DE3628340A1 - Verfahren zur herstellung von leiterplatten - Google Patents

Description

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten oder ge­ druckten Schaltkreisplatten mit den gewünschten Leiterzügen unter Anwendung eines auf die Oberfläche einer kupferplattierten oder kupferkaschierten, isolierenden Schicht­ preßstoffplatte aufgebrachten lichtempfindlichen Resistfilms und insbesondere die Aus­ bildung eines lichtempfindlichen Resistfilms oder Photolacks auf der die Oberfläche bedeckenden Kupferschicht einer kupferplattierten, isolierenden Schichtpreßstoffplatte zur Bildung von Leiterplatten bzw. gedruckten Schaltkreisen.

Üblicherweise werden Leiterplatten oder gedruckte Schaltkreisplatten dadurch herge­ stellt, daß man auf einer Oberfläche der Kupferschicht einer kupferplattierten Schicht­ preßstoffplatte einen lichtempfindlichen Resistfilm ausbildet und nach Belichten der in dieser Weise beschichteten Platte mit dem gewünschten Leitungsmuster entwickelt un­ ter Erzeugung des gewünschten Resistfilmmusters. Anschließend wird die kupferplat­ tierte Oberfläche unter Verwendung des Resistfilmmusters als Maske geätzt, wodurch die gewünschten Leiterzüge erzeugt werden.

Ein herkömmliches Verfahren zur Ausbildung des lichtempfindlichen Resistfilms auf der mit Kupfer beschichteten Oberfläche einer kupferplattierten, isolierenden Schicht­ preßstoffplatte besteht darin, das flüssige Resistmaterial durch Tauchen, Aufwalzen oder Schleuderbeschichten aufzubringen, oder einen lichtempfindlichen Film, der auch als Trockenfilmresist bezeichnet wird (beispielsweise den von der Firma Dupont Corporation hergestellten Liston-Film) unter Anwendung einer geeigneten Klebevor­ richtung aufzulaminieren.

Die Fig. 3 der beigefügten Zeichnungen verdeutlicht diese Ausführungsform, gemäß der ein Schutzfilm 2 auf die Oberfläche des Trockenfilms 1 aufgebracht wird.

Die Fig. 4 verdeutlicht schematisch die Vorrichtung zum Aufkleben eines Trocken­ films, indem auf beide Oberflächen der kupferplattierten Schichtpreßstoffplatte 3 erste bzw. zweite Trockenfilme 1 a bzw. 1 b aufgeklebt werden.

Zunächst werden die ersten und zweiten Schutzfilme 2 a und 2 b von dem ersten und zweiten Trockenfilm 1 a bzw. 1 b abgezogen, welche über erste und zweite Trockenfilm­ zuführungswalzen 4 a bzw. 4 b zugeführt werden. Diese Schutzfilme 2 a und 2 b werden um erste und zweite Schutzfilmaufwickelwalzen 5 a bzw. 5 b aufgewickelt. Anschlie­ ßend werden die durch Abziehen der Schutzfilme 2 a und 2 b erhaltenen ersten und zweiten Trockenfilme 1 a und 1 b auf die Vorderseite bzw. die Rückseite der kupferpla­ tierten Schichtpreßstoffplatte 3 aufgeklebt, welche zwischen ersten und zweiten Heiz- und Druck-Walzen 6 a und 6 b hindurchgeführt wird. Die Bezugsziffer 7 a steht für eine Führungswalze zur Führung des ersten Trockenfilms 1 a. Die Bezugsziffer 7 b steht für die Führungswalze für den zweiten Trockenfilm 1 b und zum Abziehen des zweiten Schutzfilms 2 b.

Bei dieser herkömmlichen Methode zur Erzeugung von Leiterplatten wird ein getrennt von der kupferlaminierten Schichtpreßstoffplatte hergestellter Trockenfilm in der oben beschriebenen Weise auf die kupferplattierte Schichtpreßstoffplatte aufgeklebt, so daß in Abhängigkeit von den Breitenverhältnissen des Trockenfilms und der Größe der kupferplattierten Schichtpreßstoffplatte Trockenfilmverluste in der Breitenrichtung und in der Längsrichtung auftreten. Weiterhin sind zwei Personen erforderlich, um auf der einen Seite die kupferplattierte Schichtpreßstoffplatte zuzuführen und auf der anderen Seite die mit dem Trockenfilm versehene kupferplattierte Schichtpreßstoffplatte entge­ genzunehmen. Wenngleich automatische Beschichtungseinrichtungen verwendet wer­ den können, sind diese Vorrichtungen kostspielig. Weiterhin ergibt sich bei Anwesen­ heit von Fehlern auf der Oberfläche der Kupferschicht eine unzureichende Verbindung zwischen dem Trockenfilm und diesen Bereichen, so daß Unterbrechungen der Leiter­ züge oder Kurzschlüsse beim oder nach dem Ätzen der Leiterzugmuster auftreten kön­ nen.

Es sind Verfahren zur Herstellung von mit Durchgangslöchern versehenen Leiterplat­ ten bekannt, die darin bestehen, zunächst die kupferplattierte Schichtpreßstoffplatte mit den Durchgangslöchern zu versehen, dann eine Plattierung (im allgemeinen eine Kupferplattierung) durchzuführen, Kunststoffe, die durch Erhitzen ausgehärtet werden können, in die Durchgangslöcher einzubringen, ein lichtempfindliches Resistfilm­ muster auf der Oberfläche der Kupferschicht der kupferplattierten Schichtpreßstoffplat­ te ähnlich wie in der oben beschriebenen Weise zu erzeugen und das Ätzen der Kupferschicht unter Verwendung des Resistmusters als Maske durchzuführen, wonach das in die Durchgangslöcher eingebrachte Kunststoffmaterial entfernt wird, um die gewünschten Leiterzüge zu ergeben. Bei einer weiteren Methode dieser Art wird die mit den Durchgangslöchern versehene kupferplattierte Schichtpreßstoffplatte mit einem lichtempfindlichen Resistfilm beschichtet, wonach das Resistfilmmuster ähnlich der oben beschrieben Weise erzeugt wird und das Ätzen der Kupferoberfläche unter Verwendung des Resistfilmmusters als Maske durchgeführt wird, so daß auch in dieser Weise die gewünschten Leiterzüge erhalten werden.

In diesem Fall werden zum Einbringen der Kunststoffmaterialien in Löcher, wie die Durchgangslöcher, Druckverfahren oder Walzbeschichtungsmethoden angewandt.

Die Fig. 5 verdeutlicht ein Methode, gemäß der die Durchgangslöcher unter Verwen­ dung einer üblichen Walzbeschichtungseinrichtung ausgefüllt werden. Die Bezugs­ ziffer 3 steht für die kupferplattierte Schichtpreßstoffplatte, während die Bezugsziffern 15 die in der Schichtpreßstoffplatte 3 vorgesehenen Durchgangslöcher bezeichnen und die Bezugsziffer 16 für das in die Durchgangslöcher 15 einzubringende Kunst­ stoffmaterial steht.

Das Kunststoffmaterial 16 wird mit Hilfe der Beschichtungswalzen 14 a und der Hilfs­ walze 14 b der Walzbeschichtungseinrichtung in Form einer Schicht auf die Schicht­ preßstoffplatte 3 aufgebracht und gleichzeitig in die Durchgangslöcher 15 der Schicht­ preßstoffplatte 3 eingeführt. Das Kunststoffmaterial 16 wird zum Härten getrocknet, wo­ nach lediglich das auf der Oberfläche der Schichtpreßstoffplatte 3 vorliegende Kunst­ stoffmaterial entfernt wird. In dieser Weise werden die Durchgangslöcher 15 ausgefüllt, worauf auf der Oberfläche der Kupferschicht ein lichtempfindlicher Resistfilm in der oben beschriebenen Weise erzeugt wird zur Bildung der gewünschten Leiterzüge. Wenn jedoch in der kupferplattierten Schichtpreßstoffplatte Durchgangslöcher vorge­ sehen sind, ergeben sich Nachteile dadurch, daß die Durchgangslöcher gefüllt werden müssen und das in die Durchgangslöcher eingebrachte Kunststoffmaterial getrocknet werden muß und daß ein getrennt von der Schichtpreßstoffplatte hergestellter Trocken­ film auf die Schichtpreßstoffplatte aufgeklebt werden muß.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht nun darin, das Verfahren der ein­ gangs angegebenen Gattung zur Herstellung von Leiterplatten bzw. gedruckten Schaltkreisplatten in der Weise zu verbessern, daß ohne Materialverluste ein licht­ empfindlicher Resistfilm auf der gesamten Oberfläche der kupferplattierten Schicht­ preßstoffplatte erzeugt werden kann, wobei keine kostspieligen Vorrichtungen und zusätzliche Personalkosten aufgebracht werden müssen und das Verfahren in eine automatische Verarbeitungseinrichtung integriert werden kann und auch auf kupfer­ plattierte Schichtpreßstoffplatten angewandt werden kann, die mit Durchgangslöchern versehen sind.

Diese Aufgabe wird gelöst durch die kennzeichnenden Merkmale des Verfahrens ge­ mäß Hauptanspruch. Die Unteransprüche betreffen besonders bevorzugte Ausfüh­ rungsformen dieses Erfindungsgegenstandes.

Die Erfindung betrifft somit ein Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten oder ge­ druckten Schaltkreisplatten mit den gewünschten Leiterzügen unter Anwendung eines auf einer Oberfläche einer kupferplattierten oder kupferbeschichteten, isolierenden Schichtpreßstoffplatte aufgebrachten lichtempfindlchen Resistfilms, welches darin be­ steht, den lichtempfindlichen Resistfilm oder Photolackfilm galvanisch unter Anwen­ dung von Gleichstrom auf der Oberfläche der isolierenden Schichtpreßstoffplatte ab­ zuscheiden, indem die isolierende Schichtpreßstoffplatte in ein Abscheidungsbad ein­ getaucht wird, welches wasserlösliche oder in Wasser dispergierbare, unter Lichtein­ wirkung aushärtende Kunststoffe als Hauptbestandteile enthält.

Die Erfindung sei im folgenden näher unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeich­ nungen erläutert. In den Zeichnungen zeigen:

Fig. 1 eine Schnittansicht einer Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens;

Fig. 2 eine Seitenansicht einer automatischen Verarbeitungsein­ richtung mit einem galvanischen Abscheidungsbad, in dem das erfindungsgemäße Verfahren durchgeführt wird;

Fig. 3 eine Seitenansicht des Aufbaus eines herkömmlichen Trockenfilmresists;

Fig. 4 eine Seitenansicht einer Vorrichtung zum Beschichten einer kupferplattierten Schichtpreßstoffplatte mit einem Trockenfilm; und

Fig. 5 eine Schnittansicht eines herkömmlichen Walzbeschich­ tungsverfahrens zum Ausfüllen der Durchgangslöcher von Leiterplatten.

Die Fig. 1 verdeutlicht eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung von Leiterplatten. Die in der Fig. 1 angegebene Bezugsziffer 8 steht für ein galvanisches Beschichtungsbad in Form einer Elektrolyseeinrichtung. Die Bezugs­ ziffer 9 bezeichnet die galvanische Beschichtungsmasse, die in dem Bad 8 enthalten ist und in die die kupferplattierte Schichtpreßstoffplatte 3 eingetaucht wird. Dieses gal­ vanische Beschichtungsbad 9 enthält wasserlösliche oder in Wasser dispergierbare, unter Lichteinwirkung aushärtende Kunststoffe als Hauptbestandteil. Die Bezugsziffer 10 steht für eine negative Elektrode aus rostfreiem Stahl, die der kupferplattierten Schichtpreßstoffplatte 3 gegenüberliegend in dem Beschichtungsbad 8 angeordnet ist. Die Bezugsziffer 11 steht für ein Lufteinleitungsrohr zum Bewegen der Flüssigkeit.

Wenn eine Gleichspannung von etwa 200 V zwischen der kupferplattierten Schicht­ preßstoffplatte 3 und der negativen Elektrode 10 angelegt wird, wird das unter Licht­ einwirkung aushärtende Kunststoffmaterial, welches in dem galvanischen Abschei­ dungsbad 9 gelöst und dispergiert ist, negativ aufgeladen und galvanisch auf der Oberfläche der kupferplattierten Schichtpreßstoffplatte 3 abgeschieden. Mit zu­ nehmender Dicke des Kunststoffilms nimmt die Stromstärke bei der galvanischen Be­ schichtung ab, so daß beim Erreichen einer vorbestimmten Dicke eine Entwässerung erfolgt. Anschließend wird die kupferplattierte Schichtpreßstoffplatte 3 aus dem Bad herausgezogen, wonach das Kunststoffmaterial durch Erhitzen getrocknet wird und den gewünschten lichtempfindlichen Resistfilm ergibt.

In dieser Weise ist es möglich, ohne Materialverluste einen gleichmäßigen lichtem­ pfindlichen Resistfilm zu erzeugen. Es ist ohne weiteres möglich, die Herstellung des lichtempfindlichen Resistfilms zu automatisieren, so daß eine wirksame Ausnützung der Betriebsräume erreicht werden kann.

Selbst im Fall von kupferplattierten Schichtpreßstoffplatten mit Durchgangslöchern kann ein gleichmäßiger lichtempfindlicher Resistfilm erhalten werden, da das Kunst­ stoffmaterial die Durchgangslöcher ausfüllt. In diesem Fall ist es möglich, auf die zu­ sätzliche Maßnahme des Trocknens des in die Durchgangslöcher eingebrachten Kunststoffmaterials zu verzichten.

Die Fig. 2 verdeutlicht eine Ausführungsform, bei der die Elektrolyseeinrichtung der oben beschriebenen Einrichtung in eine automatische Behandlungsvorrichtung inte­ griert ist. Wie aus der Fig. 2 hervorgeht, ist das galvanische Beschichtungsbad 8 in eine Reihe von automatischen Behandlungstanks 12 eingebracht. Die Bezugsziffer 13 steht für eine automatische Fördereinrichtung zur Überführung der kupferplattierten Schichtpreßstoffplatte 3 zu einem gegebenen Zeitpunkt an eine gegebene Position, d.h. oberhalb des galvanischen Beschichtungsbades.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, als galvanische Beschichtungs­ masse anionische galvanische Beschichtungsmassen oder kationische galvanische Beschichtungsmassen anzuwenden, wie sie in der US-PS 39 54 587 beschrieben sind.

Beispiele für anionische galvanische Beschichtungsmassen umfassen wasserlösliche oder in Wasser dispergierbare, unter Lichteinwirkung härtbare Massen, die Bestand­ teile aus den nachfolgend angegebenen Gruppen (1) bis (5), die in Wasser lösliche oder in Wasser dispergierbare polymerisierbare ungesättigte Harze mit einer Säurezahl von 20 bis 300, einem Unsättigungsäquivalent von etwa 150 bis etwa 3000 und einem zahlenmittleren Molekulargewicht von mehr als etwa 300 umfassen, sowie in Wasser nicht lösbare Photopolymerisationsinitiatoren, wie Benzoin, als Haupt­ bestandteile enthalten.

(1) Ein Bestandteil, der ein polymerisierbares ungesättigtes Harz, welches durch Additionsreaktion einer Verbindung, die polymerisierbare ungesättigte Bindungen und eine Hydroxylgruppe im Molekül aufweist, und einer Diisocyanatverbindung erhalten worden ist unter Bildung eines Acrylharzes mit hoher Säurezahl, welches Hydroxyl­ gruppen in seinem Gerüst aufweist, oder eine Mischung aus diesem Material und ethylenisch ungesättigten Verbindungen mit mehr als einer polymerisierbaren unge­ sättigten Bindung im Molekül als Hauptbestandteile enthält.

(2) Ein Bestandteil, der eine Mischung aus einem polymerisierbaren ungesättigten Harz, welches durch Addition von α, β-ethylenisch ungesättigten zweiibasigen Säuren oder deren Anhydriden an die ungesättigten Bindungen einer Fettsäurekette in einem veresterten Produkt eines Epoxidharzes mit Epoxygruppen und einer ungesättigten Fettsäure erhalten worden ist, und eine ethylenisch ungesättigte Verbindung mit mehr als einer polymerisierbaren ungesättigten Bindung im Molekül als Hauptbestandteile enthält.

(3) Ein Bestandteil, der eine Mischung aus einem polymerisierbaren ungesättigten Harz, welches ein Alkydharz mit hoher Säurezahl auf der Grundlage einer ungesättig­ ten denaturierten Fettsäure und eine ethylenisch ungesättigte Verbindung mit mehr als einer polymerisierbaren ungesättigten Bindung im Molekül als Hauptbestandteile ent­ hält.

(4) Ein Bestandteil, der eine Mischung aus einem polymerisierbaren ungesättigten Harz, welches Maleinöl und eine ethylenisch ungesättigte Verbindung mit mehr als einer polymerisierbaren ungesättigten Bindung im Molekül als Hauptbestandteile ent­ hält.

(5) Ein Bestandteil, der ein polymerisierbares ungesättigtes Harz, welches durch Zugabe einer Verbindung, die eine polymerisierbare, ungesättigte Bindung und eine Glycidylgruppe im Molekül aufweist zu einem Acrylharz mit hoher Säurezahl erhalten worden ist oder eine Mischung aus diesem Material und einer ethylenisch unge­ sättigten Verbindung mit mehr als einer polymerisierbaren ungesättigten Verbindung im Molekül als Hauptbestandteile enthält.

Beispiele für kationische galvanische Beschichtungsmassen sind:

Materialien, die eine wasserlösliche oder in Wasser dispergierbare, unter Lichteinwir­ kung härtbare Verbindung, einschließlich wasserlöslicher oder in Wasser dispergier­ barer polymerisierbarer ungesättigter Harze mit einer ethylenisch ungesättigten Grup­ pe und einer Aminogruppe im Harzgerüst ausgewählt aus den nachfolgenden Be­ standteilen (6) bis (8), und einen in Wasser nicht löslichen Polymerisationsinitiator als Hauptbestandteile enthalten.

(6) Harze, die man durch Zugabe einer eine ethylenisch ungesättigte Gruppe ent­ haltenden Isocyanatverbindung zu einer eine Hydroxylgruppe aufweisenden Verbin­ dung, die man durch Zugabe eines primären oder sekundären Amids zu einer Epoxy­ verbindung erhält, gebildet hat.

Als Epoxyverbindungen der oben beschriebenen Art kann man copolymerisierte Harze verwenden, die man durch Copolymerisation eines Vinylmonomers, wie eines Epoxid­ harzes des Bisphenol A-Typs, eines Epoxidharzes des Bisphenol F-Typs, eines Epo­ xidharzes des Bisphenol S-Typs, eines aliphatischen Epoxidharzes, eines Epoxid­ harzes des Novolak-Typs, Styrol, Methylacrylat(-methacrylat), 2-Hydroxyethylacrylat(­ methacrylat) und einem glycidylgruppenhaltigen ungesättigte Monomer, wie Glycidyl­ acrylat (-methacrylate) erhält.

Als Amin kann man Monoethylamin, Monobutylamin, Diethylamin, Dibutylamin, Mono­ ethylmonoethanolamin oder Diethanolamin verwenden.

Als eine ethylenisch ungesättigte Gruppen aufweisende Isocyanatverbindung kann man Verbindungen verwenden, die man durch Addition eines hydroxylgruppen­ haltigen ungesättigten Monomers, wie 2-Hydroxyethylacrylat, 2-Hydroxyethylmethacry­ lat, 2-Hydroxypropylacrylat oder 2-Hydroxypropylmethacrylat, an eine Isocyanatgruppe einer Diisocyanatverbindung, wie Tolylendiisocyanat, Isoborondiisocyanat, Xylylendi­ isocyanat oder 1,6-Hexandiisocyanat erhält, oder isocyansäuregruppenhaltiges Ethyl­ methacrylat verwenden.

(7) Harze, die man durch Addition einer Verbindung, die eine ethylenisch unge­ sättigte Gruppe und eine Carboxylgruppe aufweist, wie Acrylsäure, an die verbliebe­ nen Epoxidgruppen eines Epoxidgruppen aufweisenden Harzes, welches man durch Umsetzen eines Teils der Epoxygruppen eines Epoxidharzes mit einem sekundären Amin gebildet hat und einem tertiären Amin erhält.

(8) Harze, die man durch Addition der oben beschriebenen Verbindungen mit ethylenisch ungesättigten Gruppen und Carboxylgruppen an die restlichen Epoxygrup­ pen erhält oder durch Addition der oben beschriebenen Isocyanatverbindungen mit ethylenisch ungesättigten Gruppen an die Hydroxylgruppe einer Verbindung, die man durch Addition einer Diepoxyverbindung oder einer Multiepoxyverbindung an eine durch Addition eines primären Amins an eine Monoepoxyverbindung und Durchführen einer sekundären Amidierungsreaktion derart erhält, daß das Aquivalentgewicht des sekundären Amins zu der Epoxygruppe größer als 1:2 ist.

Als Monoepoxyverbindungen kann man Alylglycidyläther, Phenylglycidyläther, Ethylen-oxid, Propylenoxid oder Butylenoxid einsetzen.

Als Diepoxyverbindung oder Multiepoxyverbindung kann man Epoxidharze des Bis­ phenoltyps, aliphatische Epoxidharze oder Epoxidharze des Novolak-Typs einsetzen.

Beispiel einer galvanischen Beschichtungsmasse

Man tropft eine Lösung von 40 Gew.-Teilen Methylmethacrylat, 40 Gew.-Teilen Butyl­ acrylat, 20 Gew.-Teilen Acrylsäure und 2 Gew.-Teilen Azobisisobutyronitril während drei Stunden in einer Stickstoffgas-Atmosphäre in 90 Gew.-Teile bei 110°C gehalte­ nem Propylenglykolmonomethylether (hydrophiles Lösungsmittel) ein. Nach dem Eintropfen altert man das Material während einer Stunde und tropft dann im Verlauf von einer Stunde eine Mischung aus einem Gew.-Teil Azobisdimethylvaleronitril und 10 Gew.-Teilen Propylenglykolmonomethylether zu, wonach man das Material während fünf Stunden altert und in dieser Weise eine Lösung eines Acrylharzes mit hoher Säurezahl (Säurezahl 155) erhält. Anschließend gibt man unter Einblasen von Luft bei einer Temperatur von 110°C im Verlaufe von fünf Stunden 24 Gew.-Teile Glycidylmethacrylat, 0,12 Gew.-Teile Hydrochinon und 0,6 Gew.-Teile Tetraethylam­ moniumbromid zu der Lösung und erhält nach der Umsetzung die Lösung eines poly­ merisierbaren ungesättigten Harzes mit einer Säurezahl von etwa 50, einem Unsät­ tigungsäquivalent von etwa 740 und einem zahlenmittleren Molekulargewicht von etwa 20 000. Man neutralisiert 0,6 Aquivalente dieses polymerisierbaren ungesättigten Harzes mit Triethylamin und gibt anschließend 6 Gew.-Teile Acetylaceton und 6 Gew.- Teile α-Hydroxyisobutylphenon als Photopolymerisationsinitiatoren zu und gibt Wasser in einer derartigen Menge zu, daß der Feststoffanteil 10 Gew.-% beträgt, so daß man schließlich eine galvanische Beschichtungsmasse in Form eines Salzes mit einem pH- Wert von 7,0 erhält.

Wenngleich bei der oben beschriebenen Ausführungsform rostfreier Stahl für die Aus­ bildung der negativen Elektrode 10 verwendet wird, kann man auch Kohlenstoff oder ein anderes leitendes Material einsetzen. Weiterhin wird bei der oben beschriebenen Ausführungsform die kupferplattierte Schichtpreßstoffplatte 3 als positive Elektrode ein­ gesetzt, wenngleich man jedoch die kupferplattierte Schichtpreßstoffplatte auch als ne­ gative Elektrode schalten kann, indem man die Polarität der angelegten Spannung ändert und eine entsprechend angepaßte galvanische Beschichtungsmasse verwen­ det.

Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens erhält man auf der Oberfläche der kupfer­ platierten Schichtpreßstoffplatte durch galvanische Beschichtung einen gleichmäßigen lichtempfindlichen Resistfilm ohne Materialverlust auch dann, wenn man eine kupfer­ platierte Schichtpreßstoffplatte mit Durchgangslöchern einsetzt, so daß man nicht nur auf die Maßnahmen des einzelnen Befüllens der Durchgangslöcher mit Hilfe eines Kunststoffmaterials verzichten kann, sondern das Verfahren auch im Rahmen eines automatischen Prozesses durchführen kann.

Claims (3)

1. Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten mit den gewünschten Leiterzügen unter Anwendung eines auf die Oberfläche einer kupferplattierten, isolierenden Schichtpreßstoffplatte aufgebrachten lichtempfindlichen Resistfilms, dadurch gekennzeichnet, daß man den lichtempfindlichen Resistfilm galvanisch durch Ein­ tauchen der isolierenden Schichtpreßstoffplatte in ein wasserlösliche oder in Wasser dispergierbare, unter Lichteinwirkung aushärtende Kunststoffe als Hauptbestandteile enthaltendes Abscheidungsbad unter Anwendung von Gleichstrom auf der Oberfläche der isolierenden Schichtpreßstoffplatte abscheidet.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die kup­ ferplattierte, isolierende Schichtpreßstoffplatte Durchgangslöcher aufweist.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausbildung des lichtempfindlichen Resistfilms als ein Schritt einer automatischen Verarbeitung in dem galvanischen Beschichtungsbad, welches in einer Gruppe von automatischen Be­ handlungsbehältern angeordnet ist, durchgeführt wird.