DE3680551D1 - Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen mittels eines bondierungsverfahrens. - Google Patents
Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen mittels eines bondierungsverfahrens.Info
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60022937A JPH0770476B2 (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3680551D1 true DE3680551D1 (de) | 1991-09-05 |
Family
ID=12096544
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE8686300821T Expired - Lifetime DE3680551D1 (de) | 1985-02-08 | 1986-02-06 | Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen mittels eines bondierungsverfahrens. |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4700466A (de) |
EP (1) | EP0190935B1 (de) |
JP (1) | JPH0770476B2 (de) |
DE (1) | DE3680551D1 (de) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0682833B2 (ja) * | 1985-02-08 | 1994-10-19 | 株式会社東芝 | サイリスタの製造方法 |
JP2579928B2 (ja) * | 1987-02-26 | 1997-02-12 | 株式会社東芝 | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2579979B2 (ja) * | 1987-02-26 | 1997-02-12 | 株式会社東芝 | 半導体素子の製造方法 |
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EP0300433B1 (de) * | 1987-07-24 | 2001-05-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterverbundkörpers |
JPH07111940B2 (ja) * | 1987-09-11 | 1995-11-29 | 日産自動車株式会社 | 半導体基板の接合方法 |
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JPH1027893A (ja) * | 1993-10-29 | 1998-01-27 | Amer Fib Inc | 電荷シンク又は電位ウェルとして設けられた絶縁層の下の基板内に電気的に結合され別に形成されたドープされた領域を有するsoiウエーハ上に設けられた集積回路(ic)装置 |
JP3252569B2 (ja) * | 1993-11-09 | 2002-02-04 | 株式会社デンソー | 絶縁分離基板及びそれを用いた半導体装置及びその製造方法 |
JPH07263721A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
FR2737341A1 (fr) * | 1995-07-24 | 1997-01-31 | Motorola Semiconducteurs | Procede de fabrication d'un transistor bipolaire |
US6054369A (en) * | 1997-06-30 | 2000-04-25 | Intersil Corporation | Lifetime control for semiconductor devices |
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US6902987B1 (en) * | 2000-02-16 | 2005-06-07 | Ziptronix, Inc. | Method for low temperature bonding and bonded structure |
US7109092B2 (en) | 2003-05-19 | 2006-09-19 | Ziptronix, Inc. | Method of room temperature covalent bonding |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL82014C (de) * | 1949-11-30 | |||
US2743201A (en) * | 1952-04-29 | 1956-04-24 | Hughes Aircraft Co | Monatomic semiconductor devices |
US3303549A (en) * | 1964-03-23 | 1967-02-14 | Sanders Associates Inc | Method of making semiconductor devices utilizing vacuum welding |
JPS4926455A (de) * | 1972-07-11 | 1974-03-08 | ||
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JPS60117665A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Toshiba Corp | サイリスタの製造方法 |
-
1985
- 1985-02-08 JP JP60022937A patent/JPH0770476B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-02-03 US US06/825,544 patent/US4700466A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-02-06 DE DE8686300821T patent/DE3680551D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-02-06 EP EP86300821A patent/EP0190935B1/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0190935A2 (de) | 1986-08-13 |
EP0190935A3 (en) | 1988-03-02 |
US4700466A (en) | 1987-10-20 |
JPS61183917A (ja) | 1986-08-16 |
EP0190935B1 (de) | 1991-07-31 |
JPH0770476B2 (ja) | 1995-07-31 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |