DE3525916C2 - - Google Patents

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DE3525916C2
DE3525916C2 DE19853525916 DE3525916A DE3525916C2 DE 3525916 C2 DE3525916 C2 DE 3525916C2 DE 19853525916 DE19853525916 DE 19853525916 DE 3525916 A DE3525916 A DE 3525916A DE 3525916 C2 DE3525916 C2 DE 3525916C2
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transistor
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buffer circuit
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Juergen Dipl.-Phys. Dr. 8059 Oberneuching De Goetz
Wolfgang Dipl.-Phys. Nikutta
Hans Peter Dipl.-Phys. 8000 Muenchen De Fuchs
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
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    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
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DE3225803A1 (de) * 1982-07-09 1984-01-12 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Signal-pegelwandler

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