DE4420434A1 - Integriertes Strukturierungsverfahren für Dünnschichtsolarzellen in Stapelbauweise - Google Patents

Integriertes Strukturierungsverfahren für Dünnschichtsolarzellen in Stapelbauweise

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DE4420434A1
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Description

Um die Lichtausnutzung von Dünnschichtsolarzellen zu verbes­ sern, können mehrere Dünnschichtsolarzellen übereinander in Stapeln abgeschieden werden. Durch unterschiedliche Dotierung zur Beeinflussung des Bandabstandes können mehrere, in unter­ schiedlichen Bereichen des Spektrums absorbierende Solarzel­ len erzeugt werden. Damit wird es möglich, das natürliche Sonnenspektrum besser zur photovoltaischen Stromerzeugung auszunützen.
Doch auch Stapelsolarzellen, bei denen gleichartige Dünn­ schichtsolarzellen übereinander gestapelt werden, haben Vor­ teile gegenüber Einfachsolarzellen. Bei vergleichbaren Ge­ samtschichtdicken und daher ebenfalls vergleichbarer Lichtab­ sorption wird mit der Stapelzelle ein verbesserter Gesamtwir­ kungsgrad erhalten und insbesondere das Alterungsverhalten (Staebler-Wronski-Effekt) deutlich verbessert.
Stapelsolarzellen sind optisch in Serie geschaltet, wobei durch Verwendung transparenter Materialien die entsprechende Lichtdurchlässigkeit gewährleistet ist. Elektrisch können sie gegeneinander isoliert und dabei einzeln kontaktiert sein, oder in Serie geschaltet sein. Die für die elektrische Seri­ enverschaltung im Stapel erforderliche Stromanpassung ist insbesondere bei großflächigen Solarmodulen jedoch nur schwierig durchzuführen. In der DE-A 42 03 123 wird daher vorgeschlagen, die Einzelsolarzellen mit gegensätzlicher Po­ larität übereinander anzuordnen und sie elektrisch parallel zu verschalten. Durch geeignete Strukturierung gelingt es auch, ein ganzes Solarmodul integriert herzustellen, wobei die einzelnen Stapel miteinander in Serie geschaltet sind.
Bei der Strukturierung eines solchen Stapelzellensolarmoduls treten jedoch Probleme auf, da die einzelnen Schichten spezi­ fisch gegeneinander strukturiert werden müssen was spezifi­ sche Materialabtragverfahren erfordert. Bei Laserstrukturie­ rungsverfahren ist die Eindringtiefe nur schwer zu kontrol­ lieren. Außerdem können durch Lasereinwirkung Strukturverän­ derungen im Halbleiter auftreten, die zu unerwünschten strom­ leitenden Pfaden in der Solarzelle führen und diese kurz­ schließen können.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein verbes­ sertes Verfahren zur Strukturierung solcher Stapelsolarzellen anzugeben, welches einfach und sicher durchzuführen ist und die obengenannten Nachteile vermeidet.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren mit den Merkmalen von Anspruch 1 gelöst. Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, eine sau­ bere Strukturierung bzw. grabenförmige Schnittlinien mit sau­ beren Kanten zu erzeugen. Dazu muß kein Material verdampft werden; vielmehr wird die Halbleiterschicht, in der der Laser absorbiert wird, von der darunterliegenden nicht absorbieren­ den Schicht abgesprengt. Die bei der Absprengung freiwerdende mechanische Energie reicht aus, daß auch mehrere darüberlie­ gende Schichtbereiche mit abgehoben werden können. Dabei reicht ein einzelner Laserspot von zum Beispiel 50 ps Dauer zur vollständige Absprengung des Halbleitermaterials im Fokus des Laserstrahls aus. Da die zur Strukturierung des Solarmo­ duls erforderliche Energie unabhängig von der Tiefe der zu erzeugenden Schnittlinie ist, ist das Verfahren schnell und vergleichsweise energiesparend durchzuführen.
Die Schnittkanten weisen dabei praktisch keine Phasenverände­ rung auf, die unerwünschte Strompfade und damit Kurzschlüsse darstellen könnten.
Das erfindungsgemäße Verfahren gibt außerdem an, wie die Strukturierungslinien des Solarmoduls unter minimalem Ver­ brauch an aktiver Halbleiterfläche sicher durchgeführt werden kann. Dies garantiert eine maximale Leistung und daher einen maximalen Wirkungsgrad für das Solarmodul.
Die Schichterzeugung in den fünf Ebenen des Solarmoduls er­ folgt jeweils ganzflächig nach bekannten Methoden. Nach Schichtabscheidung jeweils einer Ebene erfolgt ein Struktu­ rierungsschritt, bei dem zueinander parallele Schnittlinien in der Schicht erzeugt werden.
Für das Verfahren ist ein transparentes Substrat erforder­ lich. Die erste Ebene ist eine TCO-Elektrodenschicht, die durch konventionelle direkte Laserbestrahlung, mechanisch oder durch ein Lift-off-Verfahren strukturiert wird.
Die zweite Ebene ist eine Halbleiterschicht mit pin-Dioden­ struktur zur Ausbildung der Solarzellen. Zu deren Abscheidung werden an sich bekannte plasmagestützte Dünnschichtabscheide­ verfahren verwendet. Die Strukturierung der zweiten Ebene wird durch Einstrahlung durch Substrat und die TCO-Elektro­ denschicht der ersten Ebene hindurch vorgenommen. Die Ab­ sprengung erfolgt durch lokale Überhitzung des Halbleiters im Laserspot an der Grenzfläche zwischen TCO-Elektrodenschicht und Halbleiterschicht.
Die dritte Ebene ist wieder eine TCO-Elektrodenschicht. Deren Strukturierung erfolgt durch Absprengung zusammen mit der darunterliegenden Halbleiterschicht mittels Lasereinstrahlung von der Rückseite.
Die vierte Ebene ist wieder eine Solarzellenebene, wobei der Halbleiter in nip-Diodenstruktur erzeugt wird. Dadurch sind die Solarzellen der beiden Solarzellenebenen parallel ver­ schaltet. Die Strukturierung der vierten Ebene erfolgt analog der ersten Solarzellenebene. Dabei kann direkt in die Halb­ leiterschicht der vierten Ebene eingestrahlt werden, wenn im Bereich dieser vierten Schnittlinie in der zweiten Ebene (erste Solarzellenebene) die Halbleiterschicht entfernt ist. Möglich ist es jedoch auch, die vierte Ebene durch gemeinsame Absprengung zusammen mit der darunterliegenden zweiten Ebene durch Einstrahlung in die Halbleiterschicht der zweiten Ebene abzusprengen.
Als fünfte Ebene wird wieder eine TCO-Elektrodenschicht auf­ gebracht. Deren Strukturierung erfolgt durch Absprengung zu­ sammen mit der vierten Ebene oder analog der Strukturierung der vierten Ebene durch Absprengung zusammen mit der zweiten Ebene.
Die Variationsmöglichkeiten bezüglich der "Tiefe" der Schnittlinien ergibt sich durch geeignete Anordnung der Strukturierungslinien bzw. durch entsprechend gesetzte Schnittlinien. Eine Strukturierung der fünften Ebene (dritte Elektrodenebene) kann zum Beispiel dann durch Absprengung zusammen mit der vierten Ebene (zweite Solarzellenebene) er­ folgen, wenn deren Schnittlinie im Bereich der zweiten Schnittlinie für die zweite Ebene (erste Solarzellenebene) liegt. Da die fünfte Strukturierungslinie gegen die zweite Strukturierungslinie seitlich versetzt ist, muß daher die zweite Schnittlinie breiter ausgeführt werden als die fünfte Schnittlinie. Dadurch wird erreicht, daß die Halbleiter­ schicht der zweiten Ebene (erste Solarzellenebene) im Bereich der fünften Schnittlinie bereits in diesem früheren Strukturierungsschritt entfernt wird.
Eine weitere Möglichkeit besteht darin, die Schnittlinie für die Strukturierung der zweiten Ebene so breit auszuführen, daß sie mit den Schnittlinien gemäß der vierten und der fünf­ ten Strukturierungslinie überlappen. In diesem Fall erfolgt die Strukturierung sowohl der vierten als auch der fünften Ebene ausschließlich durch Absprengen der Halbleiterschicht der vierten Ebene, bzw. durch Absprengen der Halbleiter­ schicht der vierten Ebene samt darüberliegender Elektroden­ schicht der fünften Ebene im Bereich der Lasereinstrahlung.
Auf jeden Fall muß beachtet werden, daß die Schnittlinien für die Strukturierung der ersten und zweiten Ebene bzw. der dritten und der vierten Ebene so angeordnet werden, daß sie keinen Überlappungsbereich besitzen. Nur so wird gewährlei­ stet, daß zwischen unterschiedlichen Elektrodenebenen keine unerwünschten leitenden Brücken entstehen, die zum elektri­ schen Kurzschluß einzelner Solarzellen führen könnten. Die übrigen Schnittlinien können so angeordnet werden, daß leich­ te Überlappungen auftreten.
Möglich ist es jedoch auch, sämtliche Schnittlinien so anzu­ ordnen, daß keine gegenseitige Überlappung erfolgt.
Die Auswahl des Lasers für das erfindungsgemäße Verfahren er­ folgt so, daß dessen Wellenlänge in einem Bereich starker Ab­ sorption der Solarzelle bzw. des Halbleitermaterials der So­ larzelle liegt. Für amorphes Silizium ist dazu ein blauer oder grüner Laser erforderlich, beispielsweise ein frequenz­ verdoppelter Nd:YAG- oder ein Nd:YLF-Laser. Für diesen Laser kann eine aus Glas bestehende Optik, bestehend aus einem Spiegel und einer Linse verwendet werden.
Um die thermische Belastung der Halbleiterschicht bzw. deren Schnittkanten möglichst gering zu halten, wird ein ausgesuch­ tes Strahlungsprofil und eine optimal gewählte Pulsenergie verwendet. Eine radiale Intensitätsverteilung des Laser­ strahls mit Gaußprofil wird erreicht, wenn für das Verfahren die TEM₀₀-Mode verwendet wird. Weitere Vorteile bringt ein rechteckiges Strahlprofil. Allgemein ist ein Profil günstig, dessen Intensität am Rand steil abfällt.
Für die verwendeten Feststofflaser liegen die für das erfin­ dungsgemäße Verfahren geeigneten Pulsfrequenzen im Bereich von 1 bis 100 kHz. Nach oben hin ist die Frequenz durch die nachlassende Energiedichte der Laserpulse und durch die er­ forderliche Wärmeableitung aus nicht abgesprengten Schichtbe­ reichen begrenzt. Die Länge der Laserpulse beträgt vorteil­ hafterweise weniger als 200 ns, um eine zu hohe Erwärmung des Materials zu vermeiden. Gut geeignete Laserpulslängen liegen zwischen 20 ns und 50 ps.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von drei Ausführungs­ beispielen und der dazugehörigen 11 Figuren näher erläutert.
Dabei zeigen
die Fig. 1 bis 9 ein Solarmodul im schematischen Quer­ schnitt während verschiedener Verfahrensstufen bei der Her­ stellung, während
die Fig. 10 und 11 schematische Ausschnitte aus fertig strukturierten Solarmodulen gemäß zweier weiterer Ausfüh­ rungsbeispiele darstellen.
Erstes Ausführungsbeispiel
Fig. 1: Für das erste Ausführungsbeispiel werden die Schnittlinien für die einzelnen Strukturierungsschritte so angeordnet, daß keine gegenseitige Überlappung auftritt. Auf einem transparenten und zum Beispiel aus Glas bestehenden Substrat 1 wird als erste Ebene E1 eine TCO-Elektrodenschicht aufgebracht. Das dünne leitfähige Oxid der Ebene E1 besteht beispielsweise aus einer 1 um dicken Schicht Zinkoxid, die zur Verbesserung der Leitfähigkeit mit Aluminium oder Bor do­ tiert ist. Möglich ist es jedoch auch, die TCO-Schicht E1 aus fluordotiertem Zinnoxid oder Indiumzinnoxid aufzubauen.
Zur Strukturierung der Elektrodenschicht E1 wird diese in mehrere streifenförmige Gebiete aufgeteilt, beispielsweise durch direkte Lasereinwirkung von oben. Der Laser wird ent­ lang parallel zueinander angeordnet er Strukturierungslinien P1 geführt, wobei im Bereich grabenförmiger Vertiefungen S1 das Substrat 1 freigelegt wird. Die Breite der durch diese Strukturierung entstandenen Elektrodenstreifen der ersten Elektrodenebene E1 kann auf einem maximalen Wirkungsgrad bzw. ein optimales Verhältnis zwischen Strukturierungslinie und aktiver Halbleiterfläche im späteren Solarmodul optimiert sein. Üblicherweise bemißt sich die Breite der Elektroden­ streifen E1 jedoch nach der Breite des Substrats und der Spannung, die das integriert verschaltete Solarmodul erzeugen soll. Üblicherweise wird eine Breite von wenigen Zentimetern für die Elektrodenstreifen bzw. für die späteren strei­ fenförmigen Einzelsolarzellen gewählt.
Fig. 2: Über der ersten Elektrodenebene E1 wird nun ganzflä­ chig eine Dünnschichtsolarzelle erzeugt, beispielsweise durch plasmaunterstützte Gasphasenabscheidung. Dafür wird amorphes Silizium aus Silan abgeschieden, wobei durch entsprechendes Beimischen der Dotiergase Boran und Phosphin eine pin-Struk­ tur in der zweiten Ebene E2 (erste Solarzellenebene) erzeugt wird. Zur Vermeidung des Staebler-Wronski-Effekts wird die Solarzelle in einer Dicke von beispielsweise 200 nm oder we­ niger erzeugt.
Fig. 3: Die ganzflächig aufgebrachte Solarzelle der Ebene E2 wird nun entlang zweiter Strukturierungslinien P2 struktu­ riert. Dazu wird mit Hilfe eines frequenzverdoppelten Nd:YAG- Lasers von der Rückseite eingestrahlt und auf die Grenzfläche zwischen erster Ebene E1 und zweiter Ebene E2 fokussiert. Bei einer Frequenz von 1 bis 100 kHz und einer Pulsdauer von zum Beispiel 50 ps reicht ein einzelner Laserspot aus, um im Be­ reich dessen Fokus das Halbleitermaterial der Solarzellenebe­ ne E2 abzusprengen. Durch eine Relativbewegung zwischen Substrat und Laser werden die einzelnen Spots so nebeneinan­ der gesetzt, daß eine grabenförmige Schnittlinie S2 entsteht, die über die ganze Länge des Solarmoduls reicht. Die Struk­ turlinie P2 wird dicht neben der Strukturierungslinie P1 an­ geordnet und weist keine Überlappung mit dieser auf. Mit der angegebenen Konfiguration hat die Schnittlinie S2 bei linea­ rer Anordnung der Einzelspots hintereinander eine Breite von ca. 30 bis 50 µm, die allerdings mit der Energie der einzel­ nen Spots schwanken kann.
Fig. 4: Über den strukturierten Solarzellen der zweiten Ebene E2 wird nun ganz flächig als dritte Ebene E3 eine wei­ tere Elektrodenschicht in ähnlicher Weise wie die Elektroden­ schicht der ersten Ebene E1 abgeschieden. Die Abscheidung der Elektrodenebene E3 erfolgt so, daß das TCO-Material die Schnittlinie S2 mit auf füllt und so einen ohmschen Kontakt zu der in der Schnittlinie S3 beigelegten Elektrodenschicht der ersten Ebene E1 herstellt.
Fig. 5: Zur Strukturierung der Elektrodenebene E3 werden Schnittlinien S3 erzeugt. Dazu wird mit Hilfe des genannten Nd:YAG-Lasers entlang von Strukturierungslinien P3 wiederum durch das Substrat hindurch in die Solarzellebene E2 einge­ strahlt. Dabei wird das Halbleitermaterial der Ebene E2 im Bereich des Laserstrahls von der darunterliegenden Elektro­ denschicht E1 abgesprengt, wobei der darüberliegende Bereich der Elektrodenebene E3 mitgerissen wird. Die Strukturierungs­ linie P3 ist um mindestens die dreifache Breite der Schnitt­ linie S3 gegen die Strukturierungslinie P2 bzw. die Schnitt­ linie S2 versetzt, so daß der Zwischenraum für die Anordnung zweier weiterer Schnittlinien ohne Überlappung ausreicht.
Fig. 6: Über der Elektrodenebene E3 wird nun in der vierten Ebene E4 eine ganzflächige Solarzelle mit nip-Struktur er­ zeugt. Mit Ausnahme der Orientierung des pn-Übergangs gelten für diese Solarzelle die gleichen Herstellbedingungen wie für die Solarzelle der zweiten Ebene E2.
Fig. 7: Zur Strukturierung der Solarzellenebene E4 wird mit einem Laser entlang der Strukturierungslinie P4 von der Rück­ seite durch das Substrat hindurch eingestrahlt. Dabei wird wiederum Halbleitermaterial der zweiten Ebene von der darun­ terliegenden Elektrodenschicht der ersten Ebene E1 unter Mit­ nahme darüberliegender Schichtbereiche der Ebenen E3 und E4 abgesprengt. Die Strukturierungslinie P4 wird zwischen den Strukturierungslinien P2 und P3 direkt neben der letzteren angeordnet, zeigt mit dieser aber keine Überlappung.
Fig. 8: Über der strukturierten Solarzellebene E4 wird nun in der fünften Ebene eine weitere TCO-Elektrodenschicht ganz­ flächig aufgebracht. Die Elektrodenschicht ES wird so abge­ schieden, daß die Schnittlinien S4 mit Elektrodenmaterial aufgefüllt werden, wodurch ein ohmscher Kontakt mit der in der Schnittlinie S4 freigelegten Oberfläche der Elektrodene­ bene E1 hergestellt wird.
Fig. 9: In einem letzten Strukturierungsschritt wird durch erneute Lasereinstrahlung durch das Substrat hindurch entlang der Strukturierungslinien P5 die entsprechenden Schnittlinien S5 erzeugt. Auch hier wird in das Halbleitermaterial der So­ larzellenebene E2 eingestrahlt und dieses im Bereich des La­ sers von der darunterliegenden Elektrodenschicht der Ebene E1 samt der darüberliegenden Schichtbereiche abgesprengt. Die Strukturierungslinie P5 liegt zwischen der Strukturierungsli­ nie P2 und der Strukturierungslinie P4.
In der Fig. 9 ist das somit fertiggestellte Stapelzellenso­ larmodul dargestellt. Durch die gegensätzliche Polarität des pn-Übergangs der Solarzellenschichten E2 und E4 sind die So­ larzellen innerhalb eines Stapels parallelgeschaltet, während die einzelnen Stapel miteinander in Serie geschaltet sind. Während sich innerhalb eines Stapels die photovoltaisch er­ zeugten Ströme addieren, wird durch die Serienverschaltung die Spannung des Solarmoduls erhöht, wobei die Gesamtspannung des Solarmoduls ungefähr dem Produkt aus der Anzahl der streifenförmigen Solarzellenstapel und der Spannung einer Einzelzelle entspricht.
Zweites Ausführungsbeispiel
Fig. 10 zeigt ein fertig strukturiertes Solarmodul nach der Erfindung, bei dem die Anordnung der Strukturierungslinien P2 und P5 variiert ist. In diesem Ausführungsbeispiel wird die zweite Strukturierungslinie P2 durch entsprechende Aufraste­ rung des dafür verwendeten Laserstrahls breiter ausgeführt als die übrigen Strukturierungslinien. Die Strukturierungsli­ nie P3 wird gegen die Strukturierungslinie P4 so weit ver­ setzt, daß dazwischen noch Platz für die Strukturierungslinie P4 verbleibt. Während das Verfahren bis dahin mit Ausnahme der Anordnung der Strukturierungslinien weitgehend identisch mit dem ersten Ausführungsbeispiel ist, zeigt sich der we­ sentliche Unterschied bei der Strukturierung der Elektroden­ ebene E5. Die Strukturierungslinie P5 ist auf die Strukturie­ rungslinie P2 zentriert, weist aber eine geringere Breite als P2 auf. Der Laserstrahl kann bei dieser Strukturierung daher ungehindert bis zur Solarzellenebene E4 durch die transpa­ renten darunterliegenden Schichtbereiche von Substrat 1, Elektrodenebene E1 und Elektrodenebene E3 dringen. Die Ab­ sprengung erfolgt daher oberhalb der Elektrodenebene E3. Dies hat zum einen den Vorteil, daß die dadurch erzeugte Schnittlinie S5 nur durch zwei Schichten reicht, bei der Strukturierung also nur zwei Schichten abgesprengt werden müssen. Dies ermöglicht eine saubere Strukturierung. Zum an­ deren können die Strukturierungslinien dichter beieinander gewählt werden, wobei der Verlust an aktiver Halbleiterfläche durch die Strukturierungsschritte minimiert ist.
Drittes Ausführungsbeispiel
Fig. 11 zeigt ein gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel fer­ tig strukturiertes Stapelzellensolarmodul. In diesem Ausfüh­ rungsbeispiel wird die Strukturierung der Solarzellenebene E2 mit einem so breit gefächerten Laserstrahl gemäß der Struktu­ rierungslinie P2 vorgenommen, daß die Strukturierungslinien P4 und P5 in diese Strukturierungslinie P2 hineinpassen. Die Verbreiterung der Strukturierungslinie P2 erfolgt entweder durch Verwendung eines breiten Laserstrahls oder durch Ra­ stern eines (schmalen) Laserstrahls. Das Rastern wird dadurch erreicht, daß mehrere Laserschnitte direkt nebeneinander durchgeführt werden. Damit wird erreicht, daß zur Strukturie­ rung der Solarzellenebene E4 und der Elektrodenebene E5 di­ rekt in die Solarzellenebene E4 eingestrahlt werden kann, da in diesem Bereich liegendes Halbleitermaterial der Solarzel­ lenebene E2 bereits mit dem zweiten Strukturierungsschritt entfernt wurde. Die Strukturierung der Solarzellenebene E4 erfordert daher nur das Absprengen dieser Schicht, während die Strukturierung der Elektrodenebene E5 durch Absprengung des entsprechenden Bereichs der Solarzellenebene E4 samt dar­ überliegender Elektrodenebene E5 erfolgt. Auch dieses Ausfüh­ rungsbeispiel zeichnet sich gegenüber dem ersten Ausführungs­ beispiel durch einen minimalen Verbrauch an aktiver Halblei­ terfläche aus. Ausgeglichen wird dieser Vorteil jedoch durch den erhöhten Aufwand, der durch die breiter anzulegende Schnittlinie S2 nötig ist.
Mit der Erfindung wird somit ein Verfahren vorgeschlagen, mit dem integriert verschaltete Stapelzellensolarmodule erzeugt werden können. Das Verfahren ist dabei nicht auf Solarzellen aus amorphem Silizium beschränkt. Vielmehr kann das erfin­ dungsgemäße Verfahren auch für andere Solarzellentypen einge­ setzt werden, die in Dünnschichtbauweise herstellbar sind.

Claims (8)

1. Verfahren zur Herstellung eines Solarmoduls mit integriert verschalteten Dünnschichtsolarzellenstapeln (E2, E4) und mit insgesamt drei TCO-Elektrodenebenen (E1, E3, E5) auf einem transparenten Substrat (1), bei dem zwischen jeweils zwei Elektrodenebenen eine Ebene mit streifenförmig strukturierten pin- bzw. nip-Solarzellen angeordnet ist, und bei der im Stapel übereinanderliegende Solarzellen parallel, und die Stapel miteinander in Serie geschaltet sind, mit den Merkma­ len:
  • - es wird immer jeweils eine Ebene (E1-E5) durch ganzflä­ chige Schichtabscheidung erzeugt und anschließend entlang von vorgegebenen, zueinander parallelen Strukturierungs­ linien (P1-P5) strukturiert
  • - die Strukturierung der Solarzellenebenen (E2, E4) und der beiden oberen Elektrodenebenen (E3, E5) erfolgt mittels La­ ser von der Rückseite durch das Substrat hindurch, wobei durch Absorption der Laserstrahlen in einer Solarzellen­ ebene (E2, E4) der Halbleiter unter Ausbildung grabenför­ miger Schnittlinien (S1-S5) abgesprengt wird
  • - die Strukturierungslinien (P1-P5) werden jeweils versetzt nebeneinander so angeordnet, daß sich eine Anordnung in der Reihenfolge P1-P2-P5-P4-P3 ergibt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Schnittlinie (S2) entlang der zweiten Struktu­ rierungslinie (P2) breiter ausgeführt wird als die entlang der übrigen Strukturierungslinien, so daß sie mit der Schnittlinie (S5) gemäß P5 überlappt.
3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die Schnittlinien (S4, S5) gemäß der vierten und fünf­ ten Strukturierungslinie (P4, P5) mit der zweiten Strukturie­ rungslinie (P2) überlappen.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die jeweils benachbarten Schnittlinien (S1/S2; S3/S4) gemäß P1 und P2 bzw. P3 und P4 so angeordnet werden, daß sie nicht miteinander überlappen.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem ein Laser verwendet wird, der einen Strahl mit radia­ ler Intensitätsverteilung erzeugt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem ein Laser verwendet wird, dessen Wellenlänge in einem Bereich hoher Absorption der Solarzelle bzw. deren Halblei­ termaterial liegt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem Solarzellen aus amorphem Silizium a-Si:H oder amor­ phes Silizium umfaßenden Legierungen mit einem Festkörperla­ ser strukturiert werden.
8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem ein gepulster Nd:YAG- oder Nd:YLF-Laser mit einer Pulslänge von 50 ps bis 20 ns verwendet wird.
DE4420434A 1994-06-10 1994-06-10 Integriertes Strukturierungsverfahren für Dünnschichtsolarzellen in Stapelbauweise Withdrawn DE4420434A1 (de)

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