DE3421286A1

DE3421286A1 - Reaktionsbehaelter fuer das und verfahren zum entfernen von material von einem substrat durch aetzen

Info

Publication number: DE3421286A1
Application number: DE19843421286
Authority: DE
Inventors: James Francis Los Altos Calif. Battey
Original assignee: PSI Star Inc
Current assignee: PSI Star Inc
Priority date: 1983-06-27
Filing date: 1984-06-07
Publication date: 1985-01-03
Also published as: GB2142283B; US4482425A; JPS6094727A; GB2142283A; GB8415502D0; FR2549087A1; CA1209885A; JPH0231873B2; FR2549087B1

Description

Reaktionsbehälter für das und Verfahren zum Entfernen von Material von einem Substrat durch Ätzen

Die Erfindung bezieht sich auf das Entfernen von Material von einem Substrat und insbesondere auf einen Reaktionsbehälter und ein Verfahren, welche ein flüssiges Ätzmittel zum Entfernen eines Materials, wie Kupfer, von einem Substrat, wie einer gedruckten Schaltungsplatte , verwenden.

Schaltungsplatten werden gegenwärtig durch Tauchätzung, Blasenätzung, Spritz- oder Schaufelätzung und Sprühätzung geätzt. Jedes dieser Verfahren hat bestimmte Beschränkungen und Nachteile.

Beim Tauchätzen oder Tieftankätzen wird die Schaltungsplatte in ein flüssiges Ätzmittel solange eingetaucht, bis die Ätzung abgeschlossen ist. Die Prozesszeiten sind lang. Dieses Verfahren ist für die Verwendung für eine Produktion mit hohem Volumen nicht geeignet. Die Reaktion kann durch Erhitzen und mechanisches Rühren beschleunigt werden, dies muß jedoch gleichförmig über der Oberfläche der Platte erfolgen, wenn eine gleichförmige Ätzung erwünscht ist.

Die Blasenätzung ist eine modifizierte Form der Tauchätzung, bei der Luft in Form von Blasen durch die Ätzlösung und vorbei an dem zu ätzenden Werkstück strömen gelassen wird. Dieser Blaseneffekt entfernt geätztes Kupfer und trägt dazu bei, daß frisches Ätzmittel an die zu ätzende Oberfläche gebracht wird. Die Blasen bilden auch eine Sauerstoffquelle und sorgen für eine zusätzliche Oxidation* Eine gleichförmige Ätzung erfordert eine relativ gleichförmige Verteilung der Blasen über der Oberfläche des zu entfernenden Kupfers. Dies macht ein kompliziertes System für die Einführung

der Luft in die Lösung erforderlich. Ein Kühlen der Lösung ist bei manchen Anwendungszwecken nötig. Die Änderung der Position der Platte kann dann erforderlich sein, wenn eine gleichförmigere Ätzung erreicht werden soll.

Beim Schaufel- oder Sprühätzen wird die Ätzlösung in einem Becher aufgenommen, der an einer motorgetriebenen Welle befestigt ist, und auf die zu ätzende Platte geschleudert. Aus bisher nicht ganz klaren Gründen scheint dieses Verfahren Vorteile bezüglich der Gleichförmigkeit der Ätzung und einer Minimierung von Hinterschneidungen zu haben. Der Nachteil dieses Verfahrens ist jedoch, daß es relativ langsam ist. Die Gleichförmigkeit kann durch Rotierenlassen und Wenden der Platten verbessert werden.

Sprühätzungsverfahren werden sowohl bei einseitig beschichteten Platten und doppelseitig beschichteten Platten eingesetzt, wobei die Platten horizontal oder vertikal positioniert sein können. Eine einfache Sprühätzeinrichtung hat eine kastenartige Kammer mit einer Sprühdüse, welche das Ätzmittel gegen das Werkstück richtet. Eine gleichförmigere Ätzung wird erreicht, wenn eine Anzahl von Düsen mit überlappendem Sprühmuster eingesetzt wird. Eine weitere Verbesserung läßt sich erzielen, wenn die Platten während des Ätzvorgangs bewegt werden. Da das Ätzmittel an einer vertikal ausgerichteten Platte nach unten läuft, erfolgt die Ätzung am Boden der Platte schneller als an der obersten Seite, so daß es erforderlich ist, die Platte drehen zu lassen, um dieses Problem auszuräumen. Bei horizontal ausgerichteten Platten kann sich eine nicht gleichförmige Ätzung einstellen, da die Ätzlösung mit den Oberseiten der Platten langer in Kontakt bleibt als mit deren Unterseiten.

Bei allen bekannten Verfahren zum Ätzen von Kupfer auf gedruckten Schaltungsplatten wird eine Gleichförmigkeit dadurch erreicht, daß das Werkstück und/oder das Ätzmittel bewegt werden. Dies erfordert im allgemeinen ein relativ komplexes System, welches eine Anzahl von sich bewegenden Teilen aufweist, die Verschleiß und . Schaden ausgesetzt sind. Dieses Problem wird dann besonders schwerwiegend, wenn die sich bewegenden Teile in Kontakt mit der Ätzlösung stehen. Außerdem sind bei allen diesen vorhandenen Verfahren zum Ätzen von Kupfer auf Schaltungsplatten, ausgenommen der Tauchätzung, Luft und Sauerstoff in unmittelbarer Nähe der Plattenoberfläche während des Ätzprozesses vorhanden. Bei einigen chemischen Abläufen der Ätzung führt diese Luft zu unerwünschten Hinterschneidungen des Ätzmusters.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht deshalb darin, einen demgegenüber verbesserten Reaktionsbehälter sowie ein verbessertes Verfahren zum Entfernen von Material von einem Substrat zu schaffen, die besonders zum Entfernen von Kupfer von gedruckten Schaltungsplatten geeignet sind, wobei ein flüssiges Ätzmittel eingesetzt wird, jedoch außer einer Pumpe zum Umlaufenlassen des Ätzmittels keine beweglichen Teile erforderlich sind.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß das zu ätzende Werkstück in einem schmalen Kanal angeordnet wird und daß ein flüssiges Ätzmittel schnell über die Oberfläche des Werkstücks umlaufen gelassen wird, um das Kupfer oder ein anderes Material zu entfernen. Die Geschwindigkeit, mit der das Ätzmittel umgewälzt wird, ist so bemessen, daß die Zusammensetzung des Ätzmittels sich von einer Seite des Werkstücks zur anderen beim Entfernen des Materials nicht merklich ändert.

Die Erfindung hat den Vorteil, daß durch Entfernen von

nur einer geringen Menge an Kupfer oder eines anderen Materials während jedes Durchgangs des Ätzmittels durch den Kanal die Zusammensetzung des Ätzmittels während dieses Durchgangs relativ unverändert bleibt, und daß das Material gleichförmig von dem gesamten Substrat entfernt wird. Das System hat keine sich bewegenden Teil, mit Ausnahme der Pumpe, es ist billig in der Herstellung und einfach in der Wartung.

Obwohl die Erfindung in speziellem Zusammenhang mit dem Ätzen von Kupfer auf einer gedruckten Schaltungsplatte erläutert wird, ist es auch für andere Anwendungszwecke geeignet, beispielsweise für die Fotogravur, die Ätzung von Hybridschaltungen und das Entfernen von anderen Materialien von anderen Substraten. Es kann eine Vielzahl von Ätzkanälen in einem einzigen Reaktionsbehälter verwendet werden. Die Platten oder andere zu ätzende Werkstücke können dynamisch durch den Ätzkanal oder die Kanäle entfernt werden.

Anhand von Zeichnungen wird die Erfindung beispielsweise näher erläutert. Es zeigt:

Fig. 1 eine Ausführungsform des Reaktxonsbehälters im Vertikalschnitt,

Fig. 2 einen Schnitt längs 2-2 von Fig. 1, Fig. 3 einen Schnitt längs 3-3 von Fig. 1 und

Fig. 4 ein Blockschaltbild eines Ätzsystems unter Verwendung des Reaktionsbehälters von Fig. 1 bis

Wie in der Zeichnung gezeigt ist, hat der Reaktionsbehälter 11 ein Paar von insgesamt rechteckigen hochstehenden seitlichen Platten 12 und 13, die im Abstand voneinander und in paralleler Beziehung auf gegenüber-

liegenden Seiten des Reaktionsbehälters angeordnet sind und auf einer.geeigneten Stützfläche stehen. Zwischen den seitlichen Platten ist eine insgesamt U-förmige Wandanordnung 16 angebracht, die eine Kammer 17 mit einem Sumpf 18 in ihrem unteren Abschnitt bildet. Die Wandanordnung hat Flansche 19, die sich längs der Seitenränder erstrecken. Die Flansche sind an den seitlichen Platten 12 und 13 durch Schrauben 21 befestigt. Zwischen der Wandanordnung und den seitlichen Platten sind geeignete Dichtungen 22 positioniert, um eine flüssigkeitsdichte Abdichtung zu erzeugen. Die entfernbare Abdeckung 24 bildet einen Zugang zur Kammer an der Oberseite des Reaktionsbehälters.

Die Materialien, aus denen der Reaktionsbehälter hergestellt wird, werden entsprechend der in dem Reaktionsbehälter durchzuführenden Reaktion ausgewählt. Bei einer bevorzugten Ausführungsform zum Ätzen von Kupfer werden die Reaktionsbehälterwände aus rostfreiem Stahl hergestellt, während die Dichtungen aus Polytetrafluoräthylen gefertigt sind.

Ein zweites Paar von insgesamt rechteckigen hochstehenden Platten 26 und 27 bildet die Wände eines relativ schmalen; sich vertikal erstreckenden Kanals 28 innerhalb der Kammer 17. Diese Platten sind insgesamt parallel zu den Vorderwänden und Hinterwänden der Kammer. Sie sind um einen Abstand getrennt, der etwas größer ist als die Stärke des zu ätzenden Werkstücks. Bei der bevorzugten Ausführungsform zum Ätzen von beispielsweise gedruckten Schaltungsplatten,ist die.Trennung der Platten so vorgesehen, daß die Breite des Kanals in einer Größenordnung der drei-bis fünffachen Stärke der Schaltungsplatte liegt. Zwischen den Platten erstrecken sich an den Seiten des Kanals Distanzstücke 29. Die Platten und Distanzstücke werden aneinander durch Schrauben 31 befestigt. In den inneren Rändern von Distanzstücken 29 sind sich vertikal

erstreckende Schlitze 32 für die Aufnahme der seitlichen Randabschnitte einer Schaltungsplatte oder eines anderen planparallelen Werkstücks 33 und für dessen Positionierung in dem Kanal vorgesehen. Das Werkstück wird vorzugsweise so positioniert, daß wenigstens eine seiner Flächen sich im Abstand und insgesamt parallel von den Wänden des Kanals befindet.

Platten 26 und 27 sind vorzugsweise länger als das Werkstück 33. Der Kanal 28 erstreckt sich um einen ausreichenden Abstand über und unter das Werkstück, um Randeffekte auf ein Minimum zu reduzieren, beispielsweise Ungleichförmigkeiten in der Ätzung in der Nähe der oberen und unteren Ränder des Werkstücks.

Zum unteren Ende des Kanals 28 hin ist eine Röhrleitungsanordnung 36 vorgesehen, um das flüssige Ätzmittel in den Kanal einzuführen. Die Rohrleitung hat einen insgesamt zylindrischen Außenkörper oder Rohr 37, das sich in horizontaler Richtung unter dem Kanal erstreckt, wobei die Platten 26, 27 von der Rohrleitung insgesamt radial ausgehen. Das innere des Rohrleitungskörpers steht direkt mit dem unteren Abschnitt des Kanals 28 über eine öffnung 38 in Verbindung. Der Körper der Rohrleitung ist an den Kanalplatten 26 und 27 durch radiale Flansche 39 und Schrauben 41 befestigt.

Die Rohrleitungsanordnung hat auch ein Diffusorrohr 43, welches exzentrisch in dem Rohr 37 angeordnet ist und sich in eine Richtung insgesamt parallel zur öffnung 38 erstreckt. Das Diffusorrohr hat eine Vielzahl von Abgabeöffnungen 44, welche insgesamt nach.unten von der öffnung 38 weg gerichtet sind.

In der Bodenwand der Kammer 17 sind zwei Ablauföffnungen 46, 47 vorgesehen. Das flüssige Ätzmittel wird von dem Sumpf 18 zum Verteilurigsrohr 43 durch eine Pumpe 51 ge-

fördert, die mit dem Ablauf 46 verbunden ist. Wie in Fig. 4 gezeigt ist, wird das Ätzmittel einer Pumpe über ein Steuerventil 52 und ein Filter 53 zugeführt, wobei ein Strömungsmesser 54 zwischen den Auslaß der Pumpe und das Verteilungsrohr geschaltet ist. Der Ablauf 47 ist mit einem Absetztank 56 verbunden, in welchem Kupfernitrat kristallisiert und aus der Ätzlösung entfernt wird. Der Strom der Ätzlösung zum Tank 56 wird über ein Ventil 57 gesteuert. Das wiedergewonnene Ätzmittel wird zum Reaktor durch das Filter 53 und die Pumpe 51 zurückgeführt.

Wie später noch erläutert wird, wird die Strömungsgeschwindigkeit des Ätzmittels durch den Kanal relativ schnell eingestellt, so daß die Zusammensetzung des Ätzmittels sich zwischen dem Einlaß- und Abführende des Kanals nicht merklich ändert, wo das Material von dem Werkstück entfernt wird.

Das Ätzmittel wird entsprechend der Art des Werkstücks und des zu entfernenden Materials ausgewählt.

Zum Entfernen von Kupfer von gedruckten Schaltungsplatten sind geeignete Ätzmittel wässrige Lösungen von Reagenzien, wie Salpetersäure, Stickstoffoxid und Stickstoffdioxid. Beim Wegätzen.von Kupfer durch diese Reaktionsmittel wird Kupfernitrat aufgrund der Reaktion der Ätzlösung mit dem Kupfer erzeugt. Eine im wesentlichen gleichförmige Ätzung wird dadurch gewährleistet, daß der Mengenstrom bzw. die Strömungsgeschwindigkeit des Ätzmittels auf einem solchen Wert gehalten wird, daß die Konzentration des Kupfernitrats nicht mehr als etwa 10% während jedes Durchgangs des Ätzmittels durch den Kanal zunimmt. Der Reaktionsbehälter kann auch vorteilhaft mit anderen kupferätzenden chemischen Abläufen eingesetzt werden, beispielsweise im Zusammenhang mit der Reaktion H₃O₇-H₇SO₄.

Zum überwachen der Temperatur der Ätzlösung in der Kammer 18 und in der Rohrleitung 36 sind Thermoelemente 61 bis 63 und 64 vorgesehen. Um das Ätzmittel auf der gewünschten Temperatur zu halten, sind im Sumpf 18 Kühlschlangen 66 und Heizelemente 67 vorgesehen. Die Arbeitsweise der Kühlschlangen und Heizelemente wird durch eine Steuereinrichtung 68 abhängig von Signalen gesteuert., die von den Thermoelementen erzeugt werden.

An der vorderen Wand des Reaktxonsbehälters sind Sichtöffnungen oder Fenster 71, 72 angebracht, um die optische Beobachtung des Ätzvorgangs zu ermöglichen. Das Fenster 71 ist zum unteren Abschnitt der Kammer hin positioniert, so daß das Ätzmittel im Sumpf 18 optisch durch dieses Fenster überwacht werden kann. Das Fenster 72 ist zu einem Fenster 73 in der Kanalwand 27 ausgerichtet, so daß die Ätzung des Werkstücks 33 durch diese Fenster betrachtet werden kann. Zwischen den Fenstern 72 und erstreckt sich ein Rohr oder ein Ballen 74, um eine abgedichtete Sichtöffnung zwischen den Fenstern zu bilden, von der das Ätzmittel ausgeschlossen ist.

Im folgenden werden die Arbeitsweise des Reaktionsbehälters und die Einsatz des Verfahrens gemäß der Erfindung näher erläutert. Es sei angenommen, daß auf eine Kupferfolie auf einer oder beiden Seiten einer gedruckten Schaltungsplatte zur Bildung eines gewünschten Musters ein Fotoresist aufgebracht ist. Die Platte wird in den Kanal 28 eingesetzt. In die Kammer 17 wird ein geeignetes Ätzmittel 76 eingebracht. Wenn das Ventil 52 offen und das "Ventil 57 geschlossen sind, wird die Pumpe 51 betätigt, wodurch Ätzmittel nach oben gerichtet durch den Kanal 28 und vorbei an der Oberfläche und den Oberflächen der Platte umgewälzt wird, von der oder von denen Kupfer zu entfernen ist. Die Strömungsgeschwindigkeit des Ätzmittels durch den relativ schmalen Kanal ist groß, wobei eine geringe Änderung in der Zusammensetzung des Ätz-

mittels von einem Ende des Kanals zum anderen auftritt. Bei Reaktionsteilnehmern, wie Salpetersäure,'Stickstoffoxid und Stickstoffdioxid ist auch eine bestimmte Kupfernitratmenge in der Ätzlösung vorhanden. Zusätzliches Kupfernitrat wird durch die Reaktion des Ätzmittels mit dem Kupfer erzeugt. Um eine gleichförmige Ätzung über der gesamten seitlichen Erstreckung der Schaltungsplatte zu gewährleisten, wird die Strömungsgeschwindigkeit des Ätzmittels so eingestellt, daß die Steigerung der Konzentration an Kupfernitrat auf nicht mehr als etwa 10% pro Durchgang durch den Kanal beschränkt ist. Wenn die gewünschte Kupfermenge entfernt worden ist_r wird die Pumpe abgeschaltet und die geätzte Platte aus dem Reaktionsbehälter entfernt.

Das Ätzen von Kupfer nach diesem Prozess ist eine exotherme Reaktion, die vorzugsweise bei einer Temperatur in der Größenordnung von 40° C ausgeführt wird. Am Anfang der Reaktion liegt die Temperatur des Ätzmittels im allgemeinen unter 40° C. Es werden dann die Heizelemente 67 eingeschaltet, um die Temperatur auf die gewünschte Höhe zu bringen. Wenn die Reaktion fortschreitet und Wärme erzeugt wird, werden die Kühlschlangen 66 aktiviert, um das Ätzmittel auf die gewünschte Temperatur zu kühlen. .

Wenn die Konzentration von Kupfernitrat in der Ätzlösung einen vorgegebenen Wert erreicht, werden das Ventil 52 geschlossen und das "Ventil 57 geöffnet, um Ätzlösung in den Absetztank 56 abzuziehen. Dort wird die Lösung abgekühlt oder erwärmt, um Kupfernitrat auszukristallisieren. Das wiedergewonnene Ätzmittel wird dann zu dem Reaktionsbehälter zurückgeführt. Das Kupfernitrat, wird aus dem Tank entfernt.

L e e r s^ i t e -

Claims

FDNER EBBINGHAUS FINCK PATENTANWÄLTE EUROPEAN PATENT ATTO F? NEYS MARIAHILFPLATZ 2 & 3. MÜNCHEN 9O POSTADRESSE: POSTFACH 95 O1 6O, D-8OOO MÖNCHEN Q5 PSI STAR ' DEAC-31854.7 7. Juni 1984 Fi/ba Reaktionsbehälter für das und Verfahren zum Entfernen von Material von einem Substrat durch Ätzen Patentansprüche

1. Reaktionsbehälter zum Entfernen von Material von einem Substrat durch Ätzen, gekennzeichnet durch Einrichtungen (26, 27) , welche einen relativ schmalen Kanal (28) bilden, dessen Abmessung etwas größer ist als das Substrat (33), durch Einrichtungen (29) zum Positionieren des Substrats (33) in dem Kanal (28) und durch Einrichtungen (36) zum Führen eines flüssigen Ätzmittels durch den Kanal (28) mit einem solchen Mengenstrom, daß die Zusammensetzung des Ätzmittels sich von einem Ende des Substrats (33) zum anderen nicht wesentlich ändert, wenn das Material von dem Substrat (33) entfernt wird.

2. Reaktionsbehälter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das zu entfernende Material Kupfer ist und daß das Ätzmittel eine wässrige Lösung eines Reagenz ist, welches aus der Gruppe auswählbar ist, die aus Salpetersäure, Stickstoffoxid und Stickstoffdioxid besteht.

3. Reaktionsbehälter nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Reaktion des Ätzmittels mit dem Kupfer Kupfernitrat erzeugt wird und daß der Mengenstrom so gewählt wird, daß eine Erhöhung von nicht mehr als etwa 10% in der Konzentration von Kupfernitrat von einer Seite des Substrats zur anderen erzeugt wird.

4. Reaktionsbehälter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (33) eine Platte mit einer gedruckten Schaltung aufweist und daß das zu entfernende Material eine Kupferschicht auf einer Seite der Platte aufweist.

5. Verfahren zum Entfernen von Material von einem Substrat durch Ätzen, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat in einem relativ schmalen Kanal mit einer Abmessung angeordnet wird, die etwas größer als das Substrat ist, und daß ein flüssiges

• Ätzmittel durch den Kanal in einem solchen Mengenstrom geführt wird, daß die Zusammensetzung des Ätzmittels sich von einem Ende des Substrats zum anderen nicht merklich ändert, wenn das Material von dem'Substrat entfernt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das zu entfernende Material Kupfer ist und daß das Ätzmittel eine wässrige Lösung eines Reagenz ist, welches aus der Gruppe auswählbar ist, die aus Salpetersäure, Stickstoffoxid und Stickstoffdioxid besteht.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß Kupfernitrat durch die Reaktion des Ätzmittels mit dem Kupfer erzeugt wird und daß der Mengenstrom so gewählt wird, daß eine Steigerung

von nicht mehr als etwa 10% in der Konzentration des Kupfernitrats von einer Seite des Substrats zur anderen erzeugt wird.

8. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat eine Platte mit einer gedruckten Schaltung aufweist und daß das zu entfernende Material eine Schicht aus Kupfer auf wenigstens einer Seite der Platte aufweist.

9. Reaktionsbehälter zum Ätzen eines Materials auf einem insgesamt planaren Substrat, gekennzeichnet durch ein Paar von insgesamt parallelen planaren · Wänden, die einen Abstand voneinander haben, der etwas größer ist als die Stärke des Substrats, wodurch ein relativ schmaller Kanal gebildet wird, durch Einrichtungen zum Positionieren des Substrats in dem Kanal so, daß wenigstens eine Oberfläche des Substrats sich im Abstand von den Wänden des Kanals befindet, durch Einrichtungen zum Umlaufenlassen eines flüssigen Ätzmittels durch den Kanal, um das Material von dem Sub-. strat zu entfernen, und durch einen Sumpf, der in Fluidverbindung mit dem Kanal steht, um das Ätzmittel zu sammeln, welches durch den Kanal hindurchgegangen ist.

1.0. Reaktionsbehälter nach Anspruch 9, dadurch. gekennzeichnet, daß das Substrat eine gedruckte Schaltungsplatte ist, daß das zu entfernende Material Kupfer ist und daß das Ätzmittel eine wässrige Lösung aus einem Reagenz ist, welches aus der Gruppe auswählbar ist, welche aus Salpetersäure, Stickstoffoxid und Stickstoffdioxid besteht.

11. Reaktionsbehälter nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Reaktion des

Ätzmittels mit dem Kupfer Kupfernitrat erzeugt wird und daß das Ätzmittel mit einer solchen Geschwindigkeit umlaufen gelassen wird, daß die Konzentration des Kupfernitrats um nicht mehr als etwa 10% für jeden Durchgang des Ätzmittels durch den Kanal zunimmt.

12. Reaktionsbehälter nach Anspruch 11, gekennzeichnet durch Einrichtungen, welche mit dem Sumpf zum Entfernen des Kupfernitrats aus der Lösung in Verbindung stehen.

13. Reaktionsbehälter nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtungen zum Umlaufenlassen des Ätzmittels eine Rohrleitung, welche einen insgesamt zylindrischen Körper hat, der mit einem Ende des Kanals verbunden ist, wobei sich die Wände des Kanals in einer insgesamt radialen Richtung von der Rohrleitung aus erstrecken, sowie eine Pumpe zum Umwälzen des Ätzmittels vom Sumpf durch die Rohrleitung aufweisen.

14. Reaktionsbehälter nach Anspruch 13, dadurch g e kennze ichnet, daß die Einrichtungen zum Umwälzen des Ätzmittels weiterhin ein Dispersionsrohr in dem Rohrleitungskörper aufweisen, das eine Vielzahl von Abgabeöffnungen aufweist, welche von dem Kanal wegweisen.

15. Reaktionsbehälter nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß sich der Kanal in einer insgesamt vertikalen Richtung erstreckt, während die Rohrleitung und der Sumpf zum unteren Ende des Kanals hin positioniert sind.

16. Reaktionsbehälter nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch Einrichtungen zum Überwachen der Temperatur des Ätzmittels und durch Einrichtungen

zum Halten des Ätzmittels auf einer vorgegebenen Temperatur.

17. Reaktionsbehälter nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtungen zum Halten des Ätzmittels auf der vorgegebenen Temperatur Heiz- und Kühlelemente in dem Sumpf sind.

18. Reaktionsbehälter zum Entfernen von Kupfer von einer gedruckten Schaltungsplatte mit einem flüssigen Ätzmittel, gekennzeichnet durch eine Kammer für die Aufnahme des Ätzmittels, welche einen Sumpf in ihrem unteren Abschnitt aufweist, durch ein Paar von insgesamt parallel hochstehenden Wänden, die in einem Abstand angeordnet sind, der etwas größer ist als die Dicke der gedruckten Schaltungsplatte, wodurch ein vertikal ausgerichteter Kanal in der Kammer gebildet wird, durch Einrichtungen zum Positionieren der gedruckten Schaltungsplatte in dem Kanal, derart, daß wenigstens eine Oberfläche der Platte im Abstand von den Wänden des Kanals und parallel dazu angeordnet ist, durch eine sich horizontal erstreckende Rohrleitung, die mit dem Kanal an seinem unteren Ende in Verbindung steht, und durch Einrichtungen, welche eine den Sumpf und die Rohrleitung verbindende Pumpe aufweisen, um das flüssige Ätzmittel in einer Aufwärtsrichtung durch den Kanal umlaufen zu lassen, um das Kupfer von der Schaltungsplatte zu entfernen.

19. Reaktionsbehälter nach Anspruch 18, dadurch g e kenn ζ e lehne t, daß das Ätzmittel eine wässrige Lösung eines Reagenz aufweist, das aus einer Gruppe auswählbar ist, die aus Salpetersäure, Stickstoffoxid und Stickstoffdioxid besteht.

20. Reaktionsbehälter nach Anspruch 19, dadurch g e kenn zeichnet, daß das Kupfernitrat durch die Reaktion des Ätzmittels mit dem Kupfer erzeugt wird und daß das Ätzmittel mit einer Geschwindigkeit derart umlaufen gelassen wird, daß die Konzentration des Kupfernitrats um nicht mehr als 10% bei jedem Durchgang des Ätzmittels durch den Kanal zunimmt.

21. Reaktionsbehälter nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Rohrleitung einen insgesamt zylindrischen Körper aufweist, von welchem sich die Kanalwände aus in einer insgesamt radialen Richtung erstrecken, und daß ein Dispersionsrohr in der Rohrleitung Abgabeöffnungen aufweist, welche von dem Kanal wegweisen.

22. Reaktionsbehälter nach Anspruch 18, gekennzeichnet durch Einrichtungen zum überwachen der Temperatur des Ätzmittels und durch Einrichtungen zum Halten des Ätzmittels auf einer vorgegebenen Temperatur.

23. Reaktionsbehälter nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtungen zum Halten des Ätzmittels auf einer, vorgegebenen Temperatur Heiz- und Kühlelemente in dem Sumpf aufweisen.