DE3484846D1 - Verfahren zur herstellung eines substratkontakts fuer integrierte schaltung mittels eines markierungsschritts. - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines substratkontakts fuer integrierte schaltung mittels eines markierungsschritts.

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DE3484846D1 DE8484113732T DE3484846T DE3484846D1 DE 3484846 D1 DE3484846 D1 DE 3484846D1 DE 8484113732 T DE8484113732 T DE 8484113732T DE 3484846 T DE3484846 T DE 3484846T DE 3484846 D1 DE3484846 D1 DE 3484846D1
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Chakrapani Gajanan Jambotkar
Shashi Dhar Malaviya
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DE8484113732T 1983-12-15 1984-11-14 Verfahren zur herstellung eines substratkontakts fuer integrierte schaltung mittels eines markierungsschritts. Expired - Lifetime DE3484846D1 (de)

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2562326B1 (fr) * 1984-03-30 1987-01-23 Bois Daniel Procede de fabrication de zones d'isolation electrique des composants d'un circuit integre
US4721682A (en) * 1985-09-25 1988-01-26 Monolithic Memories, Inc. Isolation and substrate connection for a bipolar integrated circuit
US4700462A (en) * 1986-10-08 1987-10-20 Hughes Aircraft Company Process for making a T-gated transistor
US4871689A (en) * 1987-11-17 1989-10-03 Motorola Inc. Multilayer trench isolation process and structure
WO1993016494A1 (en) * 1992-01-31 1993-08-19 Analog Devices, Inc. Complementary bipolar polysilicon emitter devices

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3817750A (en) * 1970-05-05 1974-06-18 Licentia Gmbh Method of producing a semiconductor device
US3909304A (en) * 1974-05-03 1975-09-30 Western Electric Co Method of doping a semiconductor body
DE2529054C2 (de) * 1975-06-30 1982-04-29 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zur Herstellung eines zur Vorlage negativen Resistbildes
GB1545208A (en) * 1975-09-27 1979-05-02 Plessey Co Ltd Electrical solid state devices
US4044452A (en) * 1976-10-06 1977-08-30 International Business Machines Corporation Process for making field effect and bipolar transistors on the same semiconductor chip
US4196228A (en) * 1978-06-10 1980-04-01 Monolithic Memories, Inc. Fabrication of high resistivity semiconductor resistors by ion implanatation
US4256514A (en) * 1978-11-03 1981-03-17 International Business Machines Corporation Method for forming a narrow dimensioned region on a body
US4261763A (en) * 1979-10-01 1981-04-14 Burroughs Corporation Fabrication of integrated circuits employing only ion implantation for all dopant layers
US4309812A (en) * 1980-03-03 1982-01-12 International Business Machines Corporation Process for fabricating improved bipolar transistor utilizing selective etching
EP0071665B1 (de) * 1981-08-08 1986-04-16 Deutsche ITT Industries GmbH Verfahren zum Herstellen einer monolithisch integrierten Festkörperschaltung mit mindestens einem bipolaren Planartransistor
US4472873A (en) * 1981-10-22 1984-09-25 Fairchild Camera And Instrument Corporation Method for forming submicron bipolar transistors without epitaxial growth and the resulting structure
JPS59920A (ja) * 1982-06-23 1984-01-06 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US4498224A (en) * 1982-12-23 1985-02-12 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a MOSFET using accelerated ions to form an amorphous region

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US4584763A (en) 1986-04-29
EP0146760A3 (en) 1989-03-08

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