DE3245315A1 - Positioniervorrichtung fuer halbleiterchips - Google Patents

Positioniervorrichtung fuer halbleiterchips

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DE3245315A1
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DE
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David R. 01801 Woburn Mass. Beaulieu
Adriaan Walther
Thomas D. 01720 Acton Mass. Wiseley
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049Technique, e.g. interferometric

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Control Of Position Or Direction (AREA)

Description

HOEGER, STECLR*ECiVr-&
PATENTANWÄLTE UHLANDSTRASSE 14 c D 7000 STUTTGART 1
A 45 407 b Anmelder: GCA Corporation
k - 176 20 9 Burlington Road
6. Dezember 1982 Bedford, Mass. 01730
USA
Positioniervorrichtung für Halbleiterchips
Die Erfindung betrifft eine Positioniervorrichtung zum. exakten Positionieren von Halbleiterchips unter Verwendung von Positioniermarken in Form von Fresnelzonenzielen·an den Chips, mit elektrisch steuerbaren Positioniereinrichtungen zum Einstellen der Position des Chips, mit fotoelektrischen Detektoreinrichtungen, mit Projektionseinrichtungen zum Projizieren kohärenten Lichts auf die Positioniermarken und zum Erzeugen entsprechender Punktbilder, mit Auswerteeinrichtungen zum Auswerten des von den Positioniermarken gestreuten Lichts und zum Projizieren der Punktbilder auf die fotoelektrischen Detektoreinrichtungen zur Gewinnung von DetektorausgangsSignalen, weiche jeweils der Lage eines projezierten Punktbildes bezüglich des Detektors entsprechen und den Positioniereinrichtungen zuführbar sind, um eine Zentrierung des jeweiligen Punktbildes bezüglich der Detektoreinrichtungen zu erreichen.
Bei der Herstellung integrierter Schaltungen ist es typischerweise erforderlich, unter Anwendung fotolithografischer Prozesse auf einem Halbleiterchip eine Folge von Mustern zu erzeugen. Diese Muster
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müssen dabei so erzeugt werden, daß sie exakt miteinander fluchten. Da sich die Technik bei der Herstellung integrierter Schaltungen stetig in Richtung einer höheren Schaltkreisdichte bewegt, wodurch eine zunehmend exaktere Auflösung der einzelnen Linien und Muster erforderlich wird, haben sich die Anforderungen an die exakte gegenseitige Ausrichtung von nacheinander auf die Oberfläche des Halbleiterchips zu projizierenden Mustern entsprechend verschärft.
Es wurde bereits vorgeschlagen, die gegenseitige Ausrichtung der nacheinander auf fotolithografischem Wege zu erzeugenden Muster dadurch zu verbessern, daß man auf der Oberfläche des Halbleiterchips eine Positioniermarke anbringt, welche als ein Fresnelzonenziel ausgebildet ist. Ein derartiges Ziel kann als eine Art von Beugungslinse arbeiten und Beugungsbilder brauchbarer Helligkeit erzeugen. Ein derartiges Ausrichtsystem bzw. eine solche Positioniervorrichtung ist beispielsweise in der US-PS 4 037 969 beschrieben. Bei dem dort beschriebenen System wird das Fresnelzonenziel mit kohärentem Licht ausgeleuchtet, und das resultierende Punktbild, welches über der Chip-Oberfläche gebildet wird, wird auf einem Fotodetektor abgebildet. Die von dem Fotodetektor erzeugten Signale steuern bzw. regeln die gegenseitige Lage eines Halbleiterchips und eines Musters bzw. einer Maske oder eines "Gitters", welches auf den Chip zu projizieren ist. Das bekannte System arbeitet unter gewissen Umständen mit hoher Präzision. Es wurde jedoch fest-
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gestellt, daß das System für eine gewisse Schräglage der Chip-Oberfläche gegenüber einer definierten Ebene außerordentlich empfindlich ist. und daß überdies ganz offenbar eine Anzahl.von Ursachen vorhanden ist, die zumindest örtlich zu Oberflächenbereichen des Chips führen, die gegenüber einer Bezugsebene geneigt sind. Speziell ergeben sich die Probleme aufgrund der Tatsache/daß eine Neigung des Fresnelzonenziels zu einer Verlagerung des Punktbildes führt, die bei dem bekannten System nicht von einer Verlagerung des Punktbildes aufgrund einer ungenauen Positionierung des Chips unterschieden werden kann.
Ausgehend vom Stande der Technik und der vorstehend aufgezeigten Problematik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine verbesserte Positioniervorrichtung anzugeben, mit deren Hilfe ein Halbleiterchip während seiner Herstellung auch dann sehr exakt positioniert werden kann, wenn seine Oberfläche zumindest bereichsweise gegenüber einer liezugsebene geneigt ist. Dabei wird gleichzeitig angestrebt, daß die Positioniervorrichtung einerseits zuverlässig arbeitet und andererseits relativ einfach und billig aufgebaut ist.
Diese Aufgabe wird bei einer Positioniervorrichtung der eingangs beschriebenen Art gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß die Auswerteeinrichtungen derart ausgebildet sind, daß mit ihrer Hilfe das reelle und das virtuelle Punktbild des Fresnelzonenziels mit
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jeweils einer 'zugeordneten Detektoreinrichtung auswertbar sind und daß die Positioniereinrichtungen derart steuerbar bzw. regelbar sind, daß der Halbleiterchip in eine Lage bringbar ist, in der die Fehlerkomponenten der von den Detektoreinrichtungen erzeugten Ausgangssignale einander entgegengesetzt gleich sind.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform einer Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung ist an der Oberfläche · des zu positionierenden Halbleiterchips eine Marke in Form eines Fresnelzonenziels vorgesehen, welches mit kohärentem Licht ausgeleuchtet wird, um auf diese Weise durch Beugung entsprechende Punktbilder erster Ordnung oberhalb und unterhalb der Chip-Oberfläche zu erhalten. Die auf diese Weise erhaltenen Punktbilder werden mit annähernd gleicher Vergrößerung jeweils auf zugeordnete fotoelektrische Detektoreinrichtuhgen abgebildet, um auf diese Weise an jedem der Detektoren ein Ausgangssignal zu erhalten, welches eine Fehlerkomponente enthält, die anzeigt, welche relative Lage (bezüglich des Detektors) das nach hinten zurückübertragene Punktbild einnimmt. Die Position des Halbleiterchips wird dann in Abhängigkeit von der Summe der von den Detektoreinrichtungen erzeugten Signale so gesteuert bzw. geregelt, daß eine Position gefunden wird, in der die Fehlerkomponenten der Signale entgegengesetzt gleich sind. Da eine Schrägstellung zu Fehlerkomponenten führt, die einander entgegengesetzt sind, während eine Abweichung der Lage des Chips bzw. des Ziels
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von der Soll-Stellung zu sich summierenden Signalkomponenten führt, werden die Positionierungsfehler aufgrund einer örtlichen Schräglage auf ein Minimum reduziert.
Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung werden nachstehend anhand von Zeichnungen noch näher erläutert. Es zeigen: ■"".."■ .
Fig. 1 eine schematisierte Darstellung zur Erläuterung des Betriebes einer bevorzugten Ausführungsform einer Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung;
Fig. 2 eine Draufsicht auf ein Fresnel-.zonenzielmuster, wie es bei einer Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung mit Vorteil verwendet werden kann, wenn es an der Oberfläche eines Halbleiterchips vorgesehen ist;
FLg. 3 eine perspektivische, schematische Darstellung einer weiteren bevorzugten Ausführungsform einer Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung zur Verwendung in Verbindung mit einem handelsüblichen Halbleiterbelichtungssystem;
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Fig. 4 und schematische Darstellungen zur Fig. 5 Erläuterung der Lage des reellen
und des virtuellen Punktbildes erster Ordnung an einem Fresnelzonenziel bei zu einer Bezugsebene paralleler Chip-Oberfläche und bei gegenüber der Bezugsebene schräg gestellter bzw. gekippter Chip-Oberfläche.
Im einzelnen zeigt Fig. 1 eine erfindungsgemäße Posi- ' tioniervorrichtung in Verbindung mit einem Abbildungsund Projektionssystem zum Erzeugen von Mustern auf einem Halbleiterchip. Der zu belichtende Chip 11 ist angrenzend an eine Hauptbildlinse 13 des Projektionssystems angeordnet, mit deren Hilfe auf einem ausgewählten Teil der Chipoberfläche ein Abbild einer Maske bzw. eines Gitters 15 erzeugbar ist. Bei der gezeigten Projektionsvorrichtung soll es sich um eine sogenannte Step and Repeat-Projektionsvorrichtung handeln, bei der ein Abbild des Gitters 15 in einem sich wiederholenden Muster projiziert wird, welches die Oberfläche des Chips 11 bedeckt.
Jeder Projektionsstelle auf dem Chip 11 ist ein Fresnelzonenziel 17 zugeordnet, wobei zu beachten ist, daß die· Größe des Ziels 17 in Fig. 1 zur Verdeutlichung stark übertrieben dargestellt ist und daß in der Praxis der· Gesamtdurchmesser des Ziels in der Größenordnung von 50 um liegt.
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Ein geeignetes Muster für das Ziel 17 ist in Fig. 2 gezeigt.Wie der Fachmann.sieht, würde ein solches Ziel typischerweise als Bestandteil des ersten Gesamtmusters auf der Oberfläche des Chips ausgebildet, und zwar derart, daß es während der aufeinanderfolgenden Schritte bei der Herstellung einer integrierte^ Schaltung an der Oberfläche des Halbleiterchips als Bezugsbzw. Referenzmuster benutzt werden kann. Vorzugsweise sind die Fresnelzonenmuster 17 außerhalb des Bereichs der Chip-Oberfläche vorgesehen, in dem die integrierten Schaltkreise hergestellt werden sollen, beispielsweise in den Gassen für die Ritzlinien,längs welcher die einzelnen integrierten Schaltungen, die auf dem Chip hergestellt werden, voneinander getrennt werden.
Wie Fig. 1 zeigt, ist zum Beleuchten des Fresnelzonenziels 17 mit kohärentem Licht ein Helium-Neon-Laser 21 vorgesehen. Vorzugsweise wird ein Laser 21 des Typs vorgesehen, der in einem einzigen Schwingungsmode polarisiertes Licht mit einer Wellenlänge erzepgt, die deutlich von der. Wellenlänge des Lichts verschieden ist, welches zum Belichten des mit einer fotoempfindlichen Schicht bedeckten Chips verwendet wird. Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird zum Belichten der Chip-Oberfläche über die Maske bzw. das Gitter 15 mit Licht gearbeitet, welches eine Wellenlänge von 436 nm besitzt/ während der Laser 21 mit einer Wellenlänge von 633 nm arbeitet.
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Das Licht wird vom Laser 21 über eine polarisierende Aufspaltvorrichtung 23 zum Aufspalten des Laserstrahls und über ein .X/4-Plättchen 25 auf einen Spiegel 27 gerichtet, welcher an einer Seitenkante des Gitters angeordnet ist. Der Spiegel 27 lenkt den Laserlichtstrahl (Teilstrahl) über die Hauptprojektionslinse im Bereich des Fresnelzonenziels 17 auf die Oberfläche des Halbleiterchips 11. Durch die Beugung des einfallenden kohärenten Lichts durch das Fresnelzonenziel 17 werden zwei Punktbilder erzeugt, nämlich ein reelles Bild PA oberhalb der Chip-Oberfläche und ein virtuelles Bild PB unterhalb der Oberfläche des Halbleiterchips 11. Mindestens ein Teil des durch das Fresnelzonenziel 17 gebeugten Lichts wird von der Projektionslinse 13 gesammelt, und die Punktbilder PA und PB .werden in dem optischen System wieder abgebildet.
Wie der Fachmann sieht, ist die Projektionslinse 13 hinsichtlich der für die Belichtung der fotoempfindlichen Schicht verwendeten Wellenlänge mit hoher Genauigkeit korrigiert, während ihre Brennweite für andere Wellenlängen, deutlich von der Brennweite für die Belichtungswellenlänge verschieden sein kann. Bezüglich des betrachteten Beispiels wird angenommen, daß die Wellenlänge des Laserlichts deutlich größer ist als die Wellenlänge des für die Belichtung verwendeten Lichts, so daß die wieder abgebildeten Punktbilder außerhalb der Projektionssäulen auftreten. Diese wieder abgebildeten Punktbilder sind mit PA1 bzw. PB' bezeichnet.
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Wie der Fachmann sieht, ist derjenige Teil des Laserlichts, der von der Chip-Oberfläche zurückgestreut wird und durch die Linse 13 zum Spiegel 27 zurückkehrt, nach erneutem Passieren des X/4-Plättchens so polarisiert, daß der überwiegende Teil des reflektierten Lichts den polarisierten Strahlteiler 23 geradewegs passiert anstatt zum Laser 21 umgelenkt zu werden.
Eine sogenannte Relaislinse 31 lenkt das Licht von den Punktbildern PA1 und PB1 zu einem weiteren Strahlteiler 33. Der Abstand zwischen dem erneut bzw. nach hinten abgebildeten Punktbild PA' und der Linse 31 ■ ist dabei so gewählt, daß -er etwa gleich der Brenn-, weite der Linse 31 ist, so daß das in den zweiten Strahlteiler 33 eintretende, von dem Punktabbild PA' stammende Licht im wesentlichen kollimiert ist. Derjenige Teil dieses Lichts, der vom Strahlteiler 33 nach unten gerichtet wird, wird erneut gebündelt (Linse 35), um ein neues Punktbild PA" zu erhalten. Dieses Punktbild PA" wird wiederum mittels einer Linse 37 auf einen fotoelektrischen Quadranten-Detektor 41 abgebildet.
Die Brennweite der Linse 37 wird so gewählt, daß sich eine zusätzliche Vergrößerung von etwa 10:1 ergibt, so daß man eine Gesamtvergrößerung einschließlich der durch die Hauptprojektiorislinse 13 bewirkten Vergrößerung von etwa 100:1 erhält. Hiermit besitzt man aber bezüglich einer seitlichen Bewegung des Fresnelzonenziels 17 eine wirksame Vergrößerung.
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Die Linse 31 bewirkt nicht, daß das Licht, welches von dem nach hinten abgebildeten Punktbild PB1 kollimiert wird, sondern sorgt stattdessen wirksam dafür, daß dieses Licht erneut fokusiert wird* so daß sich ein weiteres Punktabbild PB" ergibt, wobei der Strahlengang hinter dem Strahlteiler 33 mit Hilfe eines Spiegels 39 nach unten gelenkt wird. Das Punktbild PB" wird dann wieder mittels einer Linse 38 auf einen ' fotoelektrischen Quadranten-Detektor 43 abgebildet. Dabei wird die Brennweite der Linse 38 bezüglich der Brennweite der Linse 31 so gewählt, daß die am Detektor 43 erreichte Gesamtvergrößerung im wesentlichen gleich der Gesamtvergrößerung am Detektor 41 ist. Eine genau gleiche Vergrößerung ist jedoch nicht nötig, da die Empfindlichkeiten der beiden fotoelektrischen Quadranten-Detektoren 41, 43 bezüglich der seitlichen Bewegung des Chips,vorzugsweise während der nachfolgenden Signalverarbeitung, aneinander angepasst werden.
Das optische System wird so justiert, daß die Abbildungen der Punktbilder PA und PB bezüglich der betreffenden Detektoren 41 bzw. 43 zentriert sind, solange die Chip-Oberfläche keine Schräglage einnimmt. Wie der Fachmann sieht, sind die Quadranten-Detektoren 41 und 43 Einrichtungen, welche vier fotoelektrische Detektoren, d.h. Fotodioden,umfassen und welche folglich feststellen können, wann sich ein Punkt bezüglich zweier zueinander senkrechter. Achsen von dem Mittelpunkt entfernt. Die Ausgangssignale der beiden
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fotoelektrischen Quadranten-Detektoren 41 und 43 werden an eine geeignete Summier- und Servoelektronik 45 angelegt, welche der X-Achse und deir Y-Achse zugeordnete Mikro-Positioniereinrichtungen antreibt, um die Position des Chips 11 bezüglich des Projektionssystems zu regeln. In Fig. 1 ist die X-Achsen-Mikro-Positioniervorrichtung als Block 47 dargestellt. Die Y-Achsen-Mikro-Positioniervorrichtung ist in der Zeichnung nicht ge-· zeigt. Es versteht sich jedoch, daß diese so orien-. tiert ist, daß mit ihrer Hilfe eine sehr feine Positionierung des Chips 11 längs einer zur X-Achse senkrechten Achse erfolgen kann.. Wenn der Chip 11, obwohl er absolut flach ist, seitlich verschoben wird, dann werden die Abbildungen der Punktbilder PA, PB bezüglich der zugeordneten fotoelektrischen Quadranten-Detektoren 41 bzw. 43 in derselben Richtung verschoben. Folglich liefern die von den beiden Detektoren 41, 43· erhaltenen Signale eine Information, welche als ein Fehlersignal für die Positionierung ausgewertet werden kann. Es versteht sich, daß die Summier- und Servoelektronik 45 analog oder digital arbeiten kann und daß sie, wenn sie digital arbeitet, als Teil des Rechner-Steuersystems ausgebildet werden kann, welches bei Einrichtungen der betrachteten Art in zunehmendem Umfang Verwendung findet.
Bei der praktischen Realisierung der vorliegenden Erfindung wird ein Signal, welches die Summe der beiden Detektor-Ausgangssignale darstellt, zum Regeln bzw.
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6. Dezember 1982
Steuern der Chip-Position ausgewertet. Wie Fig. 4 zeigt, bewegen sich bei einer Verschiebung des Chips 11 nach rechts die Punktabbilder PA und PB erster Ordnung beide nach rechts, d.h. sie bewegen sich beide bezüglich der angestrebten Soll-Position in dieselbe Richtung. Man sieht also, daß es zweckmäßig ist, die Summe der beiden Ausgangssignale: der beiden Fotodetektoren auszuwerten, die. auf die Verschiebungen der übertragenen bzw. nach hinten abgebildeten Punktbilder ansprechen. Andererseits wird bei einem Kippen der Chip-Oberfläche (ohne eine überlagerte Verschiebung des Chips) gemäß Fig. 5 eine Bewegung des reellen Bildes PA .(oberhalb der Chip-Oberfläche) nach links und eine Bewegung des virtuellen Bildes PB (unterhalb der Chip-Oberfläche) nach rechts bewirkt. Man sieht also, daß dann, wenn nur das reelle Bild für die Positionskontrolle in einem Servosystem verwendet würde, ein Fehlersignal erhalten würde, welches zwar ausreichen würde, um das reelle Bild in die Soll-Position zu bringen, wobei jedoch nicht gewährleistet wäre, daß tatsächlich eine Zentrierung des Fresnelzonenziels 17 bezüglich der Soll-Position erreicht würde. Da sich jedoch bei einer Schräglage der Chip-Oberfläche das virtuelle Bild unterhalb der Chip-Oberfläche in die entgegengesetzte Richtung bewegt, ist ein Servo-Fehlersignal, welches auf die Summe der Detektorsignale anspricht, bei entsprechender Bewichtung derselben unempfindlich gegenüber einer leichten Schräglage der Chip-Oberfläche,spricht jedoch auf eine seitliche Verschiebung des Fresnelzonenziels gegenüber der Soll-Position an.
BAD ORIGINAL
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6. Dezember 1982
Wenn das kohärente Licht, welches auf das Fresnelzonenziel fällt, kollimiert ist, dann ist die Höhe des reellen Punktbildes PA über der Chip-Oberfläche gleich dem Abstand des virtuellen Punktbildes PB von der Rückseite der .Chip-Oberfläche, so daß die. seitlichen-Bewegungen der Punktbilder PA, PB bei einem Kippen des Chips zueinander entgegengesetzt gleich sind.. Diese Gleichheit ist jedoch erfindungsgemäß nicht unbedingt erforderlich, da die Ansprechempfindlichkeiten der beiden Detektoren typischerweise aus anderen Gründen normiert werden und da dieselbe Normierung bzw. Angleichung auch die verschiedenen senkrechten Abstände der Punktbilder von der Ebene des Fresnelzonenziels berücksichtigen kann. Tatsächlich ist beim betrachteten Ausführungsbeispiel das am Ziel einfallende kohärente Licht wegen des Vorhandenseins der Hauptprojektionslinse 13 nicht kollimiert. Dieser Effekt könnte zwar dadurch neutralisiert werden, daß man den Laserstrahl vor dem Eintreten in die Projektianssäule durch eine Kompensationslinse hindurchtreten lässt; es besteht jedoch praktisch kein Grund, das System auf diese Weise noch komplizierter zu gestalten, da eine kompensierende EmpfindlichkeitsJustierung in Verbindung mit der Normierung der Ausgangssignale der Fotodetektoren, erfolgen kann.
Fig. 3 zeigt ein praktisches Ausführungsbeispiel eines Systems gemäß der Erfindung mit einem schrittweise arbeitenden (Step and Repeat), mikrolithografischen Abbildungssystem, wie es beispielsweise von der
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Burlington Division der GCA Corporation, Bedford> Massachusetts, unter der Modellbezeichnung 4800 hergestellt und vertrieben wird. Bei diesem kommerziellen System erfolgt die Projektion des Gitters 15 auf den Chip 11 mit einer Vergrößerung von 10:1. Bei der Anordnung gemäß Fig..3 wird der Laserstrahl des Lasers 21 mittels zweier Spiegel 61 und 63 umgelenkt, ehe er in den polarisierenden Strahlteiler 23 eintritt. Außerdem wird hinter dem -X/4-Plättchen 25 ein zusätzlicher Spiegel 65 verwendet, um den Laserstrahl nach oben gegen den Spiegel 27 zu lenken, der angrenzend an das Gitter 15 montiert ist. Die zurückkehrende bzw. reflektierte Strahlung wird nach dem· Austreten aus dem Strahlteiler 23 mit Hilfe von Spiegeln 67 und 69, die auf gegenüberliegenden Seiten der Linse 31 angeordnet sind, umgelenkt. Im übrigen ist das System im wesentlichen ebenso aufgebaut wie das System gemäß Fig. T, mit dem Unterschied, daß die Linse 38 im Strahlengang vor dem Spiegel 39 angeordnet ist und nicht hinter demselben. Beim realisierten Ausführungsbeispiel hatten die verschiedenen Linsen .· die in der nachstehenden Tabelle angegebenen Brennweiten:
Linse Brennweite
15 49 /1 mm
31 40 mm
35 10 mm
37 1 ,6 mm
38 10 mm«
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Aus der vorstehenden Beschreibung wird deutlich, daß die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe gelöst wird und daß zusätzlich verschiedene Vorteile erreicht werden.
Außerdem ist darauf hinzuweisen, daß dem Fachmann, ausgehend von den beschriebenen Ausführungsbeispielen, zahlreiche Möglichkeiten für Änderungen und/oder Ergänzungen zu Gebote stehen, ohne daß er dabei den Grundgedanken der Erfindung verlassen müsste.

Claims (3)

  1. HOEGER, STEULREOHT.& PARTNER
    PATENTANWÄLTE UHLANDSTRASSE 1Δ c ■ D 7ΟΟΟ STUTTGART 1
    A 45 407 b Anmelder: GCA Corporation k - 176 209 Burlington Road
    6. Dezember 1982 . Bedford, Mass. 01730
    USA
    Patentansprüche
    π .J Vorrichtung zum exakten Positionieren von HaIbleiterchips unter Verwendung von Positioniermarken in Form von Fresnelzonenzielen an den Chips, mit elektrisch steuerbaren Positioniereinrichtungen zum Einstellen der Position des Chips, mit fotoelektrischen Detektoreinrichtungen, mit Projektionseinrichtungen zum Projizieren kohärenten . ■ Lichts auf die Positioniermarken und zum Erzeugen entsprechender Punktbilder, mit Auswerteeinrichtungen zum Auswerten des von den Positioniermarken gestreuten Lichts und zum Projizieren der Punktbilder auf die fotoelektrischen Detektoreinrichtungen zur Gewinnung von Detektorausgangssignalen, welche jweils der Lage eines projezierten Punktbildes bezüglich des Detektors entsprechen und den Positioniereinrichtungen zuführbar sind, um eine Zentrierung des jeweiligen Punktbildes bezüglich der Detektoreinrichtungen zu erreichen, dadurch gekennzeichnet, daß die Auswerteeinrichtungen (41, 43, 45) derart ausgebildet sind, daß mit ihrer Hilfe das reelle und das virtuelle Punktbild (PA bzw. PB)
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    des Fresnelzonenziels (17) mit jeweils einer zugeordneten Detektoreinrichtung (41, 43) auswertbar sind und daß die Positioniereinrichtungen (45, 47) derart steuerbar bzw. regelbar sind, daß der Halbleiterchip (11) in eine Lage bringbar ist, in .der die Fehlerkomponenten der von den Detektoreinrichtungen (41, 4 3) erzeugten Ausgangssignale einander entgegengesetzt gleich sind.
  2. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Positioniereinrichtungen zwei elektrisch steuerbare Positioniereinrichtungen (47) umfassen, mit deren Hilfe die Lage des Halbleiterchips (11) bezüglich der Projektionseinrichtungen (13, 21 bis 27) längs zweier quer zueinander verlaufender Achsen (X, Y) justierbar sind.
  3. 3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Detektoreinrichtungen als 4 Quadranten-Detektor (41, 43) ausgebildet ist.
    4; Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Auswerteeinrichtungen (41, 43, 45) derart ausgebildet sind, daß die Positioniereinrichtungen (47) in. Abhängigkeit von einem die Ausgangssignale beider Detektoreinrichtungen (41, 43) berücksichtigenden Summensignal steuerbar sind.
DE19823245315 1981-12-14 1982-12-08 Positioniervorrichtung fuer halbleiterchips Withdrawn DE3245315A1 (de)

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DE19823245315 Withdrawn DE3245315A1 (de) 1981-12-14 1982-12-08 Positioniervorrichtung fuer halbleiterchips

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FR2518255A1 (fr) 1983-06-17
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