DE3312756A1 - Annaeherungsschalter - Google Patents

Annaeherungsschalter

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DE3312756A1
DE3312756A1 DE19833312756 DE3312756A DE3312756A1 DE 3312756 A1 DE3312756 A1 DE 3312756A1 DE 19833312756 DE19833312756 DE 19833312756 DE 3312756 A DE3312756 A DE 3312756A DE 3312756 A1 DE3312756 A1 DE 3312756A1
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Wilhelm Hans 6905 Schriesheim Kögel
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Pepperl and Fuchs SE
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Description

  • Annäherungsschalter
  • Die Erfindung betrifft einen Annäherungsschalter nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.
  • Annäherungsschalter werden zu den verschiedensten Zwecken eingesetzt. Ein Beispiel ist die Erfassung eines Schwimmers auf~der Oberfläche einer Flüssigkeit in einem Behälter, um so dessen Füllstand überwachen zu können. Diese Erfassung kann an sich auf optische, mechanische oder elektrische Weise erfolgen. Bei elektrisch arbeitenden Annäherungsschaltern wird die. Beeinflussung der elektrischen Eigenschaften eines Bauelementes, z. B. einer Spule oder eines Kondensator, durch einen sich annähernden Gegenstand - im obigen Beispiel durch den Schwimmer - ausgenutzt. Beit einer Spule ändert sich bekannt-lich deren Induktivität, wenn sich ihr ein metallischer Gegenstand nähert.
  • Die elektrische Schaltung des Annäherungsschalters ist in einem Gehäuse untergebracht, daß aus einem Material hergestellt- sein sollte, daß die elektrischen Eigenschaften des die Annäherung des Gegenstandes erfassenden Bauelem,entes, also z-. B. einer Spule, nicht beeinflußt, da sonst Verfälschungen des Meßergebnisses nicht zu vermeiden sind. Aus diesem Grund ist bei induktiv arbeitendenAnnähe-.rungsschalter ein geschlossenes Metallgehäuse als unzweckmäßig angesehen worden. Um aber den Annäherungsschalter und speziell dessen die Annäherung des Gegenstandes erfassende aktive Oberfläche gegen Umwelteinflüsse wie Überdruck, Unterdruck, hohe und tiefe Temperaturen, chemische Einwirkungen dur Säuren und Laugen, Funkensprühen bei Schweißvorgängen, Beschädigungen durch scharfe Kanten usw. möglichst unempfindlich zu machen, sollte das Gehäuse des Annäherungsschalters ohne Beeinträchtigung der Meßgenauigkeit zumindest teilweise aus Metall bestehen oder hinter einer Metallwand angeordnet werden können.
  • Esist daher die Aufgabe der Erfindung, einen genau arbeitenden Annäherungsschalter zu schaffen, der einen metallischen Gegenstand auch durch Metall hindurch erfassen kann.
  • Diese Aufgabe wird bei dem Annäherungsschalter nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 erfindungsgemäß durch die in dessen kennzeichnenden Teil enthaltenen-Merkmale gelöst.
  • Der erfindungsgemäße Annäherungsschalter verwendet also eine Brückenschaltung, in der zumindest eine Spule vorgesehen ist. Die Bauelemente 4er. Brückenschaltung sind so ausgelegt, daß nach Einbau der Brückenschaltung in ein Metall enthaltendesGehäuse oder nach Unterbringung des Gehäuses hinter einer Metallwand bzw. -abschirmung die Brückenschaltung vorzugsweise abgeglichen ist.
  • Durch diesen Abgleich der Brückenschaltung wird eine hohe Empfindlichkeit des Annäherungsschalters erreicht; Nähert sich dem Gehäuse ein metallhaltiger Gegenstand, sowird die Brücke verstimmt. was mitder'Auswerteeinheit sofort, genau und einfach festgestellt werden kann.
  • Der erfindungsgemäße Annäherungsschalter kann so Metallfüllungen in Metallbehältern, Füllstände von aggressiven Medien in Metallbehältern mittels Metallschwimmern also Metall durch Metall hindurch, erfassen. Das Gehäuse des Annäherungsschalters selbst braucht nicht aus Metall zu bestehen. Es genügt, wenn das z. B. aus Kunststoff hergestellte Gehäuse an der Wand eines Metallbehälters angebracht ist, um den Füllstand des darin befindlichen Mediums zu überwachen.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Patentansprüchen 2 bis 11.
  • Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen: Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Annäherungsschalters, J Fig. 2 ein Ersatzschaltbild der Abtasteinheit des in.Fig.1 dargestellten Annäherungsschalters zur Erläuterung von dessen Betrieb, Fig. 3 bis 6 verschiedene Ausführungsformen für das Gehäuse des Annäherungsschalters und Fig. 7 und 8 ein weiteres Ausführungsbeispiel der Brückenschaltung des erfindungsgemäßen Annäherungsschalters.
  • Fig. 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel der in einem Gehäuse 17 angeordneten Schaltung des erfindungsgemäßen Annäherungsschalters.. Diese Schaltung besteht aus zwei Baugruppen, nämlich aus einer Abtasteinheit 30 und einer Auswerteeinheit 31, die beide von einer nicht dargestellten Gleichspannungsquelle, beispielsweise einer Batterie, an Anschlüssen 32, 33 mit Energie versorgt werden. Am Anschluß 32 liegt dabei eine positive Spannung +U, während der Anschluß 33 mit einer negativen Spannung -U beaufschlagt ist.
  • Zwischen den Anschlüssen 32, 33 liegt in d-er Abtasteinheit 30 ein Siebkondensator 1, zu dem parallel eine Reihenschaltung aus einer ersten Spule 2, der Kollektor-Emitter- Strecke eine npn-Transistors 3 und einer zweiten Spule 4 vorgesehen ist. Durch diesen Siebkondensator 1 liegen die beiden Anschlüsse 3.2, 33 auf.gleichem Wechselspannungspotential. Jeweils parallel zur Spule 2 bzw. 4 ist ein Widerstand 5 bzw. 6 vorgesehen.
  • Der Kollektor des Transistors 3 ist über einen Kondensator 7 mit der Basis eines weiteren npn-Transistjors 11 verbunden, dessen Emitter an das dem Emitter des Transistors 3 abgewandte Ende der Spule 4 bzw. des Widerstandes 6 angeschlossen ist. Der Kollektor des Transistors 11 ist einerseits direkt mit. der Basis des Transistors 3 umd andererseits über einen Vorspannwiderstand 9 und den Kondensator 7 mit dem Kollektorwdes Transistors 3 verbunden.
  • Außerdem liegt ein Arbeitswiderstand 10 zwischen dem Kollektor des Transistors 11 und dem mit dem Anschluß 32 verbundenen Ende der Spule 2 bzw. des Widerstandes 5.
  • Zwischen dem Emitter des Transistors 3 und der Basis des Transistors 11 liegt noch ein Kondensator 8.
  • Der Emitter des Transistors 11 liegt also an dem mit der negativen Spannung -U beau.fschlagten Anschluß 33, während der Kollektor des Transistors 11 mit dem Arbeitswiderstand 10, den Vorspannwiderstand 9 und der Basis des Transistors 3 verbunden ist. Das vom Kollektor des Transistors 11 abgewandte Ende des Widerstandes 10 ist mit dem Anschluß 32 für die positive Spannung verbunden, während der Vorspannungswiderstand 9 zwischen Kollektor und Basis des Transistors 11 vorgesehen iSt. Der Vorspannwiderstand 9 dient so zur Gleichspannungs-Vorspannung und damit zur Arbeitspunkteinsellung des Transistors 11.
  • D~ie<Auswerteeinheit 31 ist eine an 5 übliche WechselspannungS-Vtrdopplungsschaltung und besth 5 einem pnp-Trånsistor 16, dessen Emitter-Basis-Strecke zwischen dem Anschluß 32 und einem Ausgangsanschluß 34 liegt, einer Reihenschaltung aus einem Kondensator 12 und einer Diode zwischen dem Kollektor des Transistors 11 und der Basis des Transistors 16, einem Kondensator 15 zwischen Basis und Emitter des Transistors 16 und aus-einer Diode i3 zwischen dem Anschluß 32 und dem vom.Kollektor des Transistors 11 abgewandten Ende des Kondensators 12. -J Das zur Weiterverarbeitung dienende Wechselspannungs-Ausgangssignal der Abtasteinheit 30 liegt am Kollektor des Transistors 11 an und wird so über dem Kondensator 12 der Auswerteeinheit 31 zugeführt.
  • Für die Auswerteeinheit 31 kann auch ein anderer Aufbau gewählt werden. Ebenso ist es möglich, beispielsweise anstelle der npn-Transistoren 3 und 11 der Abtasteinheit 30 pnp-Transistoren vorgesehen. Im diesem Fall muß aber an den Anschluß 33 die positive Spannung +U und an den Anschluß 32 die negative Spannung -U gelegt werden.
  • Auf das -Gehäuse 17, das aus Metall oder auch aus Kunststoff bestehen kann, wird weiter unten anhand der Fig. 3 bis 6 näher eingegangen werden.
  • Zunächst soll -nämlich die Arbeitsweise der Abtansteinheit 30 anhand von deren in Fig. 2 gezeigten Wechselstrom-Ersatzschaltbild näher erläutert werden.
  • Dieses Wechselstrom-Ersatzschaltbild der Abtasteinheit 30 neigt zwei Brückenzweige 26, 27 und einen Wechselspannungsrerstärker 20. Der Brückenzweig 27 wird durch die beiden iondensatoren 7,8 gebildet,wobei ein Anschluß des Kond lensators 7 an einer dem Kollektor des Transistors 3 Fig. 1 entsprechenden Speiseleitung 23 liegt, während der ander-e Anschluß des Kondensators 7 an einen Brückenpunkt 22 angeschlossen ist, der den gemeinsamen Punkt der Kondensatoren 7, 8-in Fig. 1 entspricht. In ähnlicher Weise ist ein Anschluß des Kondensators 8 mit dem Brückenpunkt 22 verbunden während der andere Anschluß an einer Bezugsleitung 24 liegt, die dem Emitter des Transistors 3 in Fig. 1 entspricht.
  • Der Brückenzweig 26 besteht aus den beiden Spulen 2, 4 und aus den beiden Widerständen 5, 6. Der eine Anschluß der Spule 2 liegt an der Speiseleitung 23, während der andere Anschluß der Spule 2 mit einem Brückenpunkt 21 verbunden ist. Das Potential des Brückenpunktes 21 entspricht dem Wechselspannungspotential.am Siebkondensator 1 in Fig. 1.
  • In ähnlicher Weise liegt die Spule'4 zwischen dem Brückenpunkt 21 und der Bezugsleitung 24.
  • Die tatsächlichen Spulen 2, 4 von Fig. 1 können wechselströmmäßig als Reihenschaltung aus jeweils einem Blindanteil bzw. einem induktiven Anteil 2a bzw. 4a und einem Realanteil bzw. einem ohmschen Anteil 18 bzw. 19 angesehen werden. Der Blindanteil L einer Spule hängt bekanntlich im wesentlichen von der jeweiligen Windungszahl der Spule ab, während der Realanteil R in erster Linie durch das Material des für die Spule verwendeten Wickeldrahtes und den Drahtquerschnitt festgelegt wird. Die Güte Q einer Spule ist dann definiert durch: Q = 2# f- L R wobei f die verwendete Frequenz des durch die Spule fließenden Stromes bedeutet.
  • Wie in Fig Im liegt zur Spule 2 der Abgleichwiderstand 5 und zur.Spule 4 der -Abgleichwiderstand 6 parallel. Der Brückenpunkt 21 ist an den negativen Eingang des Vers.tärkers 20 angeschlossen, während dessen positiver Eingang mit dem Brückenpunkt 22 verbunden ist. Der Ausgang des Verstärkers 20 ist mit der Speiseleitung 23. und über einen Ausgangsanschluß 25 mit der Auswerteeinheit 31 bzw. dem Kondensator 12 verbunden. Schließlich liegt noch der Bezugseingang des Verstärkers 20 jeder Bezugsleitung 24.
  • Durch Induktion ändert sich die Güte Q einer Spule, wenn Metalle in ihre Nähe gebracht werden. Dabei steigt die Güte Q in gewissen Frequenzbereichen an, wenn der Spule ferromagnetische Stoffe, wie beispielsweise-Eisen und Stahl (sogenannte FE-Metalle)angenähert werden. In den gleichen Frequenzbereichen sinkt die Güte Q bei Annäherung nichtferromagnetischer Stoffe, wie z. B. nicht-magnetischer VA-Metalle, Kupfer, Messing, Aluminium (sogenannte NF-Metalle). In anderen Frequenzbereichen kann dieses Verhalten auch umgekehrt sein.
  • Diese Anderung der Güte b-e-Ider-Annäherung oder Entfernung eines Metalls wird bei der Erfindung ausgenutzt: Wird nämlich vorausgesetzt, daß die Spulen 2 und 4 elektrisc-h vollkommen-gleich sind, was zudem praktische Vorteile mit sich bringt, dann ist die Brückenschaltung nach Fig. 2 im Gleichgewicht, sofern auch die beiden Kondensatoren 7,8 elektrisch gleich sind. Dieses Gleichgewicht bedeutet, daß an den Brückenpunkten 21 und 22 keine Spannungsdifferenz entsteht, in den Verstärker 20 kein zu verstärkendes Eingangssignal eingespeist ist und somit am Ausgangsanschluß 25 keine Spannung -entsteht, Sind die Spulen 2 und 4 elektrisch nicht gleich, so muß zur'-Herstellung des Gleichgewichtes-da's Verhältnis der Kapazitäten der Kondensatoren 7 und 8 das gleiche sein wie das Verhältnis- der induktiven Spulen 2 und 4. In beiden Fällen werden die Widerstände 5 und 6 theoretisch an sich nicht benötigt. Aus Gründen der Temperaturstabilität sind diese Widerstände 5,6 aber vorteilhaft.
  • Wird nun ein Metall in die Nähe der Spule- 2 und/nder in die Nähe der Spule 4 gebracht, so verliert die Brückenschaltung ihr Gleichgewicht, da sich die Güte der Spulen ändert.
  • Zwischen den Brückenpunkten 21 und 22 entsteht eine Spannungsdifferenz, die im Verstärker 20.verstärkt und.
  • in die Leitungen 23,24 eingespeist wird. Die'Schaltung schwingt, und am Ausgangsanschluß 25 kann eine Wechselspannung abgegriffen werden, deren Frequenz von der Wahl der Spulen 2, 4 und Kondensatoren 7,8 abhängt und die die Annäherung oder die Entfernung des Metalls anzeigt.
  • Es gibt verschiedene Möglichkeiten, wie die Änderung der Güte der Spule bei Annäherung eines Metalls durch die Brückenschaltung des Annänerungsschalters ausgenutzt werden kann: a) Eine durch Annäherung eines Metalls bereits verstimmte Brückenschaltung wird elektrisch durch die Widerstände 5,6 und durch entspr;8hend-es Verändern der 8RESazitäten der Kondensatoren 7,8 wieder ins ~ Gleichgewicht gebracht. Die Brückenschaltung k.ann dann erneut durch A > nes~zweiten Metalls verstimmt werden, so daß die so entstehende Wechselspannung am Ausgangsanschluß 25 weiterverar--eitet werden kann.
  • b) Eine zweite Möglichkeit besteht nun darin, die Brückenschaltung von vornherein mit Hilfe der Widerstände 5,6 und durch entsprechende Wahl der Kapazitäten der Kondensatoren 7,8 zu verstimmen. Durch Annähern von Metall an die Spulen kommt die Brückenschaltung in Gleichgewicht, das sie bei Annähern eines zweiten Metalls verliert. Wie bei der Mög-lichkeit (a) wird ein das Annähern des zweiten Metalls anzeigendes Ausgangssignal am Ausgangsanschluß 25 erhalten.
  • c) In einer weiteren Möglichkeit wird ausgenutzt, daß eine Spulen aufweisende -Brückenchaltung, die im Gleichgewicht ist, dieses verliert, wenn ihr ein erstes Metall angenähert wird. Bei Annäherung' eines zweiten Metalls mit zum ersten Metall entgegengesetzte '2Wirkungsrichtung" kann die Brückenschaltung dann wieder abgeglichen werden. Das erste Metall ist z. B. ein NE-Metall, w.ährend für das zweite Metall ein FE-Metall benutzt wird. Diese Möglichkeit ist allerdings etwas weniger vorteilhaft, da bei ihr nicht eine am Ausgangsanschluß 25 anliegende Wechselspannung, sondern vielmehr das Verschwinden einer solchen Wechselspannung ausgewertet werden muß.
  • d) Eine durch Annäherung eines Metalls bereits verstimmte Brückenschlatung wird elektrisch durch die Widerstände 5;6 und durch 9 echendes Verändern der Kapazitäten der Kondensatoren 7,8 wieder ins Gleichgewicht ge'bracht. Die''Brückenschaltung kann dann erheut durch Annähern eines zweiten Metalls verstimmt werden, so daß die so ents-mehnd'e~W-echselspannung am Ausgangsanschluß 25 weiterverarbeitet werden kann.
  • Eine derartige Phasenverschiebung ist aber am Aus--gangsanschluß 25 schwierig zu verarbeiten, wobei noch zu berü-cksichtigen ist, daß dann auch die Verstärkerschaltung aufwendiger gestaltet werden müßte.-Eine einfache Ver.stärkerschaltung mit lTransistoren wärevjedenfalls nicht ausreichend.
  • Bei allen obigen Möglichkeiten wird davon ausgegangen,-daß in der Praxis nur eine der beiden. Spulen stark durch das sich nähernde Metall beeinflußt wird, da allein schonyaus mechanischen Gründen eine Spule zimmer näher bei dem abzutastenden Metall ist. Um diese Wirkung noch zu verstärken, werden zweckmäßigerweise die beiden Spulen 2,4 magnetisch entkoppelt, d. h.s sie werden senkrecht zueinander angeordnet.
  • Es ist auch möglich, in der Schaltungsanordnung von Fig. 1 beispielsweise die Spule 2 wegzulassen und den Kondensator 8 durch einen Widerstand zu ersetzen. Ebenso könnte auch die Spule 4 weggelassen und der Kondensator 7 durch einen Widerstand ersetzt werden. Alle obigen Mögli,chkeiten (a) bis (d) lassen sich auch mit einem derartigen'Aufbau realisieren, Allerdings wäre eine -solche Brückenschaltung sehr temperaturempfindlich und müßte bei jeder Temperaturänderung wegen der unterschiedlichen Temperaturabhängigkeiten ihrer Bauelemente erneut abgeglichen werden. Das AusführungsbeispieL.von Fig. l-Lst praktisch nicht temperaturabhängig, da, wie aus Fig. 2 zu ersehen ist, die Spulen 2 und 4 und die Kondensatoren 7 und 8 elektrisch gleich und symmetrisch zueinander angeordnet sind.
  • Der Einfluß der Kondensatoren 7,8 auf die Güte- der Schaltung kann praktisch vernachlässigt werden., Im Ausführungsbeispiel von Fig. 1 liegt zwischen Basis und Emitter des Transistors 11 bei abgeglichener Brückenschal*-tung keine Spannungsdifferenz'an. Ist die Brückenschaltung dagegen nicht abgeglichen, so liegt abhängig von der Verstimmung der Brückenschaltung zwischen Basis und Emitter des Transistors 11 e'ine Spannungsdifferenz,die durch den Transistor 11 verstärkt ist ,und über dessen Arbeitswiderstand 10 abgegriffen werden kann. Die so gewonnene Wechselspannung wird der Auswerteeinheit 31 und gleichzeitig auch der Basis des Transistors 3 zugeführt, wo sie verstärkt und in die Brückenschlatung 'rückgekoppeit" wird.
  • Bei Annäherung eines abzutastenden Metalls wird die Brückenschaltung abhängig von den obigen Möglichkeiten ( a) bis (d) elektrisch abgeglichen oder verstimmt. Welche der Moglichkeiten (a) bis (d) vorliegt, wird zweckmäßigerweise durch entsprechende Wahl der Kondensatoren 7,8 und durch entsprechenden Abgleich bzw. durch entsprechende Verstimmung mittels der Widerstände 5,6 festgelegt.
  • Die Fig. 3 bis- 6 zeigen verschiedene Möglichkeiten, wi-e die Schaltungsanordnung-des Annäherungsschalters im Gehäuse 17 untergebracht werden kann. Im Fig. 3 besteht das gesamte.Gehäuse 17 aus Metall. Die Spulen 2,3 sind senkrecht zueinander auf einer Trägerplatte 39 für die Bauelemente der Schaltungsanordnung des Annäherungsschalters angebracht. Wenn die Brückenschaltung nach Unterbringung im Gehäuse 17 z. B- + Gleichgewicht ist, dann wird dieses bei Annäherung eines abzutastenden Metalls 40 gestört, so d « uswerteeinheit 31 ein entsprechendes. Signgeführt wird. In dem in Fig. 4 gezeigten Beispiel besteht das Gehäuse 17 aus Kunststoff und ist mit einer bletallkappe 41 versehen. Fig. 5 zeigt eine weitere Ausführungsform für das Gehäuse 17, das hier aus Kunststoff oder Metall bestehen kann, was auch für eine vor der Spule 2 angeordnete aktive Oberfläche 42 gilt. Zugleich die Metallkappe 41 sollte wie im Beispiel von Fig. 4 aus Metall hergestellt sein. Fig. 6 zeigt ein Beispiel wie ein entsprechend den Fig. 3 bis 5 gestalteter Annäherungsschalter hinter.einer Metallabdeckung oder -wand 3 angebracht werden kann.Wird der Näherungsschalter hinter einer solchen Metallwand eingesetzt, dann kann das gesamte Gehäuse 17 aus Kunststoff hergestellt sein und benötigt auch keine Metallkappe.
  • Die Fig. 7 und 8 zeigen ein weiteres Ausführungsbeispiel für die Brückenschatung,'wobei Fig. 7 das Ersatzschaltbild von Fig. 8 darstellt. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die Widerstände 5 und 6 des Ausführungsbeispiels von Fig. 1 weggelassen. Dafür sind ze.i Widerstände 28,29 zwischen dem Kollektor des Transistors 3 und der Spule 2 bzw. zwischen dem Emitter des Transistors 3 und der Spule 4 vorgesehen, um den Abgleich vornehmen zu können. Der Widerstand 28 liegt dabei in Reihe zur Spule 2 bzw. zum Realanteil 18, so daß der Realanteil '18 über diesen Widerstand 28 mit dem Brückenpunkt 21 verbunden ist (vgl. Fig. 7). Ebenso ist der Realanteil 19 der Spule 4 über einen Widerstand 29 (vgl. Fig. 8) mit dem Brückenpunkt 21 verbunden. Bei.dieser Ausführungsform liegen die Widerstandswerte der Widerstände 28,29 im Bereich von 10 -3 Ohm, was gegenüber den Widerständen 5, 6, die im Bereich von 103 Ohm seinönnen, ein Nachteil ist, da Widerstände mit so kleinen Widerstandswerten oftschwierig zu erhalten sind.
  • - Leerseite -

Claims (12)

  1. Patentansprüche () Annäherungsschalter mit einer Abtasteinheit (30) und einer Auswerteeinheit (31), die miteinander elektrisch in vorzugsweise einem Gehäuse (17) verbunden sind und von denen die Abtasteinheit (30) bei Annäherung eines Bedämpfungsmetalls (40) ein elektrisches Signal an die Auswerteeinheit (31) abzugeben vermag,dadurch gekennzeichnet, daß die AStasteinheit (30) eine Brückenschaltung mit mindestens einer in einem Brückenzweig liegenden Spule (2,4) aufweist, und daß das Gehäuse (17) wenigstens teilweise aus einem das Gleichgewicht der Brückenschaltung beeinflussenden Metall besteht bzw. mit einem solchen Metall versehen ist.
  2. 2. Annäherungsschalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß die Brückenschaltung aus zwei über die Emitter-Kollektor.-Strecke eines ersten Transist.ors (3-) in Reihe geschalteten Spulen (2,4), einem Siebkondensator (1) nd -zwei parallel zur Emitter-Kollektor-Strecke des ersten Transistors (3) liegenden und in Reihe geschalteten Kondensatoren (7,8) besteht.
  3. 3. Annäherungsschalter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t daß der Mittenabgriff der beiden Kondensatoren (7,8) an der Basis eines zweiten Transistors (11) liegt, dessen Kollektor einerseits direkt mit der Basis des ersten Transistors (3)'und über einen Vorspannwiderstand (9) mit dem Mittenabgriff der beiden Kondensatoren (7,8j und andererseits mit einem Arbeitswiderstand (10) verbunden ist, an dem das Ausgangssignal der Abtasteinheit (30) durch die Auswerteeinheit (31) abnehmbar ist.
  4. 4. Annäherungsschalter nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch g e k e n n z e i c h n e t ,~ daß>-para < zu jeder Spule (2,4) ein Widerstand (5,6) liegt. <
  5. 5. Annäherungsschalter nach einem der-Ansprüche 1 bis 3, dadurch g e k e n z e i c h n e t , darin Reihe zu den Spulen ('2,4) zwischen diesen und der Emi-tter-Kollektor-Strecke des ersten Transistors (3) jeweils ein Widerstand (28,29) liegt.
  6. 6. Annäherungsschalter nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch g e kenn ze ic hn et, daß der erste Transistor (3) und der zweite Transistor (11) npn-Transistoren sind, und daß der Emitter und der Kollektor des ersten Transistors (3) über die Spulen (4,2) mit einer negativen (-U) bzw.
    einer positiven Spannung (+U) beaufschlagbar sind.
  7. 7. Annäherungsschalter nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch g ek enn ze ic hn e t, daß der erste Transistor (3) und der zweite Transistor (11) pnp-Transistoren sind, und daß der Emitter und der Kollektor des ersten Transistors (3) über die Spulen (4,2) mit einer positiven (+U) bzw.
    einer negativen Spannung (-U) beaufschlagbar ist.
  8. 8. Annäherungsschalter nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Spulen (2,4) mit .Ihrer Spulenachse senkrecht zueinander ausgerichtet sind.
  9. 9. Annäherungsschalter nach einem der Ansprüche 1 bis 8 dadurch g e k e n n z e i c h n et , daß das aus Kunststoff besthende Gehäuse (17) eine Metallkappe (41) aufweist.
  10. 10. Annäherungsschalter nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch g eke n n zeic , daß das Gehäuse (17) mit einer aktiven Oberfläche (42) versehen ist, über der eine Metallkappe (41) angeordnet ist.
  11. 11. Annäherungsschalter nach einem der Ansprüche f bis 1.0.
    dadurch gekennzeichnet daß das Gehäuse (17) an einer Metallabdeckung (43) anbringbar ist.
  12. 12. Annäherungsschalter nach Anspruch 11, dadu.rch g e -.
    - k e n n z e i c h n e t, daß das Gehäuse (17) aus Kunststoff besteht.
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