DE3221852C2

DE3221852C2 - Spannungsfolgerschaltung

Info

Publication number: DE3221852C2
Application number: DE3221852A
Authority: DE
Inventors: Katsumi Shimonoseki Yamaguchi Nagano
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1981-06-10
Filing date: 1982-06-09
Publication date: 1984-08-30
Also published as: JPS6257128B2; US4475087A; JPS57204611A; DE3221852A1

Abstract

Eine Spannungsfolgerschaltung weist erste und zweite emittergekoppelte Transistoren (Q1, Q2) auf. Die Basis des ersten Transistors ist so geschaltet, daß sie eine Eingangsspannung (Vin) empfängt, und die Basis des zweiten Transistors ist zu seinem Kollektor in Nebenschluß gelegt. Es ist eine Spannungstransferschaltung (13) vorgesehen, die eine Mehrzahl von Transistoren (Q3 bis Q6) aufweist, die jeweils in Emitterfolgeranordnung geschaltet sind. Der Eingang der Spannungstransferschaltung (13) ist mit dem Kollektor des zweiten Transistors (Q2) zur Übertragung der Eingangsspannung auf deren Ausgang (OUT) verbunden. Die Leerlaufverstärkung der Schaltung beträgt im wesentlichen den Wert 1 und eine Abweichungsfehlerspannung ist extrem gering.

Description

f;i 25 Stromquelle, und eine mit dem Ausgang der Spannungstransferschaltung verbundene zweite Stromquelle,

K[I dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des zweiten Transistors (Q 2) zu seinem Kollektor in Nebenschluß

r| gelegt ist, daß eine Stromversorgungsschaltung (IS2) zur Liefe: ung eines Stromes zum zweiten Transistor

!;■;■ CC? 2) über die Spannungstransferschaltung (13) vorgesehen ist, daß die Spannungstransferschaltung (13)

einen dritten Transistor (Q 12), dessen Emitter mit dem Kollektor des zweiten Transistors (C? 2) und dessen ,' 3o Basis und Kollektor miteinander mit der Spannungsversorgungsschaltung (IS2) verbunden sind, und einen

;' vierten Transistor (Q 13) aufweist, dessen Emitter mit dem Ausgang (OUT) der Spannungstransferschaltung

; (13) und dessen Basis mit dem Kollektor des dritten Transistors CC? 12) verbunden ist.

,-,. 3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsversorgungsschaltung

'Λ (IS2) eine Stromspiegelschaltung(14) aufweist.

K; 35 4. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Stromquelle (IS1,

'.._:\. /53) jeweils einen Widerstand (R 1, R 2) aufweisen.

' : 5. Schaltung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen siebten Transistor CC? 10). dessen Emitter mit

der Spannungsversorgungsschaltung (IS2) und dessen Kollektor mit dem Kollektor des vierten Transistors CC?4) verbunden ist, und durch einen achten Transistor CC? H). dessen Basis mit dem Kollektor des vierten 40 Transistors CC? 4) und dessen Emitter mit der Basis des vierten Transistors CC? 4) verbunden ist.

45 Die Erfindung betrifft eine Spannungsfolgerschaltung, bestehend aus einem ersten und einem zweiten emittergekoppelten Transistor, wobei die Basis des ersten Transistors die Eingangsspannung erhält, einer Spannungstransferschaltung mit einem an den Kollektor des zweiten Transistors gekoppelten Eingang und einem Ausgang zur Übertragung einer Spannung an den Ausgang, die im wesentlichen gleich der Kollektorspannung des zweiten Transistors ist, eine mit den Emittern des ersten und zweiten Transistors verbundene erste Strom-

50 quelle, und eine mit dem Ausgang der Spannungstransferschaltung verbundene zweite Stromquelle.

Eine derartige Spannungsfolgerschaltung ist aus der US-PS 42 23 276 bekannt. Diese bekannte Spannungsfolgerschaltung ist jedoch mit dem Nachteil behaftet, daß sie zum Auftreten von Schwingungen neigt. Gemäß einer zweiten Ausführungsform dieser bekannten Spannungsfolgerschaltung ist ein Miller-Kondensator zur Phasenkorrektur zum Zwecke der Schwingungsverhütung vorgesehen. Bei dieser Ausführungsform wird der Frequenz-

55 gang jedoch verschlechtert und die Ausführung als integrierter Schaltkreis wird aufgrund des erforderlichen Kondensators beeinträchtigt. Gemäß einer noch weiteren Ausführungsform dieser bekannten Spannungsfolgerschaltung wird zum Zweck der Schwingungsverhütung die Leerlaufverstärkung dadurch reduziert, daß der gegenseitige Leitwert klein gemacht wird. Obwohl diese Schaltung bezüglich der Schwingungsverhütung bessere Eigenschaften aufweist, entsteht jedoch dabei als neues Problem eine Vergrößerung der sogenannten Offset-

60 Spannung und es tritt daher auch eine Zunahme des Ausgangsfehlers auf.

Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Spannungsfolgerschaltung der eingangs genannten Art derart zu verbessern, daß ihre Schwingungsneigung vollständig vermieden wird, dabei aber auch gleichzeitig die sogenannte Offset-Spannung wesentlich reduziert wird.

Eine erste Lösung dieser Aufgabe besteht erfindungsgemäß darin, daß die Basis des zweiten Transistors zu

ω seinem Kollektor in Nebenschluß gelegt ist, daß eine Stromversorgungsschaltung zur Lieferung eines Stromes zum zweiten Transistor über die Spannungstransferschaltung vorgesehen ist, daß die Spannungstranferschaltung dritte bis sechste Transistoren aufweist, wobei der Emitter des dritten Transistors mit dem Kollektor des zweiten Transistors und sein Kollektor mit einem Emitter des vierten Transistors verbunden ist, der Kollektor

des vierten Transistors mit der Stromversorgungsschaltung verbunden ist und seine Basis in Nebenschluß zu seinem Kollektor gelegt ist, der Emitter des sechsten Transistors mit dem Ausgang der Spannungstransferschaltung und sein Kollektor mit einem Emitter des fünften Transistors verbunden ist, die dritten und sechsten Transistoren in bezug auf Basis und Kollektor kreuzgekoppelt sind und die Basis des vierten und fünften Transistors miteinander verbunden ist.

Be: der Spannungsfolgerschaltung der eingangs definierten Art besteht eine zweite Lösung nach der vorliegenden Erfindung darin, daß die Basis des zweiten Transistors zu seinem Kollektor in Nebenschluß gelegt ist, daß eine Stromversorgungsschaltung zur Lieferung eines Stromes zum zweiten Transistor über die Spannungstransferschaltung vorgesehen ist, daß die Spannungstransferschaltung einen dritten Transistor, dessen Emitter mit dem Kollektor des zweiten Transistors und dessen Basis und Kollektor miteinander mit der Spar.nungsversorgungsscnaltung verbunden sind, und einen vierten Transistor aufweist, dessen Emitter mit dem Ausgang der Spannungstransferschaltung und dessen Basis mit dem Kollektor des dritten Transistors verbunden ist

Bei der Spannungsfolgerschaltung nach der vorliegenden Erfindung hat die rückführungslose Verstärkung im wesentlichen den Wert 1, so daß Schwingungen wirksam verhindert werden. Darüber hinaus kann die Offset-Spannung auf einen genügend kleinen Wert reduziert werden.

Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungeii der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen unter Hinweis auf die Zeichnung näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 ein Schaltbild einer bekannten Spannungsfolgerschaltung;

Fig. 2 ein Schaltbild mit Einzelheiten der Spannungsfolgerschaltung mit den Merkmalen nach der vorliegenden Erfindung;

F i g. 3 einen praktischen Aufbau einer in F i g. 2 gezeigten Konstantstromquelle IS 2;

F i g. 4 ein Schaltbild einer Spannungsfolgerschaltung die Transistoren des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps wie der in der in F i g. 3 gezeigten Spannungsfolgerschaltung verwendet;

Fig.5 eine Spannungsfolgerschaltung, die Widerstände als Konstantstromquelle /51 und /S3 in Fig.2 verwendet;

F i g. 6 eine Modifikation der in F i g. 2 gezeigten Schaltung;

F i g. 7 eine Ausführungsform gemäß dem zweiten Lösungsvorschlag mit Merkmalen nach der Erfindung;

Fig.8 eine abgewandelte Ausführungsform der Spannungsfolgerschaltung gemäß dem ersten Lösungsvorschlag mit Merkmalen nach der Erfindung und

Fig.9 bis 14 Anwenderschaltungen mit Verwendung des grundsätzlichen Aufbaues der Spannungsfolgerschaltung mit Merkmalen nach der Erfindung.

F i g. 2 zeigt den grundsätzlichen Aufbau einer Spannungsfolgerschaltung mit Merkmalen nach der Erfindung. Diese Schaltung weist emittergekoppelte Transistoren Q 1 und Q 2 auf. Die Basis des Transistors Q 1 ist mit einer Eingangsklemme IN zum Erhalt einer Eingangsspannung Vin und sein Kollektor mit einer positiven Spannungsversorgungsleitung 11 verbunden. Die Emitter der Transistoren Q 1 und <?2sind über eine Konstantstromquelle IS*. zur Lieferung eines Stromes 2/ mit einer negativen Spannungsversorgungsleitung 12 verbunden. Zwischen den Kollektor des Transistors Q 2 und eine Seite einer einen Strom / liefernden Stromquelle /5 2, deren andere Seite mit der positiven Spannungsversorgungsleitung 11 verbunden ist, ist eine Schaltung A mit Transistoren Q3 und Q 4 geschaltet, deren Kollektor-Emitter-Strecken in Reihe verbunden sind. Zwischen die positive Spannungsversorgungsleitung 11 und eine Ausgangsklemme OUT, an der die Ausgangsspannung Vout abgegriffen wird, ist eine Schaltung B mit den Transistoren Q 5 und Q 6 geschaltet, deren Kollektor-Emitter-Strecken in Reihe verbunden sind. Eine weitere Konstantstrcmquelle /53 zur Lieferung eines Stromes / ist zwischen die Ausgangsklemme OUTund die negativw Spannungsversorgungsleitung 12 geschaltet.

Die Schaltungen A und ßsind in der gezeigten Weise zur Bildung einer Spannungstransferschaltung 13 zur Übertragung der Kollektorspannung des Transistors Q 2 auf die Ausgangsklemme OUT verbunden. In der Schaltung A ist dazu der Emitter des Transistors Q 3 mit dem Kollektor des Transistors Q 2 und sein Kollektor mit dem Emitter des Transistors Q4 und der Kollektor des Transistors ζ)4 mit der Konstantstromquelle /52 verbunden. In der Schaltung B ist der Emitter des Transistors Q 6 mit der Ausgangsklemme OUT und sein Kollektor mit dem Emitter des Transistors Q 5 verbunden, dessen Kollektor mit der positiven Spannungsversorgungsleitung 11 verbunden ist. Die Transistoren ζ)3 und Q% sind in bezug auf ihre Basis und Kollektoren kreuzweise gekoppelt. Die Basis des Transistors Q 4 ist zu seinem Kollektor in Nebenschluß gelegt und ebenfalls mit der Basis des Transistors Q 5 verbunden.

In der in F i g. 2 gezeigten Schaltung wird, wenn die Eingangsspannung Vin an die Eingangsklemme IN angelegt wird, die durch die unten stehende Gleichung (1) ausgedrückte Ausgangsspannung Vout von der Ausgangsklemme Ot/Terhalten.

Vout == Vin - Vbe(Qi) + Vbe(Q2) + Vbe(Q3) + Vbe(Q5) - Vbe(QA) - Vbe(Q6) (1)

wobei Vbe(Q X) bis Vbe(Q6) Basis-Emitter-Spannungen der entsprechenden Transistoren Q 1 bis ζ) 6 darstellen. Wenn Vbe(Q 1) bis VOe(Qe) identisch sind, erhalten wir:

Vout ~ Vin (2)

Da jedoch Vbe('-J I) bis Vbe(Qb) nicht exakt idenlisch sind, tritt eine Offset-Fehlerspannung Vas auf.
Wenn die Stromquelle AS"? der Schaltung nach F i g. 2 durch eine, wie in I- i g. 3 gezeigt, aus Transistoren Q 7 und C'8 bestehen''¹: Stromspiegelschaltung 14 gebildet wird, wird die Offset-lchlcrspannung Vo.s folgenderma

Ben ausgedrückt:

Vos = Vout — Vin

= Vbe(Q 2) + K6e(Q3) + Vbe(Q5) - Vbc(Q 1) - Vbe(Q 4) = Kr- A//2//1) (3)

wobei /1 den Kollektorstrom des Transistors Q 1, /2 den Kollektorstrom der Transistoren Q2, Q 3 und (?4 und Kr die Temperaturspannung darstellt.
Die folgende Gleichung wird für den Strom am Kollektor des Transistors Q 8 erhalten:

k- 1\ = 12 + VJi(I + Io + 12) (4)

wobei k das Stromverliältnis zwischen den Transistoren Ql und QS, β den Stromverstärkungsfaktor der Emitterschaltung und /öden Ausgangsstrom darstellt,
5 Die Summe der Emitterströrne der Transistoren Q ! und Q 2 ist gegeben durch

/1 + /2 = 2/ (5)

Die Ströme / 1 und /2 werden aus Gleichung (4) bzw. (5) folgendermaßen erhalten:

/1 = \\l(k + 1 + \lß)\ ■ [21 + (I + lo)/ß]

/2 = \\l(k + 1 + \lß)\ ■ \2kl -(I + lo)lß\ (6)

Einsetzen typischer Werte, beispielsweise β = 100, / = 100 μΑ, Io = 0 und A: = 0,98 in Gleichung (6) ergibt /1 = 101,5 μΑ und /2 = 98,48 μΑ. Wenn diese Werte von /1 und /2 und V_T = 25 mV in Gleichung (3) eingesetzt werden, ergibt sich die Offset-Fehlerspannung Vos zu —0,76 mV. Es muß angemerkt werden, daß dieser Wert sehr klein ist.

Das kennzeichnende Merkmal der Schaltung nach F i g. 3 liegt in der Tatsache, daß der Kollektorstrom /1 des Transistors Q1 durch die Stromspiegelschaltung 14 im wesentlichen gleich dem Kollektorstrom /2 der Transistoren Q 2, Q 3 und Q 4 gemacht wird. Im optimalen Fall, daß β = °° und Ar = 1 ist, ergibt sich aus Gleichung (6), daß /1 = /2 = / ist Wenn der Ausgangsstrom Io = 0 ist, wird die Offset-Fehlerspannung Vos Null, da die Kollektorströme der Transistoren Q 1 bis Q6 jeweils /betragen und deren Basis-Emitter-Spannungen identisch sind. In den in den F i g. 2 und 3 gezeigten Schaltungen hat, da alle Transistoren Q 1 bis (?6 in Emitterfolgeran-Ordnung verbunden sind, die Leerlaufverstärkung den Wert 1 und es wird eine exzellente Stabilität erhalten. Ferner ist kein für die Verhütung von Schwingungen vorgesehener Kondensator erforderlich.

Wie in F i g. 4 gezeigt, kann eine Spannungsfolgerschaltung aus Transistoren Q Γ bis QS' aufgebaut sein, die komplementär zu den in den F i g. 2 und 3 gezeigten Transistoren Q 1 bis Q 8 sind.

Die Stromquellen IS 1 und /53 können wie in F i g. 5 gezeigt, durch einen Widerstand R 1 mit einem Widerstandswert von R/2 bzw. einen Widersland R 2 mit einem Widerstandswert von R ersetzt werden. Zum Erhalt einer höheren Genauigkeit ist ein diodengeschaiteter Transistor Q9 in Reihe mit dem Widerstand R 2 verbunden.

Um die Genauigkeit der von der Stromspiegelschaltung 14 gelieferten Kollektorströme der Transistoren Q3 und ζ)4 zu erhöhen, kann die grundsätzliche Schaltung in der in Fig.6 gezeigten Weise modifiziert werden.

Dazu ist ein Transistor Q 10 desselben Leitfähigkeitstyps wie die Transistoren Q7 und QS vorgesehen, dessen Basis mit dem Kollektor des Transistors QT. dessen Emitter mit dem Kollektor des Transistors QS und dessen Kollektor mit dem Kollektor des Transistors Q 4 verbunden ist Ferner ist ein zum Transistor Q10 komplementärer Transistor Q 11 vorgesehen, dessen Basis mit dem Kollektor des Transistors QlO, dessen Kollektor mit der positiven Spannungsversorgungsleitung 11 und dessen Emitter mit der Basis der Transistoren Q4 und Q5

so verbunden ist.

Die Sparsnurigstransferschaltür.g 13 kann auch gemäß einem zweiten Vorschlag mit Merkmalen nach der Erfindung in der in F i g. 7 gezeigten Weise aufgebaut sein. Dazu enthält die Schaltung A einen diodengeschalteten Transistor Q 12, dessen Emitter und Kollektor mit dem Kollektor des Transistors Q 2 bzw. Q 8 verbunden ist. Die Schaltung B enthält einen Transistor Q13, dessen Basis mit dem Kollektor des Transistors Q12, dessen Kollektor mit der positiven Spannungsversorgungsleitung 11 und dessen Emitter mit der Ausgangsklemme OUT verbunden ist Die Schaltung nach F i g. 7 hat dieselbe Wirkung wie die Grundschaltung mit den Merkmalen nach der der vorliegenden Erfindung.

F i g. 8 zeigt eine Modifizierung des Ausgangsteiles. Bei der oben beschriebenen Ausführungsform hängt der Ausgangsstrom Io an der Ausgangsklemme Ot/Tweitgehend von dem aus dem Transistor Q 6 fließenden Strom

bo ab. In der Schaltung nach F i g. 8 ist die Stromquelle /S3 durch einen PNP-Transistor Q14 ersetzt, dessen Basis mit den Emittern der Transistoren Q1 und Q 2, dessen Emitter mit der Ausgangsklemme OUT und dessen Kollektor mit der negativen Spannungsversorgungsleitung 12 verbunden ist Bei einer derartigen Anordnung besteht der Ausgangsstrom Io aus dem vom Transistor Q 6 zur Ausgangsklemme OUT oder dem von der Ausgangsklemme OUTzum Transistor ζ) 14 gelieferten Strom.

Im folgenden werden Anwendungsschaltungen unter Verwendung der grundsätzlichen Anordnung der oben beschriebenen Spannungsfolgerschaltung dargestellt

F i g. 9 zeigt eine Spannungs-Strom-Wandlerschaltung, bei der ein Widerstand R 3 zwischen den Emitter des Transistors Q 6 und Masse geschaltet ist, der Strom der Stromquelle /53 auf 0 gesetzt ist und ein Ausgangsstrom

lout vom Kollektor des Transistors O 5 abgegriffen wird. Bei dieser Schaltung ist der Ausgangsstrom lout: lout = Vin/R 3

Die Spannungsfolgerschaltung nach F i g. 6 kann ebenfalls zu einer Spannungs-Strom-Wandlerschaltung, wie in Fig.9 gezeigt, gewandelt werden, um damit eine höhere Genauigkeit des Ausgangsstromes als bei der Schaltung nach F i g. 9 zu erhalten.

Fig. 10 zeigt eine Spannungs-Strom-Wandlerschaltung vom Differential- bzw. Differen7typ unter Verwendung zweier Grundschaltungen. Bei dieser Schaltung wird eine Eingangsspannung Vin 1 an eine erste Eingangsklemme /Nl angelegt, während eine Eingangsspannung Vin2 an eine zweite Eingangsklemme IN2 angelegt wird. Die Ausgangsströme lout 1 und lout 2 an den Ausgangklemmen OUTl und OUT2 sind gegeben durch

lout 1 = / + i\

lout 2= I-ij (7)

Ein Differenz-Äusgangsstrom Jiout ist gegeben mit

aiout = lout 1 — lout 2 = 2/
= 2/R4-AVin = 21R 4 ■ (Vin I - Vin 2) (8)

Es ist ersichtlich, daß der Differenz-Ausgangsstrom Aiout proportional zur Eingangsspannungsdifferenz Δ Vin ist.

F i g. 11 zeigt eine Spannungs-Strom-Wandlerschaltung mit Verwendung der in F i g. 3 gezeigten Schaltung. Diese Schaltung ist mit einer Stromspiegelschaltung 15 versehen, die aus den Transistoren 014 und 015 besteht. Der Kollektor des Transistors Q14 ist mit dem Kollektor des Transistors Q 5 und der Kollektor des Transistors Q15 mit der Ausgangsklemme OLTverbunden. Eine Stromquelle IS4 zur Lieferung des Stromes / j-

ist zwischen die Ausgangsklemme OLTund die negative Spannungsversorgungsleitung 12 geschaltet. Bei dieser Schaltung beträgt der Kollektorstrom jedes der Transistoren 014 und 0 15 I + i, und ein Ausgangsstrom !§

lout= Vin/R = /wird von der Ausgangsklemme OLTabgegrif fen.

Fig. 12 zeigt eine Temperatur-Spannungs-Wandlerschaltung unter Verwendung der oben beschriebenen Spannungsfolgerschaltung zur Erzeugung einer der absoluten Temperatur T proportionalen Spannung. Bei dieser Schaltung ist die Basis des Transistors 01 geerdet und daher die Eingangsspannung Vin Null. Deshalb kann Gleichung(1) folgendermaßen umgeschrieben werden:

Vout = -Vbe(Ql) + Vbe(Q2) + Vbe(Q3) + Vbe(Q5) - Vbe(Q4)- Vbe(6)

= (k ■ T)Iq- I_n(Al ■ A4- A G)I(A 2 · A 3 · A 5) (9)

wobei A 1 bis A 6 die Emitterflächen der entsprechenden Transistoren 0 1 bis O6 und k die Boltzmann-Konstante darstellen.
Wenn A 3 bis A 6 identisch sind und Al = 4 A 2 ist, dann beträgt die Ausgangsspannung Vout

Vout = 0,115 T(ITiV)

Beispielsweise ist Vout = 36 mV bei T= 26,85°C (Raumtemperatur). In der Schaltung nach Fig. 12 wird eine positive Ausgangsspannung erhalten, wenn A 1 > A 2 ist, und eine negative Ausgangsspannung, wenn A 1 < A 2 ist.

F i g. 13 zeigt eine Temperatur-Strom-Wandlerschaltung vom Differenztyp unter Verwendung einer Temperatur-Spar >nungs-Wandlerschaltung mit A 1 > A 2 und einer Temperatur-Spannungs-Wandlerschaltung mit Al < A 2. Bei dieser Schaltung beträgt die Ausgangsspannung Vout 1 (> 0) des Transistors 0 6

Vout I = (k ■ T)Iq ■ I₁JAl ■ A4 ■ A G)I(A 2 ■ A 3 · A 5)
Die Ausgangsspannung Vout 2 < 0) des Transistors 0 G ist

Vout2 = (k ■ T)Iq ■ I_n(Al' A4' -A G)I(A 2' ■ A3' ■ A 5')
Damit ist der durch den Widerstand R fließende Strom /Tgegeben durch

/T= MR ■ (k ■ T)Iq ■ [I_n(A 1 · A 4 · A G)I(A 2 ■ A 3 ■ A 5) - I_n(A Y ■ A 4' ■ A G)I(A 2' · A 3' - A 5')| (10) Die Ausgangsströme lout 1 und lout 2 an den Ausgangsklemmen OLT1 und OUT2 sind gegeben durch

lout 1 = 1 + iT\

Iout2 = I-iTj (11)

Einsetzen von (A 1 · A 4 · A G)I(A 2 ■ A 3 A 5) = rß und (A V ■ A 4' · A 6')I(A 2' · A 3' ■ A 5') = l/n² in Gleichung (10) ergibt

iT = 4/R ■ (k ■ T)Iq ■ l„n

Damit ist der Strom ;Tproportional zur absoluten Temperatur T.

Fig. 14 zeigt einen Analogmultiplexer zum Multiplexen einer Mehrzahl von Eingangsspannungen im Zeitmultiplex-Verfahren. Der analoge Multiplexer weist eine Mehrzahl von ersten Transistoren Q la bis Q Id, deren Basis mit einer Mehrzahl von entsprechenden Eingangsklemmen IN 1 bis INA verbunden ist, und einen Transi-10 stör Q2a vom Multi-Emitter-Typ auf, dessen Emitter mit den entsprechenden Emittern der Transistoren Q la bis C Id verbunden sind. Die Emitter der Transistoren Q \a bis Q ldsind mit entsprechenden Stromquellen /5 la bis ISXd über eine Umschaltschaltung SW verbunden, die Schalttransistoren Q2\a bis Q2\d enthält, die nacheinander durch an die Eingangsklemmen IN 1' bis IN 4' angelegte Steuersignale eingeschaltet werden.

Hierzu 8 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Spannungsfolgerschaltung, bestehend aus einem ersten und einem zweiten emittsrgekoppelten Transistor, wobei die Basis des ersten Transistors die Eingangsspannung (Vin)erhih, einer Spannungstransferschal-5 tung (13) mit einem an den Kollektor des zweiten Transistors gekoppelten Eingang und einem Ausgang (OUT)zw Übertragung einer Spannung an den Ausgang, die im wesentlichen gleich der Kollektorspannung des zweiten Transistors ist, eine mit den Emittern des ersten und zweiten Transistors verbundene erste Stromquelle, und eine mit dem Ausgang der Spannungstransferschaltung verbundene zweite Stromquelle, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des zweiten Transistors (Q2) zu seinem Kollektor in 10 Nebenschluß gelegt ist, daß eine Stromversorgungsschaltung (IS 2) zur Lieferung eines Stromes zum zweiten H Transistor (Q 2) über die Spannungsti-ansferschaltung (1.3) vorgesehen ist, daß die Spannungstransferschal-

H tung (13) dritte bis sechste Transistoren (Q 3 bis Q 6) aufweist, wobei der Emitter des dritten Transistors (Q 3)

Ρ mit dem Kollektor des zweiten Transistors (Q 2) und sein Kollektor mit einem Emitter des vierten Transi-

jil stors (Q 4) verbunden ist, der Kollektor des vierten Transistors (Q 4) mit der Stromversorgungsschaltung

§ 15 (JS 2) verbunden ist und seine Basis ^:n Nebenschluß zu seinem Kollektor gelegt ist, der Emitter des sechsten

$ Transistors CC?6) mit dem Ausgang (OU⁷T)UtT Spannungstransferschaltung und sein Kollektor mit einem

j| Emitter des fünften Transistors (Q 5) verbunden ist, die dritten und sechsten Transistoren (Q 3, C? 6) in bezug

p auf Basis und Kollektor kreuzgekoppelt sind und die Basis des vierten und fünften Transistors (Q 4, C? 5)

H miteinander verbunden ist

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2. Spannungsfolgerschaltung, bestehend aus einem ersten und einem zweiten emittergekoppelten Transi-

|; stör, wobei die Basis des ersten Transistors die Eingangsspannung (Vm) erhält, einer Spannungstransf erschallt tung (13) mit einem an den Kollektor des zweiten Transistors gekoppelten Eingang und einem Ausgang

iig (OUT) zur Übertragung einer Spannung an den Ausgang, die im wesentlichen gleich der Kollektorspannung

?J; des zweiten Transistors ist, eine mit den Emittern des ersten und zweiten Transistors verbundene erste