DE3223619C2 - Halbleiterschaltungsanordnung mit aus polykristallinem Silizium bestehenden Sicherungen - Google Patents

Abstract

Es wird eine Halbleiteranordnung angegeben, die ein Halbleitersubstrat (20) und eine polykristalline Siliziumsicherung (26) aufweist, die auf dem Substrat (20) über einer polykristallinen Siliziumschicht (58) angeordnet und sandwichartig zwischen der Hauptoberfläche des Substrats (20) sowie einer Siliziumdioxidschicht (56) liegt, über der die Sicherung (26) liegt. Die Sicherung (26) verbindet eine RAM-Zelle (40) mit einem zugeordneten Bauteil. Beim Auftreten eines Fehlers der RAM-Zelle (40) wird die Sicherung (26) mit einem Laserstrahl (50) durchgetrennt, während die polykristalline Siliziumschicht (58) verhindert, daß der Laserstrahl (50) in das Substrat (20) eindringt.

Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiterschaltungsanordnung mit einem Halbleitersubstrat, in dem eine Vielzahl von Halbleiterelementen angeordnet sind, wobei ausgewählte Halbleiterelemente mit zugeordneten Halbleiterelementen über Verbindungsleitungen elektrisch verbunden sind, in denen mit einem Laserstrahl durchtrennbare, aus polykristallinem Silizium bestehende Sicherungen vorgesehen sind.

Eine derartige Halbleiterschaltungsanordnung ist bereits aus der US-PS 42 40 094 bekannt. Gemäß einem Ausführungsbeispiel dieser bekannten Halbleiteranordnung sind die Gate-Elektroden von zwei Feldeffekttransistoren über eine bandförmige Leitungsverbindung aus polykristallinem Silizium miteinander verbunden, wobei diese Verbindung mit Leitungsfortsätzen ausgestattet und über der Oberfläche eines Halbleitersubstrats unter Zwischenfügung eines Isolierfilms angeordnet ist. Die bandförmige Verbindungsleitung aus polykristalinem Silizium kann an mehreren Stellen selektiv mit Hilfe eines Laserstrahls durchtrennt werden.

Ferner sind aus der Zeitschrift »Elektronik«, Heft 22, 1980, Seiten 87-94, auch redundante Strukturen bekannt, um auf einem Speicher-Chip die Ausbeute zu verbessern: Werden beim Austesten dieser Chips beispielsweise fehlerhafte Abschnitte oder Speicherstellen festgestellt, so werden bestimmte Polysiliziumverbindungen mit Hilfe eines Lasers durchtrennt, um dadurch fehlerhafte Bereiche oder Speicherstellen abzutrennen.

Solche Redundanztechniken werden in zunehmendem Maße verwendet, um die Produktionsausbeute von Halbleiterspeichern hoher Kapazität zu verbessern, und deren Kosten zu verringern. Die Redundanztechnik wird hauptsächlich verwendet, um Speicher mit beliebigem Zugriff und hoher Kapazität herzustellen, so daß beim Auftreten einer fehlerhaften Speicherzelle oder eines Bits bei einer Anordnung von RAM-Speicherzellen, die auf einem Halbleiterchip angeordnet sind, das fehlerhafte Bit durch eine, aus einer Vielzahl von Redundanz-RAM-Zellen ausgewählte Zelle ersetzt wird, um einen defekten Chip zu reparieren.

Beispielsweise werden bei einem herkömmlichen gruppenintegriertem RAM vom MOS-Typ eine Vielzahl von polykristallinen Siliziumsicherungen in einem vorgegebenen Muster auf einer der Hauptflächen eines Siliziumsubstrats vom p-Typ angeordnet, und zwar auf Siliziumdioxid-Feldschichten, die mit p-dotierten Feldschichten unterlegt sind, die in dem Substrat angeordnet sind. Jede der polykristallinen Siliziumsicherungen ist an -einem Ende an eine MOS-RAM-Zelle, die auf dem Substrat angeordnet ist, und am anderen Ende an eine zugeordnete Dekodierschaltung angeschlossen, wobei der übrige Teil der Sicherung mit einer Siliziumdioxidschicht bedeckt ist Beim Auftreten eines Fehlers bei einer der RAM-Zellen wird die entsprechende Sicherung mit einem Laserstrahl zum Durchbrennen bestrahlt, was zur Abtrennung der defekten RAM-Zelle vom zugeordneten Bauteil führt Somit wird die defekte Zelle elektrisch ausgeschaltet

Dann wird eine Adresse für die defekte RAM-Zelle einer ausgewählten RAM-Zelle der Redundanz-RAM-Zellen zugeordnet, die auf dem Siliziumsubstrat vom p-Typ angeordnet sind, wobei eine passende polykristalline Siliziumsicherung intakt gelassen wird. Dies führt zur Reparatur des LSI-RAM hoher Kapazität

Da jedoch die Oxidfeldschicht für den Laserstrahl transparent ist, erreicht letzterer das Siliziumsubstrat durch den Bereich der Oxidfeldschicht hindurch. Dies hat dazu geführt, daß eine Verbindungs-Leckstelle und andere Effekte bei diesem Bereich des Siliziumsubstrats auftreten, der mit dem Laserstrah! bestrahlt wurde, wodurch in nachteiliger Weise die Eigenschaften der zugeordneten Bauelemente beeinträchtigt wurden. Außerdem entstanden Problem hinsichtlich der ZuverlässigkeitdesRAM.

Somit war es erforderlich, die Energie des Laserstrahls genau auf die Grenze des Schmelzpegels für die polykristalline Siliziumsicherung zu steuern bzw. zu kontrollieren. Diese Maßnahme hat jedoch zu den Problemen geführt, daß die Wahrscheinlichkeit des Durchbruchs bzw. Durchschmelzens der Sicherung abnimmt und daß die Sicherung in nicht ausreichendem Maße durchtrennt wird.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, die Halbleiterschaltungsanordnung der eingangs definierten Art derart zu verbessern, daß eine problemlose Durchtrennung der Sicherungen ohne nachteilige Beeinflussung der Halbleiterschaltungsanordnung selbst ermöglicht wird.

Ausgehend von der Halbleiterschaltungsanordnung der eingangs genannten Art wird diese Aufgabe erfindungsgemäß gelöst durch den Laserstrahl absorbierende Laserabschirmschichten, die zwischen den Sicherungen und dem Halbleitersubstrat angeordnet sind und die eine größere Fläche aufweisen als der Querschnitt des Laserstrahls, wobei jeweils eine elektrisch isolierende Schicht zwischen den Sicherungen und den Laserabschirmschichten angeordnet ist.

Durch die erfindungsgemäße Ausbildung der Halbleiterschaltungsanordnung braucht beispielsweise die Energie des verwenndeten Laserstrahls nicht mehr genau auf die Grenze des Schmelzwertes für die polykristalline Siliziumsicherung eingestellt werden, sondern

diese Energie kann in einem gewissen Ausmaß diese Grenze überschreiten, ohne daß dabei irgendeine nachteilige Wirkung auf die Halbleiterschaltungianordnung ausgeübt wird.

Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Im folgenden %ird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels und im Vergleich zum Stand der Technik unter Hinweis auf die Zeichnung näher erläutert. Es leigt

F i g. 1 ein Blockschaltbild einer Halbleiterschaltungsanordnung einschließlich einer Redundanz-Schaltung, bei welcher die Erfindung realisierbar ist,

Fig.2 einen Teillängsschnitt einer herkömmlichen polykristallinen Siliziumsicherung mit den zugeordneten Bauteilen, die bei der Anordnung gemäß F i g. 1 verwendet werden,

Fig.3A eine Darstellung der polykristallinen SiIiziumsicherung und der darunter angeordneten Bauteile gemäß Fig.2, bevor die Sicherung mit einei« Laserstrahl durchgetrennt wird,

Fig.3B eine der Fig.3A ähnliche Anordnung zur Darstellung der Sicherung nach der Bestrahlung mit dem Laserstrahl,

Fig.4A eine Teildraufsicht auf die Anordnung gemäß F i g. 3A,

F i g. 4 B eine Teildraufsicht auf die Anordnung gemäß Fig.3B,

Fig.5 einen Teillängsschnitt einer ersten Ausführungsform einer Halbleiteranordnung mit Merkmalen nach der Erfindung,

Fig.6A eine Teildraufsicht der Anordnung gemäß Fig. 5,

Fig.6B eine der Fig.6A ähnliche Darstellung zur Erläuterung einer abgewandelten Ausführungsform der Laserabschirmschicht gemäß F i g. 6A, und in

F i g. 6C eine der F i g. 6A ähnliche Darstellung zur Erläuterung einer weiteren Ausführungsform der Lascrabschirmschicht gemäß F i g. 6A.

In F i g. 1, auf die zunächst Bezug genommen werden soll, ist ein Speicher mit wahlfreiem Zugriff bzw. ein RAM hoher Kapazität einschließlich einer Redundanz-Schaltung dargestellt Die dargestellte Anordnung weist ein rechteckiges Feld 10 von RAM-ZeCen auf und enthält eine Vielzahl von Redundanz-RAM-Zellen 10a bzw. 10b, die in einer Zeile bzw. in einer Spalte angeordnet sind; ferner ist ein Paar von X- bzw. Y-Dekodierern 12 bzw. 14 vorgesehen, die jeweils an sämtliche RAM-Zellen des Feldes 10 und die Redundanz-RAM-Zellen 10a und iOb über polykristalline X- und Y-Siliziumsicherungen angeschlossen sind, die mit Blöcken 16a bzw. 166 schcmatisch in F i g. 1 dargestellt sind. Diese polykristallinen Siliziumsicherungen sind in einem vorgegebenen Muster auf einem Feldbereich eines Halbleiterchips angeordnet. Derartige polykristalline Siliziumsicherungen können auf einem Halbleiterchip entsprechend den bekannten Verfahrensschritten bei der Herstellung von MOS-RAM's ausgebildet werden.

F i g. 2 zeigt eine einzelne von derartigen polykristallinen Siliziumsicherungen herkömmlichen Aufbaus sowie eine daran angeschlossene RAM-Zelle vom MOS-Typ. Die dargestellte Anordnung zeigt ein Halbleitersubstrat (Siliziumsubsfat) 20 vom p-Typ, eine p+-dotierte Feldschicht 22, die auf einem vorgegebenen Bereich im Halbleitersubstrat 20 angeordnet ist, wo sie im wesentlichen parallel zur Hauptfläche vom Halbleitersubstrat 20 verläuft, eine Oxidfeldschicht 24, die aus Siliziumdioxid (SiO₂) besteht und auf der p⁺-dotierten Feldschicht 22 angeordnet ist, wo sie sich etwas über die Hauptfläche des Halbleitersubstrats 20 erhebt, und eine Sicherung 26 in Form eines Streifens aus polykristallinem Silizium, der auf einem vorgegebenen Oberflächenbereich der Oxidfeldschicht 24 angeordnet ist Die Sicherung 26 besitzt an den beiden Enden ein Paar von gegenüberliegenden rechteckigen Bereichen, die gemäß der Darstellung in F i g. 4A breiter ausgebildet sind als

ίο der Hauptkörper des Streifens, um eine Sicherung zu bilden. Dann wird eine Siliziumoxidschicht 28 sowohl auf der Oxidfeldschicht 24 als auch der Sicherung 26 angeordnet, mit Ausnahme eines rechteckigen Bereiches 30 innerhalb der jeweiligen rechteckigen Endbereiehe der Sicherung 26. Somit ist jeder der rechteckigen Bereiche 30 freigelegt, um einen Kontakt zu bilden, über den die Sicherung 26 mit dem jeweiligen Ende einer Metallverdrphtung verbunden wird, wie es nachstehend näher erläutert ist

2ö Die mit dem Bezugszeichen 32 bezeichnete Metall-Leitungsverbindung wird aus einer Aluminium-Silizium-Legierung gebildet und auf den jeweiligen Kontakten 30 sowie auch auf dem Bereich der Siliziumdioxidschicht 28 angeordnet, der direkt auf der Oxidfeldschicht 24 angeordnet ist, um einen Streifen zu bilden, der breiter ist als der rechteckige Endbereich der Sicherung 26 und der längs einer Ausdehnung der Längsachse der Sicherung 26 verläuft, wie es in F i g. 4A dargestellt ist Die Leitungsverbindung 32 weist einen Endbereich auf, der mit dem Bereich der Siliziumdioxidschicht 28 unterlegt ist der direkt auf der Sicherung 26 angeordnet ist und einer gleichen Leitungsverbindung 32 gegenüberliegt, die an den anderen Kontakt 30 angeschlossen ist um zwischen ihnen den wesentlichen Bereich der Siliziumdioxidschicht zu lassen, der direkt auf der Sicherung 26 angeordnet ist, die freiliegt bzw. belichtet wird.

Eine Anordnung mit diesem Aufbau ist auch in F ig.3A dargestellt

Eir.e der Leitungsverbindungen, in diesem Falle die linke Leitungsverbindung gemäß F i g. 2, ist mit einem zugeordneten Bereich des X- oder YDekovlierers 12 bzw. 14 verbunden, wie es in F i g. 1 dargestellt ist, und die andere oder rechte Leitungsverbindung 32 ist an eine RAM-Zelle vom MOS-Typ angeschlossen, die auf dem p-lertenden Halbleitersubstrat 20 angeordnet und allgemein mit dem Bezugszeichen 40 bezeichnet ist

Wie in F i g. 2 dargestellt, besitzt die MOS-RAM-ZeI-Ie 40 ein Paar von η+ -leitenden Diffusionsbereichen 42 und 44, die im Abstand voneinander angeordnet sind und an die oben beschriebene Oxidfeldschicht 24 sowie eine gleiche und ebenfalls mit dem Bezugszeichen 24 bezeichnete Oxidfeldschicht angrenzen. Der η+-leitende Diffusionsbereich 42 ist an einen zugeordneten Bereich des in F i g. 2 nicht dargestellten X- oder Y-Dekodierers über die Leitungsverbindung 32 und die Sicherung 26 angeschlossen, während der η+-leitende Diffusionsbereich 44 an ein nicht dargestelltes, zugeordnetes Bauelement über die separate Leitungsverbindung 32 angeschlossen ist, die auf der rechten Siliziumdioxidschicht 24 angeordnet ist, wie es F i g. 2 zeigt. Die MOS-RAM-ZeIIe 40 ist in F i g. 2 mit einem Floating-Gate 46 dargestellt, das aus polykristallinem Silizium besteht und in eine Siliziumoxiclschicbt eingebettet ist, die auf der Hauptfläche des Halbleitersubstrats 20 angeordnet ist, um die n+-leitenden Diffusionsbereiche 42 und 44 zu überbrücken.
Es wird angenommen, daß die RAM-Zelle 40 defekt

ist. Unter dieser Voraussetzung wird die polykristalline Siliziumsicherung 26 mit einem Laserstrahl 50 durch den Bereich der Siliziumdioxidschicht 28 bestrahlt, unter dem sie liegt Dis führt zu einem Durchbruch der Sicherung 26.

Dann wird eine Passivierungsschicht 52 auf den beiden Leitungsverbindungen 32 und dem übrigen Bereich der Siliziumdioxidschicht 28, unter dem die Sicherung 26 liegt, angeordnet, um die entfernten Bereiche der Siliziumdioxidschicht 28 bzw. der Sicherung 26 auszufüllen, wie es in F i g. 3B dargestellt ist.

F i g. 4B zeigt einen durchgeschmolzenen Bereich 26' der Sicherung 26.

Wenn irgendein defektes Bit in dem Feld 10 von RAM-Zellen gemäß Fig. 1 entstanden ist oder wenn das Feld 10 keine Redundanz-RAM-Zellen erfordert, wird der oben beschriebene Vorgang wiederholt, um eine oder mehrere der entsprechenden polykristallinen unter der durchgetrennten Sicherung 26 liegenden Bereich der Siliziumdioxidschicht 56 hindurch, der für den Laserstrahl 50 transparent ist, bis er die pciykristalline Siliziumschicht 58 erreicht. Zu diesem Zeitpunkt wird der Laserstrahl 50 von der polykristallinen Siliziumschicht 58 absorbiert und somit daan gehindert, in den Bereich der Oxidfeldschicht 24 einzudringen, der unter der polykristallinen Siliziumschicht 58 liegt. Somit dient die polykristalline Siliziumschicht 58 als Laserabschirmung, um den Lasestrahl 50 abzuschirmen.

Dementsprechend beeinflußt der Laserstrahl 50 überhaupt nicht die ρ ⁺ -dotierte Feldschicht 22, die sich unter der polykristallinen Siliziumschicht 58 befindet und auch nicht den Bereich des ρ+ -leitenden Halbleitersubstrats 20_r auf dem die p + -dotierte Feldschicht 22 liegt. Das bedeutet, daß der Laserstrahl 50 die polykristalline Siliziumsicherung 26 durchtrennen kann, ohne die Eigenschaften der auf dem Halbleitersubstrat 20 angeordne-

oder unnötige Redundanz-RAM-Zellen elektrisch auszuschalten. Zu dieser Zeit wird eine ausgewählte Zelle der Redundanz-RAM-Zellen in intaktem Zustand belassen, ohne eine zugeordnete Sicherung mit einem Laserstrahl durchzutrennen, und mit einer Adresse für das defekte Bit versehen, wie es oben angegeben worden ist

Ein Laserstrahl, der zum Durchtrennen der Sicherung 26 verwendet wird, kann eine Wellenlänge von 1,06 μίτι oder 0,53 μπι von einem YAG-Laser oder eine Wellenlänge von nirht mehr als 0.55 μπι von einem Argonlaser haben.

Bei der Anordnung gemäß F i g. 2 oder 3A ist die OxidfeldschiCfit 24 für den Laserstrahl 50 transparent, der zum Durchtrennen der Sicherung 26 verwendet wird. Somit passiert der Laserstrahl 50 teilweise die Oxidfeldschicht 24 und die p"-dotierte Feldschicht 22, bis er das p-leitende Halbleitersubstrat 20 erreicht, wie es mit der gestrichelten Linie 54 in F i g. 3B angedeutet ist Auch in Fig.3A ist mit der strichpunktierten Linie 54 der Weg angedeutet, auf dem der Laserstrahl 50 von der Siliziumdioxidschicht 28 das p-ieitende Halbleitersubstrat 20 erreicht. Dies hat zu der Befürchtung geführt daß eine Verbindungsleckstelle und andere Effekte an den Bereichen der ρ^τ-dotierten Silizium-Feldschichten 22 und dem ρ *-leitenden f'albleitersubstrat 20 auftreten können, auf welche der Laserstrahl 50 fällt, und dabei die Eigenschaften der dazugehörigen Bauelemente verschlechtert und in Mitleidenschaft zieht Außerdem trat das Problem der Zuverlässigkeit auf.

Die Darstellung gemäß Fig. 5 zeigt eine erste Ausführungsform einer Halbleiteranordnung. Die dargestellte Ausführungi.'orm unterscheidet sich von den Anordnungen gemäß F i g. 2 und 3 nur dadurch, daß gemäß F i g. 5 die polykristalline Siliziumsicherung 26 auf einer elektrisch isolierenden Schicht bzw. Siliziumdioxidschicht 56 angeordnet ist. die ihrerseits auf der Qxidfeldschicht 24 angeordnet ist, und dabei eine rechteckige Laserabschirmschicht bzw. polykristalline Siliziumschicht 58 aufweist, die mit der Oberfläche der Oxidschicht 24 in Kontakt steht und unterhalb der Sicherung 26 angeordnet ist Die Siliziumdioxidschicht 56 dient dazu, die polykristalline Siliziumsicherung 26 gegenüber der polykristallinen Siliziumschicht 58 elektrisch zu isolieren.

Wenn die Anordnung gemä? F i g. 5 mit dem Laserstrahl 50 relativ hoher Energie aus dem oben beschiebenen Grunde bestrahlt wird, wird die polykristalline Siliziumsicherung 26 innerhalb weniger Millisekunden durchgetrennt Dann geht der Laserstrahl 50 durch den Es hat sich herausgestellt, daß die polykristalline Siliziumschicht 58 als Laserabschirmung in ausreichendem Maße einen Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 1,06 μπι oder 0,53 μπι absorbieren kann, wenn sie eine Dicke zwischen 0,1 und 1 μπι besitzt.

Um den Laserstrahl auf diese Weise ausreichend zu absorbieren, ist es erforderlich, daß die Laserabschirmschicht 58 eine Fläche besitzt, die größer ist als der QuersclK:;ttsbereich des Fleckes des Laserstrahls 50. mit dem die Anordnung bestrahlt wird, wobei eine Dicke der angegebenen Art verwendet wird.

Die Laserabschirmschicht 58 kann irgendeine Form von unterschiedlichen Mustern unter Berücksichtigung der obigen Erfordernisse haben und auch Spielraum zu angrenzenden Mustern haben. Beispielsweise kann die Laserabschirmschicht 58 die Form eines Rechtecks haben, wobei eine Seite gemeinsam mit dem wesentlichen Teil des Hauptkörpers der streifenförmigen Sicherung 26 verläuft und die andere Seite im wesentlichen gleich der entsprechenden Seite des rechteckigen Endbereichs der Sicherung 26 ist, wie es in Fig. 6A dargestellt ist. Alernativ kann dazu die Laserabschirmschicht 58 an einer Seite gemeinsam mit dem gesamten Hauptkörper der Sicherung 26 verlaufen, wie es in F i g. 6B dargestellt ist Außerdem kann die Laserabschirmschicht 58 die Form eines großen Rechtecks mit ausreichender Größe haben, um die gesamte Sicherung 26 ausreichend abzudecken, wobei ein ausreichender Spielraum gemäß Fig.6C gelassen ist. In jedem Falle ist die Laserabschirmschicht 58 derart zentrisch zur Sicherung 26 angeordnet, daß das Zentrum dieser Laserabschirmschicht 58 mit dem Laserstrahl 50 bestrahlt wird, der normalerweise einen Fleckdurchmesser von 6 bis 8 μπι hat.

Die Anordnung gemäß Fig.5 kann ohne weiteres

hergestellt werden, indem man ein Verfahren zur Aufbringung von aufeinandergestapelten Gate-Strukturen mit zwei polykristallinen Siliziumfilmen auf einem Halbleitersubstrat verwendet, das derzeit in vielen Fällen bei der Herstellung von RAM-Zellen angewandt wird. Genauer gesagt, die resultierende erste polykristalline SiIiziumschicht wird verwendet um den Laserstrahl abzuschirmen, und eine zweite polykristalline Siliziumschicht wird als Sicherung 26 verwendet.

Außerdem hat die Laserabschirmschicht 58 vorzugsweise keine elektrische Verbindung zu anderen Bauteilen, die auf demselben Substrat wie die Schicht 58 angeordnet sind, wie es in den Fi g. 5 sowie 6A, 6B und 6C dargestellt ist

Die Laserabschirmschicht 58 kann aus einem Materi-

al aus einer Gruppe ausgewählt und hergestellt werden, die aus Metallen mit hohem Schmelzpunkt besteht, wie z. B. Molybdän, unci Siliziumverbindungen davon. Außerdem kann die Laserabschirmschicht einen polykristallinen Siliziumfilm aufweisen, wie es oben erläutert worden ist, auf dem eine Schicht angeordnet ist, die aus einem Material aus der obigen Gruppe besteht.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
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Claims (4)

Patentansprüche:

1. Halbleiterschaltungsanordnung mit einem Halbleitersubstrat (20), in dem eine Vielzahl von Halbleiterelementen (40) angeordnet sind, wobei ausgewählte Halbleiterelemente mit zugeordneten Halbleiterelementen über Verbindungsleitungen (32) elektrisch verbunden sind, in denen mit einem Laserstrahl (50) durchtrennbare, aus polykristallinem Silizium bestehende Sicherungen (26) vorgesehen sind, gekennzeichnet durch den Laserstrahl (50) absorbierende Laserabschirmschichten (58), die zwischen den Sicherungen (26) und dem Halbleitersubstrat (20) angeordnet sind und die eine größere Fläche aufweisen als der Querschnitt des Laserstrahls (50), wobei jeweils eine elektrisch isolierende Schicht (56) zwischen den Sicherungen (26) und den Laserabschirmschichten (58) angeordnet ist

2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daB die Sicherungen (26) eine Dicke zwischen 0,1 und 1 um haben.

3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Laserabschirmschichten (58) aus polykristallinem Silizium bestehen.

4. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Laserabschirmschichten (58) aus einem Material aus der Gruppe ausgewählt sind, die aus Metallen mit hohem Schmelzpunkt und Siliziumverbindungen von diesen besteht