JPS5951531A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
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- JPS5951531A JPS5951531A JP16159782A JP16159782A JPS5951531A JP S5951531 A JPS5951531 A JP S5951531A JP 16159782 A JP16159782 A JP 16159782A JP 16159782 A JP16159782 A JP 16159782A JP S5951531 A JPS5951531 A JP S5951531A
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- gas
- etching
- dry etching
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＬＳＩ、工０の製造工程等に於てポリシリコン
、結晶シリコンをドライエツチングする方法に関する。
、結晶シリコンをドライエツチングする方法に関する。
従来ポリシリコン等のドライエツチングはプラズマ中で
ＳＦ、ガス或はＳＦ４ガスを用いて行なうを一般とし、
これによれば比較的エツチング速度が高くなる有利性が
ある。而してＳＦ、ガス等は極めてラジカル性の強いＦ
原子を遊離し易いので該Ｆ原子により第１囚示のように
７オトレジス）ａの下方のパターン線幅として残される
べき部分わがアンダーカットｃされ、該部分すのパター
ンｆｄｆｆ １ｌｑＪの低下を来たし、近時髪束の高い
微細な工０パターンの形成に適しない。具体的にはエツ
チングされるべき深さｄが５０００人であった場合アン
ダーカッ）ｃの深さが約２５０ＯＡにも及ぶ不都合があ
った。
ＳＦ、ガス或はＳＦ４ガスを用いて行なうを一般とし、
これによれば比較的エツチング速度が高くなる有利性が
ある。而してＳＦ、ガス等は極めてラジカル性の強いＦ
原子を遊離し易いので該Ｆ原子により第１囚示のように
７オトレジス）ａの下方のパターン線幅として残される
べき部分わがアンダーカットｃされ、該部分すのパター
ンｆｄｆｆ １ｌｑＪの低下を来たし、近時髪束の高い
微細な工０パターンの形成に適しない。具体的にはエツ
チングされるべき深さｄが５０００人であった場合アン
ダーカッ）ｃの深さが約２５０ＯＡにも及ぶ不都合があ
った。
本発明はこうしたアンダーカットの問題を改昔すること
をその目的としたもので、プラズマ中でＳＦ、ガス 、
ＯＦ、ガスその他のフッ素系ガスを用いてポリシリコン
、結晶シリコンをドライエツチングする方法に於て、該
ＳＦ。ガス翰・のフッ素系ガスと共にＯ，Ｈ，、００１
４その他の炭素系ガスを混入することを特徴とする。
をその目的としたもので、プラズマ中でＳＦ、ガス 、
ＯＦ、ガスその他のフッ素系ガスを用いてポリシリコン
、結晶シリコンをドライエツチングする方法に於て、該
ＳＦ。ガス翰・のフッ素系ガスと共にＯ，Ｈ，、００１
４その他の炭素系ガスを混入することを特徴とする。
本発明の実施例−を真空室内に石英の電極材を備え、こ
れの放電用ＲＦ ｔ（を源に１３．５６ＭＨｚを用いた
反応性イオンエツチング製型を使用して結晶シリコンを
ドライエツチングする場合につき説明すると、真空室内
に注入するガスをＳＦ６ガスに００１４ガスを１０％混
入した混合ガスとし該真空室内にプラズマを発生させれ
ばエツチングされた結晶シリコンは第２図示の如くフォ
トレジスト（１）の下方の残されるべき部分（２）は多
少アンダーカット（３）されるに留まり、具体的には厚
さ５０００ Ｘの結晶シリコン（４）をエツチングして
もアンダーカッ） （３）は１２５０ Ａ以下におさえ
ることが出来た。従って７オトレジス） ＋１）のＩｌ
ｌをより精確に転写した工Ｃパタ←ンを形成することが
可能となる。
れの放電用ＲＦ ｔ（を源に１３．５６ＭＨｚを用いた
反応性イオンエツチング製型を使用して結晶シリコンを
ドライエツチングする場合につき説明すると、真空室内
に注入するガスをＳＦ６ガスに００１４ガスを１０％混
入した混合ガスとし該真空室内にプラズマを発生させれ
ばエツチングされた結晶シリコンは第２図示の如くフォ
トレジスト（１）の下方の残されるべき部分（２）は多
少アンダーカット（３）されるに留まり、具体的には厚
さ５０００ Ｘの結晶シリコン（４）をエツチングして
もアンダーカッ） （３）は１２５０ Ａ以下におさえ
ることが出来た。従って７オトレジス） ＋１）のＩｌ
ｌをより精確に転写した工Ｃパタ←ンを形成することが
可能となる。
こうしてＳＦ、力°スに００１４ガスを混入するとＳＦ
、から遊離したフッ素原子ラジカルが炭素原子と結合す
ること及び部分（２）の側壁にポリマーが形成されてＦ
原子によるエツチングを妨げることで部分（２）のアン
ダーカットがされにくくなるものと判断される。
、から遊離したフッ素原子ラジカルが炭素原子と結合す
ること及び部分（２）の側壁にポリマーが形成されてＦ
原子によるエツチングを妨げることで部分（２）のアン
ダーカットがされにくくなるものと判断される。
ＳＦ、ガスに０．Ｈ４ガスを混入した場合及びＯＦ。
ガスに００１．ガス或はＯ，Ｈ４ガスを混入してドライ
エツチングした場合にも前記アンダーカットをおさえる
ことが出来た。
エツチングした場合にも前記アンダーカットをおさえる
ことが出来た。
尚フッ素系ガスに混入する００１．或はＯ，Ｈ，ガスの
容量はフッ素系ガスの１０％乃至２０％であることが好
ましく、この場合のエツチング速度は約ｊ ０００ Ａ
／ｍｉｎであツタ。
容量はフッ素系ガスの１０％乃至２０％であることが好
ましく、この場合のエツチング速度は約ｊ ０００ Ａ
／ｍｉｎであツタ。
このように本発明によるときは、エツチングに際してフ
ッ素系ガスに０Ｃ１１等の炭素系ガスを混入するように
したので前記したアンダーカットの問題が改善され、さ
らに微細なパターンを正確に形成出来て集積度を高め得
る等の効果がある。
ッ素系ガスに０Ｃ１１等の炭素系ガスを混入するように
したので前記したアンダーカットの問題が改善され、さ
らに微細なパターンを正確に形成出来て集積度を高め得
る等の効果がある。
第１図は従来のドライエツチング状態の断面図、第２図
なよ本発明方法によるドライエツチング状態の断面図で
ある。 特許出願人 日本真空技術林式会社 代 理 人 北 利 欣 −Ｈ：）ｊ
（ｊｌｊｊｊ“１し゛、Ｑｉｉｉｇ！ 外２名
なよ本発明方法によるドライエツチング状態の断面図で
ある。 特許出願人 日本真空技術林式会社 代 理 人 北 利 欣 −Ｈ：）ｊ
（ｊｌｊｊｊ“１し゛、Ｑｉｉｉｇ！ 外２名
Claims (1)
- プラズマ中でＳＦ、ガス 、 ＯＦ、ガスその他のフ
ッ素系ガスを用いてポリシリコン、結晶シリコンをドラ
イエツチングする方法に於て、該ＳＦｅ ｊＪ ７．等
のフッ素系ガスと共に０２Ｈ４，００１゜その他の炭素
系ガスを混入することを特徴とするドライエツチング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16159782A JPS5951531A (ja) | 1982-09-18 | 1982-09-18 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16159782A JPS5951531A (ja) | 1982-09-18 | 1982-09-18 | ドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5951531A true JPS5951531A (ja) | 1984-03-26 |
Family
ID=15738164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16159782A Pending JPS5951531A (ja) | 1982-09-18 | 1982-09-18 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951531A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61198627A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-03 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61256728A (ja) * | 1985-05-06 | 1986-11-14 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | シリコン・エツチング方法 |
| US5180466A (en) * | 1984-12-29 | 1993-01-19 | Fujitsu Limited | Process for dry etching a silicon nitride layer |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56144541A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Fujitsu Ltd | Etching method |
| JPS5788100A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-01 | Citizen Watch Co Ltd | Etching method for quartz substrate |
| JPS58197820A (ja) * | 1982-05-14 | 1983-11-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマエツチング方法 |
-
1982
- 1982-09-18 JP JP16159782A patent/JPS5951531A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56144541A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Fujitsu Ltd | Etching method |
| JPS5788100A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-01 | Citizen Watch Co Ltd | Etching method for quartz substrate |
| JPS58197820A (ja) * | 1982-05-14 | 1983-11-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマエツチング方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5180466A (en) * | 1984-12-29 | 1993-01-19 | Fujitsu Limited | Process for dry etching a silicon nitride layer |
| JPS61198627A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-03 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0518456B2 (ja) * | 1985-02-27 | 1993-03-12 | Sharp Kk | |
| JPS61256728A (ja) * | 1985-05-06 | 1986-11-14 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | シリコン・エツチング方法 |
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