DE3689342T2 - Verfahren zum anisotropischen Ätzen von Silizium mittels eines fluorierten Plasmas. - Google Patents
Verfahren zum anisotropischen Ätzen von Silizium mittels eines fluorierten Plasmas.Info
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Description
- Die vorliegende Erfindung befaßt sich mit der Herstellung von Bausteinen wie LSI- oder VLSI-Halbleiterchips, und insbesondere mit Plasmaätzverfahren, die dazu ausgelegt sind, um in diesen Bausteinen mikroskopische Muster zu definieren.
- Für das Ätzen von Silicium sind viele Trockenätzverfahren bekannt, die normalerweise Plasmen im Bereich des sogenannten reaktiven Ionenätzens (RIE) bei vergleichsweise niedrigem Druck, ungefähr 30-100 Mikrometer, und bei kleiner Leistungsdichte, etwa 0,01 bis 0,5 Watt/cm², verwenden. In letzter Zeit wurde in der Halbleiterindustrie viel Aufmerksamkeit auf das Plasmaätzen bei hohem Druck, 1 mbar und mehr, und bei hoher Leistungsdichte, 2 bis 10 Watt/cm², gerichtet, welches zu wesentlich größeren als mit RIE-Verfahren möglichen Ätzraten führt. In International Electron Devices Meeting Technical Digest, Washington, 7.-9. Dezember 1981, S. 578-581, IEEE, New York wird das Ätzen von Silicium bei hohem Druck beschrieben; ein Gasgemisch aus CF&sub4;, C&sub2;F&sub6; und Ar ätzt Silicium langsam (< 0,1 um/min), während schnelles anisotropes Ätzen von Silicium mittels Cl&sub2; erzielt wird.
- Bei Plasmaätzverfahren tragen zwei Abbaukomponenten zur Bildung des resultierenden Ätzprofils in der Zielschicht bei: eine chemische Komponente aufgrund der chemischen Reaktion der im Plasma erzeugten Spezies mit dem zu entfernenden Oberflächenmaterial und eine physikalische Komponente aufgrund der Impulsübertragung der geladenen Teilchen, die im Plasma entstehen und durch die Hülse auf das Zielmaterial beschleunigt werden. Plasmaätzverfahren, die im Bereich hohen Druckes durchgeführt werden, unterscheiden sich von den RIE-Verfahren bei niedrigem Druck durch die viel größere Bedeutung der chemischen Komponente beim Ätzen.
- In der herkömmlichen Chemie fluorierter Gase, zum Beispiel in US-A-4 310 380, Erfinder Flamm et al., ist das Ätzen von isotroper Natur, mit vergleichbaren seitlichen und vertikalen Ätzraten in Silicium. In dem offenbarten Verfahren ist die chemische Komponente der Umgebung aus leicht dissoziierendem NF&sub3; sehr stark, selbst bei dem RIE-Verfahrenstyp bei niedrigem Druck, wo man aufgrund der Stärke des physikalischen Beschusses eine größere vertikale als seitliche Ätzrate erwarten würde. In einem Bereich hohen Druckes wird diese Gaschemie sogar noch isotroper. Während isotropes Ätzen bei einigen Ätzschritten von Silicium nützlich ist, ist es dort, wo tiefes Ätzen (3 bis 5 Mikrometer) von Silicium mit kleinen Abmessungen benötigt wird, wie beim Ätzen von Isolationsgräben, nicht erstrebenswert. Bei einem derartigen Verfahren wird um einen Transistor oder einen anderen Baustein ein Graben geätzt, der dann zur elektrischen Isolierung des Bausteins mit einem dielektrischen Material gefüllt wird. Der Graben schneidet senkrecht mehrere Schichten aus unterschiedlich dotiertem Polysilicium oder Silicium durch. Ein Ätzplasma, das zur Steuerung von Unterätzen chlorierte Gase verwendet, unterätzt jede Schicht in einen unterschiedlichen Ausmaß, das von der Reaktivität der jeweiligen Schicht mit Fluor oder Chlor abhängt. Diese und andere Probleme werden durch die vorliegende Erfindung gemäß Anspruch 1 überwunden.
- Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein verbessertes Plasmaätzverfahren für Silicium zur Verfügung zu stellen, insbesondere wenn mehrere Siliciumschichten mit verschiedenen Dotierungseigenschaften vorliegen.
- Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung enthält die Zusammensetzung des Ätzgases drei Hauptbestandteile: die Ätzmittel-Spezies, zum Beispiel NF&sub3; oder SF&sub6;; ein Inertgas wie N&sub2;; und ein polymerisierendes Gas wie CHF&sub3;. Stickstofftrifluorid (NF&sub3;) dissoziiert in einem Plasma leicht unter Freisetzung von freiem Fluor und fluorhaltigen Radikalen in größerem Ausmaß als andere Fluorquellen. Es ist auch viel sicherer als ClF&sub3;, BrF&sub3; oder IF&sub3;, die als potentiell explosive Gase in einer Fabrikationsumgebung ungeeignet sind. Es erweist sich in der Tat, daß die extrem schnelle Dissoziation von NF&sub3; in einem Plasma bei hohem Druck ohne die Verdünnung durch ein Inertgas eher ungleichmäßiges Ätzen bewirkt. Es hat sich herausgestellt, das Stickstoff etwas bessere Gleichmäßigkeiten erzielt als Argon oder Helium.
- Das Hinzufügen einer kleinen Menge eines polymerisierenden Gases zum Hochdruckplasma verleiht dem vorliegenden Verfahren seinen anisotropen Charakter. Die Wahl der polymerisierenden Gase wird von der verwendeten Maskenart bestimmt. Für Fotolack-, Aluminium- oder Chrom-Masken wird ein fluorhaltiges Gas bevorzugt, während eine Siliciumdioxid-Maske zusätzlich zum Fluor-Ätzgemisch ein chlorhaltiges Gas erfordert. Im Plasma bildet das Gas ein Polymer, das sich anschließend auf der Zieloberfläche gleichmäßig abscheidet. In vertikaler Richtung wird das Polymer weggeätzt, wobei eine durch das Polymer passivierte Seitenwand zurückbleibt. Die Seitenwand ist vor seitlichem Ätzen geschützt, und somit ist das Unterätzen des Siliciums beseitigt. Im speziellen Fall der Herstellung einer Grabenisolierung greift die Ätzmittel-Spezies die Seitenwand des unterschiedlich dotierten Polysiliciums nicht an, und daher gibt keine veränderliche Unterätzung wie sie in Verfahren auftritt, die zur Steuerung der Anisotropie chlorierte Gase verwenden.
- Fig. 1 ist ein Querschnittsaufriß eines Einzelwafer- Hochdruckreaktors, der zur Durchführung des Verfahrens aus der vorliegenden Erfindung verwendet wird; und
- Fig. 2 ist ein Querschnitt eines Teils eines integrierten Schaltungsbausteins, der gemäß der vorliegenden Erfindung speziell zur Grabenisolierung geätzt wurde.
- Gemäß der Prinzipien der vorliegenden Erfindung wird das Ätzen bei hohem Druck und hoher Plasmadichte in einem Einzelwaferreaktor des in Fig. 1 gezeigten Typs durchgeführt. Der Konstruktionsentwurf des Reaktors ähnelt demjenigen, der ausführlicher in der mitanstehenden und auf den vorliegenden Bevollmächtigten übertragenen Patentanmeldung US-A-4 534 816 beschrieben wird, die durch das Zitat hier miteingeschlossen ist.
- Wendet man sich nun den Zeichnungen zu, wird in Fig. 1 ein Einzelwaferreaktor 10 gezeigt, bei welchem eine kreisförmige, elektrisch geerdete obere Elektrode 11 an ein zylindrisches Gehäuse 12 angebracht ist. Das Gehäuse 12 besitzt eine Ablenkplatte 13 zur Gasverteilung, einen Einlaß 14 für das Reaktionsgas sowie einen Kühlflüssigkeits-Einlaß (nicht abgebildet) und - Austritt 15. Dieser Aufbau ist in einem isolierenden Gehäuse 16 enthalten. Die untere Elektrode 17 enthält einen leitenden oberen Bereich 18 und einen isolierenden unteren Bereich 19. Der obere Bereich 18 enthält Kühlkanäle 20 und einen erhöhten Teil, der von einem Isolierring 21 mit Gasauslaßkanälen 21a umgeben ist. Der Abstand 22 zwischen der oberen Elektrode 11 und der unteren Elektrode 17 beträgt ungefähr 4 mm. Ein Isolierring 23, der die zwei Elektroden elektrisch isoliert, besteht aus Leitungen 24 zum Abführen des Gases aus dem Elektrodenzwischenraum. Diese Leitungen 24 münden in einen Spalt 25 zwischen dem inneren Gehäuse 16 und dem äußeren Gehäuse 26. Die Gase, die reagiert haben, werden aus dem System durch einen Anschluß 27 abgeführt.
- Fig. 2 ist ein stark vergrößerter Querschnitt eines Teils eines Siliciumwafers und zeigt einen gemäß der Prinzipien der vorliegenden Erfindung geätzten Graben. Auf der Oberfläche einer stark dotierten Schicht 30 aus polykristallinem Silicium wurde eine strukturierte Maskenschicht 28 gebildet, zum Beispiel aus Fotolack, Aluminium, Chrom oder Siliciumdioxid. Die Maskenschicht 28 muß natürlich gegenüber dem Ätzgasgemisch beständig sein. Die Schicht 30 liegt über einer schwach p-dotierten Schicht 32 aus monokristallinem Silicium, die auf einem Siliciumwafer 34 gebildet wurde. Gemäß einem Ausführungsbeispiel für die vorliegende Erfindung werden die unmaskierten Bereiche der Schichten 30 und 32 zur Bildung eines Grabens 36 mit im wesentlichen vertikalen Seitenwänden anisotrop geätzt. Der Graben 36 kann typischerweise eine Breite von etwa 5 Mikrometern besitzen.
- Fluorhaltige polymerisierende Gase wie CHF&sub3;, C&sub2;F&sub4;, C&sub2;F&sub6; und C&sub3;F&sub8; wurden als vorteilhaft für das Ätzen von Silicium oder dotiertem Polysilicium durch Maskenschichten aus Fotolack, Aluminium oder Chrom befunden. Es hat sich herausgestellt, daß eine Maske aus Siliciumdioxid zusätzlich die Anwesenheit eines chlorhaltigen Gases wie CCl&sub4;, CFCl&sub3;, CF&sub2;Cl&sub2; oder C&sub2;HCl&sub2;, wobei letzteres ein wasserstoffhaltiges Freon ist.
- Es ist klar, daß die spezielle Abfolge von dotierten bzw. undotierten Schichten lediglich der Anschauung dient und daß jede beliebige Abfolge bzw. Anzahl bzw. Schichten aus undotiertem Polysilicium, dotiertem Polysilicium und monokristallinem Silicium mittels der Prinzipien dieser Erfindung geätzt werden kann.
- Gemäß eines bevorzugten Ausführungsbeispiels für die vorliegende Erfindung wird im Plasmareaktor 10 ein Druck von etwa 1 mbar aufgebaut. Das gasförmige Ätzmittel wird mit einer Gesamtflußrate von etwa 24 cm³/s; 10 cm³/s für NF&sub3;&sub1; 10 cm³/s für N&sub2; und 4 cm³/s für CHF&sub3; zugeführt. In dem Einzelwaferreaktor wird an der Waferoberfläche eine Leistungsdichte von etwa 2 Watt/cm² erzeugt. Die Temperatur der oberen Elektrode 11 wird bei etwa 0ºC und die Temperatur der unteren Elektrode wird bei ungefähr -10ºC gehalten. Der Siliciumwafer ist teilweise mit einer Maske versehen und befindet sich auf der unteren Elektrode 17. Bei den oben angegebenen Verfahrensbedingungen wurden anisotrope Ätzraten von etwa 1,6 Mikrometer/min beobachtet.
- Das obige Beispiel dient nur zur Veranschaulichung. Ganz allgemein kann das Ätzen durch die Wahl von Druck, Gasstrom bzw. Leistungsdichte in den Bereichen 0,5 bis 7 mbar, 10 bis 100 cm³/s bzw. 1 bis 10 Watt/cm² durchgeführt werden.
Claims (5)
1. Verfahren zum anisotropen Ätzen eines Siliciumkörpers, das
folgendes umfaßt:
Plazierung des Siliciumkörpers in einer gasförmigen
Plasmaumgebung mit hohem Druck, die eine fluorhaltige, gasförmige
Verbindung, ein Inertgas und ein polymerbildendes Gas, das
eine polymerbildende, gasförmige Verbindung umfaßt, enthält,
wobei die fluorhaltige, gasförmige Verbindung aus der aus
NF&sub3; und SF&sub6; bestehenden Gruppe und die polymerbildende,
gasförmige Verbindung aus der aus CHF&sub3;, C&sub2;F&sub4;, C&sub2;F&sub6; und C&sub3;F&sub8;
bestehenden Gruppe ausgewählt wird.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei sich auf dem
Siliciumkörper eine strukturierte Maskenschicht befindet.
3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei der zu ätzende
Siliciumkörper aus mehreren Schichten aus unterschiedlich
dotiertem Polysilicium und monokristallinem Silicium
besteht.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die
gasförmige Plasmaumgebung an der Oberfläche des
Siliciumkörpers einen Druck von 0,5 bis 7 mbar und eine
Leistungsdichte von 1 bis 10 Watt/cm² umfaßt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei die
strukturierte Maskenschicht aus Siliciumdioxid besteht und
das polymerbildende Gas zusätzlich chlorhaltiges Gas
enthält.
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| DE4317623C2 (de) * | 1993-05-27 | 2003-08-21 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zum anisotropen Plasmaätzen von Substraten und dessen Verwendung |
| DE4420962C2 (de) * | 1994-06-16 | 1998-09-17 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Bearbeitung von Silizium |
| US6797188B1 (en) | 1997-11-12 | 2004-09-28 | Meihua Shen | Self-cleaning process for etching silicon-containing material |
| US6322714B1 (en) | 1997-11-12 | 2001-11-27 | Applied Materials Inc. | Process for etching silicon-containing material on substrates |
| US6872322B1 (en) | 1997-11-12 | 2005-03-29 | Applied Materials, Inc. | Multiple stage process for cleaning process chambers |
| US6136211A (en) | 1997-11-12 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Self-cleaning etch process |
| EP0932191A1 (de) * | 1997-12-30 | 1999-07-28 | International Business Machines Corporation | Plasmaätzverfahren von dotierten Polysilizium Schichten mit gleichmässigen Ätzgeschwindigkeiten |
| WO2000036631A1 (en) | 1998-12-11 | 2000-06-22 | Surface Technology Systems Limited | Plasma processing apparatus |
| DE19910886B4 (de) | 1999-03-11 | 2008-08-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer flachen Grabenisolation für elektrisch aktive Bauelemente |
| DE19919469A1 (de) * | 1999-04-29 | 2000-11-02 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Plasmaätzen von Silizium |
| US6291357B1 (en) | 1999-10-06 | 2001-09-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etching a substrate with reduced microloading |
| EP1256127A1 (de) * | 2000-02-18 | 2002-11-13 | Applied Materials, Inc. | Selbstreinigendes ätzverfahren eines silizium enthaltenden materials |
| US6527968B1 (en) | 2000-03-27 | 2003-03-04 | Applied Materials Inc. | Two-stage self-cleaning silicon etch process |
| US6544887B1 (en) | 2000-03-31 | 2003-04-08 | Lam Research Corporation | Polycide etch process |
| US6818562B2 (en) | 2002-04-19 | 2004-11-16 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for tuning an RF matching network in a plasma enhanced semiconductor wafer processing system |
| US7521000B2 (en) | 2003-08-28 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Process for etching photomasks |
| US7682985B2 (en) | 2004-03-17 | 2010-03-23 | Lam Research Corporation | Dual doped polysilicon and silicon germanium etch |
| US7879510B2 (en) | 2005-01-08 | 2011-02-01 | Applied Materials, Inc. | Method for quartz photomask plasma etching |
| US7829243B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Method for plasma etching a chromium layer suitable for photomask fabrication |
| US8293430B2 (en) | 2005-01-27 | 2012-10-23 | Applied Materials, Inc. | Method for etching a molybdenum layer suitable for photomask fabrication |
| US7790334B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-09-07 | Applied Materials, Inc. | Method for photomask plasma etching using a protected mask |
| US7786019B2 (en) | 2006-12-18 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Multi-step photomask etching with chlorine for uniformity control |
| US8118946B2 (en) | 2007-11-30 | 2012-02-21 | Wesley George Lau | Cleaning process residues from substrate processing chamber components |
| RU2010130570A (ru) | 2007-12-21 | 2012-01-27 | Солвей Флуор Гмбх (De) | Способ получения микроэлектромеханических систем |
Family Cites Families (6)
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| US4473435A (en) * | 1983-03-23 | 1984-09-25 | Drytek | Plasma etchant mixture |
| JPH0622212B2 (ja) * | 1983-05-31 | 1994-03-23 | 株式会社東芝 | ドライエッチング方法 |
| US4490209B2 (en) * | 1983-12-27 | 2000-12-19 | Texas Instruments Inc | Plasma etching using hydrogen bromide addition |
| JPS61144827A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
-
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