DE3508469A1 - Verfahren zum strukturieren von auf einem transparenten substrat aufgebrachten schichtfolgen - Google Patents

Verfahren zum strukturieren von auf einem transparenten substrat aufgebrachten schichtfolgen

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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3816660C1 (en) * 1988-05-17 1989-09-07 Messerschmitt-Boelkow-Blohm Gmbh, 8012 Ottobrunn, De Sensor, especially photodetector arrangement
US5173446A (en) * 1988-06-28 1992-12-22 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor substrate manufacturing by recrystallization using a cooling medium
US5310446A (en) * 1990-01-10 1994-05-10 Ricoh Company, Ltd. Method for producing semiconductor film
US5459346A (en) * 1988-06-28 1995-10-17 Ricoh Co., Ltd. Semiconductor substrate with electrical contact in groove
WO1997027727A1 (de) * 1996-01-26 1997-07-31 Emi-Tec Elektronische Materialien Gmbh Verfahren zur herstellung einer leiterstruktur
WO1998014986A1 (de) * 1996-10-01 1998-04-09 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum trennen zweier materialschichten voneinander und nach diesem verfahren hergestellte elektronische bauelemente
WO2005093470A1 (de) * 2004-03-27 2005-10-06 Laser-Laboratorium Göttingen e.V. Verfahren zur herstellung eines optischen bauteils mittels oberlächenstrukturierender laserbearbeitung
US7202141B2 (en) 2004-03-29 2007-04-10 J.P. Sercel Associates, Inc. Method of separating layers of material
US7691659B2 (en) 2000-04-26 2010-04-06 Osram Gmbh Radiation-emitting semiconductor element and method for producing the same
GB2472613A (en) * 2009-08-11 2011-02-16 M Solv Ltd Capacitive touch panels
US7939844B2 (en) 2000-05-26 2011-05-10 Osram Gmbh Light-emitting-diode chip comprising a sequence of GAN-based epitaxial layers which emit radiation and a method for producing the same

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3727825A1 (de) * 1987-08-20 1989-03-02 Siemens Ag Serienverschaltetes duennschichtsolarmodul aus kristallinem silizium
DE3727826A1 (de) * 1987-08-20 1989-03-02 Siemens Ag Serienverschaltetes duennschicht-solarmodul aus kristallinem silizium
DE3921038C2 (de) * 1988-06-28 1998-12-10 Ricoh Kk Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats bzw. Festkörperaufbaus
DE4022745A1 (de) * 1990-07-18 1992-01-23 Hans Lang Gmbh & Co Kg Ing Verfahren zum anbringen von konfigurationen, wie schriften, bildern o. dgl., auf der rueckseite eines spiegels
DE4324318C1 (de) * 1993-07-20 1995-01-12 Siemens Ag Verfahren zur Serienverschaltung einer integrierten Dünnfilmsolarzellenanordnung
DE19619317C2 (de) * 1996-05-14 2000-10-05 Voith Hydro Gmbh Laufrad für eine Freistrahltubine
DE10051465A1 (de) 2000-10-17 2002-05-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NAKANO, S. et al.: New Manufacturing Processes for a-Sisolar Cell Modules, In: 5. E.C. Photovoltaic Solar Energy Conference, Kavouri (Athen), Oktober 1983, S. 712-716 *

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3816660C1 (en) * 1988-05-17 1989-09-07 Messerschmitt-Boelkow-Blohm Gmbh, 8012 Ottobrunn, De Sensor, especially photodetector arrangement
US5173446A (en) * 1988-06-28 1992-12-22 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor substrate manufacturing by recrystallization using a cooling medium
US5459346A (en) * 1988-06-28 1995-10-17 Ricoh Co., Ltd. Semiconductor substrate with electrical contact in groove
US5565697A (en) * 1988-06-28 1996-10-15 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor structure having island forming grooves
US5310446A (en) * 1990-01-10 1994-05-10 Ricoh Company, Ltd. Method for producing semiconductor film
WO1997027727A1 (de) * 1996-01-26 1997-07-31 Emi-Tec Elektronische Materialien Gmbh Verfahren zur herstellung einer leiterstruktur
US6974758B2 (en) 1996-10-01 2005-12-13 Siemens Aktiengesellschaft Method of producing a light-emitting diode
US7341925B2 (en) 1996-10-01 2008-03-11 Osram Gmbh Method for transferring a semiconductor body from a growth substrate to a support material
US6740604B2 (en) 1996-10-01 2004-05-25 Siemens Aktiengesellschaft Method of separating two layers of material from one another
US7713840B2 (en) 1996-10-01 2010-05-11 Osram Gmbh Electronic components produced by a method of separating two layers of material from one another
WO1998014986A1 (de) * 1996-10-01 1998-04-09 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum trennen zweier materialschichten voneinander und nach diesem verfahren hergestellte elektronische bauelemente
US6559075B1 (en) 1996-10-01 2003-05-06 Siemens Aktiengesellschaft Method of separating two layers of material from one another and electronic components produced using this process
US7691659B2 (en) 2000-04-26 2010-04-06 Osram Gmbh Radiation-emitting semiconductor element and method for producing the same
US7939844B2 (en) 2000-05-26 2011-05-10 Osram Gmbh Light-emitting-diode chip comprising a sequence of GAN-based epitaxial layers which emit radiation and a method for producing the same
EP2003474A3 (de) * 2004-03-27 2008-12-24 Laser-Laboratorium Göttingen E.V. Verfahren zur Herstellung eines optischen Bauteils mittels oberflächenstrukturiender Laserbearbeitung
WO2005093470A1 (de) * 2004-03-27 2005-10-06 Laser-Laboratorium Göttingen e.V. Verfahren zur herstellung eines optischen bauteils mittels oberlächenstrukturierender laserbearbeitung
US7241667B2 (en) 2004-03-29 2007-07-10 J.P. Sercel Associates, Inc. Method of separating layers of material
US7202141B2 (en) 2004-03-29 2007-04-10 J.P. Sercel Associates, Inc. Method of separating layers of material
GB2472613A (en) * 2009-08-11 2011-02-16 M Solv Ltd Capacitive touch panels
GB2472613B (en) * 2009-08-11 2015-06-03 M Solv Ltd Capacitive touch panels

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