DE3687078T2 - Halbleiterlaservorrichtung fuer optischen kopf. - Google Patents

Halbleiterlaservorrichtung fuer optischen kopf.

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Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterlaservorrichtung für optische Köpfe von Aufnahme/Wiedergabegeräten. Solche Halbleiterlaservorrichtungen dienen zum Aussenden eines Strahls und zum Detektieren eines ankommenden Strahls.
  • Zur Aufnahme/Wiedergabe von Information in einem Aufnahme/Wiedergabegerät sendet der optische Kopf einen Strahl auf ein optisches Aufzeichnungsmedium und detektiert einen von diesem reflektierten Strahl.
  • Der optische Kopf ist in der Regel mit einer Halbleiterlaservorrichtung ausgestattet. Fig. 1, auf die hier Bezug genommen wird, zeigt einen optischen Kopf 1 mit einer bekannten Halbleiterlaservorrichtung. In dem optischen Kopf 1 trifft ein von einem Halbleiterlaser 2 ausgesendeter und an einem Strahlenteiler 3 reflektierter Strahl 4 durch ein Objektiv auf ein optisches Aufzeichnungsmedium 6. Der von diesem reflektierte Strahl trifft nach seinem Durchgang durch das Objektiv 5 und den Strahlenteiler 5 auf einen Photodetektor 7. Der Halbleiterlaser 2, der Strahlenteiler 3 und der Photodetektor 7 bilden eine Halbleiterlaservorrichtung 8 in dem optischen Kopf 1.
  • Die Herstellung des optischen Kopfes ist kostenaufwendig, weil eine räumliche Justierung der drei getrennten optischen Komponenten in der Halbleiterlaservorrichtung 8 erforderlich ist. Da der optische Kopf 1 das optische Aufzeichnungsmedium 6 berührungsfrei abtastet, ist außerdem eine Servosteuerung für die Fokussierung erforderlich. Zur Detektierung von Fokussierungsfehlern setzt man normalerweise ein astigmatisches Verfahren ein. Da hierbei in der Regel zwischen dem Strahlenteiler 3 und dem Photodetektor 7 eine Zylinderlinse angeordnet ist, wird das oben angesprochene Problem noch verschärft.
  • Die europäische Patentanmeldung EP-A1-0 029 755 (US-A-4 334 300) beschreibt eine Vorrichtung, die einen Halbleiterlaserchip mit einer Strahlfläche zur Aussendung eines Strahls, ferner einen Photodetektor zur Detektierung eines ankommenden Strahls und zur Erzeugung eines entsprechenden Signals und einen an dem Photodetektor befestigten Strahlenteiler aufweist mit einer gegenüber der genannten Strahlfläche um einen vorbestimmten Winkel geneigten ersten Fläche.
  • Die europäische Patentanmeldung EP-A1-0 061 384 (US-A-4 482 903) beschreibt eine Halbleiterlaservorrichtung, die einen Halbleiterlaserchip mit einer Strahlfläche zur Aussendung eines Strahls aufweist, ferner einen Photodetektor zum Detektieren eines ankommenden Strahls und zur Erzeugung eines entsprechenden Signals und einen Strahlenteiler mit einer gegenüber der genannten Strahlfläche um einen vorbestimmten Winkel geneigten ersten Fläche.
  • Die japanische Patentanmeldung JP-A-56 93 388 beschreibt eine Halbleiterlaservorrichtung mit ähnlichen Merkmalen, wie sie im Oberbegriff von Anspruch angegeben sind.
  • Gemäß vorliegender Erfindung ist eine Halbleiterlaservorrichtung für einen optischen Kopf vorgesehen
  • mit einem Halbleiterlaserchip, der eine Strahlfläche zur Aussendung eines Strahls aufweist,
  • mit einem Photodetektor zum Detektieren eines auftreffenden Strahls und zur Erzeugung eines entsprechenden Signals,
  • wobei Halbleiterlaserchip und Photodetektor auf einem gemeinsamen Substrat angeordnet sind,
  • sowie mit einem auf dem Photodetektor befestigten Strahlenteiler mit einer ersten Fläche, die gegenüber der Strahlfläche um einen vorbestimmten Winkel geneigt ist,
  • wobei die Halbleiterlaservorrichtung dadurch gekennzeichnet ist,
  • daß ein weiterer Photodetektor vorgesehen ist,
  • und daß der Strahlenteiler eine zweite Fläche besitzt, die diejenigen Strahlanteile des von dem Halbleiterlaserchip ausgesendeten Strahls, die durch die erste Fläche des Strahlenteilers verlaufen, derart zu dem weiteren Photodetektor lenken, daß die Ausgangsgröße des Halbleiterlaserchips von einem von dem weiteren Photodetektor abgegebenen Signal überwacht wird.
  • Im folgenden sei die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert, wobei in den einzelnen Zeichnungsfiguren gleiche Teile durchgehend mit gleichen Bezugszeichen versehen sind.
  • Fig. 1 zeigt einen optischen Kopf mit einer bekannten Halbleiterlaservorrichtung in einer Seitenansicht,
  • Fig. 2 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel der Halbleiterlaservorrichtung gemäß der Erfindung in einer geschnittenen Seitenansicht,
  • Fig. 3 zeigt einen Teil des ersten Ausführungsbeispiels in einer Draufsicht,
  • Fig. 4 zeigt einen mit dem ersten Ausführungsbeispiel ausgerüsteten optischen Kopf in einer Seitenansicht,
  • Fig. 5A bis 5C zeigen Draufsichten von Strahlpunkten auf Photodetektoren,
  • Fig. 6 zeigt das Blockschaltbild des optischen Kopfes von Fig. 4,
  • Fig. 7 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel der Halbleiterlaservorrichtung gemäß der Erfindung in geschnittener Seitenansicht,
  • Fig. 8 zeigt den Verlauf von Signalen eines optischen Kopfes, in dem das zweite Ausführungsbeispiel angewendet wird,
  • Fig 9 bis 11 zeigen Seitenansichten eines dritten, vierten bzw. fünften Ausführungsbeispiels, die nicht Teil der beanspruchten Erfindung sind.
  • Fig. 2 und 3 zeigen das erste Ausführungsbeispiel. In der Halbleiterlaservorrichtung 21 des ersten Ausführungsbeispiels ist ein Siliziumsubstrat 24 auf einem Sockel 23 befestigt, der Zuleitungen 22 aufweist. Auf dem Siliziumsubstrat 24 sind eine PIN- Diode 25 und eine PIN-Diode 26 ausgebildet, die als Photodetektoren zur Signaldetektierung bzw. zur Überwachung der Ausgangsgröße des Lasers dienen.
  • Auf dem Siliziumsubstrat 24 ist ein Dreieckprisma 27 ist mit einem Klebstoff so befestigt, daß es die PIN-Dioden 25 und 26 überdeckt. Ein Siliziumsubstrat 28, das einstückig mit dem Siliziumsubstrat 28 ausgebildet ist, erstreckt sich bis in die Nähe des Dreieckprismas 27. An der neben dem Dreieckprisma 27 liegenden Kante des Siliziumsubstrats 28 ist ein als Halbleiterlaser verwendeter Laserdiodenchip 31 angeordnet. Diesem liegt eine geneigte Fläche 27a des Dreieckprismas 27 gegenüber, die einen Reflektionsgrad von etwa 50% hat. Eine weitere geneigte Fläche 27b ist mit einer totalreflektierenden Beschichtung versehen, d. h. ihr Reflektionsgrad beträgt 100%.
  • Auf dem Sockel 23 ist eine Kappe 33 mit einem Glasfenster 32 montiert, die das optische System hermetisch abdichtet. Die PIN-Dioden 25 und 26 und der Laserdiodenchip 31 sind über (nicht dargestellte) Leiterdrähte mit den Zuleitungen 22 verbunden.
  • Fig. 4 zeigt einen optischen Kopf 34, bei dem die Halbleiterlaservorrichtung 21 Verwendung findet. In dem optischen Kopf 34 wird ein von dem Laserdiodenchip 31 ausgesendeter und an der geneigten Fläche 27a des Dreieckprismas 27 reflektierter Strahl 4 durch das Glasfenster 32 und das Objektiv 5 gelenkt und trifft auf das optische Aufzeichnungsmedium 6 auf.
  • Der von dem optischen Aufzeichnungsmedium 6 reflektierte und durch das Glasfenster 32 und die geneigte Fläche 27a übertragene Strahl 4 trifft auf die PIN-Diode 25.
  • In diesem Fall konvergiert der von dem optischen Aufzeichnungsmedium 6 reflektierte Strahl 4 auf der geneigten Fläche 27a. Wegen der unterschiedlichen Brechungsidizes des Dreieckprismas und der Luft wird der Strahl astigmatisch verformt und trifft so auf die PIN-Diode 25.
  • Es sei angenommen, daß die relative räumliche Lage des Laserdiodenchips 31 und der PIN-Diode 25 so festgelegt ist, daß der von dem auf die PIN-Diode 25 auftreffenden Strahl erzeugte Strahlpunkt in fokussiertem Zustand die in Fig. 5B dargestellte Form habe. Nach Maßgabe der Verschiebung der PIN-Diode 25 aus ihrer Fokussierungsstellung wird auf ihr ein Strahlpunkt mit der in Fig. 5A oder 5C dargestellten Form erzeugt.
  • Wie aus Fig. 3 hervorgeht, ist die PIN-Diode 25 durch zwei gegenüber der Dachkantlinie des Dreieckprismas 27 in entgegengesetzten Richtungen um 45º geneigte Winkelhalbierende in vier Photodetektorbereiche A bis D unterteilt. Mit einer Schaltung, wie sie in Fig. 6 dargestellt ist, läßt sich mit Hilfe eines Subtrahierers, der Signale von den vier die PIN-Diode 25 bildenden Photodetektorbereichen A bis D aufnimmt, ein Fokussierungsfehlersignal (A + C)-(B + D) und mit Hilfe eines Phasenkomparators 37 und eines Addierers 38 ein Spurfehlersignal bzw. ein Wiedergabesignal (A+B+C+D) herleiten.
  • Falls der Astigmatismuseffekt, der durch die Differenz zwischen den Brechungsindizes des Dreieckprismas 27 und der Luft zustande kommt nicht genügend groß ist, wird ein Teil des Dreieckprismas 27 abgetragen, wie dies durch die strichpunktierten Linien in Fig. 2 und 3 angedeutet ist, so daß ein Zylinderlinsenteil 41 oder 42 entsteht.
  • Bei der in Fig. 2 dargestellten Halbleiterlaservorrichtung 21 nach dem ersten Ausführungsbeispiel wird der von dem Laserdiodenchip 31 ausgesendete Strahl 4 über die geneigte Fläche 27a des Dreieckprismas 27 übertragen und trifft dann entweder direkt oder nach Reflektion an der geneigten Fläche 27b auf die PIN-Diode 26. Deshalb bildet das Ausgangssignal der PIN-Diode 26 eine Basis, auf der die Ausgangsgröße des Laserdiodenchips 31 justiert werden kann.
  • In der Halbleiterlaservorrichtung 21 nach dem ersten Ausführungsbeispiel kehrt der von dem Laserdiodenchip 31 ausgesendete und an der geneigten Fläche 27a des Dreieckprismas 27 reflektierte Strahl 4 nicht direkt zu dem Laserdiodenchip 31 zurück. Deshalb erzeugt der Laserdiodenchip 31 ein geringfügiges Rauschen.
  • Da außerdem das einzige Dreieckprisma 27 als Strahlenteiler dient, ist die Halbleiterlaservorrichtung 21 kostengünstig. Da die PIN-Dioden 25 und 26 auf derselben Fläche des einzigen Siliziumsubstrats 24 ausgebildet sind, können sie durch ein lithographisches Verfahren gleichzeitig hergestellt werden.
  • Fig. 7 zeigt das zweite Ausführungsbeispiel. Bis auf die Tatsache, daß die Strahlenteiler aus zwei Rechtprismen 44 und 45 mit unterschiedlichen Brechungsindizes besteht, entspricht die Halbleiterlaservorrichtung 43 des zweiten Ausführungsbeispiels im wesentlichen derjenigen des ersten Ausführungsbeispiels (Fig. 2).
  • Fig. 8 zeigt die Pegel zweier Signale der PIN-Diode 25, die auftreten, wenn die Halbleiterlaservorrichtung 43 des zweiten Ausführungsbeispiels in einem optischen Kopf verwendet wird und das optische Aufzeichnungsmedium 6 in Richtung der optischen Achse eines Strahls 4 verschoben wird. Die Rechtprismen 44 und 45, die einen 1 mm hohen Strahlenteiler bilden, bestehen aus optischen Gläsern BK7 und SF11. Die numerische Apertur des Objektiv 5 hat den Wert 0,47 und diejenige einer (in Fig. 4 nicht dargestellten) Kollimatorlinse den Wert 0,14.
  • Fig. 9 zeigt das dritte Ausführungsbeispiel. Bis auf die Tatsache, daß die PIN-Dioden 25 und 26 und der Laserdiodenchip 31 auf einem einteiligen Siliziumsubstrat 47 ausgebildet sind und der aus zwei Rechtprismen 48 und 49 mit unterschiedlichen Brechungsindizes bestehende Strahlenteiler auf dem Siliziumsubstrat 47 in einer Position befestigt ist, in der nur die PIN-Diode 25 überdeckt, entspricht die Halbleiterlaservorrichtung 46 des dritten Ausführungsbeispiels im wesentlichen derjenigen des ersten Ausführungsbeispiels (Fig. 2).
  • Fig. 10 zeigt das vierte Ausführungsbeispiel. Bis auf die Tatsache, daß das Siliziumsubstrat 28 einstückig mit dem Siliziumsubstrat 24 ausgebildet ist und die zur Überwachung der Ausgangsgröße des Lasers dienende PIN-Diode 26 in dem Siliziumsubstrat 28 ausgebildet ist, auf dem sich auch der Laserdiodenchip 31 befindet, entspricht die Halbleiterlaservorrichtung 51 des vierten Ausführungsbeispiels im wesentlichen derjenigen des dritten Ausführungsbeispiels (Fig. 9).
  • In der Halbleiterlaservorrichtung 51 des vierten Ausführungsbeispiels dient die PIN- Diode 26 als Rückmelde-Überwachungselement für den Laserdiodenchip 31.
  • Fig. 11 zeigt das fünfte Ausführungsbeispiel. Bis auf die Tatsache, daß die PIN-Diode 26 auf dem Siliziumsubstrat 24 ausgebildet ist, auf dem sich auch die PIN-Diode 25 befindet, entspricht die Halbleiterlaservorrichtung 52 des vierten Ausführungsbeispiels (Fig. 10).

Claims (5)

1. Halbleiterlaservorrichtung (21) für einen optischen Kopf
mit einem Halbleiterlaserchip (31), der eine Strahlfläche zur Aussendung eines Strahls aufweist,
mit einem Photodetektor (25) zum Detektieren eines auftreffenden Strahls und zur Erzeugung eines entsprechenden Signals,
wobei Halbleiterlaserchip (31) und Photodetektor (25) auf einem gemeinsamen Substrat (24, 28) angeordnet sind,
sowie mit einem auf dem Photodetektor (25) befestigten Strahlenteiler (27) mit einer ersten Fläche (27a), die gegenüber der Strahlfläche um einen vorbestimmten Winkel geneigt ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein weiterer Photodetektor (26) vorgesehen ist,
und daß der Strahlenteiler (27) eine zweite Fläche (17b) besitzt, die diejenigen Strahlanteile des von dem Halbleiterlaserchip (31) ausgesendeten Strahls, die durch die erste Fläche (27a) des Strahlenteilers (27) verlaufen, derart zu dem weiteren Photodetektor (26) lenken, daß die Ausgangsgröße des Halbleiterlaserchips (31) von einem von dem weiteren Photodetektor (26) abgegebenen Signal überwacht wird.
2. Vorrichtung (21) nach Anspruch 1 mit einem Fenster (32) für die Aufnahme eines von dem Halbleiterlaserchip (31) ausgesendeten Strahls und an der genannten ersten Fläche (27a) des Strahlenteilers (27) reflektierten Strahls und zur Aufnahme des von einem optischen Aufzeichnungsmedium (6) reflektierten Strahls.
3. Vorrichtung (21) nach Anspruch 2, bei der der Strahlenteiler (27) ein Prisma (27) umfaßt und bei der der Photodetektor (25) vier Photodetektorbereiche (A, B, C, D) umfaßt, die durch zwei Winkelhalbierende unterteilt sind, die gegenüber der Dachkantlinie des Strahlenteilers (27) in entgegengesetzten Richtungen um 45º geneigt sind, wobei diese Photodetektorbereiche (A, B, C, D) relativ zu dem Schnittpunkt der beiden Winkelhalbierenden paarweise symmetrisch angeordnet sind, so daß sie Ausgangssignale zur Herleitung eines Fokussierungsfehlersignals liefern, das als Astigmatismus aus der Differenz zwischen der Summe der Ausgangssignale eines der Paare von einander gegenüberliegenden Photodetektorbereichen (A, B, C, D) und der Summe der Ausgangssignale des anderen Paares von einander gegenüberliegenden Photodetektorbereichen (A, B, C, D) berechnet wird.
4. Vorrichtung (21) nach Anspruch 3, bei der die Gesamtsumme der Ausgangssignale der Photodetektorbereiche (A, B, C, D) ein Wiedergabesignal bildet.
5. Vorrichtung (21) nach Anspruch (3), bei der das Prisma (27) aus einem ersten und einem zweiten Dreieckprisma (44, 45) mit unterschiedlichen Brechungsindizes besteht.
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Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6657931B1 (en) 1959-02-02 2003-12-02 Sony Corporation Optical disc drive for performing read/write operations on optical disks
JP2615553B2 (ja) * 1985-11-14 1997-05-28 富士通株式会社 レーザ制御装置
WO1987005142A1 (en) * 1986-02-24 1987-08-27 Sony Corporation Device for detecting focus
US4906839A (en) * 1986-05-01 1990-03-06 Pencom International Corp. Hybrid surface emitting laser and detector
US4905216A (en) * 1986-12-04 1990-02-27 Pencom International Corporation Method for constructing an optical head by varying a hologram pattern
JP2508478B2 (ja) * 1987-02-06 1996-06-19 ソニー株式会社 光学ヘツド
GB8712808D0 (en) * 1987-06-01 1987-07-08 Bt & D Technologies Ltd Optical transmitters
JP2590902B2 (ja) * 1987-07-30 1997-03-19 ソニー株式会社 発光・受光複合素子
DE3855936T2 (de) * 1987-08-24 1998-01-02 Sharp Kk Optische Abtastvorrichtung
EP0308749A3 (de) * 1987-09-25 1990-07-11 Siemens Aktiengesellschaft Elektrooptische Baugruppe
GB8728342D0 (en) * 1987-12-03 1988-01-06 Bt & D Technologies Ltd Light sources
AU620581B2 (en) * 1987-12-03 1992-02-20 Bt&D Technologies Limited Light sources
EP0339722B1 (de) * 1988-04-26 1993-10-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Anordnung zum optischen Abtasten eines magneto-optischen Aufzeichnungsträgers
US4854659A (en) * 1988-05-31 1989-08-08 Bt&D Technologies, Ltd. Optical devices
EP0360209A3 (de) * 1988-09-19 1992-08-19 Hitachi, Ltd. Optischer Kopf und optisches Datenverarbeitungsgerät
NL8802988A (nl) * 1988-12-05 1990-07-02 Philips Nv Inrichting voor het met optische straling aftasten van een informatievlak.
US5233580A (en) * 1988-12-19 1993-08-03 Rohm Co., Ltd. Laser diode unit welded to a mounting member by laser light
JPH0724112B2 (ja) * 1988-12-19 1995-03-15 ローム株式会社 レーザダイオードユニットの取り付け方法
US5130531A (en) * 1989-06-09 1992-07-14 Omron Corporation Reflective photosensor and semiconductor light emitting apparatus each using micro Fresnel lens
US5226052A (en) * 1990-05-08 1993-07-06 Rohm, Ltd. Laser diode system for cutting off the environment from the laser diode
US5089861A (en) * 1990-05-09 1992-02-18 Rohm Co., Ltd. Semiconductor laser device with mounting block
US5966230A (en) * 1990-05-29 1999-10-12 Symbol Technologies, Inc. Integrated scanner on a common substrate
US5625483A (en) * 1990-05-29 1997-04-29 Symbol Technologies, Inc. Integrated light source and scanning element implemented on a semiconductor or electro-optical substrate
US6305607B1 (en) * 1990-05-29 2001-10-23 Symbol Technologies, Inc. Integrated bar code reader and RF transceiver
US5164930A (en) * 1990-07-25 1992-11-17 Pioneer Electronic Corporation Optical pickup
US5191204A (en) * 1991-10-28 1993-03-02 International Business Machines Corporation Multi-beam optical system and method with power detection of overlapping beams
US5319182A (en) * 1992-03-04 1994-06-07 Welch Allyn, Inc. Integrated solid state light emitting and detecting array and apparatus employing said array
US5247167A (en) * 1992-08-06 1993-09-21 International Business Machines Corporation Multiple beam power monitoring system and method with radiation detection and focusing means of overlapping beams
EP0582958B1 (de) * 1992-08-07 1998-05-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Halbleiterlaservorrichtung, optische Vorrichtung und Herstellungsverfahren
US6123261A (en) * 1997-05-05 2000-09-26 Roustaei; Alexander R. Optical scanner and image reader for reading images and decoding optical information including one and two dimensional symbologies at variable depth of field
DE69326213T2 (de) * 1992-11-17 1999-12-30 Seiko Epson Corp., Tokio/Tokyo Optischer Abtastkopf
JPH06169136A (ja) * 1992-11-30 1994-06-14 Canon Inc 発光装置と光半導体装置及びその製造方法
US5557116A (en) * 1992-12-24 1996-09-17 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and resin layer
JPH06309685A (ja) * 1993-04-26 1994-11-04 Nippon Conlux Co Ltd 光学式情報記録再生装置のレーザ出力制御装置
DE69425319T2 (de) * 1993-08-17 2001-01-18 Sony Corp., Tokio/Tokyo OPTISCHE VORRICHTUNG FüR KODELESER
US5852287A (en) * 1993-08-17 1998-12-22 Sony Corporation Semiconductor optical device for code reader
JPH07114746A (ja) * 1993-08-25 1995-05-02 Sony Corp 光学装置
US6648227B2 (en) * 2000-10-20 2003-11-18 Symbol Technologies, Inc. Scanning module for a bar code reader with a focusing lens
US6114712A (en) * 1996-10-09 2000-09-05 Symbol Technologies, Inc. One piece optical assembly for low cost optical scanner
EP0660467B1 (de) * 1993-12-22 1997-03-19 Siemens Aktiengesellschaft Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE59308228D1 (de) * 1993-12-22 1998-04-09 Siemens Ag Sende- und Empfangsmodul für eine bidirektionale optische Nachrichten- und Signalübertragung
US5874722A (en) 1994-07-19 1999-02-23 Spectra-Physics Scanning Systems, Inc. Compact scanner module mountable to pointing instrument
JP3438365B2 (ja) * 1994-11-29 2003-08-18 ソニー株式会社 複合光学装置およびその製造方法
EP0749119A3 (de) * 1995-05-31 1997-08-20 Daewoo Electronics Co Ltd Optisches Abtastgerät
KR100200857B1 (ko) * 1995-10-04 1999-06-15 윤종용 광픽업장치
DE19640421A1 (de) * 1996-09-30 1998-04-23 Siemens Ag Optoelektronisches Modul zur bidirektionalen optischen Datenübertragung
US6097521A (en) * 1997-09-26 2000-08-01 Siemens Aktiengesellschaft Optoelectronic module for bidirectional optical data transmission
ID21726A (id) 1996-10-23 1999-07-15 Siemens Ag Metode untuk melaksanakan registrasi atas sebuah terminal mobil
US6185239B1 (en) * 1997-01-22 2001-02-06 Sony Corporation Semiconductor laser device
DE19748324C2 (de) * 1997-10-31 1999-08-26 Siemens Ag Optoelektronisches Sensormodul
US6206290B1 (en) * 1998-03-06 2001-03-27 Symbol Technologies, Inc. Control system for oscillating optical element in scanners
US6186400B1 (en) * 1998-03-20 2001-02-13 Symbol Technologies, Inc. Bar code reader with an integrated scanning component module mountable on printed circuit board
US6843416B2 (en) * 2002-01-29 2005-01-18 Symbol Technologies, Inc. Integrated scanner on a common substrate
US6807218B1 (en) 2002-05-13 2004-10-19 Amkor Technology, Inc. Laser module and optical subassembly
JP2003332671A (ja) * 2002-05-17 2003-11-21 Sharp Corp 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
JP2004152845A (ja) * 2002-10-29 2004-05-27 Sharp Corp 半導体レーザ装置
JP2004311860A (ja) * 2003-04-10 2004-11-04 Sony Corp 光集積型装置
US7225987B2 (en) * 2003-09-11 2007-06-05 Symbol Technologies, Inc. Integrated scanner on a common substrate
US7449667B2 (en) * 2005-12-19 2008-11-11 Motorola, Inc. Illumination method and apparatus having a plurality of feedback control circuit for controlling intensities of multiple light sources
US7405384B2 (en) * 2005-12-19 2008-07-29 Motorola, Inc. Method and apparatus for intensity control of multiple light sources using source timing
WO2008038924A1 (en) 2006-09-28 2008-04-03 Seoul Opto Device Co., Ltd. Ultraviolet light emitting diode package
WO2008114991A1 (en) * 2007-03-19 2008-09-25 Jeong Soo Kim Self-standing parallel plate beam splitter, method for manufacturing the same, and laser diode package structure using the same
KR102217730B1 (ko) * 2013-07-30 2021-02-22 주식회사 포벨 파장 측정 장치가 내장된 외부 공진기형 레이저
CN114791653A (zh) * 2015-03-24 2022-07-26 申泰公司 具有纹理化表面的光学块
JP6217706B2 (ja) * 2015-07-29 2017-10-25 日亜化学工業株式会社 光学部材の製造方法、半導体レーザ装置の製造方法及び半導体レーザ装置
TW202407911A (zh) * 2022-08-05 2024-02-16 華信光電科技股份有限公司 電子元件封裝體及其製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7312139A (de) * 1972-09-08 1974-03-12
DE2737345C2 (de) * 1976-08-20 1991-07-25 Canon K.K., Tokio/Tokyo Halbleiterlaser-Vorrichtung mit einem Peltier-Element
CA1091966A (en) * 1976-10-15 1980-12-23 Chiaki Kojima Apparatus for reading signals recorded on a record carrier
US4293826A (en) * 1979-04-30 1981-10-06 Xerox Corporation Hybrid semiconductor laser/detectors
FR2470391A1 (fr) * 1979-11-21 1981-05-29 Thomson Csf Dispositif optique stigmatique d'emission-reception de rayonnements coherents et tete optique d'enregistrement-lecture comprenant un tel dispositif
US4284884A (en) * 1980-04-09 1981-08-18 Northern Telecom Limited Electro-optic devices
FR2502800A1 (fr) * 1981-03-24 1982-10-01 Thomson Csf Senseur optique d'asservissement de focalisation
JPS5880139A (ja) * 1981-11-04 1983-05-14 Sony Corp 光学ヘツド
JPS58155527A (ja) * 1982-03-10 1983-09-16 Hitachi Ltd 光デイスクプレ−ヤのフオ−カス引き込み回路
US4626679A (en) * 1982-09-22 1986-12-02 Canon Kabushiki Kaisha Optical head and method of detecting the focus thereof
NL8502802A (nl) * 1985-10-14 1987-05-04 Philips Nv Inrichting voor het uitlezen en/of inschrijven van een optische spoorvormige informatiestruktuur.

Also Published As

Publication number Publication date
US4733067A (en) 1988-03-22
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EP0199565A2 (de) 1986-10-29
EP0199565B1 (de) 1992-11-11
AU584188B2 (en) 1989-05-18
AU5642786A (en) 1986-10-30
ATE82438T1 (de) 1992-11-15
DE3687078D1 (de) 1992-12-17

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