DE3314100A1 - Verfahren zum herstellen eines integrierten kondensators und eine auf diese weise erhaltene anordnung - Google Patents

Verfahren zum herstellen eines integrierten kondensators und eine auf diese weise erhaltene anordnung

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Description

." 33H100
PHF 82.537 " j** " 14-1-1983
"Verfahren zum Herstellen eines integrierten Kondensators und eine auf diese Weise erhaltene Anordnung".
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper, der an einer Oberfläche mit Schaltungselementen und einer Mehrschichtverdrahtungsstruktur versehen ist, wobei die Oberfläche des Halbleiterkörpers mit einer ersten Schicht aus einem isolierenden Material bedeckt wird, worauf aus einer auf dem.isolierenden Material niedergeschlagenen Metallschicht ein erstes Leitermuster gebildet wird, das den Halbleiterkörper an der Stelle von Kontaktlöchern in der ersten Schicht aus isolierendem Material kontaktiert und mindestens eine Platte eines Kondensators enthält, wonach ein zweites Leitungsmuster angebracht wird, das eine zweite Platte des Kondensators enthält und durch ein Dielektrikum, das durch anodische Oxydation aus der auf der ersten Schicht aus isolierendem Material niedergeschlagenen Metallschicht erhalten worden ist, davon getrennt ist.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich ebenfalls auf die mit diesem Verfahren erhaltene Anordnung.
Zum Herstellen von Kondensatoren in Halbleiteranordnungen für den elektronischen Gebrauch wird vorzugsweise die Dünnschichttechnik angewandt, wobei die entsprechend dieser Technik hergestellten Kondensatoren eine grössere Kapazität pro Oberflächeneinheit aufweisen und viel geringere Streuwiderstände als die Kapazitäten der diffundierten Übergänge, die auch benutzt werden können. Weiterhin ist die Kapazität der DUnnschichtkondensatoren nicht abhängig von der angelegten Spannung, wie die der Halbleiterübergänge .
Das als Dielektrikum in diesen Kondensatoren ve:
wendete Isoliermaterial ist meistens Siliziumoxyd, SiO2, weil dieses Oxyd während der meisten Verfahren zum Herstellen von Anordnungen aus Siliziumsubstraten gebildet wird. Dieses Oxyd hat jedoch eine geringe Dielektrizitäta-
PHN 82.537 β?//' " 1411-1983
konstante.
Veil es schwierig ist, diese Oxyd mit einer sehr geringen Dicke zu verwirklichen und zwar wegen der Gefahr vor Unzulänglichkeiten in der Isolierung wurde versucht dieses Dielektrikum durch andere Materialien mit hoher Dielektrizitätskonstante zu ersetzen, insbesondere durch Siliziumnitrit, einzeln oder zusammen mit Siliziumoxyd und neulich durch Aluminiumoxyd oder Aluminiumoxyd zusammen mit einer Schicht des genannten Siliziumoxyds.
Die bekannten Verfahren zum Erhalten homogener und dichter dünner Schichten dieser Dielektriken erfordern im allgemeinen zusätzliche Bearbeitungen, oft verwickelt und äusserst genau, die kostspielige Vorkehrungen erfordern. Dies ist der Fall was die Schichten des Siliziumoxyds oder Nitrits anbelangt. Das ist auch der Grund, weshalb man im allgemeinen immer mehr eine anodische Oxydation zum Bilden einer Oxydschicht von der Oberfläche einer bereits niedergeschlagenen Metallschicht anwendet, wobei dann "eine geeignete Spannung zwischen die genannte zu oxydierende Metalloberflache und eine in einen Elektrolyten eingetächte Elektrode angelegt wird.
Diese Lasung ist besonders wichtig wenn es. sich um die Herstellung sogenannter "MOM"-Kondensatoren (Metall-Oxyd-Metall) handelt, weil man die dielektrische Schicht des Kondensators in einer ersten niedergeschlagenen Metallschicht bilden kann.
Ein derartiges Verfahren ist bekannt aus der französischen Patentschrift Nr. 2.I38.339.
Dabei kann eine Wahl gemacht werden nicht nur abhängig von der Art der verwendeten Metalle sondern auch abhängig von der Zusammensetzung des Elektrolyten zum Anodisieren. Dabei stellt es sich heraus, dass beim Anodisieren einer Aluminiumschicht bestimmte als Elektrolyten verwendete Lösungen, die beispielsweise Oxalsäure und Glukoläthylen enthalten, zu einer porösen Aluminiumoxydschicht führen. Diese Erscheinung Nist oft äusserst schädlich, denn Aluminium ist eines der Metalle, die zum Herstellen von Kontakten in Halbleiteranordnungen für elek-
PHN 82.537 .:.'..' '..* '*/J."'°**° 14_1_1983
tronische Schaltungsanordnungen (Transistoren oder integrierte Schaltungen) und zum Herstellen integrierter Kondensatoren am meisten benutzt werden. Unter diesen Umständen wird das genannte Aluminium in dem porösen Aluminiumoxyd diffundieren können, was die Gefahr vor Kurzschluss mit sich bringt.
Um diesen Nachteil auszuschalten wird oft eine Schutzschicht aus einem Metall angebracht, das diese Diffusion vermeidet, beispielsweise Nickel, das beidseitig einer Aluminiumschicht niedergeschlagen wird, aber dieses Verfahren, das dann zusätzliche Bearbeitungen bedeutet, wird damit verwickelter und teurer.
Andererseits ist es bekannt, dass unter Berücksichtigung der Dichte der aktiven oder passiven in einer elektronischen Mikroschaltungsanordnung herzustellenden Elemente die elektrischen Anschlüsse zwischen den jeweiligen Elementen ein ausgedehntes Netzwerk von Kontakten und gegenseitigen Verbindungen erfordert, das aus Platzgründen nicht auf andere Art und Weise angebracht werden kann als durch Isolierschichten oder getrennte übereinander liegende Schichten.
Die vorliegende Erfindung hat nun zur Aufgabe, ein Verfahren zu schaffen zum Herstellen zu integrierender MOM-Kondesatoren in einer Mehrschichtstruktur, insbesondere mit zwei Verdrahtungspegeln durch einfache reproduzierbare Bearbeitungen, die sich mit der gleichzeitigen Verarbeitung anderer Elemente des Leitungsmusters und der elektrischen Verbindungen oder Verbindungslöcher zwischen diesen Muster vereinen lassen.
Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht aus der Herstellung von Kondensatoren, deren Dielektrikum ein Metalloxyd mit hoher -Dielektrizitätskonstante ist und wobei die Art der Metallplatten zugleich zum Herstellen der elektrischen Verbindungen geeignet ist.
Die Erfindung betrifft die Bildung eines Oxyds durch Anodisieren eines Metalls einer guten elektrischen Leitfähigkeit, das in eine geeignete Elektrolytlösung getaucht ist und dem Einfluss einer Spannung von ausseu her
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141
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ausgesetzt wird.
!•Jin erJ'indungsgemässes Verfanren weist dazu das Kennzeichen auf, dass nachdem die erste Schicht aus isolierendem Material mit Kontaktfenstern versehen ist, die Metallschicht über die ganze Oberfläche des Halbleiterkörpers niedergeschlagen und über einen Teil der Dicke durch anodische Oxydation in eine zweite Isolierschicht aus Metalloxyd umgewandelt wird, wonach die Doppelschicht aus Metall und Metalloxyd auf fotolithographischem Wege ausgerichtet und daraufhin das Ganze mit einer dritten Schicht aus isolierendem Material bedeckt wird, die an der Stelle der zweiten Platte des Kondensators und der Verbindungen zwischen den beiden Leitermustern mit Offnungen versehen wird, wobei an der Stelle der Verbindungen zugleich das gebildete Metalloxyd entfernt und daraufhin eine Schicht aus leitendem Material angebracht! wird, woraus auf fotolithographischem Wege das zweite Leitermuster gebildet wird, das an der Stelle der Verbindungen das erste Leitungsmuster kontaktiert und die zweite Platte des Kondensators enthält, die durch einen Teil der durch anodische Oxydation angewachsenen Schicht aus Metalloxyd, das als Dielektrikum wirksam ist, von der ersten Platte getrennt ist.
Dieses Verfahren bietet viele Vorteile. An erster Stelle bietet die Tatsache, dass die zweite Isolierschicht äusserst dicht ist, die Möglichkeit, die Eigenschaften des hergestellten Kondensators zu verbessern und die Gefahr vor dem Auftritt von Leckströmen auszuschalten. Andererseits werden alle zum Anwenden des genannten Verfahrens notwendigen Bearbeitungen bei niedriger Temperatur durcligeführt und beeinflussen diese die physikalisch elektrischen Eigenschaften der diffundierten oder implantierten Schaltungselemente, die die aktiven oder passiven Elemente der Struktur bilden, also nicht.
Der wichtigste Vorteil liegt jedoch in der Tatsache, dass es mit dem erfxndungsgemässen Verfahren möglich ist, Kondensatoren in einer Mehrschichtstruktur herzustellen ohne die Anzahl Bearbeitungen zu vergrössern, weil ja die Platten der genannten Kondensatoren gleichzeitig erhalten
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PHN 82.537 ^y " 14-1-1983
werden mit jedem der Leitermuster und zwar im Fotoätzverfahren der gemeinsamen Metallschichten.
Vorzugsweise sind die Metallschichten, die auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers niedergeschlagen werden und das erste Leitermuster bilden und die Platten des Kondensators aus Aluminium und die dichte Isolierschicht aus Aluminiumoxyd.
Es sei bemerkt, dass bereits mehrere Verfahren zum Herstellen von MOM-Kondensatoren bekannt sind, die an der Oberfläche eines Hableiters gebildet werden, und zwar aus einer dielektrischen Schicht, die durch anodische Oxydation einer ersten darunter liegenden Metallschicht erhalten worden ist, wobei die dielektrische Schicht selbst mit einer zweiten Metallschicht bedeckt ist. Eine Kondensator dieser Art ist beispielsweise in der deutschen Offenlegungsschrift 1.920.684 beschrieben. Der beschriebene Kondensator ist mit einer dichten Aluminiumoxydschicht versehen, die zwischen zwei Aluminiumplatten eingeschlossen ist; ebenso wie im anderen bekannten Verfahren ist jedoch das angewandte Verfahren völlig verschieden von dem, das Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist. Nach der Beschreibung in der obengenannten Offenlegungsschrift ist nämlich die Herstellung des Kondensators nicht auf das in einer Mehrschichtstruktur Herstellen eines Verdrahtungsnetzwerkes auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers bezogen, was die Anwendung des bekannten Verfahrens stark vereinfacht, während die Mehrschichtstruktur andererseits heutzutage die einzige Technik ist, die mit dem zunehmenden verwickelten Charakter der neuen integrierten Schaltungsanordnungen vereinigbar ist.
Andererseits wird nach derselben obengenannten Offenlegungsschrift die dieleketrische Schicht durch örtliche anodische Oxydation der darunterliegenden Metallschicht erhalten und das Ätzen der beiden Platten öes K&ndensators wird nach der Bildung der genannten dielektrischen Schicht durchgeführt.
Dagegeia wird.nach der vorliegenden Erfindung; die anodische Oxydation bia auf die Tbo 1 Lorsoli i r,h t clurch^efUhr t
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und zwar über die ganze Oberfläche der ersten Metallschicht und unmittelbar nach dieser Oxydationsbearbeitung wird die Isolierschicht und die darunterliegende Metallschicht derart geätzt, dass eine Platte für den Kondensator gebildet wird und ein erstes Leitungsmuster, wonach die Verbindungen und das zweite Leitungsmuster gebildet werden.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich ebenfalls auf eine Halbleiteranordnung mit passiven und aktiven Elementen, die mit Hilfe eines erfindungsgemässen Verfahrens ^Q hergestellt worden ist.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigen
Fig. 1 bis 3 eine schematische Darstellung im
Ijj Schnitt mehrerer Stufen der Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem MOM-Kondensator, der durch Anwendung des erfindungsgemässen Verfahrens erhalten worden ist.
Es sei bemerkt, dass in den Figuren di-e Abmessungen wesentlich und nicht proportional vergrössert sind, dies zur Verdeutlichung der Zeichnungen.
In dem in den Fig. 1 bis 3 dargestellten Beispiel wird von einer Halbleiterplatte 1 ausgegangen, in der man aktive und passive in den Figuren nichtdargestellte Elemente bildet. Auf der Oberfläche 2 der genannten Platte wird eine Isolierschicht 3 niedergeschlagen, beispielsveise aus Siliziumdioxyd, worin die Öffnungen k vorgesehen werden, die zum Kontaktieren der aktiven oder passiven Elemente notwendig sind.
Die Oberfläche der Isolierschicht 3 und die Öffnungen k werden mit einer Aluminiumschicht bedeckt, die die erste Metallschicht 5 bildet, die an der Oberfläche durch anodische Oxydation in eine Schicht 6 aus dichtem Aluminiumoxyd umgewandelt wird, die die gesamte genannte Schicht 5 (Fig. 1) bedeckt.
3g Die genannte Aluminiumoxydschicht 6 wird in einer
wässrigen Lösung von Weinsäure von 3Og/Liter mit einem pH-Wert = 1,8 bei einer Spannung, die von der gewünschten Dicke abhängig ist, gebildet. Das Verhältnis zwischen der
33H100
PHN 82.537 *:" ·*" "·'" * in' °° 1/+-1-1983
gewünschten Dicke und der anzulegenden Spannung beträgt etwa 1nm/Volt: in diesem Beispiel wird die genannte Spannung in der Nähe von 25 V gewählt.
Die folgende Bearbeitung besteht aus der Verteilt lung der Aluminiumschicht 5 in. ein erstes Leitungsmuster 5a mit einer Platte 5b für einen MOM-Kondensator. Dazu
1 ι
werden ein oder mehrere Fenster 7 in der Schicht 6 und in der genannten Schicht 5 vorgesehen und daraufhin wird das Ganze mit einer zweiten Schicht 8 aus Isoliermaterial (Fig.2)
^q bedeckt.
In dieser Schicht 8 werden dann eine bestimmte Anzahl Fenster vorgesehen, von denen einige, 9» auch in der Isolierschicht 6 vorgesehen werden, während in anderen, 10, die genannte Schicht 6 nach wievor vorhanden ist. Die
^5 gesamte Oberfläche wird mit einer zweiten Metallschicht bedeckt, beispielsweise aus Aluminium, die man einem Fotoätzverfahren zur Bildung des zweiten Leitungsmusters 11 aussetzt, welches Muster die zweite Platte 12 des Kondensators enthält.
Der genannte Kondensator, dessen Platten 5t>, 12 gleichzeitig mit dem Leitermuster ^a und 11 erhalten werden, besteht aus zwei Platten yo und 12 die durch ein Dielektrikum getrennt sind, das durch die dichte Aluminiumoxydschicht 6 gebildet wird.
Nach Fig. 3 wird ein Teil des Leitungsmusters 11 durch die Öffnung 9 mit einem Teil des Leitungsmusters 5a kontaktiert.
-40-Leerseite

Claims (3)

  1. 33U100
    PHN 82.537 "" M " ' Χ" " 14-1-1983
    PATENTANSPRÜCHE;
    Ij. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper, der an einer Oberfläche mit Schaltungselementen und mit einer Mehrschichtverdrahtungsstruktur versehen ist, wobei die Oberfläche des HaIbleiterkörpers mit einer ersten Schicht aus isolierendem Material bedeckt wird, worauf aus einer auf dem isolierenden Material niedergeschlagenen Metallschicht ein erstes ' Leitungsmuster gebildet wird, das den Halbleiterkörper an der Stelle von Kontaktlöchern in der ersten Schicht aus isolierendem Material kontaktiert und mindestens eine Platte eines Kondensators enthält, wonach ein zweites Leitungsmuster angebracht wird, das eine zweite Platte des Kondensators enthält und durch ein Dielektrikum, das durch anodische Oxydation aus der auf der ersten Schicht aus isolierendem Material niedergeschlagenen Metallschicht erhalten worden ist, davon getrennt ist, dadurch gekennzeichnet, dass, nachdem die erste Schicht aus isolierendem Material mit Kontaktfenstern versehen ist, die Metallschicht über die ganze Oberfläche des Halbleiterkörpers niedergeschlagen wird und über einen Teil der Dicke durch anodische Oxydation in eine zweite Isolierschicht aus Metalloxyd umgewandelt wird, wonach die Doppelschicht aus Metall und Metalloxyd auf fotolithographischem Wege ausgerichtet und daraufhin das Ganze mit einer dritten Schicht aus isolierendem Material bedeckt wird, die an der Stelle der zweiten Platte des Kondensators und der Verbindungen zwischen den beiden Leitermustern mit Öffnungen versehen wird, wobei an der Stelle der Verbindungen zugleich das gebildete Metalloxyd entfernt und daraufhin eine Schicht aus leitendem Material angebracht wird, woraus auf fotolithographischem Wege das zweite Leitermuster gebildet wird, das an der Stelle der Verbindungen das erste Leitungsmuster kontaktiert und die zweite Platte des Kondensators enthält, die von der ersten
    PHN H2.r)')7 ·'· ··" "'·" ' ßf*m "" 14-1-1983
    Pia L te /',etroiint ist durch einen Teil der durch anodische Oxydation angewachsenen Schicht aus Metalloxyd, das als Dielektrikum wirksam ist.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet» dass' die beiden Leitungsmuster aus Aluminium gebildet werden und das Dielektrikum aus Aluminiumoxyd besteht.
  3. 3. Halbleiteranordnung, hergestellt mit Hilfe eines Verfahrens nach einem der vorstehenden Ansprüche.
DE19833314100 1982-04-30 1983-04-19 Verfahren zum herstellen eines integrierten kondensators und eine auf diese weise erhaltene anordnung Withdrawn DE3314100A1 (de)

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GB (1) GB2119570B (de)
NL (1) NL8301461A (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3837800A1 (de) * 1987-11-12 1989-05-24 Honeywell Inc Schaltungsanordnung zur zustandsueberwachung von schmelzleitungsverbindungen
DE19633689A1 (de) * 1995-08-21 1997-02-27 Hyundai Electronics Ind Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE10341059A1 (de) * 2003-09-05 2005-04-14 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltungsanordnung mit Kondensator und Herstellungsverfahren

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4847732A (en) * 1983-09-15 1989-07-11 Mosaic Systems, Inc. Wafer and method of making same
WO1985003805A1 (en) * 1984-02-21 1985-08-29 Mosaic Systems, Inc. Monolithic wafer having interconnection system including programmable interconnection layer
FR2575335B1 (fr) * 1984-12-21 1987-06-19 Thomson Csf Element capacitif integre sur une pastille de circuit integre, et procede de realisation de cet element capacitif
US4853341A (en) * 1987-03-25 1989-08-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Process for forming electrodes for semiconductor devices using focused ion beams
GB2208453B (en) * 1987-08-24 1991-11-20 Marconi Electronic Devices Capacitors
US5168078A (en) * 1988-11-29 1992-12-01 Mcnc Method of making high density semiconductor structure
US5025304A (en) * 1988-11-29 1991-06-18 Mcnc High density semiconductor structure and method of making the same
US5098860A (en) * 1990-05-07 1992-03-24 The Boeing Company Method of fabricating high-density interconnect structures having tantalum/tantalum oxide layers
ES2103778T3 (es) * 1990-05-31 1997-10-01 Canon Kk Metodo para la fabricacion de un dispositivo de memoria semiconductor, que tiene un condensador.
WO1994007266A1 (en) * 1992-09-23 1994-03-31 Massachusetts Institute Of Technology A voltage programmable link having reduced capacitance
US5371047A (en) * 1992-10-30 1994-12-06 International Business Machines Corporation Chip interconnection having a breathable etch stop layer
US5470801A (en) * 1993-06-28 1995-11-28 Lsi Logic Corporation Low dielectric constant insulation layer for integrated circuit structure and method of making same
US5472913A (en) * 1994-08-05 1995-12-05 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating porous dielectric material with a passivation layer for electronics applications
US5793076A (en) * 1995-09-21 1998-08-11 Micron Technology, Inc. Scalable high dielectric constant capacitor
US5708559A (en) * 1995-10-27 1998-01-13 International Business Machines Corporation Precision analog metal-metal capacitor
US5801916A (en) * 1995-11-13 1998-09-01 Micron Technology, Inc. Pre-patterned contact fill capacitor for dielectric etch protection
US5631804A (en) 1995-11-13 1997-05-20 Micron Technology, Inc. Contact fill capacitor having a sidewall that connects the upper and lower surfaces of the dielectric and partially surrounds an insulating layer
US5736448A (en) * 1995-12-04 1998-04-07 General Electric Company Fabrication method for thin film capacitors
US5972788A (en) * 1996-05-22 1999-10-26 International Business Machines Corporation Method of making flexible interconnections with dual-metal-dual-stud structure
US6069051A (en) * 1996-06-17 2000-05-30 International Business Machines Corporation Method of producing planar metal-to-metal capacitor for use in integrated circuits
KR100267087B1 (en) * 1997-01-07 2000-10-02 Samsung Electronics Co Ltd Manufacturing method of capacitor device
SE520173C2 (sv) * 1997-04-29 2003-06-03 Ericsson Telefon Ab L M Förfarande för tillverkning av en kondensator i en integrerad krets
US6048763A (en) 1997-08-21 2000-04-11 Micron Technology, Inc. Integrated capacitor bottom electrode with etch stop layer
US5920763A (en) * 1997-08-21 1999-07-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improving the structural integrity of stacked capacitors
US6342681B1 (en) * 1997-10-15 2002-01-29 Avx Corporation Surface mount coupler device
KR100275727B1 (ko) * 1998-01-06 2001-01-15 윤종용 반도체 장치의 커패시터 형성방법
US6025226A (en) * 1998-01-15 2000-02-15 International Business Machines Corporation Method of forming a capacitor and a capacitor formed using the method
US6081021A (en) * 1998-01-15 2000-06-27 International Business Machines Corporation Conductor-insulator-conductor structure
US6090656A (en) 1998-05-08 2000-07-18 Lsi Logic Linear capacitor and process for making same
JP2000003991A (ja) 1998-06-15 2000-01-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US6124164A (en) * 1998-09-17 2000-09-26 Micron Technology, Inc. Method of making integrated capacitor incorporating high K dielectric
JP3516593B2 (ja) * 1998-09-22 2004-04-05 シャープ株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6323078B1 (en) * 1999-10-14 2001-11-27 Agere Systems Guardian Corp. Method of forming metal oxide metal capacitors using multi-step rapid thermal process and a device formed thereby
US6384468B1 (en) 2000-02-07 2002-05-07 International Business Machines Corporation Capacitor and method for forming same
US6452251B1 (en) 2000-03-31 2002-09-17 International Business Machines Corporation Damascene metal capacitor
US6261917B1 (en) * 2000-05-09 2001-07-17 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. High-K MOM capacitor
US6486530B1 (en) * 2000-10-16 2002-11-26 Intarsia Corporation Integration of anodized metal capacitors and high temperature deposition capacitors
CN104465629B (zh) * 2013-09-23 2017-06-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 无源器件结构及其形成方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB907666A (de) * 1900-01-01
DE1920684A1 (de) * 1969-04-23 1970-11-05 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Aluminium-Aluminiumoxid-Metall-Kondensatoren in integrierten Schaltungen
FR2138339A1 (de) * 1971-05-24 1973-01-05 Radiotechnique Compelec
US3739239A (en) * 1970-02-14 1973-06-12 Philips Corp Semiconductor device and method of manufacturing the device
US3864817A (en) * 1972-06-26 1975-02-11 Sprague Electric Co Method of making capacitor and resistor for monolithic integrated circuits

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4884579A (de) * 1972-02-12 1973-11-09
JPS5290279A (en) * 1976-01-23 1977-07-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Mos memory device
JPS6032357B2 (ja) * 1977-03-04 1985-07-27 松下電器産業株式会社 容量素子の製造方法
JPS54158884A (en) * 1978-06-06 1979-12-15 Oki Electric Ind Co Ltd Manufacture of semiconductor device
DE2912439A1 (de) * 1979-03-29 1980-10-16 Standard Elektrik Lorenz Ag Integrierter halbleiterschaltkreis mit integrierten speicherkapazitaeten
US4261772A (en) * 1979-07-06 1981-04-14 American Microsystems, Inc. Method for forming voltage-invariant capacitors for MOS type integrated circuit device utilizing oxidation and reflow techniques
JPS5771162A (en) * 1980-10-22 1982-05-01 Hitachi Ltd Semiconductor device
FR2493045A1 (fr) * 1980-10-23 1982-04-30 Thomson Csf Structure de capacite dans un circuit integre a deux niveaux de metallisation et procede de fabrication

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB907666A (de) * 1900-01-01
DE1920684A1 (de) * 1969-04-23 1970-11-05 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Aluminium-Aluminiumoxid-Metall-Kondensatoren in integrierten Schaltungen
US3739239A (en) * 1970-02-14 1973-06-12 Philips Corp Semiconductor device and method of manufacturing the device
FR2138339A1 (de) * 1971-05-24 1973-01-05 Radiotechnique Compelec
DE2225163B2 (de) * 1971-05-24 1976-11-25 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) Verfahren zur herstellung von kondensatoren in einer planaren elektronischen mikrostruktur
US3864817A (en) * 1972-06-26 1975-02-11 Sprague Electric Co Method of making capacitor and resistor for monolithic integrated circuits

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3837800A1 (de) * 1987-11-12 1989-05-24 Honeywell Inc Schaltungsanordnung zur zustandsueberwachung von schmelzleitungsverbindungen
DE19633689A1 (de) * 1995-08-21 1997-02-27 Hyundai Electronics Ind Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE19633689B4 (de) * 1995-08-21 2008-05-29 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd., Ichon Verfahren zum Herstellen von Kondensatoren für Halbleitervorrichtungen
DE10341059A1 (de) * 2003-09-05 2005-04-14 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltungsanordnung mit Kondensator und Herstellungsverfahren
DE10341059B4 (de) * 2003-09-05 2007-05-31 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltungsanordnung mit Kondensator und Herstellungsverfahren
US7692266B2 (en) 2003-09-05 2010-04-06 Infineon Technologies A.G. Integrated circuit with capacitor and method for the production thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0481334B2 (de) 1992-12-22
JPS58200566A (ja) 1983-11-22
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US4481283A (en) 1984-11-06
FR2526225A1 (fr) 1983-11-04
FR2526225B1 (fr) 1985-11-08
GB2119570A (en) 1983-11-16
GB8311430D0 (en) 1983-06-02

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