DE3508469C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3508469C2
DE3508469C2 DE3508469A DE3508469A DE3508469C2 DE 3508469 C2 DE3508469 C2 DE 3508469C2 DE 3508469 A DE3508469 A DE 3508469A DE 3508469 A DE3508469 A DE 3508469A DE 3508469 C2 DE3508469 C2 DE 3508469C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
laser light
oxide
irradiating
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3508469A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE3508469A1 (de
Inventor
Guenther Dipl.-Ing. Dr. 8150 Holzkirchen De Mueck
Gerhard Prof. Dipl.-Phys. Dr. 7031 Magstadt De Winterling
Klaus Dipl.-Ing. 8000 Muenchen De Thalheimer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Airbus Defence and Space GmbH
Original Assignee
Messerschmitt Bolkow Blohm AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Messerschmitt Bolkow Blohm AG filed Critical Messerschmitt Bolkow Blohm AG
Priority to DE19853508469 priority Critical patent/DE3508469A1/de
Publication of DE3508469A1 publication Critical patent/DE3508469A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3508469C2 publication Critical patent/DE3508469C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
    • H10F77/1692—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including only Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
    • H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
    • H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
    • H10F19/33—Patterning processes to connect the photovoltaic cells, e.g. laser cutting of conductive or active layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
DE19853508469 1985-03-09 1985-03-09 Verfahren zum strukturieren von auf einem transparenten substrat aufgebrachten schichtfolgen Granted DE3508469A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19853508469 DE3508469A1 (de) 1985-03-09 1985-03-09 Verfahren zum strukturieren von auf einem transparenten substrat aufgebrachten schichtfolgen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19853508469 DE3508469A1 (de) 1985-03-09 1985-03-09 Verfahren zum strukturieren von auf einem transparenten substrat aufgebrachten schichtfolgen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3508469A1 DE3508469A1 (de) 1986-09-11
DE3508469C2 true DE3508469C2 (enrdf_load_stackoverflow) 1987-08-13

Family

ID=6264730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19853508469 Granted DE3508469A1 (de) 1985-03-09 1985-03-09 Verfahren zum strukturieren von auf einem transparenten substrat aufgebrachten schichtfolgen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3508469A1 (enrdf_load_stackoverflow)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3727826A1 (de) * 1987-08-20 1989-03-02 Siemens Ag Serienverschaltetes duennschicht-solarmodul aus kristallinem silizium
DE3727825A1 (de) * 1987-08-20 1989-03-02 Siemens Ag Serienverschaltetes duennschichtsolarmodul aus kristallinem silizium
DE3921038A1 (de) * 1988-06-28 1990-01-04 Ricoh Kk Halbleitersubstrat und verfahren zu dessen herstellung
DE4022745A1 (de) * 1990-07-18 1992-01-23 Hans Lang Gmbh & Co Kg Ing Verfahren zum anbringen von konfigurationen, wie schriften, bildern o. dgl., auf der rueckseite eines spiegels
DE4324318C1 (de) * 1993-07-20 1995-01-12 Siemens Ag Verfahren zur Serienverschaltung einer integrierten Dünnfilmsolarzellenanordnung
DE19640594A1 (de) * 1996-10-01 1998-04-02 Siemens Ag Licht-induzierte Grenzflächenzersetzung zur Strukturierung und Trennung von Halbleitermaterialien
DE19619317C2 (de) * 1996-05-14 2000-10-05 Voith Hydro Gmbh Laufrad für eine Freistrahltubine
US8129209B2 (en) 2000-10-17 2012-03-06 Osram Ag Method for fabricating a semiconductor component based on GaN

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3816660C1 (en) * 1988-05-17 1989-09-07 Messerschmitt-Boelkow-Blohm Gmbh, 8012 Ottobrunn, De Sensor, especially photodetector arrangement
US5459346A (en) * 1988-06-28 1995-10-17 Ricoh Co., Ltd. Semiconductor substrate with electrical contact in groove
US5173446A (en) * 1988-06-28 1992-12-22 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor substrate manufacturing by recrystallization using a cooling medium
US5310446A (en) * 1990-01-10 1994-05-10 Ricoh Company, Ltd. Method for producing semiconductor film
WO1997027727A1 (de) * 1996-01-26 1997-07-31 Emi-Tec Elektronische Materialien Gmbh Verfahren zur herstellung einer leiterstruktur
EP1277240B1 (de) 2000-04-26 2015-05-20 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zur Herstellung eines lichtmittierenden Halbleiterbauelements
TWI289944B (en) 2000-05-26 2007-11-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting-diode-element with a light-emitting-diode-chip
DE102004015142B3 (de) * 2004-03-27 2005-12-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung optischer Bauteile
US7202141B2 (en) 2004-03-29 2007-04-10 J.P. Sercel Associates, Inc. Method of separating layers of material
GB2472613B (en) * 2009-08-11 2015-06-03 M Solv Ltd Capacitive touch panels

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3727826A1 (de) * 1987-08-20 1989-03-02 Siemens Ag Serienverschaltetes duennschicht-solarmodul aus kristallinem silizium
DE3727825A1 (de) * 1987-08-20 1989-03-02 Siemens Ag Serienverschaltetes duennschichtsolarmodul aus kristallinem silizium
DE3921038A1 (de) * 1988-06-28 1990-01-04 Ricoh Kk Halbleitersubstrat und verfahren zu dessen herstellung
DE3921038C2 (de) * 1988-06-28 1998-12-10 Ricoh Kk Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats bzw. Festkörperaufbaus
DE4022745A1 (de) * 1990-07-18 1992-01-23 Hans Lang Gmbh & Co Kg Ing Verfahren zum anbringen von konfigurationen, wie schriften, bildern o. dgl., auf der rueckseite eines spiegels
DE4324318C1 (de) * 1993-07-20 1995-01-12 Siemens Ag Verfahren zur Serienverschaltung einer integrierten Dünnfilmsolarzellenanordnung
DE19619317C2 (de) * 1996-05-14 2000-10-05 Voith Hydro Gmbh Laufrad für eine Freistrahltubine
DE19640594A1 (de) * 1996-10-01 1998-04-02 Siemens Ag Licht-induzierte Grenzflächenzersetzung zur Strukturierung und Trennung von Halbleitermaterialien
DE19640594B4 (de) * 1996-10-01 2016-08-04 Osram Gmbh Bauelement
US8129209B2 (en) 2000-10-17 2012-03-06 Osram Ag Method for fabricating a semiconductor component based on GaN
US8809086B2 (en) 2000-10-17 2014-08-19 Osram Gmbh Method for fabricating a semiconductor component based on GaN

Also Published As

Publication number Publication date
DE3508469A1 (de) 1986-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3508469C2 (enrdf_load_stackoverflow)
DE69828936T2 (de) Photoelektrischer Wandler und sein Herstellungsverfahren
EP1166358B1 (de) Verfahren zum abtragen von dünnen schichten auf einem trägermaterial
DE4324318C1 (de) Verfahren zur Serienverschaltung einer integrierten Dünnfilmsolarzellenanordnung
DE3780386T2 (de) Umwandlungsverfahren zur passivierung von kurzschlusswegen in halbleitervorrichtungen und so hergestellte anordnungen.
EP0200089B1 (de) Verfahren zur Bildung von schmalen, metallfreien Streifen in der Metallschicht von Kunststoffolien
DE69016910T2 (de) Photovoltaische Anordnung und ihr Herstellungsverfahren.
DE4229399C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Funktionsstruktur eines Halbleiterbauelements
EP0536431B1 (de) Laserbearbeitungsverfahren für einen Dünnschichtaufbau
DE3686195T2 (de) Zusammenschaltung von solarzellen mittels unterbrochener leitender bereiche.
DE4315959C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schicht eines Halbleitermaterials sowie einer Dotierungsstruktur in einem Halbleitermaterial unter Einwirkung von Laserstrahlung
DE4202455C1 (enrdf_load_stackoverflow)
EP2507834B1 (de) Verfahren zum zumindest bereichsweisen entfernen einer schicht eines schichtenstapels
DE3121350A1 (de) "verfahren zum herstellen einer sonnenbatterie"
DE3446807C2 (enrdf_load_stackoverflow)
DE19933703A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Abtragen von Schichten auf einem Werkstück
EP0286918A2 (de) Verfahren zur Herstellung von in Reihe verschalteten Dünnschicht-Solarzellen
DE3015362C2 (enrdf_load_stackoverflow)
DE4412050C2 (de) Photoelektrochemisches Solarmodul und Verfahren zur Herstellung desselben
DE2303078C3 (de) Lichtmodulationselement
DE112010004503T5 (de) Verfahren und vorrichtung zum abtragen dünnerschichten von einem substrat
DE3023165A1 (de) Solarzelle aus amorphem silizium
DE69833167T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Dünnschicht-Solarzellenbatterie
DE2538300B2 (de) Verfahren zur herstellung einer solarabsorberschicht
DE69430286T2 (de) Verfahren zur Herstellung von photovoltaischen Modulen aus kristallinem Silizium

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee