DE3538933A1 - Leistungshalbleitermodul - Google Patents

Leistungshalbleitermodul

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DE3538933A1
DE3538933A1 DE19853538933 DE3538933A DE3538933A1 DE 3538933 A1 DE3538933 A1 DE 3538933A1 DE 19853538933 DE19853538933 DE 19853538933 DE 3538933 A DE3538933 A DE 3538933A DE 3538933 A1 DE3538933 A1 DE 3538933A1
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semiconductor module
ceramic
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base plate
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Jens Dipl Ing Dr Gobrecht
Reinhold Dipl Ing Dr Bayerer
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Brown Boveri und Cie AG Germany
BBC Brown Boveri AG Germany
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Leistungshalbleiter­ modul nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Solche Modu­ le in elektrisch isolierter Ausführung weisen eine ein­ oder beidseitig metallisierte Keramikplatte als Boden­ platte auf.
Mit Leistungshalbleitermodulen können Stromrichterschal­ tungen oder Teile solcher Schaltungen realisiert werden. Dazu werden auf die Bodenplatte die erforderlichen Ele­ mente, z.B. Halbleiterchips, passive Bauelemente und Verbindungselemente aufgelötet. Während des Lötvorganges müssen die zu verlötenden Elemente an den entsprechenden Stellen fixiert werden. Dazu werden üblicherweise Löt­ formen benutzt, die speziell für das jeweilige Modul hergestellt werden bzw. an das Modul angepaßt sind. Der Aufwand für die Herstellung der Lötform selbst sowie der Aufwand an Material und Arbeitszeit für die Modulher­ stellung mit Hilfe der Lötform ist von der Modulgestal­ tung abhängig.
Die DE-OS 34 06 528 enthält einen Vorschlag zur Verein­ fachung der Lötform, wobei ein sandwichartiger Aufbau des Moduls vorgeschlagen wird. Dabei sind die Halblei­ terbauelemente zwischen einer keramischen Bodenplatte und einer keramischen Deckplatte angeordnet. Zur Fixie­ rung der Bauelemente sind Zentrierstifte und Zentrier­ hülsen erforderlich, die in die Deckplatte gesteckt wer­ den. Elektrische Verbindungen zwischen Bodenplatte und Deckplatte werden durch Kontaktstempel hergestellt. Ins­ gesamt sind relativ viele Einzelteile zur Herstellung des Moduls erforderlich.
Ein weiteres Problem besteht bei Leistungshalbleitermo­ dulen darin, daß eine durch das Halbleiterbauelement ermöglichte hohe Schaltgeschwindigkeit durch hohe Streuinduktivität der modulinternen Leitungen vermindert wird.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die genannten Nachteile bekannter Leistungshalbleitermo­ dule zu vermeiden.
Diese Aufgabe wird bei einem Leistungshalbleitermodul nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 durch dessen kenn­ zeichnende Merkmale gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
Vorteile der erfindungsgemäßen Lösung bestehen u. a. darin, daß durch den mehrschichtigen Aufbau des Sub­ strats eine hohe Festigkeit gegeben ist und die erfor­ derliche Ebenheit der Grundfläche mit hoher Genauigkeit erreichbar ist. Der erfindungsgemäße Aufbau des Sub­ strats ermöglicht außerdem eine bandförmige Stromführung im Substrat, wodurch die Streuinduktivität stark redu­ ziert wird.
Weitere Vorteile der Erfindung ergeben sich aus dem nachstehenden Ausführungsbeispiel, das anhand der Zeich­ nung erläutert wird.
Es zeigen:
Fig. 1 Schnitt durch ein Leistungshalbleitermodul,
Fig. 2 Draufsicht auf das Leistungshalbleitermodul,
Fig. 3 elektrische Schaltung des Leistungshalbleiter­ moduls.
Fig. 3 zeigt eine Halbleiterschaltung, wobei ein mit gestrichelter Linie umrandeter Schaltungsteil 1 hervor­ gehoben ist. Der Schaltungsteil 1 umfaßt einen Lei­ stungstransistor 2 mit einer parallel geschalteten Diode 3 und einem Widerstand 4 vor dem Gate G des Leistungs­ transistors 2. Bei dem Leistungstransistor 2 handelt es sich um einen Power (vertikal)-MOSFET und bei der Diode 3 um eine Schottky-Freilaufdiode. In einem Leistungs­ halbleitermodul können mehrere solcher Schaltungsteile 1 realisiert und zum Beispiel parallelgeschaltet sein.
Fig. 1 zeigt einen Schnitt durch eine in Fig. 2 einge­ tragene Schnittebene A-B, wobei ein Schnitt durch den in Fig. 3 hervorgehobenen Schaltungsteil 1 gezeigt wird.
In Fig. 1 ist ein Substrat 5 dargestellt, das zwei kera­ mische Platten 6, 7 enthält. Mit 6 ist eine keramische Bodenplatte bezeichnet, die auf der unteren, einem nicht dargestellten Kühlkörper zugewandten Seite eine ganzflä­ chige Metallisierung 8 trägt und auf der Oberseite eine strukturierte Metallisierung 9. Auf der strukturierten Metallisierung 9 ist die zweite Keramikplatte 7 angeord­ net. Die zweite Keramikplatte 7 ist mit Ausschnitten 10 zur Aufnahme der Halbleiterbauelemente 2, 3 versehen und trägt auf der Oberseite eine zweite strukturierte Metal­ lisierung 11. Alle Metallisierungen 8, 9, 11 bestehen aus einer Kupferfolie, die typisch 0,1....0,5 mm dick ist. Die Schichten des Substrats 5, nämlich die ganzflä­ chige Metallisierung 8, die Bodenplatte 6, die struktu­ rierte Metallisierung 9, die zweite Keramikplatte 7 und die zweite strukturierte Metallisierung 11 und evtl. weitere Keramik- und Metallschichten werden in einem Arbeitsgang durch direktes Verbinden (Directbonding) miteinander verbunden. Ein solches Verbindungsverfahren ist z.B. in der DE-OS 30 36 128 beschrieben.
In die Ausschnitte 10 der zweiten Keramikplatte 7 werden die vorbeloteten Halbleiterbauelemente 2, 3 sowie An­ schlußelemente 12 eingesetzt, die mit der strukturierten Metallisierung 9 zu kontaktieren sind. Anschlußelemente 13, die mit der zweiten strukturierten Metallisierung 11 zu kontaktieren sind, sowie der Widerstand 4 und ein Clip 14 können mit einer nicht dargestellten dritten Keramikplatte, die mit entsprechenden Ausschnitten ver­ sehen und auf die Metallisierung 11 der zweiten Keramik­ platte 7 aufgebracht ist, oder mit anderen Mitteln fi­ xiert werden. Sämtliche Lötverbindungen werden zugleich in einem Arbeitsgang hergestellt. Anschließend werden weitere interne Verbindungen durch Bonden von Alumi­ niumdrähten 15 hergestellt.
Die Bodenplatte 6 dient zur Isolierung gegenüber dem Kühlkörper und sie sorgt für einen geringen Wärmewider­ stand bei der Wärmeableitung von den Halbleiterbauele­ menten 2, 3 zum Kühlkörper. Die zweite Keramikplatte 7 sowie evtl. weitere darüber angeordnete Keramikplatten sind als sogenannte verlorene Lötformen anzusehen, da sie Bestandteil des Moduls sind. Allerdings sind sie nicht nur als verlorene Lötformen anzusehen, weil der mehrschichtige Aufbau des Substrats 5 zusätzlich eine hohe mechanische Festigkeit des Moduls bewirkt und es erleichtert, bei der Herstellung des Moduls eine ebene Bodenplatte 6 zu erreichen.
Außerdem können bei mehrschichtigem Aufbau des Substrats 5 sogenannte Bandleitungen oder Streifenleitungen für Last- oder Ansteuerleitungen hergestellt werden, indem Stromhin- und -rückführungen in übereinanderliegenden Streifen ausgeführt werden. Damit wird eine sehr geringe Induktivität und durch geeignete Dimensionierung der Streifenbreite und der Dicke der zweiten Keramikplatte 7 ein definierter Wellenwiderstand in den Zuleitungen er­ reicht. Die dadurch festgelegte Leitungsgeometrie wird zweckmäßig bei der Herstellung von Außenanschlüssen bei­ behalten, d. h. die Anschlußelemente 12, 13 haben die gleiche Breite und den gleichen effektiven Abstand zu­ einander wie die strukturierten Metallisierungen 9, 11 mit zwischenliegender zweiter Keramikplatte 7.
Eine derartige Gestaltung der Leitungsführung im Modul erleichtert einem Anwender wesentlich die Ausnutzung der Schaltgeschwindigkeit von z. B. MOSFETs. Durch den als Chip-Widerstand ausgeführten Widerstand 4 in der Ansteu­ erleitung ist ein impedanzangepaßter Abschluß der Zulei­ tung möglich. Damit werden gleichzeitig parasitäre Schwingungen zwischen evtl. vielen parallelliegenden MOSFET-Gates im Modul bedämpft.
Die vorgeschlagene Schichtung mehrerer strukturierter Keramik- und Metallschichten über der Bodenplatte 6 ermöglicht auch eine hybride Integration von Ansteuer­ schaltungen in einem Leistungshalbleitermodul. Dabei werden in Chipform realisierte Ansteuerschaltungen in entsprechende Ausschnitte in einer Keramikschicht einge­ setzt und in gleicher Weise verlötet und/oder gebondet wie die Leistungshalbleiterchips 2, 3.
Fig. 3 zeigt einen im Modul realisierten Schaltungsteil 1 in Draufsicht. Dabei sind außer den bereits oben er­ läuterten Bauteilen weitere Einzelheiten zu erkennen.
Innerhalb der-Ausschnitte 10 in der zweiten Keramikplat­ te 7 sind Ausnehmungen 16 und durch die zweite Keramik­ platte 7 und evtl. weitere darüberliegende Schichten sind Bohrungen 17 vorgesehen. Die Bohrungen 17 sowie durch die Ausnehmungen 16 entstehende Schlitze ermögli­ chen es einer später einzubringenden Weichvergußmasse, die der elektrischen Isolierung dient, zwischen die strukturierten Metallisierungsflächen 9, 11 zu kriechen.
Die Herstellung der Ausschnitte 10 mit Ausnehmungen 16 sowie der Bohrungen 17 erfolgt an sogenannten grünen, d. h. noch nicht gesinterten Keramikplatten. Die Struktur der Kupferschichten entsteht entweder durch entsprechen­ des Stanzen der Kupferfolien vor dem Verbinden mit der Keramik oder, soweit die Kupferschichten dann noch zu­ gänglich sind, durch Ätzen des Kupfers nach dem Verbin­ den mit der Keramik.
Das fertig bestückte Substrat 5 kann nach Herstellung der Löt- und Bondverbindungen in bekannter Weise in ein hauben- oder rahmenförmiges Kunststoffgehäuse eingesetzt werden, wobei das Substrat 5 den Modulboden bildet. Die ganzflächige Metallisierung 8 auf der Unterseite des Moduls ist als vorteilhafte Ausgestaltung anzusehen, jedoch nicht unbedingt erforderlich. Sie sorgt für einen guten Wärmekontakt und kann z. B. geringfügige Rauhigkei­ ten der Kühlkörperoberfläche ausgleichen, so daß das Modul ohne Wärmeleitpaste montiert werden kann. Durch eine obere Öffnung im Kunststoffgehäuse kann das Modul mit Weichvergußmasse bis zu einem gewünschten Füllstand gefüllt werden. Die Anschlußelemente 12, 13 werden durch entsprechende Öffnungen im Kunststoffgehäuse geführt, wodurch der vorgesehene Abstand zueinander sicherge­ stellt wird. In den Anschlußelementen 12, 13 vorgesehene Dehnungsbogen 18 entlasten das Substrat 5 von mechani­ schen Belastungen, die von äußeren Anschlüssen ausgehen können.

Claims (7)

1. Leistungshalbleitermodul mit einer keramischen Bodenplatte, die mindestens auf einer Seite metallisiert ist und mindestens einer zweiten, parallel zur Boden­ platte angeordneten Keramikplatte, dadurch gekennzeich­ net, daß aus der Bodenplatte (6) der zweiten Keramik­ platte (7) und gegebenenfalls weiteren Keramikplatten mit jeweils zwischengelegter strukturierter Metallfolie für eine Metallisierung (9, 11) durch direktes Verbinden ein mehrschichtiges Substrat (5) gebildet ist, wobei die zweite Keramikplatte (7) und gegebenenfalls weitere Ke­ ramikplatten mit Ausschnitten (10) versehen sind, in die Bestückungselemente (2, 3, 4,12,13,14) eingesetzt und dort während eines Lötvorganges fixiert sind.
2. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, da­ durch gekennzeichnet, daß die Bodenplatte (6) auf der unteren einem Kühlkörper zugewandten Seite mit einer Metallisierung (8) versehen ist.
3. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß aus den strukturierten Me­ tallisierungen (9, 11) und der zweiten Keramikplatte (7) Streifenleitungen mit definiertem Wellenwiderstand ge­ bildet sind.
4. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 3, da­ durch gekennzeichnet, daß Anschlußelemente (12, 13) für äußere Modulanschlüsse mit der Breite und dem Abstand der Streifenleitungen angeordnet sind, um den definier­ ten Wellenwiderstand der internen Streifenleitungen bis zum äußeren Anschluß fortzusetzen.
5. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorste­ henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß im Modul mindestens eine Ansteuerschaltung für einen eingesetzten steuerbaren Leistungshalbleiter enthalten ist.
6. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorste­ henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Modul in ein hauben- oder rahmenförmiges Kunststoffgehäuse eingesetzt ist.
7. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorste­ henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Keramik­ platten (7) und Metallisierungen (11) oberhalb der Bo­ denplatte (6) mit Ausnehmungen (16) und Bohrungen (17) versehen sind, die es einer eingefüllten Weichvergußmas­ se ermöglichen, an vorgesehene Stellen des Moduls zu gelangen.
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