DE3229437C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Brückenendstufe gemäß Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Diese ist in Fernsprechteilnehmergeräten sowie elektro­ medizischen Geräten für Hörgeschädigte verwendbar, um einen elektroakustischen Wandler zu steuern.

Die Endstufe eines Empfangsverstärkers für ein Fernsprechteilnehmergerät muß bei einer Veränderung des Signals eine exakt konstante Stromaufnahme haben.

Die Anschlüsse einer Telefon-Zweidrahtleitung, mit denen das Gerät verbunden ist, sind gleichzeitig die Versorgungsanschlüsse für dieses Gerät und die Aus­ gangsanschlüsse für das Signal, das das Gerät übertragen muß, so daß Veränderungen in der Stromaufnahme des Empfangsverstärkers irrtümlich als Signaländerungen erfaßt würden.

Die Endstufe eines Empfangsverstärkers, der an eine Telefon-Zweidrahtleitung mit niedriger Speisespannung angeschlossen ist, muß außerdem eine niedrige Strom­ aufnahme sowie einen niedrigen "Spannungsverlust" haben, welcher bei normalen Betriebsbedingungen als Differenz zwischen der an den Anschlüssen der Leitung anliegenden Spannung und der resultierenden Spannung an den Anschlüssen der Endstufe, an die der elektro­ akustischen Wandler angeschlossen wird, definiert ist.

Einem geringeren Spannungsverlust der Endstufe ent­ spricht eine kleinere Begrenzung der dynamischen Aus­ lenkung des verstärkten Signals.

In der Fernsprechtechnik ist es jedoch wichtig, die Stromaufnahme möglichst zu minimieren, auch wenn da­ bei der Spannungsverlust leicht vergrößert wird.

Bei gleicher Stromaufnahme sind die Endstufen für Tonfrequenz-Empfangsverstärker, die die beste dyna­ mische Auslenkung des Signals bieten, die Endstufen mit einer Brückenschaltung.

Eine Brückenendstufe des Standes der Technik für Tonfrequenz-Empfangsverstärker, die monolithisch integriert werden kann und beispielsweise für den Fernsprechverkehr verwendbar ist, weist, wie Fig. 1 zeigt, eine Brückenschaltung auf, die aus einem Paar Konstantstromquellen A 1 und A 3 und aus einem Paar bipolarer npn-Transistoren T 2 und T 4 besteht.

Der Kollektor von T 2 und der Kollektor von T 4, mit denen im Punkt A der erste Anschluß bzw. im Punkt B der zweite Anschluß eines elektroakustischen Wandlers TR verbunden ist, sind über die Konstantstromquelle A 1 bzw. die Konstantstrom­ quelle A 3 an den positiven Pol +VCC einer Speise­ spannungsquelle angeschlossen.

Die Emitter von T 2 und T 4 sind an den negativen Pol -VCC der Speisespannungsquelle angeschlossen.

Die Basen von T 2 und T 4 sind mit den Emittern von zwei bipolaren npn-Transistoren T 12 bzw. T 14 verbunden, die T 2 und T 4 steuern; außerden sind sie mit dem negativen Pol von -VCC der Speisespannungsquelle über einen Wider­ stand R 2 bzw. R 4 verbunden.

Die Kollektoren von T 12 und T 14 sind an +VCC angeschlossen, während die Basen von T 12 und T 14 mit einer nicht gezeigten Signalquelle verbunden sind, welche diese Transistoren in Gegenphase steuert.

Die Stromaufnahme einer derartigen Brückenendstufe ist konstant und auch bei fehlendem Signal gleich der Summe der von den Konstantstromquellen A 1 und A 3 aufgeprägten Ströme.

Üblicherweise bestehen die Konstantstromquellen A 1 und A 3 aus bipolaren pnp-Transistoren, die im aktiven Bereich arbeiten und deren Emitter an +VCC und deren Kollektoren an den Kollektor von T 2 bzw. von T 4 angeschlossen sind, so daß der Gesamtspannungsverlust dieser bekannten Endstufe gleich der Summe der Kollektor-Emitter-Spannung eines npn- Transistors T 2 oder T 4 im Sättigungszustand (V _{CE sat} ) und der Kollektor-Emitter-Spannung eines pnp-Transistors A 1 oder A 3 im Sättigungszustand (V _{CE sat} ) an der Grenze des aktiven Bereichs ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine monolithisch integrierbare Brückenendstufe mit signalunabhängigem kon­ stantem Stromverbrauch für einen Tonfrequenz-Empfangsverstär­ ker für niedrige Versorgungsspannung zu schaffen, die eine geringere Stromaufnahme als die bekannten Brücken­ endstufen und einen im wesentlichen gleichen Spannungs­ verlust hat.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch das Kenn­ zeichen des Anspruchs 1 gelöst.

Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Brückenendstufen mit einer zu treibenden Last in einer Brückendiagonalen, bei denen die Schaltungselemente in allen vier Brückenzweigen gesteuert werden, sind an sich bekannt.

In der US-PS 33 32 029 ist eine Brückenschaltung beschrie­ ben, bei welcher jeder Brückenseite ein Treibertransistor zugeordnet ist, wobei jeder Treibertransistor einen auf der Masseseite der Brücke liegenden Brückentransistor und, über einen Steuertransistor, den anderen auf der selben Brücken­ seite befindlichen Brückentransistor steuert. Die Basis­ anschlüsse der beiden Treibertransistoren bilden die Ein­ gänge der Brückenschaltung und werden von einer Signalquelle gegenphasig angesteuert. Befinden sich beide Signalanschlüsse der Brückenschaltung auf Massepotential, sind sämtliche Transistoren nichtleitend. Eine konstante Stromaufnahme un­ abhängig von dem Eingangssignal wird somit bei dieser bekannten Brückenschaltung nicht erreicht.

Aus der DE-OS 11 89 589 ist eine Brückenendstufe für eine in die Brückendiagonale geschaltete Last bekannt, bei der die beiden Brückenseiten je durch eine Gegentakt-Endstufe ge­ bildet sind, die im B-Betrieb arbeiten. Bei einem Eingangs­ signal Null sind alle Brückentransistoren gesperrt, so daß kein Strom fließt. Die Bedeutung, daß die Stromaufnahme vom Eingangssignal unabhängig ist und auch bei fehlendem Signal konstant bleibt, ist durch diese bekannte Brückenendstufe somit ebenfalls nicht erfüllt.

Aus der DE-AS 24 24 813 ist eine Brücken-Gegentaktschaltung bekannt, bei der die Brückentransistoren je durch einen Ver­ bundtransistor gebildet sind und die einzelnen Verbund­ transistoren der Brückenschaltung von einem Phasenteilerver­ stärker gegenphasig angesteuert werden.

Die Verbundtransistoren dieser Brückenschaltung arbeiten ebenfalls im B-Betrieb. Um zu verhindern, daß Ausgangs­ spannungsschwankungen, die auf Symmetrierungsvorgängen in der Schaltung beruhen, auf die zu treibende Last gelangen, sind zwei Differenzverstärker-Gegenkopplungsschaltungen vorgesehen, deren Eingänge beidseits der in die Brücken­ diagonale eingeschalteten Last angeschlossen sind und von denen auf einer auf den Phasenteilerverstärker und der andere auf die vor dem Phasenteilerverstärker befindliche Eingangs­ verstärkerstufe einwirkt.

Die Erfindung ist nachstehend an einem Ausführungs­ beispiel erläutert, das in der Zeichnung dargestellt ist. Es zeigt

Fig. 1 das bereits erläuterte Schaltschema einer bekannten Brückenendstufe für einen Ton­ frequenz-Empfangsverstärker und

Fig. 2 eine Brückenendstufe gemäß der Erfindung.

In den beiden Figuren werden für einander entsprechende Bauteile dieselben Bezugszeichen verwendet.

Die Schaltung der in Fig. 2 gezeigten Brückenend­ stufe gemäß der Erfindung für einen Tonfrequenz-Empfangs­ verstärker hat ein Paar bipolarer pnp-Transistoren T 1 und T 3 sowie ein Paar bipolarer npn-Transistoren T 2 und T 4.

Die Kollektoren von T 1 und T 3 sind mit den Kol­ lektoren von T 2 und T 4 verbunden, wodurch ein An­ schlußpaar A und B entsteht, mit dessen Anschlüssen der erste bzw. der zweite Anschluß eines elektro­ akustischen Wandlers TR verbunden ist.

Die Emitter von T 1 ist mit dem Emitter von T 3 ver­ bunden, und der dadurch entstehende Verbindungspunkt ist über einen Widerstand RE mit dem positiven Pol +VCC einer Speisespannungsquelle und außerdem mit dem Emitter eines bipolaren pnp-Transistors T 7 verbunden, dessen Basis mit dessen Kollektor kurz­ geschlossen ist, welcher seinerseits über eine Konstantstromquelle A 2 an den negativen Pol -VCC der Speisespannungsquelle angeschlossen ist.

Die Emitter von T 2 und T 4 sind direkt an den negativen Pol -VCC angeschlossen.

Die Basis von T 2 ist mit dem Emitter eines bipolaren npn-Transistors T 12 sowie über einen Widerstand R 2 mit -VCC verbunden.

Die Basis von T 4 ist mit dem Emitter eines bipolaren npn-Transistors T 14 sowie über einen Widerstand R 4 mit -VCC verbunden.

Die Kollektoren von T 12 und T 14 sind an +VCC ange­ schlossen.

Die Basen von T 12 und T 14 sind an eine nicht ge­ zeigte Signalquelle angeschlossen, die diese Tran­ sistoren in Gegenphase steuert.

Die in Fig. 2 gezeigte Schaltung hat auch ein Paar bipolarer npn-Transistoren T 5 und T 6, deren Basen ebenfalls an die Signalquelle angeschlossen sind, welche diese Transistoren in Gegenphase zueinander und phasengleich mit T 12 und T 14 steuert.

Die Emitter von T 5 und T 6 sind beide über dieselbe Konstantstromquelle A 1 mit -VCC verbunden.

Der Kollektor von T 5 ist am Verbindungspunkt E mit der Basis von T 3 verbunden, während der Kollektor von T 6 am Verbindungspunkt F mit der Basis von T 1 verbunden ist. Die Verbindungspunkte E und F sind über einen Widerstand R 3 bzw. über einen Widerstand R 1 mit dem Kollektor eines bipolaren pnp-Transistors T 8 verbunden, dessen Emitter über einen Widerstand R 8 an +VCC angeschlossen ist.

Die Basis von T 8 ist direkt mit dem Kollektor von T 7 verbunden.

Nachfolgend wird die Wirkungsweise der in Fig. 2 gezeigten Schaltung erläutert.

Der Kollektorstrom des Transistors T 8, der abzüglich der Basisströme von T 1 und T 3 durch die Transistoren T 5 und T 6 fließt, wird durch die Konstantstrom­ quelle A 1 aufgeprägt und ist konstant.

Damit ist auch der Emitterstrom von T 8 konstant, der damit am Widerstand R 8 einen konstanten Span­ nungsabfall V _{R 8} bestimmt.

Es gilt

Wenn mit bekannten Mitteln (beispielsweise dadurch, daß die Konsantstromquellen A 1 und A 2 gleich ausgelegt sind) gleiche Basis-Emitter-Spannungen V _{BE T₇} an T₇ und V _{BE T₈} an T 8, d. h.

V _{BE T₇ = V BE T₈ , angelegt werden, ist die am Widerstand RE anliegende Spannung V RE dem Spannungsabfall am Widerstand R 8 gleich, nämlich V RE = V R 8. Die Spannung V RE ist damit konstant, so daß der Wert für den Strom , der durch den Widerstand R E fließt, bestimmt und konstant ist. Der Widerstand R E , an dessen Anschlüssen die Span­ nunge V RE anliegt, kann als Konstantstromquelle betrachtet werden. Ein konstanter Teil I A 2 des Stromes I RE , der durch die Konstantstromquelle A 2 aufgeprägt wird, fließt durch den Transistor T 7, während der Rest von I RE in die Transistoren T 1, T 2, T 3 und T 4 der Brücke und über die beiden Anschlüssen A und B in den Wandler TR fließt. Die Verteilung des konstanten Stromes I RE -I A 2 in den Elementen der Brücke und der daraus folgende Netto­ stromfluß im Wandler sind durch das Signal bestimmt; wenn kein Signal vorhanden ist, ist der Strom in T 1 und T 2 gleich dem Strom in T 3 und T 4, und der Netto­ stromfluß in TR ist gleich Null. In der Endstufe gemäß der Erfindung wird in Abhängig­ keit von dem zu verstärkenden und zu wandelnden Sig­ nal nicht nur der Strom in T 2 und T 4 geregelt, sondern über die Transistoren T 5 und T 6 auch der Strom in T 1 und T 3; wenn das Signal einen vorgegebenen Pegel über­ schreitet, fließt der gesamte Strom I RE -I A 2 nur in einem der beiden Transistoren T 1 und T 3, wodurch im Vergleich mit der Endstufe des in Fig. 1 gezeigten Standes der Technik bei gleichbleibender Leistung am Wandler eine prak­ tisch auf die Hälfte verringerte Stromaufnahme er­ reicht wird. Es soll beispielsweise angenommen werden, daß das zu wandelnde Signal einen Anstieg des Kollektorstroms von T 4 und eine Abnahme des Kollektorstroms von T 2 mit einem daraus folgenden Stromfluß von dem An­ schluß A zum Anschluß B über TR bestimmt. Gleich­ zeitig steigt der Kollektorstrom von T 6 an und ver­ ringert sich der Kollektorstrom von T 5, wodurch ein größerer Spannungsabfall an R 1 und ein geringerer Spannungsabfall an R 3 verursacht werden. Außerdem vergrößern sich die Basis-Emitter-Spannung und der Basisstrom von T 1, während sich die Basis-Emitter- Spannung und der Basisstrom von T 3 verringern, so daß der Kollektorstrom von T 1 größer und der Kollektor­ strom von T 3 kleiner werden; damit ist die Stromauf­ nahme der Schaltung bei gleichbleibendem Stromfluß durch TR kleiner als bei einer Schaltung nach dem Stand der Technik. Die Brückenendstufe gemäß der Erfindung hat bezüglich der oben beschriebenen Funktion eine analoge und sym­ metrische Funktionsweise, wenn das Signal einen Anstieg des Kollektorstroms von T 2 und einen Abfall des Kol­ lektorstroms von T 4 bestimmt. Der Spannungsabfall ist gleich der Summe der Kol­ lektor-Emitter-Sättigungsspannung eines npn-Tran­ sistors, der Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung eines pnp-Transistors und des Spannungsabfalls am Widerstand R E . Der Widerstand R 8 wird so ausgelegt, daß V R 8 und da­ mit auch V RE sehr klein werden (typisch 0,06 V oder weniger): die Summe der Kollektor-Emitter-Sättigungs­ spannung eines pnp-Transistors und des Spannungsab­ falls im Widerstand R E ist damit praktisch gleich der Sättigungsspannung des pnp-Transistors. Damit ist der Spannungsverlust einer Brückenend­ stufe gemäß der Erfindung praktisch gleich dem Spannungsverlust einer Brückenendstufe nach dem in Fig. 1 gezeigten Stand der Technik. Eine Brückenendstufe gemäß der Erfindung für einen Tonfrequenz-Empfangsverstärker ist insbesondere da­ zu geeignet, mit bekannten Integrierungstechniken in einem monolithischen Halbleiterblock integriert zu werden. Im Rahmen der Erfindung sind zahlreiche Abänderungen möglich. So können beispielsweise die Widerstände R 3 und R 1 durch Dioden ersetzt werden. Die Basen von T 5 und T 6 können mit den Emittern von T 12 bzw. T 14 verbunden werden, anstatt diese direkt an die Signalquelle anzuschließen. Die durch T 5 und T 6 gebildete Differenzstruktur kann durch eine komplexere Differenzstruktur ersetzt werden, und die Transistoren T 1 und T 3 können beide durch eine Darlington-Schaltung ersetzt werden. Die in der Schaltung enthaltenen bipolaren Transistoren können bei geeigneten Schaltungsänderungen, die dem Fach­ mann geläufig sind, ganz oder teilweise durch Feldeffekt­ transistoren ersetzt werden.}

Claims (12)

1. Monolithisch integrierbare Brückenendstufe für einen mit niedriger Speisespannung betreibbaren Tonfrequenz- Empfangsverstärker zur Steuerung eines zwei Anschlüsse auf­ weisenden elektroakustischen Wandlers (TR),
mit vier Halbleiterschaltungselementen (T ₁; T ₂, T ₁₂; T ₃; T ₄, T ₁₄), die je eine emittierende Elektrode, eine Sammelelektrode und einen Steueranschluß aufweisen, wobei das erste (T ₁) und das dritte (T ₃) Halbleiterschaltungselement von einem ersten und das zweite (T ₂,T ₁₂) und das vierte (T ₄, T ₁₄) Halbleiter­ schaltungselement von einem dazu entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyp sind, und wobei
die emittierenden Elektroden von erstem (T ₁) und drittem (T ₃) Halbleiterschaltungselement über eine erste Konstant­ stromquelle (RE) mit einem ersten Pol (+V _CC ) und die emittie­ renden Anschlüsse von zweitem (T ₂, T ₁₂) und viertem (T ₄, T ₁₄) Halbleiterschaltungselement mit einem zweiten Pol (-V _CC ) der Speisespannungsquelle verbunden sind,
die Sammelelektroden von erstem (T ₁) und zweitem (T ₂, T ₁₂) Halbleiterschaltungselement in einem ersten Anschlußpunkt (A) für den elektroakustischen Wandler (TR) und die Sammelelektro­ den von drittem (T ₃) und viertem (T ₄, T ₁₄) Halbleiterschaltungs­ element in einem zweiten Anschlußpunkt (B) für den elektro­ akustischen Wandler (TR) miteinander verbunden sind, und
und die Steueranschlüsse von zweitem (T ₂ , T ₁₂) und viertem (T ₄, T ₁₄) Halbleiterschaltungselement an eine Signalquelle angeschlossen sind, die diese Halbleiterschaltungselemente in Gegenphase zueinander steuert,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Brückenendstufe ein fünftes (T ₅) und ein sechstes (T ₆) Halbleiterschaltungselement vom zweiten Leitfähigkeits­ typ und mit einer emittierenden Elektrode, einer Sammelelektro­ de und einem Steueranschluß aufweist, deren emittierende Elektrode über eine gemeinsame zweite Konstantstromquelle (A 1) mit dem zweiten Pol (-V _CC ) der Speisespannungsquelle verbunden sind,
daß deren Steueranschlüsse derart mit der Signalquelle ver­ bunden sind, daß diese das fünfte (T ₅) und das sechste (T ₆) Halbleiterschaltungselement in Gegenphase zueinander und phasengleich mit dem zweiten (T ₂, T ₁₂) bzw. dem vierten (T ₄, T ₁₄) Halbleiterschaltungselement steuert,
daß die Sammelelektrode des fünften Halbleiterschaltungsele­ mentes (T ₅) sowohl mit dem Steueranschluß des dritten Halb­ leiterschaltungselementes (T ₃) als auch, über ein erstes Widerstandselement (R ₃), mit einer Bezugsspannungseinrichtung (T ₈) verbunden ist, und
daß die Sammelelektrode des sechsten Halbleiterschaltungs­ elementes (T ₆) sowohl mit dem Steueranschluß des ersten Halb­ leiterschaltungselementes (T ₁) als auch, über ein zweites Widerstandelement (R ₁), mit der Bezugsspannungseinrichtung (T ₈) verbunden ist.

2. Brückenendstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steueranschlüsse von fünftem (T ₅) und sechstem (T ₆) Halbleiterschaltungselement über das zweite (T ₂, T ₁₂) bzw. das vierte (T ₄, T ₁₄) Halbleiterschaltungselement mit der Signalquelle verbunden sind.

3. Brückenendstufe nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das erste Widerstandselement (R ₃) und das zweite Widerstandselement (R ₁) durch ohmsche Wider­ stände gebildet sind.

4. Brückenendstufe nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das erste Widerstandselement und das zweite Widerstandselement durch Dioden gebildet sind.

5. Brückenendstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Konstantstromquelle ein drittes Widerstandselement (RE) und ein siebtes Halb­ leiterschaltungselement (T ₇) aufweist, das vom ersten Leit­ fähigkeitstyp ist und wenigstens ein emittierende Elektrode, eine Sammelelektrode und einen Steueranschluß besitzt, von denen die Sammelelektrode einerseits über eine dritte Konstantstromquelle (A 2) mit dem zweiten Pol (-V _CC ) der Speisespannungsquelle und andererseits mit dem Steueran­ schluß des siebten Halbleiterschaltungselementes (T ₇) ver­ bunden ist, und von denen die emittierende Elektrode mit dem Verbindungspunkt zwischen den emittierenden Elektroden von erstem (T ₁) und drittem (T ₃) Halbleiterschaltungselement und außerdem über das dritte Widerstandselement (RE) mit dem ersten Pol (+V _CC ) der Speisespannungsquelle verbunden ist, und daß die Bezugsspannungseinrichtung ein achtes Halbleiter­ schaltungselement (T ₈) aufweist, das vom ersten Leitfähig­ keitstyp ist und eine emittierende Elektrode, eine Sammel­ elektrode und einen Steueranschluß besitzt, von denen die emittierende Elektrode über ein viertes Widerstandselement (R ₈) mit dem ersten Pol (+V _CC ) der Speisespannungsquelle, der Steueranschluß mit der Sammelelektrode des siebten Halb­ leiterschaltungselementes (T ₇) und die Sammelelektrode über das erste Widerstandselement (R ₃) und das zweite Widerstandselement (R ₁) mit der Sammelelektrode des fünften (T ₅) bzw. des sechsten (T ₆) Halbleiterschaltungselementes verbunden ist.

6. Brückenendstufe nach Anspruch 5, dadurch gekennzeich­ net, daß das vierte Widerstandselement (R ₈) durch einen ohmschen Widerstand gebildet ist.

7. Brückenendstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eines der Halbleiter­ schaltungselemente ein Transistor ist.

8. Brückenendstufe nach einem der Ansprüche 3 bis 7 in Verbindung mit Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite (T ₂, T ₁₂) und das vierte (T ₄, T ₁₄) Halbleiterschal­ tungselement je einen ersten Transistor (T ₂ bzw. T ₄) und einen zweiten Transistor (T ₁₂ bzw. T ₁₄) aufweisen, die beide vom gleichen Leitfähigkeitstyp sind und jeder eine emittierende Elektrode, eine Sammelelektrode und einen Steueranschluß aufweisen, wobei die emittierende Elektrode, die Sammelelektrode und der Steueranschluß eines jeden dieser Halbleiterschaltungselemente durch die emittierende Elektrode bzw. die Sammelelektrode des jeweiligen ersten Transistors (T ₂ bzw. T ₄) bzw. durch den Steueranschluß des jeweiligen zweiten Transistors (T ₁₂ bzw. T ₁₄) gebildet werden, und wo­ bei die Sammelelektrode des jeweiligen zweiten Transistors (T ₁₂ bzw. T ₁₄) an den ersten Pol (+V _CC ) der Speisespannungs­ quelle und dessen emittierende Elektrode an den Steueran­ schluß des jeweiligen ersten Transistors (T ₂ bzw. T ₄) und über einen Widerstand (R ₂ bzw. R ₄) an den zweiten Pol (-V _CC ) der Speisespannungsquelle angeschlossen ist.

9. Brückenendstufe nach einem der Ansprüche 3 bis 7 in Verbindung mit Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite (T ₂, T ₁₂) und das vierte (T ₄ , T ₁₄) Halbleiterschal­ tungselement je einen ersten Transistor (T ₂ bzw. T ₄) und einen zweiten Transistor (T ₁₂ bzw. T ₁₄) aufweisen, die beide vom gleichen Leitfähigkeitstyp sind und jeder eine emittierende Elektrode, eine Sammelelektrode und einen Steueranschluß aufweisen, wobei die emittierende Elektrode, die Sammelelektrode und der Steueranschluß eines jeden dieser Halbleiterschaltungselemente durch die emittierende Elektrode bzw. die Sammelelektrode des jeweiligen ersten Transistors (T ₂ bzw. T ₄) bzw. durch den Steueranschluß des jeweiligen zweiten Transistor (T ₁₂ bzw. T ₁₄) gebildet werden, wo­ bei die Sammelelektrode des jeweiligen zweiten Transistors (T ₁₂ bzw. T ₁₄) an den ersten Pol (+V _CC ) der Speisespannungs­ quelle und dessen emittierende Elektrode an den Steueran­ schluß des jeweiligen ersten Transistors (T ₂ bzw. T ₄) und über einen Widerstand (R ₂ bzw. R ₄) an den zweiten Pol (-V _CC ) der Speisespannungsquelle angeschlossen ist, und wobei der Steueranschluß des zweiten Transistors (T ₁₂) des zweiten Halbleiterschaltungselementes (T ₂, T ₁₂) mit dem Steueranschluß des fünften Halbleiterschaltungs­ elementes (T ₅) und der Steueranschluß des zweiten Transistors (14) des vierten Halbleiterschaltungselementes (T ₄, T ₁₄) mit dem Steueranschluß des sechsten Halbleiter­ schaltungselementes (T ₆) verbunden ist.

10. Brückenendstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Halbleiterschaltungs­ element und das dritte Halbleiterschaltungselement einen dritten und einen vierten Transistor aufweisen, die beide vom gleichen Leitfähigkeitstyp sind und eine emittierende Elektrode, eine Sammelelektrode und einen Steueranschluß aufweisen, wobei bei jedem dieser Halbleiterschaltungs­ elemente die emittierende Elektrode durch die emittierende Elektrode des dritten Transistors, die Sammelelektrode durch die Sammelelektrode des dritten Transistors und der Steueranschluß durch den Steueranschluß des vierten Tran­ sistors gebildet ist und die emittierende Elektrode des vierten Transistors mit dem Steueranschluß des dritten Transistors und die Sammelelektrode des vierten Transistors mit dem zweiten Pol (-V _CC ) der Speisespannungsquelle ver­ bunden ist.

11. Brückenendstufe nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß deren Transistoren bipolare Transistoren sind, deren Emitter die emittierenden Elektro­ den, deren Kollektoren die Sammelelektroden und deren Basis­ anschlüsse die Steueranschlüsse bilden.

12. Brückenendstufe nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß deren Transistoren Feldeffekt­ transistoren sind, deren Source-Elektroden die emittierenden Elektroden, deren Drain-Elektroden die Sammelelektroden und deren Gate-Elektroden die Steueranschlüsse bilden.