DE3485758T2 - Verfahren zur bildung einer schicht aus dielektrischem material aus polyimid auf einer elektronischen komponente und nach diesem verfahren hergestellte komponente. - Google Patents

Verfahren zur bildung einer schicht aus dielektrischem material aus polyimid auf einer elektronischen komponente und nach diesem verfahren hergestellte komponente.

Info

Publication number
DE3485758T2
DE3485758T2 DE8484112629T DE3485758T DE3485758T2 DE 3485758 T2 DE3485758 T2 DE 3485758T2 DE 8484112629 T DE8484112629 T DE 8484112629T DE 3485758 T DE3485758 T DE 3485758T DE 3485758 T2 DE3485758 T2 DE 3485758T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
forming
layer
polyimide material
component
electronic component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE8484112629T
Other languages
English (en)
Other versions
DE3485758D1 (de
Inventor
Constance Joan Araps
Steven Michael Kandetzke
Mark Anthony Takacs
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IBM Deutschland GmbH
Original Assignee
IBM Deutschland GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by IBM Deutschland GmbH filed Critical IBM Deutschland GmbH
Publication of DE3485758D1 publication Critical patent/DE3485758D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3485758T2 publication Critical patent/DE3485758T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
DE8484112629T 1983-11-30 1984-10-19 Verfahren zur bildung einer schicht aus dielektrischem material aus polyimid auf einer elektronischen komponente und nach diesem verfahren hergestellte komponente. Expired - Fee Related DE3485758T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US55673183A 1983-11-30 1983-11-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3485758D1 DE3485758D1 (de) 1992-07-09
DE3485758T2 true DE3485758T2 (de) 1993-02-04

Family

ID=24222610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8484112629T Expired - Fee Related DE3485758T2 (de) 1983-11-30 1984-10-19 Verfahren zur bildung einer schicht aus dielektrischem material aus polyimid auf einer elektronischen komponente und nach diesem verfahren hergestellte komponente.

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0144661B1 (de)
JP (1) JPS60119730A (de)
DE (1) DE3485758T2 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60120723A (ja) * 1983-11-30 1985-06-28 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 電子装置
US4568601A (en) * 1984-10-19 1986-02-04 International Business Machines Corporation Use of radiation sensitive polymerizable oligomers to produce polyimide negative resists and planarized dielectric components for semiconductor structures
JPH069222B2 (ja) * 1986-01-07 1994-02-02 日立化成工業株式会社 多層配線構造の製造法
US8945677B2 (en) * 2011-01-25 2015-02-03 Aspen Aerogels, Inc. Electronic device manufacture using low-k dielectric materials
CN105304469B (zh) * 2015-09-25 2018-03-27 京东方科技集团股份有限公司 一种聚酰亚胺基板、其制备方法及柔性显示器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4164458A (en) * 1977-03-07 1979-08-14 Allied Chemical Corporation Production of radiation crosslinked polymeric compositions using diacetylenes
DE3060913D1 (en) * 1979-05-12 1982-11-11 Fujitsu Ltd Improvement in method of manufacturing electronic device having multilayer wiring structure
JPS606368B2 (ja) * 1979-08-01 1985-02-18 東レ株式会社 感光性ポリイミド前駆体
JPS606365B2 (ja) * 1979-09-25 1985-02-18 株式会社日立製作所 感光性重合体組成物
GB2107926A (en) * 1981-10-13 1983-05-05 Monolithic Memories Inc Semiconductor device and method of manufacture
JPS59187025A (ja) * 1983-04-06 1984-10-24 Hitachi Ltd 感応性重合体組成物
JPS60120723A (ja) * 1983-11-30 1985-06-28 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 電子装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH054974B2 (de) 1993-01-21
JPS60119730A (ja) 1985-06-27
EP0144661A3 (en) 1988-10-05
DE3485758D1 (de) 1992-07-09
EP0144661A2 (de) 1985-06-19
EP0144661B1 (de) 1992-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3587041T2 (de) Verfahren zur herstellung von isolatorschichten aus silylierten polysilsesquioxanen auf elektronischen gedruckten schaltung.
DE69220892D1 (de) Verfahren zur Herstellung von mehrschichtigen Leiterplatten aus Polyimid
DE3485129D1 (de) Verfahren zur bildung eines musters von elektrisch leitenden linien auf der oberseite eines keramischen substrates.
DE3578149D1 (de) Verfahren zum herstellen von kupferkaschiertem basismaterial fuer leiterplatten.
DE3782904T2 (de) Verfahren zur ausbildung einer kupfer enthaltenden metallisierungsschicht auf der oberflaeche eines halbleiterbauelementes.
DE68921732T2 (de) Verfahren zur Herstellung von gedruckten Mehrschicht-Leiterplatten.
DE69105625T2 (de) Verfahren zur Herstellung von gedruckten Mehrschicht-Leiterplatten.
DE3483003D1 (de) Verfahren zur herstellung einer gedruckten leiterplatte.
JPS5335163A (en) Method of producing printed circuit board substrate having through hole from metallic material
DE3485704D1 (de) Verfahren zur herstellung von leitfaehigen, durchgehenden loechern durch eine dielektrische schicht.
DE3379151D1 (en) Method and composition for applying coatings on printed circuit boards, and process for making said composition
DE69012019D1 (de) Aussenschichtmaterial von einer gedruckten mehrschichtleiterplatte und verfahren zu deren herstellung.
DE69001338D1 (de) Verfahren zur bildung von leitenden spuren auf einem substrat.
DE3584024D1 (de) Verfahren zur rueckgewinnung von kupfer aus einer ammoniakalischen kupfer-aetzloesung und rekonditionierung derselben.
AT387405B (de) Verfahren zur herstellung einer kokille aus kupferwerkstoffen
DE3481248D1 (de) Verfahren zur bildung eines substrats zur automatischen bandmontage elektronischer schaltungselemente.
DE59004525D1 (de) Verfahren zur beschichtung elektrisch leitfähiger substrate.
DE3872430D1 (de) Verfahren zur herstellung einer schicht aus supraleitendem material.
DE3483982D1 (de) Verfahren zur herstellung einer elektrisch leitfaehigen verbindung und vorrichtung zur durchfuehrung eines solchen verfahrens.
DE3485758D1 (de) Verfahren zur bildung einer schicht aus dielektrischem material aus polyimid auf einer elektronischen komponente und nach diesem verfahren hergestellte komponente.
DE3485833D1 (de) Fluessiges chemisches verfahren zur herstellung von leitfaehigen durchgehenden loechern durch eine dielektrische schicht.
DE3580332D1 (de) Vorrichtung zum aufheizen einer schicht aus dielektrischem material mittels hochfrequenz.
DE69133046D1 (de) Verfahren zur Herstellung von dicken Multilayer aus Polyimid
DE3867342D1 (de) Verbindungsverfahren zwischen einer gedruckten schaltung und einem metallischen substrat.
DE69001733T2 (de) Verfahren zur ablagerung einer isolierenden schicht auf einer leitenden schicht des mehrschichtigen netzes einer gedruckten schaltung mit leiterbahnen hoher dichte und eine dadurch erhaltene leiterplatte.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8380 Miscellaneous part iii

Free format text: DER INHABER IST ZU AENDERN IN: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP., ARMONK, N.Y., US

8339 Ceased/non-payment of the annual fee