DE3336490C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3336490C2 DE3336490C2 DE3336490A DE3336490A DE3336490C2 DE 3336490 C2 DE3336490 C2 DE 3336490C2 DE 3336490 A DE3336490 A DE 3336490A DE 3336490 A DE3336490 A DE 3336490A DE 3336490 C2 DE3336490 C2 DE 3336490C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- conductor tracks
- radiation detector
- detector according
- dewar
- perforated plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 35
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 16
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 2
- 230000035611 feeding Effects 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/024—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Strahlungsdetek
tor mit einem Dewargefäß aus zwei konzentrisch zueinander
angeordneten Kappen, deren freie Enden vakuumdicht mit
einem Anschlußteil aus Isoliermaterial verbunden sind,
wobei auf der äußeren Fläche der inneren Kappe mehrere
Sensorelemente und die entsprechenden Zuführungen angeord
net sind und das Abschlußteil eine Vielzahl von Leiterbah
nen aufweist, die mit den Zuführungen zu den Sensorelemen
ten elektrisch leitend verbunden sind und deren vakuum
dicht aus dem Dewarraum herausgeführten äußeren Teile als
Kontaktbahnen für äußere elektrische Verbindungen dienen.
Strahlungsdetektoren der vorstehenden Art sind z. B. aus
der US-PS 40 59 764 und der DE-OS 31 43 658 bekannt. Diese
Anordnungen ermöglichen es, eine Vielzahl von Sensorele
menten zu verwenden und die dazu erforderlichen elektri
schen Zuführungen vorzusehen.
Mit zunehmender Anzahl von Sensorelementen wird es jedoch
immer schwieriger, hinreichend robuste Zuführungen anzu
bringen. Innerhalb des Dewarraumes können die Zuführungen
sehr schmal ausgebildet werden und die erforderlichen
Kontaktierungen mittels aus der Halbleitertechnik bekannten Techniken, wie der
Bondtechnik, vorgenommen werden. Die
außerhalb des Dewargefäßes liegenden Kontaktflächen der
Leiterbahnen müssen jedoch einfach bearbeitbare und zu
kontaktierende Flächen sein, von denen jede einzelne
möglichst groß und robust sein soll, die aber insgesamt
möglichst wenig Platz beanspruchen sollen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die
Kontaktanordnung für einen Strahlungsdetektor, der eine
sehr große Anzahl von Sensorelementen aufweisen kann, zu
verbessern.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß
das Anschlußteil aus wenigstens zwei Lochplatten aus
Isoliermaterial besteht, die vakuumdicht aufeinanderlie
gend miteinander verbunden sind, und daß die Leiterbahnen in der Weise
in wenigstens zwei Ebenen verlaufend aufgeteilt sind,
daß der Abstand der wenigstens zwei Ebenen
durch die Dicke einer Lochplatte gegeben ist.
Ein wesentlicher Vorteil der Erfindung wird darin gesehen,
daß die äußeren Kontaktflächen durch die Anordnung in
wenigstens zwei zueinander parallelen Ebenen verhältnis
mäßig groß und robust ausgebildet werden können, ohne daß
dadurch die gesamte Anordnung störend vergrößert wird. Ein
weiterer Vorteil ist darin zu sehen, daß die Vakuumdich
tigkeit der Durchführungen der Leiterbahnen einfacher
herzustellen ist, ohne daß die Gefahr besteht, daß Leiter
bahnen unterbrochen oder beschädigt werden.
Von Vorteil ist ferner, daß die vakuumdichten Durchfüh
rungen der Leiterbahnen an dem Anschlußteil vorgenommen
werden können, bevor die vakuumdichte Verbindung zwischen
der äußeren Kappe des Dewargefäßes und der Anschlußplatte
durchgeführt wird. Schließlich lassen sich auch die elek
trischen Verbindungen zwischen den Zuführungen auf der
Oberfläche der inneren Kappe und den inneren Enden der
Leiterbahnen der Anschlußplatte leichter vornehmen, da
auch die inneren Enden der Leiterbahnen in zwei Ebenen
angeordnet sind.
Anhand den Fig. 1 und 2 wird ein Ausfüh
rungsbeispiel der Erfindung er
klärt.
Die Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch einen Strah
lungsdetektor und die Fig. 2 zeigt
eine Aufsicht von oben auf das Anschlußteil des in Fig. 1
gezeigten Strahlungsdetektors mit den darauf befindlichen
Leiterbahnen.
Ein Dewarraum 16 des Strahlungsdetektors wird gebildet von einer
äußeren Kappe, einer inneren
Kappe und einem Anschlußteil 15. Die
innere Kappe besteht aus einem Rohr 9 und einer Scheibe 14,
die aus einem Isoliermaterial, bevorzugt aus Glas oder
Keramik, bestehen. Die äußere Kappe weist ein Rohr 7 und
eine Deckplatte 8 auf. Die Deckplatte besteht zumindest
teilweise aus einem für die zu detektierende Strahlung
durchlässigen Material, z. B. Germanium. Das Rohr 7 kann
ebenfalls aus Isoliermaterial bestehen. Die innere Kappe
ist mit ihrem freien Ende vakuumdicht in eine Bohrung in
dem Anschlußteil 15 eingesetzt, z. B. eingelötet. Das
freie Ende des Rohres 7 der äußeren Kappe ist ebenfalls
vakuumdicht mit der Seite des Anschlußteils 15, z. B.
durch Löten oder Verschmelzen, verbunden.
Innerhalb des Dewarraumes 16 befindet sich eine Vielzahl
von Sensorelementen 10, von denen jedes über Kontaktie
rungen 11 mit Zuführungen 6 elektrisch leitend verbunden
ist. Die Zuführungen sind an der Oberfläche des inneren
Rohres 9 bevorzugt in Form von schmalen Leiterbahnen
angeordnet.
Die Zuführungen 6 auf dem äußeren Umfang des Rohres 9 der
inneren Kappe sind mit Enden 12 und 13 von Leiterbahnen
auf Lochplatten 1 und 2 des Anschlußteils 15 verbun
den. Die äußeren Enden 4 und 5 dieser Leiterbahnen
bilden die Anschlußkontakte des Strahlungsdetektors.
Das Anschlußteil 15 besteht aus
wenigstens zwei Lochplatten 1 und 2 aus Isoliermaterial,
bevorzugt Keramik. Auf der oberen Oberfläche jeder Loch
platte 1 und 2 befinden sich elektrische Leiterbahnen,
wobei die inneren Enden der Leiterbahnen auf der Loch
platte 1 mit 13, die inneren Enden der Leiterbahnen auf
der Lochplatte 2 mit 12, die äußeren Enden der Leiterbah
nen auf der Lochplatte 1 mit 4 und die äußeren Enden der
Leiterbahnen auf der Lochplatte 2 mit 5 bezeichnet sind.
Die Lochplatte 1 trägt auf ihrer oberen Oberfläche die
Leiterbahnen 4, 13. Auf dieser Lochplatte 1 ist vakuum
dicht die Lochplatte 2, z. B. mittels eines Glaslotes
befestigt. Dadurch, daß die innere Bohrung der Lochplatte 2
größer ist als die in der Lochplatte 1, bleiben die inne
ren Enden 13 der Leiterbahnen auf der Lochplatte 1 frei
zugänglich. Ebenso bleiben die äußeren Enden 4 der Leiter
bahnen auf der Lochplatte 1 als Anschlußkontakte frei
zugänglich. Die Lochplatte 2 trägt auf ihrer oberen Ober
fläche die Leiterbahnen 5, 12. Bei dem dargestellten
Ausführungsbeispiel ist noch eine dritte Lochplatte 3
vorgesehen, die keine Leiterbahnen trägt und die ebenfalls
vakuumdicht auf der mit den Leiterbahnen 4, 12 versehenen
Oberfläche der Lochplatte 2 befestigt ist. Die Innenöff
nung dieser Lochplatte 3 ist wiederum größer als die der
Lochplatte 2, so daß die inneren Enden 12 der Leiterbahnen
frei zugänglich sind. Ebenso sind die Außenabmessungen der
Lochplatte 3 gegenüber den Außenabmessungen der Lochplatte
2 derart verringert, daß die äußeren Enden 5 der Lei
terbahnen auf der Lochplatte 2 frei zugängliche Anschluß
kontakte bilden. Auf der Oberfläche der Lochplatte 3 ist
in die freie Stirnfläche des Rohres 7 der äußeren Kappe
des Dewargefäßes vakuumdicht, z. B. mittels eines Lotes
oder durch Verschmelzen, befestigt.
Die Herstellung erfolgt zweckmäßig in der Weise, daß
zunächst die Anschlußplatte 15 hergestellt wird. Dann wird
das freie Ende des Rohres 9 der inneren Kappe des Dewar
gefäßes in der inneren Öffnung der Lochplatte 1 vakuum
dicht befestigt. Danach werden die elektrischen Verbin
dungen zwischen den Zuführungen 6 auf dem Umfang des
Rohres 9 und den zugeordneten Leiterbahnenenden 12 und
13 durch Bonden hergestellt. Danach wird dann die
äußere Kappe 7, 8 des Dewargefäßes auf der Lochplatte 3
des Anschlußteils 15 vakuumdicht befestigt.
Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel kann die Loch
platte 3 auch entfallen, wenn das Rohr 7 der äußeren Kappe
aus einem Isoliermaterial, wie z. B. Glas, besteht. Das
Rohr 7 kann direkt auf der mit den Leiterbahnen 5, 12
versehenen Oberfläche der Lochplatte vakuumdicht aufge
bracht, z. B. aufgeschmolzen, werden.
Claims (8)
1. Strahlungsdetektor mit einem Dewargefäß aus zwei kon
zentrisch zueinander angeordneten Kappen, deren freie Enden
vakuumdicht mit einem Abschlußteil aus Isoliermaterial
verbunden sind, wobei auf der äußeren Fläche der inneren
Kappe mehrere Sensorelemente und die entsprechenden Zufüh
rungen angeordnet sind und das Anschlußteil eine Vielzahl
von Leiterbahnen aufweist, die mit den Zuführungen zu den
Sensorelementen elektrisch leitend verbunden sind und
deren vakuumdicht aus dem Dewarraum herausgeführten äuße
ren Teile als Kontaktbahnen für äußere elektrische Verbin
dungen dienen, dadurch gekennzeichnet, daß das Anschluß
teil (15) aus wenigstens zwei Lochplatten (1, 2, 3) aus
Isoliermaterial besteht, die vakuumdicht aufeinanderlie
gend miteinander verbunden sind, und daß die Leiterbahnen
(4, 5, 12, 13) in der Weise in wenigstens zwei Ebenen verlaufend aufge
teilt sind, daß der Abstand der wenigstens
zwei Ebenen durch die Dicke einer Lochplatte (2) gegeben
ist.
2. Strahlungsdetektor nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß eine Anzahl von Leiterbahnen (4, 13) auf der
Oberfläche einer Lochplatte (1) und eine weitere Anzahl
von Leiterbahnen (5, 12) auf der Oberfläche einer anderen
Lochplatte (2) angeordnet sind.
3. Strahlungsdetektor nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die äußeren Abmessungen der
Lochplatten (1, 2, 3) mit abnehmendem Abstand von den
Sensorelementen (10) gestaffelt verringert sind, derart
daß die äußeren Enden (4, 5) der Leiterbahnen frei zugäng
liche Kontakte bilden.
4. Strahlungsdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die Innenöffnungen der Loch
platten (1, 2, 3) mit abnehmendem Abstand von den Sensor
elementen (10) gestaffelt vergrößert sind, derart daß die
im Dewarraum sich befindenden Endteile (12, 13) der Lei
terbahnen zwecks Herstellung einer elektrisch leitenden
Verbindung mit den Zuführungen (6) auf der inneren Kappe
(9, 14) des Dewargefäßes freiliegen.
5. Strahlungsdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die Zuführungen (6) auf der
inneren Kappe (9, 14) des Dewargefäßes ebenfalls als
Leiterbahnen ausgebildet sind.
6. Strahlungsdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß zumindest die die Leiterbahnen
(4, 5, 12, 13) tragenden Lochplatten (1, 2) aus Keramik
bestehen.
7. Strahlungsdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß die die Leiterbahnen (4, 5,
12, 13) tragenden Lochplatten (1, 2) rechteckig ausgebil
det sind.
8. Strahlungsdetektor nach Anspruch 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß an zwei sich gegenüberliegenden Seiten der
Lochplatten (1, 2) geradlinige Kontaktleisten mit den als
Kontakten dienenden Enden der Leiterbahnen (4, 5) gebildet
sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833336490 DE3336490A1 (de) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | Strahlungsdetektor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833336490 DE3336490A1 (de) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | Strahlungsdetektor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3336490A1 DE3336490A1 (de) | 1985-04-25 |
DE3336490C2 true DE3336490C2 (de) | 1992-01-02 |
Family
ID=6211228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19833336490 Granted DE3336490A1 (de) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | Strahlungsdetektor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3336490A1 (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3344713A1 (de) * | 1983-12-10 | 1985-06-20 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Strahlungsdetektor |
GB2186740B (en) * | 1986-02-14 | 1989-11-08 | Philips Electronic Associated | Infrared detectors |
DE4244480A1 (de) * | 1992-12-30 | 1994-07-07 | Bodenseewerk Geraetetech | Sensoranordnung mit gekühltem Sensor |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4059764A (en) * | 1968-08-13 | 1977-11-22 | Texas Instruments Incorporated | Multi-element infra red sensors |
DE3143658A1 (de) * | 1981-11-04 | 1983-05-11 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Strahlungsempfaenger und verfahren zu seiner herstellung |
-
1983
- 1983-10-07 DE DE19833336490 patent/DE3336490A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3336490A1 (de) | 1985-04-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3639367C2 (de) | ||
DE2617272C2 (de) | Elektrischer Verbinder | |
DE4013812C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines luftdicht abgeschlossenen Elektronikbauelement-Pakets | |
DE4000089C2 (de) | ||
DE2352357A1 (de) | Halbleitergehaeuse | |
DE2242025B2 (de) | Zusammengesetzte halbleiterschaltung | |
DE2140107A1 (de) | Fotodetektoranordnung | |
DE69020204T2 (de) | Mehrschichtige gedruckte Leiterplatte. | |
DE10042224C2 (de) | Modultestsockel für Prüfadapter | |
DE2556638A1 (de) | Montagemodul fuer elektrische schaltkreise | |
DE69031314T2 (de) | Plasma-Anzeigevorrichtung | |
DE3336490C2 (de) | ||
DE3735489A1 (de) | Verfahren fuer die fertigung von optokopplern | |
DE4021872C2 (de) | Hochintegriertes elektronisches Bauteil | |
DE3344713C2 (de) | ||
DE4315847A1 (de) | Verbindung zwischen einem Sender und/oder Empfänger sowie einer Antenne | |
DE2649566A1 (de) | Rechner mit leuchtstoffroehren-anzeige | |
DE3637988A1 (de) | Anzuendbauteil | |
DE1059988B (de) | Elektrische Baugruppe | |
DE3505615A1 (de) | Influenzsondenanordnung mit mehreren influenzsonden | |
DE3335530A1 (de) | Gasdichtes gehaeuse | |
DE1514883A1 (de) | Verfahren zur serienmaessigen Herstellung von Halbleiterbauelementen | |
DE2364920A1 (de) | Spannungsvervielfacher-gleichrichtervorrichtung | |
DE3212403C2 (de) | Adaptereinrichtung zur Herstellung einer lösbaren elektrischen Verbindung zwischen Kontaktelementen einer Verdrahtungsplatte und zugeordneten Kontaktelementen einer Flachbaugruppe | |
DE1800192B2 (de) | Verfahren zum serienmäßigen Herstellen von Halbleiteranordnungen und Verwendung des Verfahrens zur Kontaktierung scheibenförmiger Halbleiterkörper Aren: Telefunken Patentverwertungsgesellschaft mbH, 7900 Ulm |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |