DE3318766C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung
eines Einkristallgegenstands mit kontrollierter kristallographischer
Orientierung aus einer Superlegierung auf Nickelbasis,
das sich insbesondere zur wiederholten Herstellung
von Einkristallgegenständen aus einer Superlegierung mit
einer identischen Kristallorientierung eignet.
Metallische Einkristalle sind seit vielen Jahren bekannt. Bis
in die 60er Jahre wurden sie als Laboratoriumskuriositäten
oder höchstens als Werkzeug für die Grundlagenforschung über
das Verhalten von Metallen angesehen. In den frühen 60er Jahren
wurde es offensichtlich, daß für gewisse Hochtemperaturanwendungen
metallische Einkristalle überlegene mechanische
Eigenschaften bieten. Lang vor der genannten Zeit wurde eine
Reihe von Festkörperlabortechniken entwickelt, um metallische
Einkristalle herzustellen. Bei diesen Techniken findet eine
Rekristallisation und/oder ein Kornwachstum statt. Sie sind
in dem Buch "The Art and Science of Growing Cystals" von
J. J. Gilman, Wiley Publishing Company, 1963, beschrieben.
Es war jedoch nicht abzusehen, daß jemals ein Bedarf für eine
Technik besteht, große Mengen von identischen Einkristallgegenständen
aus einer Superlegierung mit einer kontrollierten
Kristallorientierung herzustellen. Als ein solcher Bedarf
kürzlich im Zusammenhang mit der Herstellung von Einkristallturbinenschaufeln
von Luftfahrzeugmotoren auftrat, wurde zunächst
versucht, einen Einkristall als Impfkeim zu verwenden,
wobei der Einkristall mit einem anderen (feinkörnigen) Gegenstand
verbunden wurde, in welchem eine Fortpflanzung dieses
Kristalls erwünscht war. Diese Technik erwies sich außer
in einigen Fällen als unzufriedenstellend. Die Gründe für den
begrenzten Erfolg sind nicht bekannt. Es scheint, daß die Natur
der Grenzfläche zwischen dem Einkristall und dem feinkörnigen
Teil wesentlich für die Mobilität der Grenzfläche
ist und daß das Verbinden eines Einkristallimpfkeims mit
einem anderen feinkörnigen Festkörper üblicherweise nicht
zu einer mobilen Grenzfläche führt.
Aus der DE-OS 30 20 692 ist ein Verfahren bekannt, bei dem zur
Herstellung von Magnetköpfen polykristalline Ausgangsmaterialien,
die ein diskontinuierliches Kristallwachstum zeigen,
insbesondere Spinell-, Granat- und Ferritmaterialien, dadurch
teilweise in Einkristalle umgewandelt werden, daß das polykristalline
Ausgangsmaterial unter Temperaturbedingungen, bei
denen es zu keinem Kristallwachstum im polykristallinen Teil
kommt, mit einem Einkristall in Berührung gebracht wird, und
daß der gesamte Verbund aus Einkristall und polykristallinem
Material unter sorgfältig gesteuerten Temperaturbedingungen
erhitzt wird, wodurch das Kristallwachstum des Einkristalls
in das angrenzende polykristalline Material hinein bewirkt
wird. In der Verbindungszone zwischen dem Einkristall und dem
polykristallinen Material wird dabei auf chemischem Wege ein
für das Kristallwachstum günstiges Milieu geschaffen, oder die
zu verbindenden Teile werden einfach aneinander gepreßt. Nach
Beendigung des gewünschten Kristallwachstums wird der ursprügnliche
Einkristall vom Endprodukt abgetrennt. Für die
industrielle Herstellung von Einkristall-Superlegierungsgegenständen
ist dieses Verfahren nicht geeignet.
Größere Einkristall-Superlegierungsgegenstände werden daher
gemäß US-PS 40 33 792 durch Verbindungen von zwei Einkristallen
mit geeigneten kristallographischen Parametern hergestellt.
In der US-PS 39 75 219 ist ein Verfahren beschrieben, bei dem
in einem polykristallinen Superlegierungsgegenstand in einem
Temperaturgradienten langgestreckte Körner erzeugt werden, die
die Festigkeit verbessern.
Ein Verfahren zur Herstellung von beträchtlichen Mengen von
identisch orientierten Einkristallgegenständen auf eine Weise,
daß es zur Reproduzierung einer für die fortgesetzte Durchführung
des Verfahrens geeigneten Einkristallkomponente kommt,
ist dem Stand der Technik nicht zu entnehmen.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren
zur Herstellung eines Einkristallgegenstands mit kontrollierter
kristallographischer Orientierung aus einer Superlegierung auf
Nickelbasis zu schaffen, das auf vorteilhafte Weise die Herstellung
derartiger Einkristallgegenstände in beträchtlichen
Mengen ermöglicht.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gelöst, das die im
kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 wiedergegebenen Verfahrensschritte
umfaßt.
Vorteilhafte Ausgestaltungen sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung identischer Einkristallgegenstände
unter Anwendung einer Festkörpertechnik
erlaubt es, sowohl gleichzeitig einen Einkristallgegenstand als
auch einen weiteren Gegenstand zu erzeugen, der als Impfkeim
zur Wiederholung des Verfahrens verwendet werden kann. Das Verfahren
beginnt mit einem Impfkeimgegenstand, der einen Einkristallteil
und einen feinkörnigen Teil aufweist. Der feinkörnige Teil dieses Gegenstands
wird mit einem anderen Gegenstand verbunden, der vollständig
aus einem feinkörnigen Material besteht. Ein Wachstum
des Einkristalls wird hervorgerufen, indem er durch einen
thermischen Gradienten hindurchgeführt wird. Der Einkristall
wächst unter Verbrauch des feinkörnigen Materials über die
Verbindungsstelle hinaus. Das Einkristallwachstum wird abgebrochen,
bevor eine vollständige Umwandlung des Verbundgegenstands
in einen Einkristall stattgefunden hat. Der Verbundgegenstand
wird dann durchtrennt, wobei zwei Teile erhalten
werden, nämlich ein Teil, der vollständig aus einem Einkristall
besteht, und ein weiterer Teil, der nur teilweise aus einem
Einkristall und teilweise aus einem feinkörnigen Material besteht.
Der letztere Teil kann dazu verwendet werden, das Verfahren
zu wiederholen. Das Verfahren kann wiederholt angewendet
werden, um viele Einkristallgegenstände mit identischer
Orientierung herzustellen.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist im allgemeinen auf eine
große Reihe von Superlegierungen auf Nickelbasis anwendbar,
und zwar insbesondere auf solche Legierungen, die durch eine
γ′-Phase (Ni₃, Al, Ti) verfestigt sind. Ein repräsentativer
breiter Zusammensetzungsbereich ist 2 bis 9% Al, 0 bis 6%
Ti, 0 bis 16% Mo, 0 bis 12% Ta, 0 bis 12% W, 0 bis 4% Nb,
0 bis 20% Cr, 0 bis 20% Co, 0 bis 0,3% C, 0 bis 1% Y, 0
bis 0,3% B, 0 bis 0,3% Zr, 0 bis 2% V, 0 bis 5% Re, 0 bis
3% Hf, Rest im wesentlichen Nickel.
Das Ausgangssuperlegierungsmaterial muß in einer bearbeitbaren
Form zur Verfügung stehen. Eine Möglichkeit ist, verdichtetes
Pulver zu verwenden, während eine andere Möglichkeit
darin besteht, mit einem Gußstück, vorzugsweise einem feinkörnigen
Gußstück, zu beginnen. In der Folge wird eine bevorzugte
Technik zur Herstellung des Ausgangsmaterials für die
Durchführung der Erfindung angegeben. Dieses Material wird bei
einer Temperatur in der Nähe aber kurz unter dem γ′-Solvus-Wert
warmverformt. Die erste Warmverformung beträgt vorzugsweise
mehr als 50%, um eine ausreichende Bearbeitbarkeit
sicherzustellen. Dieses warmverformte Material
wird dann um ungefähr 65% kalt gewalzt. Die Kaltwalzung
wird wie folgt ausgeführt: Das Material erhält zunächst eine
erste kalte Walzung. Dann wird eine zweite kalte Walzung in
Querrichtung ausgeführt, das heißt mit einem Winkel von 90°C
zur Richtung der ersten kalten Walzung. Das Verhältnis der
Auswalzung bei der ersten kalten Walzstufe und bei der letzten
kalten Walzstufe beträgt ungefähr 75 : 25. Während der beiden
kalten und auch bei der heißen Walzstufe können nach Bedarf
Zwischentemperungen durchgeführt werden, um eine Rißbildung
zu vermeiden. Das Ergebnis ist ein Gegenstand mit einer starken
(110) <112< Blechtextur.
Dieses texturierte Material kann dann gerichtet rekristallisiert
werden, um Einkristalle mit einer kontrollierten Orientierung
herzustellen. Die (110) <112< Textur beeinflußt stark die
Orientierung der rekristallisierten Körner. Durch eine Veränderung
der Parameter für die gerichtete Rekristallisierung
kann eine Auswahl der verfügbaren Orientierungskombinationen
getroffen werden.
Ein wesentliches Merkmal, das für ein erfolgreiches gerichtetes
Kornwachstum erforderlich ist, ist die Verwendung von Bedingungen,
die ein Kornwachstum der vorhandenen Körner und
nicht die Nukleierung von neuen Körnern begünstigen. Mikrostrukturen
und Verfahren, welche diese Bedingungen begünstigen,
sind in der US-PS 39 75 219 beschrieben. Mit Hilfe dieser
Techniken ist es möglich, die erwünschten Bedingungen in
einem Superlegierungsgegenstand hervorzurufen. Damit das erfindunsgemäße
Verfahren jedoch erfolgreich ist, ist es nötig,
daß zwei solche Gegenstände miteinander verbunden werden und
daß die Natur des Verbundgegenstands derart ist, daß das Kornwachstum
leicht durch die Verbindungsstelle hindurch ohne
Nukleierung von neuen Körnern an der Verbindungsgrenzfläche
stattfinden kann. Es ist also die Art der Verbindung kritisch
für den Erfolg der Erfindung. Die optimale Verbindung ist
eine solche, die zumindest bei einer visuellen Überprüfung
mit 100facher Vergrößerung nicht festzustellen ist und die
keine großen Änderungen in der Zusammensetzung oder Mikrostruktur
vom Grundmaterial zur Bindungsfläche hat. Eine solche
Verbindung wird am besten durch Diffusionsverbindung erreicht.
Bei diesem Verfahren werden zwei miteinander zu verbindende
Gegenstände an den zu verbindenden Flächen gereinigt
und aneinander anliegend angeordnet und schließlich auf eine
Temperatur in die Nähe aber unterhalb des γ′-Solvus-Werts erhitzt,
währenddessen Druck angewendet wird. Bei Anwendung der
richtigen Temperatur-, Druck- und Zeitbedingungen findet eine
Diffusion von einem Gegenstand in den anderen über die Grenzfläche
statt, wobei eine Verbindung entsteht. Um solche
Diffusionseffekte zu erzielen, muß die Flachheit und die Oberflächenbeschaffenheit
der Gegenstände derart gut sein, daß
ein maximaler Oberflächenkontakt erreicht wird. Außerdem müssen
die zu verbindenden Oberflächen außergewöhnlich sauber sein.
Die Oberflächenrauheit muß kleiner als 381 µm RMS sein. Die
Oberflächenflachheit muß besser als 0,005 cm sein. Die erforderliche
Oberflächenbeschaffenheit kann durch ein doppeltes
Scheibenschleifen oder durch ein Oberflächenschleifen oder
durch Läppen oder Kombination dieser Verfahren erreicht werden.
In der Praxis wurde Elektropolierung als letzte Oberflächenbehandlungstechnik
verwendet, um eine saubere Oberfläche
zu bilden, die frei von Rückständen der Kaltbearbeitung
ist. Es wird bevorzugt, mindestens ungefähr 0,003 cm
Oberfläche durch das Elektropolieren zu entfernen. Das
Diffusionsverbindungsverfahren selbst wird vorzugsweise im
Vakuum ausgeführt, obwohl auch eine inerte Atmosphäre verwendet
werden kann. Wenn Vakuum angewendet wird, dann sind
Vakuumwerte von weniger als 10-4 torr nötig. Die Temperatur,
bei der das Bindeverfahren für Superlegierungen ausgeführt
wird, liegt zwischen 1038°C bis 1204°C. Sie
liegt vorzugsweise im Bereich von 66 bis 204°C unterhalb des
γ′-Solvus-Werts. Der erforderliche Druck ist derart, daß eine
gesamte Deformation von 1 bis 8% während des Bindeverfahrens
erfolgt. Deformationen von ungefähr 2% werden bevorzugt.
Solche Drücke können erreicht werden durch Verwendung von
Vakuumheißpreßwerkzeugen, Werkzeugen, bei denen Widerstandsheizung
des zu verbindenden Materials verwendet wird, und sogenannten
Delta-Alpha-Werkzeugen, bei welchen Werkzeugen typischerweise
Molybdän verwendet wird, das einen niedrigeren
thermischen Ausdehnungskoeffizienten als Superlegierungen
aufweist, um die Legierungen einzuspannen und einen Druck zu
erzeugen, wobei die höhere Ausdehnung der Superlegierung, die
im Werkzeug eingespannt ist, ausgenützt wird. Die Diffusionsverbindungszeiten
reichen von ungefähr 1 min bis ungefähr 3 h,
je nach dem Verfahren, das zur Entwicklung des Verbindungsdrucks
verwendet wird, und je nach der Verbindungstemperatur.
Die Erfindung wird nun anhand der Zeichnungen erläutert.
In den Zeichnungen zeigt
Fig. 1A, 1B, 1C und 1D aufeinanderfolgende Stufen bei der
Herstellung von Einkristallgegenständen gemäß der Erfindung;
Fig. 2 die Anwendung der Erfindung auf ein
Blechausgangsmaterial;
Fig. 3A, 3B und 3C aufeinanderfolgende Stufen bei der
anfänglichen Herstellung von Einkristallmaterial für die Verwendung
gemäß der Erfindung;
Fig. 4 ein Foto einer zufriedenstellenden
Verbindung für die Erfindung;
Fig. 5 ein Foto, welches das Wachstum eines
Einkristalls durch eine Verbindung
zeigt; und
Fig. 6 ein Foto, welches die Nukleierung
und Eliminierung von unerwünschten
Körnern zeigt.
Fig. 1A zeigt zwei Elemente 10 und 20. Element 10 ist ein
Impfkeimteil, bestehend aus einem Einkristall 12 und einem
feinkörnigen Material 14, die durch eine Grenzfläche 13 voneinander
getrennt sind. Das Element 20 besteht vollständig
aus einem feinkörnigen Material, das demjenigen ähnlich bzw.
mit demjenigen identisch ist, das im Element 10 bei 14 gezeigt
ist.
Fig. 1B zeigt eine nachfolgende Stufe gemäß der Erfindung.
In Fig. 1B sind die Elemente 10 und 20 durch Diffusion miteinander
verbunden, so daß sie einen Gegenstand 30 bilden.
Der Teil 32 ist ein Einkristall, 33 ist die Grenzfläche,
34 und 36 sind feinkörnige Teile und 35 ist eine Diffusionsverbindung
zwischen den ursprünglichen Elementen 10 und 20.
Fig. 1C zeigt den Zustand des Gegenstands nachdem das Verfahren
für ein gerichtetes Kornwachstum angewendet worden ist,
um den Einkristall zu bilden. Die Grenzfläche 35 zwischen den
Elementen 10 und 20 ist nach unten gewandert, wobei ein beträchtlicher
Teil des feinkörnigen Materials unter Bildung
von Einkristallmaterial mit genau der gleichen Orientierung
wie diejenige des Impfeinkristalls 12 verbraucht worden
ist.
Fig. 1D zeigt den Gegenstand, nachdem er in zwei Teile durchtrennt
worden ist. Der Bestandteil 40 ist das Einkristallprodukt
des Verfahrens, während der Bestandteil 50 aus einem
Einkristallteil 52 und einem feinkörnigen Teil 54 besteht,
die durch eine Grenzfläche 53 getrennt sind. Dieser Teil entspricht
dem Ausgangsteil 10 von Fig. 1A. Es ist also ersichtlich,
daß das erfindungsgemäße Verfahren viele Male
wiederholt werden kann, wobei die Ausgangsgegenstände ein
feinkörniges Material aufweisen, das einem Kornwachstum zugänglich
ist, und wobei das Produkt ein Einkristallgegenstand
ist, dessen kristallographische Orientierung sorgfältig
kontrolliert ist. Die Kontrolle der Kristallorientierung im
Produkt des erfindungsgemäßen Verfahrens ist nur durch die
mechanische Genauigkeit der verwendeten Werkzeuge bestimmt.
Die Fig. 1A, 1B, 1C und 1D zeigen die Anwendung der Erfindung
auf einen stabförmigen Gegenstand. Jedoch erfordern einige Gegenstände,
für welche das durch die Erfindung hergestellte
Einkristallmaterial verwendet werden kann, die Herstellung
eines Einkristallmaterials in Form von Blechen oder
Platten, deren Dicke in der Größenordnung von 0,025 bis 0,508 cm
liegt. Die Herstellung dieser Materialien ist in Fig. 2 gezeigt.
Es ist eine Verbundplatte zu sehen, die aus einem Element
110 und einem damit verbundenen Element 120 besteht. Das
Element 110 enthält einen Einkristallteil 112 und einen feinkörnigen
Teil 114, die durch eine Grenzfläche 113 voneinander
getrennt sind. Das Element 120 besteht vollständig aus feinkörnigem
Material, welches einem gerichteten Kornwachstum zugänglich
ist. Hierauf wird das Material durch einen thermischen
Gradienten hindurchgeführt, und zwar in einer Weise, wie es
weiter unten beschrieben ist, damit der Einkristallteil 112
entlang der Länge des Verbundgegenstands in Richtung des
Elements 120 wächst. Ein wesentliches Merkmal dieser Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß
der Einkristall durch die Verbindung "seitwärts" wächst und
dann sein Wachstum in Richtung des Elements 120 fortsetzt.
Die Grenzfläche an diesem Produkt kann beispielsweise die mit
113′ bezeichnete Stelle sein. Zu diesem Zeitpunkt entspricht
der Zustand des Gegenstands demjenigen von Fig. 1C, insofern,
als der Einkristallteil den Hauptteil des Verbundgegenstands
einnimmt. Der Gegenstand kann getrennt werden, wie es in
Fig. 1D gezeigt ist, wobei ein Einkristallbestandteil erhalten
wird, bei dem es sich um den ursprünglichen Abschnitt 120
handelt, und wobei weiterhin ein neuer Impfbestandteil erhalten
wird, der einen Einkristallimpfkeim und einen feinkörnigen
Teil aufweist, die durch die einem Kornwachstum zugängliche
Grenzfläche 113′ voneinander getrennt sind. Der erhaltene
Einkristallgegenstand kann für die Herstellung von
hochfesten Gegenständen mit besonderer Anwendungsmöglichkeit
bei Gasturbinenmotoren verwendet werden, wie es beispielsweise
in der US-PS 38 27 563 beschrieben ist. Der andere Bestandteil
kann zur Wiederholung des Verfahrens verwendet werden.
Wie in Fig. 2 gestrichelt gezeigt ist, sind die Bestandteile
110 und 120 in der Nähe der Verbindungsstelle
abgeschrägt worden. Dies verringert die Nukleierung von neuen
Körnern, wenn die Verbindung durch den thermischen Gradienten
hindurchgeht.
Das in den Fig. 1A, 1B, 1C und 1D erläuterte und anhand von
Fig. 2 beschriebene Verfahren ist ein Wiederholungsverfahren,
bei dem ein Ausgangsimpfteil dazu verwendet werden kann,
einen Einkristallgegenstand und einen neuen Impfteil herzustellen,
der dann zur Fortsetzung des Verfahrens verwendet
werden kann. Vernünftigerweise erhebt sich die Frage, wie das
erste Impfteil hergestellt werden kann. Die Antwort zu dieser
Frage ist in den Fig. 3A, 3B und 3C erläutert. In 3A ist
ein Materialblech 210 gezeigt, welches überwiegend aus feinkörnigem
Material 214 besteht, das einem Kornwachstum zugänglich
ist. An einem Ende des Gegenstands 210 sind mehrere
Zähne angeorndet. Wenn der Gegenstand durch einen thermischen
Gradienten hindurchgeführt wird, so daß die Zähne den Gradienten
zuerst betreten, dann wird festgestellt, daß Einkristalle
in der Nähe der Spitzen eines jeden Zahns nukleieren
und den Gegenstand hinabwachsen, während der Gegenstand
durch den thermischen Gradienten hindurchgeführt wird.
Die Nukleierung der Einkristalle und ihre Orientierung ist
etwas willkürlich. Zwar kann durch eine richtige Vorbereitung
des Materials 214 eine wesentliche Kontrolle über die Orientierung
erreicht werden, aber es wird sich üblicherweise als
nötig erweisen, eine Vielzahl von Einkristallen zu entwickeln
und dann ihre Orientierung unter Verwendung von Röntgenstrahlentechniken
zu messen und einen auszuwählen, der der gewünschten
Orientierung am nächsten ist. Wenn dieser Kristall
ausgewählt worden ist, dann werden die übrigen nichterwünschten
Zähne abgeschnitten, worauf das Teil in den Ofen zurückgebracht
wird und der ausgewählte Einkristall dazu veranlaßt
wird, den Gegenstand entlang zu wachsen, wie es in Fig. 3B
gezeigt ist. Gemäß Fig. 3B besteht der Gegenstand 210 aus
einem Teil 214, der kein Einkristall ist und aus feinkörnigem
Material besteht, und einem Einkristallteil 212, der vom feinkörnigen
Teil 214 durch eine Grenzfläche 213 getrennt ist.
Wenn sich der Teil durch den thermischen Gradienten bewegt,
dann bewegt sich die Grenzfläche, welche den Einkristallteil
und den feinkörnigen Teil trennt, allmählich durch die Teile
hindurch, wie dies bei 213′, 213″ usw. gezeigt ist. Ein ähnliches
Verfahren ist in dem Buch "The Art and Science of
Growing Crystals", J. J. Gilman, John Wiley and Sons, 1963,
Seite 454, beschrieben. Das in Fig. 3C gezeigte Endprodukt
ist dann für das im Hinblick auf Fig. 2 beschriebene und
illustrierte Verfahren geeignet.
Fig. 4 ist eine Mikrofotografie, welche die erwünschten Merkmale
einer zufriedenstellenden Diffusionsverbindung zeigt.
Das wichtigste Merkmal, das aus Fig. 4 ersichtlich ist, besteht
darin, daß die Verbindung optisch nicht feststellbar
ist. Dieses Merkmal einer optisch nicht feststellbaren Verbindung
(bei 100facher Vergrößerung) reicht anscheinend aus
für eine zuverlässige Fortpflanzung des Einkristallwachstums
durch eine Diffusionsverbindung. Fig. 5 ist eine Mikrofotografie
mit ungefähr 4facher Vergrößerung, welche den Zustand
nach der Fortpflanzung des Einkristalls durch eine Verbindung
zwischen zwei Abschnitten eines Metallstreifens darstellt.
In Fig. 5 war der obere Teil des Materials der Impfgegenstand
und enthielt einen Einkristallteil und einen feinkörnigen
Teil, die durch eine Grenzfläche voneinander getrennt
waren. Nachdem dieser obere Teil mit dem unteren Teil, der
vollständig aus feinkörnigem Material bestand, verbunden worden
war, wurden thermische Bedingungen in der Weise angewendet,
daß die Grenzfläche durch die Verbindung und in den unteren
Teil wanderte. Fig. 5 zeigt außerdem die Verwendung einer
abgeschrägten Vorderkante, um die Wahrscheinlichkeit der
Initiierung von neuen Körnern zu verringern, wenn die vordere
Kante durch den thermischen Gradienten hindurchwandert.
Fig. ist eine ähnliche Mikrofotografie, welche eine Verbindung
zeigt, bei der eine abgeschrägte Vorderkante nicht
verwendet worden ist. Es ist ersichtlich, daß ein sekundäres
Korn in der Nähe der abrupten Stufe an der Vorderkante
nukleiert worden ist. Dieses sekundäre Korn wanderte eine
beträchtliche Strecke, wurde aber schließlich durch das Korn
mit der gewünschten Orientierung abgeblockt. Deshalb wird
ein Abschrägen der Vorderkante bevorzugt.
Die Erfindung wird nun anhand des folgenden Beispiels näher
erläutert.
A. Materialvorbereitung
- 1. Zusammensetzung (Gew.-%): 14,4 Mo, 6,25 W, 6 bis 8 Al, 0,04 C, Rest Nickel;
- 2. Pulvergröße: 0,177 mm;
- 3. Verdichtungsverfahren: heißes isostatisches Pressen (H. I. P.) bei 1232°C und 103,5 MPa Druck während 2 h;
- 4. Warmverformung - Walzen bei 1204°C auf eine Verringerung von 60%;
- 5. kaltes Walzen: gesamte Verringerung 65%
- a) kaltes Längswalzen,
- b) kaltes Querwalzen,
Verhältnis des Längswalzens zum Querwalzen 75 : 25, Zwischentemperung bei 1204°C;
- 6. resultierende Textur: singulär (110) <112< 7× willkürlich.
B. Impfkeimbereitung: wie anhand der Fig. 3A, 3B und 3C beschrieben,
Orientierung (100) <110<, in bezug auf die
Längsachse
C. Verbinden
C. Verbinden
- 1. Oberflächen vorbereitet auf eine Flachheit von höchstens 0,0005 cm in 15,24 cm, Oberflächenrauheit 15 µm, erhalten durch doppeltes Scheibenschleifen;
- 2. Oberflächen gereinigt durch Elektropolieren in einer Lösung von 7% Perchlorsäure in Essigsäure bei Raumtemperatur von 25°C während 60 s, um annähernd 0,0003 cm Metall von jeder Oberfläche zu entfernen;
- 3. Binden bei 1121°C (die γ′-Solvus-Temperatur ist 1268°C) unter Verwendung eines Delta-Alpha-Werkzeugs (Molybdän), zur Erzielung von ungefähr 2% Deformation in 3 h bei der genannten Temperatur.
D. Gerichtete Rekristallisation
- 1. Thermischer Gradient 82°C/cm (gemessen bei der γ′-Solvus-Temperatur);
- 2. Die Bewegung des Verbundgegenstands durch den thermischen Gradienten war parallel zur geraden Kaltwalzrichtung mit einer Geschwindigkeit von 0,318 cm bis 5,08 cm/h. Das Ergebnis war ein (100) <110< Einkristallwachstum durch die Bindung;
- 3. Durchtrennung, wobei ein Einkristall mit einem feinkörnigen Teil erhalten wurde, der wieder verwendet werden konnte.
Claims (5)
1. Verfahren zur Herstellung eines Einkristallgegenstands mit
kontrollierter kristallographischer Orientierung aus
einer Superlegierung auf Nickelbasis, dadurch gekennzeichnet,
daß man
- a) einen ersten Gegenstand bereitstellt, der einen Einkristallteil und einen polykristallinen Teil aufweist, welcher einem Kornwachstum zugänglich ist, wobei die beiden Teile durch eine Grenzfläche voneinander getrennt sind, die unter bestimmten Bedingungen zu einer Bewegung in den polykristallinen Teil fähig ist,
- b) einen zweiten Gegenstand herstellt, der aus einem polykristallinen Matrial besteht, das einem Kornwachstum zugänglich ist,
- c) den ersten und den zweiten Gegenstand so miteinander verbindet, daß der polykristalline Teil des ersten Gegenstands mit dem zweiten Teil durch Diffusionsverbindung bei einer Temperatur von 1038°C bis 204°C verbunden wird, wobei eine Verbindungsgrenzfläche gebildet wird, die das Kornwachstum durch die Verbindungsgrenzfläche nicht behindert,
- d) den verbundenen Gegenstand in einem thermischen Gradienten behandelt, so daß der Einkristall durch die Verbindungsgrenzfläche hindurch in den zweiten Gegenstand wächst und
- e) das Einkristallwachstum in der Stufe d) zu einem Zeitpunkt abbricht, bei dem noch polykristallines Material vorhanden ist, und den Teil des Gegenstands mit der Einkristallgrenzfläche abtrennt, um einen Ausgangsgegenstand für die Wiederholung des Verfahrens zu schaffen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
polykristalline Material im ersten und im zweiten Gegenstand
eine vorgegebene Textur aufweist, die ein bevorzugtes Wachstum
von Einkristallen mit im wesentlichen der Orientierung des
Einkristalls ermöglicht.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Diffusionsverbindung zwischen dem ersten und dem zweiten
Gegenstand aus einer Superlegierung auf Nickelbasis bei einer
Temperatur von 66 bis 204°C unterhalb der γ′-Solvul-Temperatur
der Superlegierungen hergestellt worden ist.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der erste und der zweite Gegenstand Bleche sind und mit einer
Überlappungsverbindung miteinander verbunden worden sind.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
man die Vorderkante, welche dem Einkristallteil des ersten
Gegenstands am nächsten liegt, abschrägt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/383,872 US4475980A (en) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | Solid state production of multiple single crystal articles |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3318766A1 DE3318766A1 (de) | 1983-12-08 |
DE3318766C2 true DE3318766C2 (de) | 1992-06-04 |
Family
ID=23515087
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19833318766 Granted DE3318766A1 (de) | 1982-06-01 | 1983-05-24 | Verfahren zur herstellung von einkristallgegenstaenden |
Country Status (17)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4475980A (de) |
JP (1) | JPS58223688A (de) |
KR (1) | KR890001134B1 (de) |
AU (1) | AU552596B2 (de) |
BE (1) | BE896829A (de) |
CA (1) | CA1211688A (de) |
CH (1) | CH664769A5 (de) |
DE (1) | DE3318766A1 (de) |
ES (1) | ES8403980A1 (de) |
FR (1) | FR2527650B1 (de) |
GB (1) | GB2121312B (de) |
IL (1) | IL68736A0 (de) |
IT (1) | IT1163416B (de) |
NL (1) | NL8301799A (de) |
NO (1) | NO161513C (de) |
SE (1) | SE462852B (de) |
ZA (1) | ZA833928B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19624055A1 (de) * | 1996-06-17 | 1997-12-18 | Abb Research Ltd | Nickel-Basis-Superlegierung |
DE102014204408A1 (de) * | 2014-03-11 | 2015-09-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Nickelbasis-Superlegierung mit erhöhter Oxidationsbeständigkeit, Pulver, Verfahren zum Schweißen und Bauteil |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7704321B2 (en) * | 2002-05-13 | 2010-04-27 | Rutgers, The State University | Polycrystalline material having a plurality of single crystal particles |
AU2003229087A1 (en) * | 2003-05-14 | 2005-01-21 | Rutgers, The State University | Single-crystal-like materials |
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US9551053B2 (en) | 2011-06-23 | 2017-01-24 | United Technologies Corporation | Method for limiting surface recrystallization |
FR3105035B1 (fr) * | 2019-12-23 | 2021-12-10 | Safran Helicopter Engines | Procédé de fabrication d’aube de turbomachine et aube de turbomachine |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US3108861A (en) * | 1961-08-09 | 1963-10-29 | Coast Metals Inc | Nickel-base brazing alloys |
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-
1982
- 1982-06-01 US US06/383,872 patent/US4475980A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-05-13 GB GB08313226A patent/GB2121312B/en not_active Expired
- 1983-05-19 SE SE8302850A patent/SE462852B/sv not_active IP Right Cessation
- 1983-05-20 NL NL8301799A patent/NL8301799A/nl active Search and Examination
- 1983-05-20 IL IL68736A patent/IL68736A0/xx not_active IP Right Cessation
- 1983-05-24 DE DE19833318766 patent/DE3318766A1/de active Granted
- 1983-05-24 CH CH2802/83A patent/CH664769A5/de not_active IP Right Cessation
- 1983-05-25 BE BE0/210838A patent/BE896829A/fr not_active IP Right Cessation
- 1983-05-25 FR FR838308596A patent/FR2527650B1/fr not_active Expired
- 1983-05-26 CA CA000429017A patent/CA1211688A/en not_active Expired
- 1983-05-26 NO NO831861A patent/NO161513C/no unknown
- 1983-05-27 JP JP58094769A patent/JPS58223688A/ja active Granted
- 1983-05-27 AU AU15054/83A patent/AU552596B2/en not_active Ceased
- 1983-05-30 IT IT21371/83A patent/IT1163416B/it active
- 1983-05-30 ES ES522797A patent/ES8403980A1/es not_active Expired
- 1983-05-30 ZA ZA833928A patent/ZA833928B/xx unknown
- 1983-06-01 KR KR1019830002434A patent/KR890001134B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2527650A1 (fr) | 1983-12-02 |
FR2527650B1 (fr) | 1989-12-08 |
NL8301799A (nl) | 1984-01-02 |
DE3318766A1 (de) | 1983-12-08 |
BE896829A (fr) | 1983-09-16 |
GB2121312A (en) | 1983-12-21 |
KR840004949A (ko) | 1984-10-31 |
SE8302850D0 (sv) | 1983-05-19 |
JPS58223688A (ja) | 1983-12-26 |
NO831861L (no) | 1983-12-02 |
JPH0240637B2 (de) | 1990-09-12 |
IT1163416B (it) | 1987-04-08 |
ZA833928B (en) | 1984-02-29 |
KR890001134B1 (ko) | 1989-04-24 |
IL68736A0 (en) | 1983-09-30 |
CH664769A5 (de) | 1988-03-31 |
ES522797A0 (es) | 1984-05-01 |
IT8321371A0 (it) | 1983-05-30 |
NO161513B (no) | 1989-05-16 |
GB2121312B (en) | 1985-10-23 |
NO161513C (no) | 1989-08-30 |
CA1211688A (en) | 1986-09-23 |
SE462852B (sv) | 1990-09-10 |
IT8321371A1 (it) | 1984-11-30 |
SE8302850L (sv) | 1983-12-02 |
GB8313226D0 (en) | 1983-06-22 |
ES8403980A1 (es) | 1984-05-01 |
AU1505483A (en) | 1983-12-08 |
AU552596B2 (en) | 1986-06-05 |
US4475980A (en) | 1984-10-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |