702837 A1 DE 3702837A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
glass
powder
lead
weight
coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19873702837
Other languages
English (en)
Other versions
DE3702837C2 (de
Inventor
Kazuo Hadano
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Electric Glass Co Ltd
Original Assignee
Nippon Electric Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Glass Co Ltd filed Critical Nippon Electric Glass Co Ltd
Priority to DE19873702837 priority Critical patent/DE3702837A1/de
Publication of DE3702837A1 publication Critical patent/DE3702837A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3702837C2 publication Critical patent/DE3702837C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/102—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing lead
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
    • C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
    • C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
    • C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
    • C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/102—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing lead
    • C03C3/108—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing lead containing boron
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
    • C03C2214/04—Particles; Flakes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Beschichtungsglas-Zu­ sammensetzung, insbesondere eine solche Zusammen­ setzung, wie sie für eine Passivierung von Halb­ leiterelementen benutzt wird.
Der Ausdruck "Passivierung" bedeutet ein Wachstum einer Oxidschicht auf der Oberfläche eines Halb­ leiters, um eine elektrische Stabilität durch Iso­ lierung der Transistoroberfläche von den elektrischen und chemischen Bedingungen in der Umgebung zu schaffen. Dies reduziert den Rückstrom-Streu­ verlust, verbessert die Durchbruchspannung und erhöht den Balastbarkeits-Nennwert (vgl. McGrow-Hill Dictionary of Scientific and Technical Terms, 3rd Addition, S. 1170).
Unter verschiedenen Erfordernissen für ein Beschich­ tungsglas (vergütetes Glas) zur Passivierung von Halbleiterelementen ist es besonders angezeigt, einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von im wesentlichen gleich dem des Halbleiterelements zu haben, um eine ausgezeichnete Abdichtung (Ver­ siegelung) durch Brennen des Beschichtungsglases bei einer Temperatur von etwa 700°C bis 900°C zu schaffen und einen hohen chemischen Widerstand ge­ genüber verschiedenen chemischen Mitteln oder Säuren zu erhalten, die in Prozessen für die Herstellung von Halbleitereinrichtungen, beispielsweise einem Elektrodenherstellungsprozeß, verwendet werden. In diesem Zusammenhang beträgt ein thermischer Ausdeh­ nungskoeffizient eines Silikon-Halbleiters 32 bis 35 × 10-7/°C.
Für das Halbleiter-Passivierungs-Beschichtungsglas wird herkömmlicherweise ein Zink-Bor-Silikat- (ZnO-B₂O₃-SiO₂-)Glas oder ein bleihaltiges Glas, z. B. PbO-SiO₂-Glas oder PbO-B₂O₃-SiO₂-Glas ver­ wendet.
Die US-PS 39 00 330 offenbart ein ZnO-B₂O₃-SiO₃- Passivierungsglas, das Ta₂O₅ enthält.
Das bleihaltige Glas ist im chemischen Widerstand besser als das Zink-Bor-Silikat-Glas. Das blei­ haltige Glas besitzt jedoch im allgemeinen einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, der größer ist als der eines Silikon-Halbleiterplättchens. Das Plättchen neigt daher dazu, sich zu werfen, zu biegen oder zu krümmen, nachdem es durch einen Brennvorgang mit dem bleihaltigen Glas beschichtet worden ist.
Unlängst ist das Plättchen großflächiger geworden, um einen Durchmesser von beispielsweise 7,62 bis 12,7 cm (3 bis 5 inches) zu erhalten, wobei das Verwerfen in einer erhöhten Krümmung resultiert.
Das Verwerfen des Plättchens führt zu Schwierigkeiten bei der Elektrodenmusterbildung auf der Plättchenoberfläche.
Die gebrannte Passivierungs-Bleiglasschicht auf dem Silikonplättchen neigt in unvorteilhafter Weise zum Springen bzw. zu Rißbildungen, so daß die Struktur des tafelförmigen Silikon-Halbleiterchips von einem Einfach-Rillentyp, der durch Einschneiden des Plättchens an der gebrannten Glasschicht geformt ist, in einen Doppel-Rillentyp geändert werden muß, der durch ein Einschneiden des Plättchens an dem nicht mit Glas beschichteten Teil gebildet ist. Dies resultiert in höheren Produktionskosten der Halbleitereinrichtung.
Dementsprechend beabsichtigt die vorliegende Er­ findung, das bleihaltige Beschichtungsglas zu ver­ bessern, das für eine Passivierung von Halbleiter­ elementen verwendet wird.
Die US-PS 39 63 505 offenbart ein bleihaltiges Dichtungsglas, das mit einem nicht-inerten Zinkoxid, z. B. Zink-Orthosilikat (Willemit) gemischt ist. Das US-Patent 45 22 925 offenbart ebenfalls ein Dichtungsglas, das eine Bleiborat-Glasmatrix und einen Willemit-Füller (Zink-Orthosilikat) enthält. Solche Gläser werden jedoch für die hermetische Versiegelung von Halbleiter-Packungen verwendet; aber sie sind nicht geeignet für eine Passi­ vierungsbeschichtung von Halbleitern, weil der thermische Ausdehnungskoeffizient übermäßig höher ist als der des Halbleiters.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Beschichtungsglas (vergütetes Glas) zur Pas­ sivierung von Halbleiterelementen zu schaffen, das einen verbesserten thermischen Ausdehnungs­ koeffizienten besitzt, der im wesentlichen gleich dem des Silikon-Halbleiterplättchens ist, so daß das Beschichtungsglas eine Passivierungsglasbe­ schichtung mit hoher mechanischer und thermischer Schockbeanspruchung auf dem Silikon-Halbleiter­ plättchen durch Brennen mit einer reduzierten oder im wesentlichen keiner Krümmung des Plättchens schaffen kann.
Erfindungsgemäß wird eine Beschichtungsglas-Zusam­ mensetzung zur Passivierung von Halbleiterelementen erreicht, die im wesentlichen aus 10% bis 50% (Gewichtsanteile) eines Willemit-(Zink- Orthosilikat)Pulvers und den wesentlichen Ausgleich eines nicht-kristallisierbaren Bleisilikat- oder Blei-Bor-Silikat-Glaspulvers besteht. Das Glaspulver ist gekennzeichnet durch einen PbO-Bestandteil von 40% bis 70% (Gewichtsanteil). Das Willemit- Pulver ist im wesentlichen inert gegenüber Glas.
Die Beschichtungsglas-Zusammensetzung kann eine ausgezeichnete Passivierungsschicht auf einem Silikon- Halbleiterplättchen durch ein Brennen bei einer Temperatur von 700° bis 900°C schaffen.
Das inert Willemit wird benutzt für eine Herab­ setzung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Beschichtungsglases (Vergütungsglas), so daß er im wesentlichen gleich dem des Silikon-Halblei­ terplättchens ist. Für diesen Zweck beträgt die Menge des Willemits mindestens 10 Gewichtsprozent. Die Verwendung von Willemit von mehr als 50 Ge­ wichtsprozent verschlechtert die Fließfähigkeit des Beschichtungsglases bei Brenntemperatur, was zu einer ungenügenden Abdichtung auf den Silikon- Halbleiterplättchen führt. Daher beträgt die maximale Menge von Willemit 50 Gewichtsprozent.
Die Verwendung eines Glaspulvers, das einen PbO- Bestandteil von weniger als 40 Gewichtsprozent enthält, kann kaum eine Passivierungsbeschichtung schaffen, die auf dem Silikon-Halbleiterplättchen fest abgedichtet ist, weil das Glas eine hohe Vis­ kosität bei der Brenntemperatur besitzt. Dagegen besitzt ein Glas, das mehr als 70 Gewichtsprozent Blei enthält, eine beträchtlich hohe thermische Ausdehnung, die selbst durch ein Mischen mit Willemit nicht auf die des Silikon-Halbleiterplättchens herabgesetzt werden kann.
Das Bleisilikat-(PbO-SiO₂-)Glas und das Blei-Bor- Silikat-(PbO-B₂O₃-SiO₂-)Glas werden gewünscht mit einer Erweichungstemperatur von 550° bis 800°C und einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 30 bis 55 × 10-7°C-1 innerhalb eines Temperaturbereiches von 30° bis 300°C.
Das erfindungsgemäß verwendete Bleisilikatglas enthält vorzugsweise im wesentlichen - in Gewichtsanteilen - 40% bis 70% PbO, 30% bis 50% SiO₂ und 0% bis 20% Al₂O₃.
Die Verwendung von SiO₂ mit weniger als 30 Gewichts­ prozent erhöht in unvorteilhafter Weise den thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Glases, während SiO₂ in einer Menge von mehr als 50 Gewichtsprozent die Viskosität des Glases bei Brenntemperatur erhöht.
Das Glas kann Al₂O₃ enthalten, um das Glas zu sta­ bilisieren und um das Glas vor einer Entglasung zu bewahren; aber Al₂O₃ über 20 Gewichtsprozent erhöht in unvorteilhafter Weise die Viskosität des Glases und erhöht außerdem den Rückstrom-Streuverlust des Halbleiters. Die Menge an Al₂O₃ beträgt maximal 20 Gewichtsprozent.
Das Blei-Bor-Silikat, das wahlweise in der vorliegenden Erfindung benutzt wird, besteht im wesentlichen aus - in Gewichtsanteilen - 40% bis 70% PbO, 0,1% bis 15% B₂O₃, 0,1% bis 50% SiO₂ und 0% bis 20% Al₂O₃.
B₂O₃ unterhalb 0,1% macht das Glas entglasbar und kann zu keinem homogenen Glas führen, während B₂O₃ oberhalb 15% macht das Glas phasenzerlegbar.
Das Glas besitzt einen unvorteilhaft erhöhten ther­ mischen Ausdehnungskoeffizienten, falls die Menge an SiO₂ unterhalb 0,1% ist, während es eine in unvorteilhafter Weise erhöhte Viskosität erhält, falls die Menge an SiO₂ oberhalb von 50% liegt.
Al₂O₃ kann ebenfalls benutzt werden; aber Al₂O₃ oberhalb von 20% kann nicht verwendet werden, wegen des Anstiegs der Glasviskosität und des Rückstrom- Streuverlustes.
Das oben beschriebene Bleisilikatglas und das Blei- Bor-Silikat-Glas können beide wenigstens einen anderen Bestandteil enthalten, der aus MnO₂, CeO₂; Sb₂O₃, Ta₂O₅, SnO₂, Nb₂O₅, Bi₂O₃ und ZnO ausgewählt wird. Die Menge des zusätzlichen Bestandteiles bzw. der zusätzlichen Bestandteile ist begrenzt auf 5 Gewichtsprozent, weil das Glas inhomogen ist und einen erhöhten thermischen Ausdehnungskoeffizienten hat, wenn die Menge mehr als 5 Gewichtsprozent beträgt.
Wenn ZnO mit mehr als 5 Gewichtsprozent benutzt wird, dann wird das Glas phasenzerlegbar.
Die vorliegende Erfindung versucht, ein inertes Willemit-(Zink-Orthosilikat)Pulver einem blei­ haltiges Glaspulver, z. B. Bleisilikat-Glaspulver oder Blei-Bor-Silikat-Glaspulver, hinzuzufügen, um dadurch den thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Passivierungs-Glasbeschichtung auf Halbleiter­ elemente herabzusetzen, so daß er im wesentlichen gleich dem des Halbleiters ist.
Willemitpulver ist inert gegenüber bleihaltigem Glaspulver. Wenn daher die Beschichtungsglas-Zu­ sammensetzung bei der Brenntemperatur gebrannt wird, schmilzt das Glaspulver, um eine Glasschicht zu bilden, in der Willemitpartikel gleichförmig verteilt sind.
Die Tabellen 1 und 2 zeigen Glaszusammensetzungen zusammen mit ihren Eigenschaften für Bleisilikat- bzw. Blei-Bor-Silikat-Gläser, die in geeigneter Weise für die vorliegende Erfindung benutzt werden.
Tabelle 1
(PbO-SiO₂-Glas)
Tabelle 2
(PbO-B₂O₃-SiO₂-Glas)
Das Pulver jeder Glasprobe bzw. jedes Probeglases gemäß Tabellen 1 und 2 ist aufbereitet durch
  • (1) Mischen von Rohmaterialien, um eine Charge zu bilden, die jeweils die in der Tabelle gezeigte Zusammensetzung besitzt;
  • (2) Schmelzen der Charge bei einer Temperatur von 1500° bis 1600°C in etwa einer Stunde, um ein geschmolzenes Glas zu bilden;
  • (3) Wasserpulverisierung des geschmolzenen Glases, um kleine Glaskugeln zu formen;
  • (4) Feinzerteilung der kleinen Glaskugeln durch eine Kugelmühle; und
  • (5) Klassieren der feinzerkleinerten Partikel, um ein Glaspulver mit einer Partikelgröße von -350 Maschen zu erreichen.
Das mit dem Bleisilikat-Glaspulver oder dem Blei- Bor-Silikat-Glaspulver zu mischende Willemitpulver wird durch folgende Prozesse zubereitet:
  • (1) Mischen von ZnO-Pulver und SiO₂-Pulver mit einem Mol-Verhältnis von 2 : 1;
  • (2) Aufheizen der Mischung auf eine hohe Temperatur von etwa 1450°C, um gesinterte Körper zu erhalten; und
  • (3) Feinzerteilung der gesinterten Körper, um Zink-Orthosilikat-Pulver zu erhalten.
Das erhaltene Willemitpulver wurde mit verschiedenen Glaspulvern gemäß Tabellen 1 und 2 gemischt und durch die oben beschriebenen Verfahren zube­ reitet. Jede Mischung wurde gelöst oder dispergiert in einem organischen Lösungsmittel, bei­ spielsweise Isopropylalkohol, und galvanisch gefällt, um eine dünne Schicht auf einer Oberfläche eines Silikon-Halbleiterelements durch das Elektro­ phorese-Verfahren zu bilden. Nach dem Trocknen wurde das Halbleiterelement mit der dünn abgelagerten Pulverschicht in einen elektrischen Brennofen gegeben und auf eine Temperatur von etwa 700° bis 890°C für einen Zeitabschnitt von 10 bis 15 Min. erhitzt. Auf diese Weise wurde die dünne Pulverschicht gebrannt und eine Passivierungs-Glasbeschichtung auf dem Halbleiterelement gebildet.
Der thermische Ausdehnungskoeffizient der erhaltenen Passivierungs-Glasbeschichtung wurde gemessen.
Tabelle 3 zeigt vier Beispiele der Passivierungs- Glasbeschichtungen von verschiedenen Glasproben der Tabellen 1 und 2 und von verschiedenen Mengen des Willemitpulvers zusammen mit entsprechenden thermischen Ausdehnungskoeffizienten und Brenntem­ peraturen.
Tabelle 3
Aus einem Vergleich der Tabelle 3 mit den Tabellen 1 und 2 läßt sich erkennen, daß der thermische Ausdehnungskoeffizient jedes bleihaltigen Glases durch die Mischung des Willemitpulvers herabgesetzt ist, so daß eine Schicht der Passivierungs- Glasbeschichtung auf der Halbleiteroberfläche mit einem reduzierten thermischen Ausdehnungskoeffizienten gebildet ist, der im wesentlichen gleich dem des Silikon-Halbleiters ist.
Durch Beobachtung wurde auch bestätigt, daß jedes Silikon-Halbleiterplättchen nicht verworfen (ge­ krümmt) war, nachdem die Passivierungs-Glasbeschichtung darauf gebildet war.
Nach dem Bilden von Elektroden auf jedem mit Pas­ sivierungs-Glasbeschichtung versehenen Halblei­ terelement wurden der Rückstrom-Streuverlust und die Durchbruchspannung gemessen. Ersterer war in vorteilhafter Weise klein, und letzterer erfüllte den zulässigen Wert.

Claims (4)

1. Beschichtungsglas-Zusammensetzung zur Passivierung von Halbleiterelementen, enthaltend im we­ sentlichen 10% bis 50% (Gewichtsanteile) eines Willemit-(Zink-Orthosikikat-)Pulvers und einem wesentlichen Ausgleich eines nicht-kristallisierbaren Bleisilikat-Glaspulvers, gekennzeichnet durch einen Bestandteil an 40 bis 70 Gewichtsprozent PbO, wobei das Willemitpulver im we­ sentlichen inert ist gegenüber dem genannten Bleisilikatglas.
2. Glaszusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Bleisilikatglas im we­ sentlichen aus 40% bis 70% PbO, 30% bis 50% SiO₂ und 0% bis 20% Al₂O₃ (in Gewichtsanteilen) besteht.
3. Beschichtungsglas-Zusammensetzung zur Passivierung von Halbleiterelementen, im wesentlichen enthaltend 10% bis 50% (Gewichtsanteile) eines Willemit-(Zink-Orthosilikat-)Pulvers und einen wesentlichen Ausgleich eines nicht-kristalli­ sierbaren Blei-Bor-Silikat-Glaspulvers, gekenn­ zeichnet durch einen PbO-Bestandteil von 40% bis 70% (Gewichtsanteile), wobei das Wille­ mitpulver im wesentlichen inert ist gegenüber dem Blei-Bor-Silikat-Glas.
4. Glaszusammensetzung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Blei-Bor-Silikat-Glas im wesentlichen aus 40% bis 70% PbO, 0,1% bis 15% B₂O₃, 0,1% bis 50% SiO₂ und 0% bis 20% Al₂O₃ (in Gewichtsanteilen besteht.
DE19873702837 1987-01-30 1987-01-30 Beschichtungsglas-zusammensetzung Granted DE3702837A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19873702837 DE3702837A1 (de) 1987-01-30 1987-01-30 Beschichtungsglas-zusammensetzung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19873702837 DE3702837A1 (de) 1987-01-30 1987-01-30 Beschichtungsglas-zusammensetzung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3702837A1 true DE3702837A1 (de) 1988-08-11
DE3702837C2 DE3702837C2 (de) 1993-03-04

Family

ID=6319905

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19873702837 Granted DE3702837A1 (de) 1987-01-30 1987-01-30 Beschichtungsglas-zusammensetzung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3702837A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0547154A1 (de) * 1990-09-07 1993-06-23 Ferro Corporation Kristallisierendes-email-zusammensetzung und verfahren zu deren verwendung

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19509132A1 (de) * 1995-03-14 1996-09-19 Roth Technik Gmbh Glasartige Zusammensetzung

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4310357A (en) * 1980-05-14 1982-01-12 Nippon Electric Glass Company, Limited Low temperature sealing glass

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4310357A (en) * 1980-05-14 1982-01-12 Nippon Electric Glass Company, Limited Low temperature sealing glass

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0547154A1 (de) * 1990-09-07 1993-06-23 Ferro Corporation Kristallisierendes-email-zusammensetzung und verfahren zu deren verwendung
EP0547154A4 (en) * 1990-09-07 1994-07-06 Ferro Corp Crystallizing enamel composition and method of using the same

Also Published As

Publication number Publication date
DE3702837C2 (de) 1993-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2517743C3 (de) Passivierender Schutzüberzug für Siliziumhalbleiterbauelemente
DE3151206C2 (de) Glasiertes, keramisches Trägermaterial
DE102005031658B4 (de) Bleifreies Glas für elektronische Bauelemente
DE102006062428B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines mit einem bleifreien Glas passiviertenelektronischen Bauelements sowie elektronisches Bauelement mit aufgebrachtem bleifreien Glas und dessen Verwendung
DE1771503C3 (de) Thermisch kristallisierbares Glas und Glaskeramik auf der Basis SiO2-PbO-BaO-Al2O3-TiO2 und ihre Verwendung
DE2609356A1 (de) Widerstandsmaterial sowie aus ihm hergestellter widerstand und verfahren zu seiner herstellung
DE2330381C3 (de) Feinzerteilte, beim Wärmebehandeln einen dichten Glaskeramikkörper bildende Glasmasse zur Erzielung von Mehrschicht-Schaltungsanordnungen mit niedrigen Dielektrizitätskonstanten
DE2946753C2 (de)
EP0215462B1 (de) Paste zum Verbinden von Halbleitern mit keramischen Unterlagen
DE2755935A1 (de) Dielektrische zusammensetzung, siebdruckpaste mit einer derartigen zusammensetzung und durch diese erhaltene erzeugnisse
DE2823904A1 (de) Dichtungsglas
DE1596851A1 (de) Widerstandsmaterial und aus diesem Widerstandsmaterial hergestellter Widerstand
DE1596820C2 (de) Glas auf der Basis von ZnO-B tief 2 O tief 3 -SiO tief 2 mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 44,5 bis 44,8.10 hoch -7 / Grad C (0-300 Grad C) und seine Verwendung
EP0443323B1 (de) Blei-Zink-Borosilikatglas und Verwendung des Glases
DE3712569C2 (de)
DE3509955C2 (de)
DE1011348B (de) Verglasbares Flussmittel sowie keramischer Gegenstand
DE1812733B2 (de) Glaswerkstoff zum Überziehen . Abdichten oder Verbinden von Gegenstanden mit einem linearen Wärmeausdehnungskoeffizienten von weniger als 50 χ 10 hoch 7 / Grad C
DE3702837C2 (de)
DE602005001242T2 (de) Eine Dickschicht-Widerstandspaste, ein Dickschicht-Widerstand hergestellt unter Verwendung der Dickschicht-Widerstandspaste und eine elektronische Vorrichtung umfassend den Dickschicht-Widerstand
DE1496545A1 (de) Glasgemenge,insbesondere als Material fuer Passivierungs- und Schutzschichten fuer Festkoerperbauelemente
DE1496544A1 (de) Glasmassen fuer elektrische Widerstandsschichten
DE2946679C2 (de)
DE2703814C2 (de)
EP0540821A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Compositglaspulver beliebiger Körnung aus einem feinkörnigen Mehrkomponentengemisch

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8125 Change of the main classification

Ipc: C03C 14/00

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee