DE4420434A1 - Integriertes Strukturierungsverfahren für Dünnschichtsolarzellen in Stapelbauweise - Google Patents
Integriertes Strukturierungsverfahren für Dünnschichtsolarzellen in StapelbauweiseInfo
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Description
Um die Lichtausnutzung von Dünnschichtsolarzellen zu verbes
sern, können mehrere Dünnschichtsolarzellen übereinander in
Stapeln abgeschieden werden. Durch unterschiedliche Dotierung
zur Beeinflussung des Bandabstandes können mehrere, in unter
schiedlichen Bereichen des Spektrums absorbierende Solarzel
len erzeugt werden. Damit wird es möglich, das natürliche
Sonnenspektrum besser zur photovoltaischen Stromerzeugung
auszunützen.
Doch auch Stapelsolarzellen, bei denen gleichartige Dünn
schichtsolarzellen übereinander gestapelt werden, haben Vor
teile gegenüber Einfachsolarzellen. Bei vergleichbaren Ge
samtschichtdicken und daher ebenfalls vergleichbarer Lichtab
sorption wird mit der Stapelzelle ein verbesserter Gesamtwir
kungsgrad erhalten und insbesondere das Alterungsverhalten
(Staebler-Wronski-Effekt) deutlich verbessert.
Stapelsolarzellen sind optisch in Serie geschaltet, wobei
durch Verwendung transparenter Materialien die entsprechende
Lichtdurchlässigkeit gewährleistet ist. Elektrisch können sie
gegeneinander isoliert und dabei einzeln kontaktiert sein,
oder in Serie geschaltet sein. Die für die elektrische Seri
enverschaltung im Stapel erforderliche Stromanpassung ist
insbesondere bei großflächigen Solarmodulen jedoch nur
schwierig durchzuführen. In der DE-A 42 03 123 wird daher
vorgeschlagen, die Einzelsolarzellen mit gegensätzlicher Po
larität übereinander anzuordnen und sie elektrisch parallel
zu verschalten. Durch geeignete Strukturierung gelingt es
auch, ein ganzes Solarmodul integriert herzustellen, wobei
die einzelnen Stapel miteinander in Serie geschaltet sind.
Bei der Strukturierung eines solchen Stapelzellensolarmoduls
treten jedoch Probleme auf, da die einzelnen Schichten spezi
fisch gegeneinander strukturiert werden müssen was spezifi
sche Materialabtragverfahren erfordert. Bei Laserstrukturie
rungsverfahren ist die Eindringtiefe nur schwer zu kontrol
lieren. Außerdem können durch Lasereinwirkung Strukturverän
derungen im Halbleiter auftreten, die zu unerwünschten strom
leitenden Pfaden in der Solarzelle führen und diese kurz
schließen können.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein verbes
sertes Verfahren zur Strukturierung solcher Stapelsolarzellen
anzugeben, welches einfach und sicher durchzuführen ist und
die obengenannten Nachteile vermeidet.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren mit
den Merkmalen von Anspruch 1 gelöst. Weitere Ausgestaltungen
der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, eine sau
bere Strukturierung bzw. grabenförmige Schnittlinien mit sau
beren Kanten zu erzeugen. Dazu muß kein Material verdampft
werden; vielmehr wird die Halbleiterschicht, in der der Laser
absorbiert wird, von der darunterliegenden nicht absorbieren
den Schicht abgesprengt. Die bei der Absprengung freiwerdende
mechanische Energie reicht aus, daß auch mehrere darüberlie
gende Schichtbereiche mit abgehoben werden können. Dabei
reicht ein einzelner Laserspot von zum Beispiel 50 ps Dauer
zur vollständige Absprengung des Halbleitermaterials im Fokus
des Laserstrahls aus. Da die zur Strukturierung des Solarmo
duls erforderliche Energie unabhängig von der Tiefe der zu
erzeugenden Schnittlinie ist, ist das Verfahren schnell und
vergleichsweise energiesparend durchzuführen.
Die Schnittkanten weisen dabei praktisch keine Phasenverände
rung auf, die unerwünschte Strompfade und damit Kurzschlüsse
darstellen könnten.
Das erfindungsgemäße Verfahren gibt außerdem an, wie die
Strukturierungslinien des Solarmoduls unter minimalem Ver
brauch an aktiver Halbleiterfläche sicher durchgeführt werden
kann. Dies garantiert eine maximale Leistung und daher einen
maximalen Wirkungsgrad für das Solarmodul.
Die Schichterzeugung in den fünf Ebenen des Solarmoduls er
folgt jeweils ganzflächig nach bekannten Methoden. Nach
Schichtabscheidung jeweils einer Ebene erfolgt ein Struktu
rierungsschritt, bei dem zueinander parallele Schnittlinien
in der Schicht erzeugt werden.
Für das Verfahren ist ein transparentes Substrat erforder
lich. Die erste Ebene ist eine TCO-Elektrodenschicht, die
durch konventionelle direkte Laserbestrahlung, mechanisch
oder durch ein Lift-off-Verfahren strukturiert wird.
Die zweite Ebene ist eine Halbleiterschicht mit pin-Dioden
struktur zur Ausbildung der Solarzellen. Zu deren Abscheidung
werden an sich bekannte plasmagestützte Dünnschichtabscheide
verfahren verwendet. Die Strukturierung der zweiten Ebene
wird durch Einstrahlung durch Substrat und die TCO-Elektro
denschicht der ersten Ebene hindurch vorgenommen. Die Ab
sprengung erfolgt durch lokale Überhitzung des Halbleiters im
Laserspot an der Grenzfläche zwischen TCO-Elektrodenschicht
und Halbleiterschicht.
Die dritte Ebene ist wieder eine TCO-Elektrodenschicht. Deren
Strukturierung erfolgt durch Absprengung zusammen mit der
darunterliegenden Halbleiterschicht mittels Lasereinstrahlung
von der Rückseite.
Die vierte Ebene ist wieder eine Solarzellenebene, wobei der
Halbleiter in nip-Diodenstruktur erzeugt wird. Dadurch sind
die Solarzellen der beiden Solarzellenebenen parallel ver
schaltet. Die Strukturierung der vierten Ebene erfolgt analog
der ersten Solarzellenebene. Dabei kann direkt in die Halb
leiterschicht der vierten Ebene eingestrahlt werden, wenn im
Bereich dieser vierten Schnittlinie in der zweiten Ebene
(erste Solarzellenebene) die Halbleiterschicht entfernt ist.
Möglich ist es jedoch auch, die vierte Ebene durch gemeinsame
Absprengung zusammen mit der darunterliegenden zweiten Ebene
durch Einstrahlung in die Halbleiterschicht der zweiten Ebene
abzusprengen.
Als fünfte Ebene wird wieder eine TCO-Elektrodenschicht auf
gebracht. Deren Strukturierung erfolgt durch Absprengung zu
sammen mit der vierten Ebene oder analog der Strukturierung
der vierten Ebene durch Absprengung zusammen mit der zweiten
Ebene.
Die Variationsmöglichkeiten bezüglich der "Tiefe" der
Schnittlinien ergibt sich durch geeignete Anordnung der
Strukturierungslinien bzw. durch entsprechend gesetzte
Schnittlinien. Eine Strukturierung der fünften Ebene (dritte
Elektrodenebene) kann zum Beispiel dann durch Absprengung
zusammen mit der vierten Ebene (zweite Solarzellenebene) er
folgen, wenn deren Schnittlinie im Bereich der zweiten
Schnittlinie für die zweite Ebene (erste Solarzellenebene)
liegt. Da die fünfte Strukturierungslinie gegen die zweite
Strukturierungslinie seitlich versetzt ist, muß daher die
zweite Schnittlinie breiter ausgeführt werden als die fünfte
Schnittlinie. Dadurch wird erreicht, daß die Halbleiter
schicht der zweiten Ebene (erste Solarzellenebene) im Bereich
der fünften Schnittlinie bereits in diesem früheren
Strukturierungsschritt entfernt wird.
Eine weitere Möglichkeit besteht darin, die Schnittlinie für
die Strukturierung der zweiten Ebene so breit auszuführen,
daß sie mit den Schnittlinien gemäß der vierten und der fünf
ten Strukturierungslinie überlappen. In diesem Fall erfolgt
die Strukturierung sowohl der vierten als auch der fünften
Ebene ausschließlich durch Absprengen der Halbleiterschicht
der vierten Ebene, bzw. durch Absprengen der Halbleiter
schicht der vierten Ebene samt darüberliegender Elektroden
schicht der fünften Ebene im Bereich der Lasereinstrahlung.
Auf jeden Fall muß beachtet werden, daß die Schnittlinien für
die Strukturierung der ersten und zweiten Ebene bzw. der
dritten und der vierten Ebene so angeordnet werden, daß sie
keinen Überlappungsbereich besitzen. Nur so wird gewährlei
stet, daß zwischen unterschiedlichen Elektrodenebenen keine
unerwünschten leitenden Brücken entstehen, die zum elektri
schen Kurzschluß einzelner Solarzellen führen könnten. Die
übrigen Schnittlinien können so angeordnet werden, daß leich
te Überlappungen auftreten.
Möglich ist es jedoch auch, sämtliche Schnittlinien so anzu
ordnen, daß keine gegenseitige Überlappung erfolgt.
Die Auswahl des Lasers für das erfindungsgemäße Verfahren er
folgt so, daß dessen Wellenlänge in einem Bereich starker Ab
sorption der Solarzelle bzw. des Halbleitermaterials der So
larzelle liegt. Für amorphes Silizium ist dazu ein blauer
oder grüner Laser erforderlich, beispielsweise ein frequenz
verdoppelter Nd:YAG- oder ein Nd:YLF-Laser. Für diesen Laser
kann eine aus Glas bestehende Optik, bestehend aus einem
Spiegel und einer Linse verwendet werden.
Um die thermische Belastung der Halbleiterschicht bzw. deren
Schnittkanten möglichst gering zu halten, wird ein ausgesuch
tes Strahlungsprofil und eine optimal gewählte Pulsenergie
verwendet. Eine radiale Intensitätsverteilung des Laser
strahls mit Gaußprofil wird erreicht, wenn für das Verfahren
die TEM₀₀-Mode verwendet wird. Weitere Vorteile bringt ein
rechteckiges Strahlprofil. Allgemein ist ein Profil günstig,
dessen Intensität am Rand steil abfällt.
Für die verwendeten Feststofflaser liegen die für das erfin
dungsgemäße Verfahren geeigneten Pulsfrequenzen im Bereich
von 1 bis 100 kHz. Nach oben hin ist die Frequenz durch die
nachlassende Energiedichte der Laserpulse und durch die er
forderliche Wärmeableitung aus nicht abgesprengten Schichtbe
reichen begrenzt. Die Länge der Laserpulse beträgt vorteil
hafterweise weniger als 200 ns, um eine zu hohe Erwärmung des
Materials zu vermeiden. Gut geeignete Laserpulslängen liegen
zwischen 20 ns und 50 ps.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von drei Ausführungs
beispielen und der dazugehörigen 11 Figuren näher erläutert.
Dabei zeigen
die Fig. 1 bis 9 ein Solarmodul im schematischen Quer schnitt während verschiedener Verfahrensstufen bei der Her stellung, während
die Fig. 10 und 11 schematische Ausschnitte aus fertig strukturierten Solarmodulen gemäß zweier weiterer Ausfüh rungsbeispiele darstellen.
die Fig. 1 bis 9 ein Solarmodul im schematischen Quer schnitt während verschiedener Verfahrensstufen bei der Her stellung, während
die Fig. 10 und 11 schematische Ausschnitte aus fertig strukturierten Solarmodulen gemäß zweier weiterer Ausfüh rungsbeispiele darstellen.
Fig. 1: Für das erste Ausführungsbeispiel werden die
Schnittlinien für die einzelnen Strukturierungsschritte so
angeordnet, daß keine gegenseitige Überlappung auftritt. Auf
einem transparenten und zum Beispiel aus Glas bestehenden
Substrat 1 wird als erste Ebene E1 eine TCO-Elektrodenschicht
aufgebracht. Das dünne leitfähige Oxid der Ebene E1 besteht
beispielsweise aus einer 1 um dicken Schicht Zinkoxid, die
zur Verbesserung der Leitfähigkeit mit Aluminium oder Bor do
tiert ist. Möglich ist es jedoch auch, die TCO-Schicht E1 aus
fluordotiertem Zinnoxid oder Indiumzinnoxid aufzubauen.
Zur Strukturierung der Elektrodenschicht E1 wird diese in
mehrere streifenförmige Gebiete aufgeteilt, beispielsweise
durch direkte Lasereinwirkung von oben. Der Laser wird ent
lang parallel zueinander angeordnet er Strukturierungslinien
P1 geführt, wobei im Bereich grabenförmiger Vertiefungen S1
das Substrat 1 freigelegt wird. Die Breite der durch diese
Strukturierung entstandenen Elektrodenstreifen der ersten
Elektrodenebene E1 kann auf einem maximalen Wirkungsgrad bzw.
ein optimales Verhältnis zwischen Strukturierungslinie und
aktiver Halbleiterfläche im späteren Solarmodul optimiert
sein. Üblicherweise bemißt sich die Breite der Elektroden
streifen E1 jedoch nach der Breite des Substrats und der
Spannung, die das integriert verschaltete Solarmodul erzeugen
soll. Üblicherweise wird eine Breite von wenigen Zentimetern
für die Elektrodenstreifen bzw. für die späteren strei
fenförmigen Einzelsolarzellen gewählt.
Fig. 2: Über der ersten Elektrodenebene E1 wird nun ganzflä
chig eine Dünnschichtsolarzelle erzeugt, beispielsweise durch
plasmaunterstützte Gasphasenabscheidung. Dafür wird amorphes
Silizium aus Silan abgeschieden, wobei durch entsprechendes
Beimischen der Dotiergase Boran und Phosphin eine pin-Struk
tur in der zweiten Ebene E2 (erste Solarzellenebene) erzeugt
wird. Zur Vermeidung des Staebler-Wronski-Effekts wird die
Solarzelle in einer Dicke von beispielsweise 200 nm oder we
niger erzeugt.
Fig. 3: Die ganzflächig aufgebrachte Solarzelle der Ebene E2
wird nun entlang zweiter Strukturierungslinien P2 struktu
riert. Dazu wird mit Hilfe eines frequenzverdoppelten Nd:YAG-
Lasers von der Rückseite eingestrahlt und auf die Grenzfläche
zwischen erster Ebene E1 und zweiter Ebene E2 fokussiert. Bei
einer Frequenz von 1 bis 100 kHz und einer Pulsdauer von zum
Beispiel 50 ps reicht ein einzelner Laserspot aus, um im Be
reich dessen Fokus das Halbleitermaterial der Solarzellenebe
ne E2 abzusprengen. Durch eine Relativbewegung zwischen
Substrat und Laser werden die einzelnen Spots so nebeneinan
der gesetzt, daß eine grabenförmige Schnittlinie S2 entsteht,
die über die ganze Länge des Solarmoduls reicht. Die Struk
turlinie P2 wird dicht neben der Strukturierungslinie P1 an
geordnet und weist keine Überlappung mit dieser auf. Mit der
angegebenen Konfiguration hat die Schnittlinie S2 bei linea
rer Anordnung der Einzelspots hintereinander eine Breite von
ca. 30 bis 50 µm, die allerdings mit der Energie der einzel
nen Spots schwanken kann.
Fig. 4: Über den strukturierten Solarzellen der zweiten
Ebene E2 wird nun ganz flächig als dritte Ebene E3 eine wei
tere Elektrodenschicht in ähnlicher Weise wie die Elektroden
schicht der ersten Ebene E1 abgeschieden. Die Abscheidung der
Elektrodenebene E3 erfolgt so, daß das TCO-Material die
Schnittlinie S2 mit auf füllt und so einen ohmschen Kontakt zu
der in der Schnittlinie S3 beigelegten Elektrodenschicht der
ersten Ebene E1 herstellt.
Fig. 5: Zur Strukturierung der Elektrodenebene E3 werden
Schnittlinien S3 erzeugt. Dazu wird mit Hilfe des genannten
Nd:YAG-Lasers entlang von Strukturierungslinien P3 wiederum
durch das Substrat hindurch in die Solarzellebene E2 einge
strahlt. Dabei wird das Halbleitermaterial der Ebene E2 im
Bereich des Laserstrahls von der darunterliegenden Elektro
denschicht E1 abgesprengt, wobei der darüberliegende Bereich
der Elektrodenebene E3 mitgerissen wird. Die Strukturierungs
linie P3 ist um mindestens die dreifache Breite der Schnitt
linie S3 gegen die Strukturierungslinie P2 bzw. die Schnitt
linie S2 versetzt, so daß der Zwischenraum für die Anordnung
zweier weiterer Schnittlinien ohne Überlappung ausreicht.
Fig. 6: Über der Elektrodenebene E3 wird nun in der vierten
Ebene E4 eine ganzflächige Solarzelle mit nip-Struktur er
zeugt. Mit Ausnahme der Orientierung des pn-Übergangs gelten
für diese Solarzelle die gleichen Herstellbedingungen wie für
die Solarzelle der zweiten Ebene E2.
Fig. 7: Zur Strukturierung der Solarzellenebene E4 wird mit
einem Laser entlang der Strukturierungslinie P4 von der Rück
seite durch das Substrat hindurch eingestrahlt. Dabei wird
wiederum Halbleitermaterial der zweiten Ebene von der darun
terliegenden Elektrodenschicht der ersten Ebene E1 unter Mit
nahme darüberliegender Schichtbereiche der Ebenen E3 und E4
abgesprengt. Die Strukturierungslinie P4 wird zwischen den
Strukturierungslinien P2 und P3 direkt neben der letzteren
angeordnet, zeigt mit dieser aber keine Überlappung.
Fig. 8: Über der strukturierten Solarzellebene E4 wird nun
in der fünften Ebene eine weitere TCO-Elektrodenschicht ganz
flächig aufgebracht. Die Elektrodenschicht ES wird so abge
schieden, daß die Schnittlinien S4 mit Elektrodenmaterial
aufgefüllt werden, wodurch ein ohmscher Kontakt mit der in
der Schnittlinie S4 freigelegten Oberfläche der Elektrodene
bene E1 hergestellt wird.
Fig. 9: In einem letzten Strukturierungsschritt wird durch
erneute Lasereinstrahlung durch das Substrat hindurch entlang
der Strukturierungslinien P5 die entsprechenden Schnittlinien
S5 erzeugt. Auch hier wird in das Halbleitermaterial der So
larzellenebene E2 eingestrahlt und dieses im Bereich des La
sers von der darunterliegenden Elektrodenschicht der Ebene E1
samt der darüberliegenden Schichtbereiche abgesprengt. Die
Strukturierungslinie P5 liegt zwischen der Strukturierungsli
nie P2 und der Strukturierungslinie P4.
In der Fig. 9 ist das somit fertiggestellte Stapelzellenso
larmodul dargestellt. Durch die gegensätzliche Polarität des
pn-Übergangs der Solarzellenschichten E2 und E4 sind die So
larzellen innerhalb eines Stapels parallelgeschaltet, während
die einzelnen Stapel miteinander in Serie geschaltet sind.
Während sich innerhalb eines Stapels die photovoltaisch er
zeugten Ströme addieren, wird durch die Serienverschaltung
die Spannung des Solarmoduls erhöht, wobei die Gesamtspannung
des Solarmoduls ungefähr dem Produkt aus der Anzahl der
streifenförmigen Solarzellenstapel und der Spannung einer
Einzelzelle entspricht.
Fig. 10 zeigt ein fertig strukturiertes Solarmodul nach der
Erfindung, bei dem die Anordnung der Strukturierungslinien P2
und P5 variiert ist. In diesem Ausführungsbeispiel wird die
zweite Strukturierungslinie P2 durch entsprechende Aufraste
rung des dafür verwendeten Laserstrahls breiter ausgeführt
als die übrigen Strukturierungslinien. Die Strukturierungsli
nie P3 wird gegen die Strukturierungslinie P4 so weit ver
setzt, daß dazwischen noch Platz für die Strukturierungslinie
P4 verbleibt. Während das Verfahren bis dahin mit Ausnahme
der Anordnung der Strukturierungslinien weitgehend identisch
mit dem ersten Ausführungsbeispiel ist, zeigt sich der we
sentliche Unterschied bei der Strukturierung der Elektroden
ebene E5. Die Strukturierungslinie P5 ist auf die Strukturie
rungslinie P2 zentriert, weist aber eine geringere Breite als
P2 auf. Der Laserstrahl kann bei dieser Strukturierung daher
ungehindert bis zur Solarzellenebene E4 durch die transpa
renten darunterliegenden Schichtbereiche von Substrat 1,
Elektrodenebene E1 und Elektrodenebene E3 dringen. Die Ab
sprengung erfolgt daher oberhalb der Elektrodenebene E3. Dies
hat zum einen den Vorteil, daß die dadurch erzeugte
Schnittlinie S5 nur durch zwei Schichten reicht, bei der
Strukturierung also nur zwei Schichten abgesprengt werden
müssen. Dies ermöglicht eine saubere Strukturierung. Zum an
deren können die Strukturierungslinien dichter beieinander
gewählt werden, wobei der Verlust an aktiver Halbleiterfläche
durch die Strukturierungsschritte minimiert ist.
Fig. 11 zeigt ein gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel fer
tig strukturiertes Stapelzellensolarmodul. In diesem Ausfüh
rungsbeispiel wird die Strukturierung der Solarzellenebene E2
mit einem so breit gefächerten Laserstrahl gemäß der Struktu
rierungslinie P2 vorgenommen, daß die Strukturierungslinien
P4 und P5 in diese Strukturierungslinie P2 hineinpassen. Die
Verbreiterung der Strukturierungslinie P2 erfolgt entweder
durch Verwendung eines breiten Laserstrahls oder durch Ra
stern eines (schmalen) Laserstrahls. Das Rastern wird dadurch
erreicht, daß mehrere Laserschnitte direkt nebeneinander
durchgeführt werden. Damit wird erreicht, daß zur Strukturie
rung der Solarzellenebene E4 und der Elektrodenebene E5 di
rekt in die Solarzellenebene E4 eingestrahlt werden kann, da
in diesem Bereich liegendes Halbleitermaterial der Solarzel
lenebene E2 bereits mit dem zweiten Strukturierungsschritt
entfernt wurde. Die Strukturierung der Solarzellenebene E4
erfordert daher nur das Absprengen dieser Schicht, während
die Strukturierung der Elektrodenebene E5 durch Absprengung
des entsprechenden Bereichs der Solarzellenebene E4 samt dar
überliegender Elektrodenebene E5 erfolgt. Auch dieses Ausfüh
rungsbeispiel zeichnet sich gegenüber dem ersten Ausführungs
beispiel durch einen minimalen Verbrauch an aktiver Halblei
terfläche aus. Ausgeglichen wird dieser Vorteil jedoch durch
den erhöhten Aufwand, der durch die breiter anzulegende
Schnittlinie S2 nötig ist.
Mit der Erfindung wird somit ein Verfahren vorgeschlagen, mit
dem integriert verschaltete Stapelzellensolarmodule erzeugt
werden können. Das Verfahren ist dabei nicht auf Solarzellen
aus amorphem Silizium beschränkt. Vielmehr kann das erfin
dungsgemäße Verfahren auch für andere Solarzellentypen einge
setzt werden, die in Dünnschichtbauweise herstellbar sind.
Claims (8)
1. Verfahren zur Herstellung eines Solarmoduls mit integriert
verschalteten Dünnschichtsolarzellenstapeln (E2, E4) und mit
insgesamt drei TCO-Elektrodenebenen (E1, E3, E5) auf einem
transparenten Substrat (1), bei dem zwischen jeweils zwei
Elektrodenebenen eine Ebene mit streifenförmig strukturierten
pin- bzw. nip-Solarzellen angeordnet ist, und bei der im
Stapel übereinanderliegende Solarzellen parallel, und die
Stapel miteinander in Serie geschaltet sind, mit den Merkma
len:
- - es wird immer jeweils eine Ebene (E1-E5) durch ganzflä chige Schichtabscheidung erzeugt und anschließend entlang von vorgegebenen, zueinander parallelen Strukturierungs linien (P1-P5) strukturiert
- - die Strukturierung der Solarzellenebenen (E2, E4) und der beiden oberen Elektrodenebenen (E3, E5) erfolgt mittels La ser von der Rückseite durch das Substrat hindurch, wobei durch Absorption der Laserstrahlen in einer Solarzellen ebene (E2, E4) der Halbleiter unter Ausbildung grabenför miger Schnittlinien (S1-S5) abgesprengt wird
- - die Strukturierungslinien (P1-P5) werden jeweils versetzt nebeneinander so angeordnet, daß sich eine Anordnung in der Reihenfolge P1-P2-P5-P4-P3 ergibt.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
bei dem die Schnittlinie (S2) entlang der zweiten Struktu
rierungslinie (P2) breiter ausgeführt wird als die entlang
der übrigen Strukturierungslinien, so daß sie mit der
Schnittlinie (S5) gemäß P5 überlappt.
3. Verfahren nach Anspruch 2,
bei dem die Schnittlinien (S4, S5) gemäß der vierten und fünf
ten Strukturierungslinie (P4, P5) mit der zweiten Strukturie
rungslinie (P2) überlappen.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
bei dem die jeweils benachbarten Schnittlinien (S1/S2; S3/S4)
gemäß P1 und P2 bzw. P3 und P4 so angeordnet werden, daß sie
nicht miteinander überlappen.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
bei dem ein Laser verwendet wird, der einen Strahl mit radia
ler Intensitätsverteilung erzeugt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
bei dem ein Laser verwendet wird, dessen Wellenlänge in einem
Bereich hoher Absorption der Solarzelle bzw. deren Halblei
termaterial liegt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
bei dem Solarzellen aus amorphem Silizium a-Si:H oder amor
phes Silizium umfaßenden Legierungen mit einem Festkörperla
ser strukturiert werden.
8. Verfahren nach Anspruch 7,
bei dem ein gepulster Nd:YAG- oder Nd:YLF-Laser mit einer
Pulslänge von 50 ps bis 20 ns verwendet wird.
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