DE3504184C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3504184C2
DE3504184C2 DE3504184A DE3504184A DE3504184C2 DE 3504184 C2 DE3504184 C2 DE 3504184C2 DE 3504184 A DE3504184 A DE 3504184A DE 3504184 A DE3504184 A DE 3504184A DE 3504184 C2 DE3504184 C2 DE 3504184C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
deposition
stage
layer
amorphous silicon
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3504184A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE3504184A1 (de
Inventor
Emmerich Dr.Phil. Bertagnolli
Frank Stefan Dr.Rer.Nat. 8000 Muenchen De Becker
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19853504184 priority Critical patent/DE3504184A1/de
Publication of DE3504184A1 publication Critical patent/DE3504184A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3504184C2 publication Critical patent/DE3504184C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/01—Manufacture or treatment
    • H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
    • H10D64/0111—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor to Group IV semiconductors
    • H10D64/0113—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor to Group IV semiconductors the conductive layers comprising highly doped semiconductor materials, e.g. polysilicon layers or amorphous silicon layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
DE19853504184 1985-02-07 1985-02-07 Verfahren zum herstellen von polykristallinen siliziumschichten mit glatten oberflaechen Granted DE3504184A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19853504184 DE3504184A1 (de) 1985-02-07 1985-02-07 Verfahren zum herstellen von polykristallinen siliziumschichten mit glatten oberflaechen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19853504184 DE3504184A1 (de) 1985-02-07 1985-02-07 Verfahren zum herstellen von polykristallinen siliziumschichten mit glatten oberflaechen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3504184A1 DE3504184A1 (de) 1986-08-07
DE3504184C2 true DE3504184C2 (https=) 1988-10-06

Family

ID=6261928

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19853504184 Granted DE3504184A1 (de) 1985-02-07 1985-02-07 Verfahren zum herstellen von polykristallinen siliziumschichten mit glatten oberflaechen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3504184A1 (https=)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0491976B1 (de) * 1990-12-21 2000-10-25 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung einer mit Arsen dotierten glatten polykristallinen Siliziumschicht für höchstintegrierte Schaltungen
JPH0799771B2 (ja) * 1992-06-26 1995-10-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 皮膜中の応力を制御する方法
US5491107A (en) * 1993-01-21 1996-02-13 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing method for providing large grain polysilicon films
US5792700A (en) * 1996-05-31 1998-08-11 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing method for providing large grain polysilicon films

Also Published As

Publication number Publication date
DE3504184A1 (de) 1986-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0475378B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Substraten für elektronische, elektrooptische und optische Bauelemente
EP0090318B1 (de) Verfahren zum Herstellen von integrierten MOS-Feldeffekttransistorschaltungen in Siliziumgate-Technologie mit Silizid beschichteten Diffusionsgebieten als niederohmige Leiterbahnen
DE3541587C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines dünnen Halbleiterfilms
DE2951734C2 (https=)
DE69114418T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Polysiliziumdünnfilmtransistoren mit niedrigem Kriechverlust.
DE69724317T2 (de) Herstellungsverfahren für eine Vorrichtung bei dem eine dünne Kobaltsilizidschicht geformt wird
DE69204386T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Siliziumfilmes.
DE1614540C3 (de) Halbleiteranordnung sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3231987C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Cobaltsilicidschicht in einem Halbleiterbauelement
DE3885121T2 (de) Herstellung von Widerständen aus polykristallinem Silizium.
DE19620022A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Diffusionssperrmetallschicht in einer Halbleitervorrichtung
EP0142632A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Bipolartransistorstrukturen mit selbstjustierten Emitter- und Basisbereichen für Höchstfrequenzschaltungen
DE10361829A1 (de) Halbleiterbauelement mit epitaktischer C49-Titan-Silizid(TiSi2)-Schicht und Verfahren zur Herstellung desselben
DE2618445A1 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung
DE69010298T2 (de) Niederdruck/Niedertemperatur-Prozess für Deposition von Siliciumdioxyd.
DE1805994A1 (de) Metall-Halbleiterdiode mit hoher Abbruchspannung und geringem Streuverlust,sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
DE10002121A1 (de) Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit flachen Sperrschichten
DE3752126T2 (de) Photoelektrischer Wandler
DE4313042A1 (de) Diamantschichten mit hitzebeständigen Ohmschen Elektroden und Herstellungsverfahren dafür
DE1901819C3 (de) Herstellungsverfahren für polykristalline Siliciumschichten
EP0159617B1 (de) Verfahren zum Herstellen von hochintegrierten MOS-Feldeffekttransistoren
DE69022836T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit Monosiliziumgebieten und Polysiliziumleiterbahnen, die mit einer Metallsiliziddeckschicht versehen sind.
DE3504184C2 (https=)
DE4244115A1 (en) Semiconductor device - comprises silicon@ layer, and foreign atom layer contg. boron ions
DE3131875A1 (de) "verfahren zum herstellen einer halbleiterstruktur und halbleiterstruktur"

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee