DE3211803A1 - Elektronisch abstimmbarer oder modulierbarer resonanzkreis - Google Patents

Elektronisch abstimmbarer oder modulierbarer resonanzkreis

Info

Publication number
DE3211803A1
DE3211803A1 DE19823211803 DE3211803A DE3211803A1 DE 3211803 A1 DE3211803 A1 DE 3211803A1 DE 19823211803 DE19823211803 DE 19823211803 DE 3211803 A DE3211803 A DE 3211803A DE 3211803 A1 DE3211803 A1 DE 3211803A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
resonance circuit
diodes
frequency
circuit according
tuning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19823211803
Other languages
English (en)
Other versions
DE3211803C2 (de
Inventor
Jochen 8162 Schliersee Demski
Manfred 8000 München Wondrowitz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19823211803 priority Critical patent/DE3211803A1/de
Publication of DE3211803A1 publication Critical patent/DE3211803A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3211803C2 publication Critical patent/DE3211803C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C3/00Angle modulation
    • H03C3/10Angle modulation by means of variable impedance
    • H03C3/12Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element
    • H03C3/22Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element the element being a semiconductor diode, e.g. varicap diode
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03JTUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J3/00Continuous tuning
    • H03J3/02Details
    • H03J3/16Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability
    • H03J3/18Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance
    • H03J3/185Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance with varactors, i.e. voltage variable reactive diodes

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

  • Elektronisch abstimmbarer oder modulierbarer Resonanz-
  • kreis Die Erfindung bezieht sich auf einen elektronisch abstimmbaren oder modulierbaren Resonanzkreis, an den ein frequenzabstimmendes Element angekoppelt ist.
  • Resonanzkreise werden auf elektronischem Wege in der Regel mit Kapezitätsdioden abgestimmt oder moduliert. Schaltungen dieser Art werden häufig bei direkt modulierbaren Oszillatoren und bei Oszillatoren, die über Regelkreise frequenzstabilisiert sind, eingesetzt. Natürlich kann es sich dabei auch um elektronisch abzustimmende Kreise in Filtern, Eingangsstufen von Empfängern o.dgl. handeln.
  • Die grundlegenden Erläuterungen sollen am Beispiel eines Oszillators erfolgen. Oszillatoren sind meist einstufige Verstärker, die mit oder ohne äußere Rückkopplungsschaltung und mit in bestimmter Weise dimensionierten Reaktanz-Zweipolen zu einer aktiven, d.h. selbstschwingenden Stufe ergänzt sind. Frequenzbestimmendes Element eines solchen Oszillatorkreises ist der Resonanzkreis, der mit seiner Ortskurve die Schwingfrequenz des Oszillators bestimmt.
  • Er wird im Bereich höherer Frequenzen (GHz-Bereich) häufig als Leitungskreis mit kapazitiver Abstimmung ausgeführt.
  • Mit Hilfe von Kapazitätsdioden erfolgt die Abstimmung des Kreises und damit entweder die Modulation des Oszillators im Takt einer modulierenden Spannung und/oder die Stabilisierung der Oszillatorfrequenz über eine Phasenregel schleife.
  • Ein besonderes Problem stellt die Ankopplung der Dioden an den Kreis dar. Es wird dabei verlangt, daß die Auswirkung der Dioden auf die Kreisgüte möglichst gering ist. Die Güte des Resonanzkreises darf durch die Ankopplung der Dioden möglichst nicht beeinträchtigt werden, da nämlich sonst das Rauschen des Oszillators zunimmt. Ferner soll keine gegenseitige Beeinflussung von Abstimm- und Modulationsdioden erfolgen. Hierbei besteht die Forderung an das Ankoppelnetzwerk von zwei verschiedenen und voneinander unabhängig gesteuerten Dioden, daß keine zusätzlichen Resonanzstellen oder Versteilerungen als Folge der Parallelschaltung auftreten, da sonst über den Resonanzkreis das Stabilitätsverhalten des Oszillators beeinfluß#wird.
  • Auch soll keine Verstimmung des Resonanzkreises bei der mittleren Frequenz des Abstimmbereiches, bei der mittleren Abstimmspannung und bei fehlender Modulation durch Abstimmdioden und Ankoppelnetzwerk auftreten und möglichst keine oder nur geringe Verzerrung der Diodenortskurve durch das Ankoppelnetzwerk entstehen. Eine Verzerrung müßte nämlich zur Erzielung der notwendigen Linearität für FM-Signale zusätzlich kompensiert werden, wodurch die Schaltung komplizierter und temperaturlabil würde.
  • Bei Oszillatorschaltungen sind die Abstimmdioden meist so an den Kreis angekoppelt, daß ein großer Teil des Kreis stromes durch diese Dioden fließt. Liegt der mit konzentrierten Elementen oder einem Leitungskreis aufgebaute Serienresonanzkreis des Oszillators mit der Abstimmdiode in Reihe, so wird diese vom ganzen oder einem erheblichen Teil des Kreisstromes durchflossen und beeinflußt dadurch die Güte des Gesamtkreises stark. Das ist vor allem bei Leitungskreisen nachteilig, da mit diesen Kreisen ohne weiteres Güten -in der Größenordnung 1000 und darüber zu erreichen sind, die sehr gute Signal-/Rauschverhältnisse des Oszillatorsignals ergeben. Bei starker Ankopplung der Dioden, wie sie bei den vorstehend beschriebenen Oszillatorschaltungen gegeben ist, stellt sich aber eine deutliche Absenkung der resultierenden Güte wegen der wesentlich unter 1000 liegenden Diodengüte ein. Die Folge davon ist ein schlechteres Signal-/Rauschverhältnis in der Nähe der Oszillatorfrequenz.
  • Bei der Ankopplung einer Abstimmdiode über einen einstellbaren Koppelkondensator an den Innenleiter eines Resonators (Topfkreis) liegt zwar die Diode außerhalb des Hauptstromweges, es fließt jedoch durch die Ankopplung über eine Serienkapazität in den Koppelkondensator ein kapazitiver Blindstrom, der auch bei mittlerer Diodenvorspannung (Abstimmdiode) bzw. bei fehlender Modulationsspannung (Modulationsdiode) vorhanden ist. Dieser Blindstrom verstimmt den Resonanzkreis und erzeugt zusätzliche Verluste in der Diode. Außerdem ergibt die Serienschaltung einer Festkapazität mit einer veränderlichen Diodenkapazität immer eine Anordnung mit reduziertem Winkelhub.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, für die Ankopp lung des frequenzabstimmenden Elementes an einen Resonanzkreis eine Lösung anzugeben, durch die die vorstehend beschriebenen Nachteile behoben werden.
  • Diese Aufgabe wird bei einem Resonanzkreis der einleitend beschriebenen Art gemäß der Erfindung in der Weise gelöst, daß das frequenzabstimmende Element über eine Transformationsleitung des Wellenwiderstandes ZL und der elektrischen Länge 61L angekoppelt ist.
  • überlegungen im Rahmen der Erfindung und Untersuchungen über die verstimmende Wirkung einer Reaktanz parallel zum Innenleiter eines Topfkreises haben dabei gezeigt, daß sich bei kapazitiver Belastung eines Parallelkreises eine Verstimmung zu kleineren Frequenzen, bei induktiver Belastung zu größeren Frequenzen ergibt. Kleiner werdende Blindwiderstände jX führen zu größeren Verstimmungen. Dies hat die Ursache darin, daß kleinere Blindwiderstände einen größeren Blindstrom aufnehmen, der letztlich die physikalische Ursache der Verstimmung ist. Nimmt man an, daß jX eine Diode mit einer bestimmten Güte und einem Anpassungsnetzwerk ist, so entstehen Verluste, die mit kleiner werdendem jX zunehmen. Daraus läßt sich folgern, daß das Ankoppelnetzwerk zur Anpassung der Diodenreaktanz an den Kreis so beschaffen sein muß, daß bei mittlerer Nachstimmspannung bzw. bei fehlender Modulation ein möglichst hoher Widerstand jX an geeigneter Stelle parallel zum Topfkreisinnenleiter geschaltet ist. Für das Transformationsnetzwerk ergibt sich, daß der Winkelhub 2691 D der Diode nicht wesentlich kleiner wird, um einen Hubverlust zu vermeiden.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Erfindungsgegenstandes sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Nachstehend wird die Erfindung anhand von in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
  • Es zeigen Fig. 1 einen Topfkreis mit Diodenankopplung über eine Leitung, Fig. 2 das Smith-Diagramm für eine Leitungsankopplung nach Fig. 1, Fig. 3 einen Topfkreis mit Ankopplung verschieden angesteuerter Dioden und Fig. 4 eine Ankopplung über eine Leitung und eine Koppelschleife bei einem Hohlraumresonator.
  • Fig. 1 zeigt in einem Prinzipschaltbild die Ankopplung von Abstimmdioden an einen Resonanzkreis, der aus einem Topfkreis K besteht. Zur Frequenzabstimmung ist eine Diodenkombination D aus zwei in Gegentaktschaltung angeordneten Kapazitätsdioden vorgesehen, deren Impedanz rD bei Vernachlässigung der elektrischen Länge der beiden Dioden kapazitiv ist. Grundsätzlich kann die Impedanz rD aber auch induktiv werden, da die Längsinduktivität der Dioden und deren Anschlußdrähte besonders bei Serienschaltung von zwei Dioden schon im Bereich von wenigen 100 MHz größer als der kapazitive Widerstand sein können. Die Diodenimpedanz rD bildet den Abschlußwiderstand einer Leitung L mit dem Wellenwiderstand ZL und der elektrischen Leitungslänge 81L, über die die Diodenkombination D an den Resonanzkreis K angekoppelt ist. Abhängig vom Wellenwiderstand ZL und von der Leitungslänge #l@ wird die Diodenimpedanz rD in den Wert rn, transformiert, die parallel zum Innenleiter des Topfkreises K liegt. Die Länge der Leitung L wird dabei so gewählt, daß für die Mittelfrequenz der transformierte Widerstand rD sehr hochohmig oder unendlich wird.
  • Durch einen geeignet gewählten Wellenwiderstand ZL der Ankopplung kann der durch die Dioden vorgegebene Winkelhub wirksam verändert werden. Nimmt man an, daß über eine Leitung von Z=50 Ohm angeschaltete Dioden bei bestimmter Durchsteuerung einen Winkelhub von oC= 45O am Smith-Diagramm erzeugen, dann kann dieser Winkel durch Verändern des Wellenwiderstandes ZL in folgender Weise variiert werden: Wellenwiderstand ZL : 30>R 40# a 50 in 60 # 70 Q Winkel &=2 eI :117° 680 450 300 220 Wenn es also z.B. nicht möglich ist, zur Vergrößerung des Winkelhubs die Diodenansteuerung zu erhöhen, kann man denselben Effekt durch Verkleinerung des Wellenwiderstandes ZL der Ankoppelleitung L erreichen. Bei Modulationsdioden kann durch entsprechende Wahl des Wellenwiderstandes ZL sogar eine teilweise Entzerrung der transformierten Diodenkennlinie erreicht werden.
  • Anhand des Smith-Diagramms nach Fig. 2 soll die Wirkungsweise der Leitungsankopplung nach Fig. 1 erläutert werden.
  • Die Darstellung zeigt, daß bei einer bestimmten Frequenz keine Veränderung des Diouenhubs auftritt. Mit 1 ist hierbei die Ortskurve der Diodenkombination D bezeichnet.
  • Der Widerstand rD ist die Impedanz der Diodenkombination D bei fehlender Modulation und mittlerer Nachstimmspannung.
  • Bei Ansteurung ergibt sich der Winkelhub 2 #~#1D. Wird eine Leitung der Länge 01L Lvorgeschaltet, so wird eine Drehung der Ortskurve im Uhrzeigersinn bewirkt, bis rD--oo . Der Winkel ist für alle Punkte der Kurve gleich groß; so daß keine Verzerrung auftritt. Die als Folge der Transformation entstandene Ortskurve 2 hat also ebenfalls den Winkelhub 2~ # #1D, = 2 # # 1D.
  • Man erhält also durch diese Leitungsankopplung ein völlig symmetrisches Verhalten. Bei mittlerer Diodenkapazität erfolgt keine Verstimmung, es ist rD,< oo und a f=O.
  • Kapazitäten kleiner als die mittlere Kapazität ergeben eine Verstimmung in Richtung größerer Frequenzen, also nach + a f, Kapazitäten größer als die mittlere Frequenz ergeben eine- Verstimmung in Richtung kleinerer Frequenzen, also nach - a f. Die Länge von Diodenanschlußdrähten und Eigeninduktivitäten der Dioden spielen keine Rolle. Sie sind durch die Leitung L immer kompensierbar, was in sehr vielen Fällen von großem Vorteil sein kann.
  • Bei direkt modulierten Oszillatoren ist es vorteilhaft, wenn Abstimm- und Modulationsdioden getrennt, d.h. voneinander unabhängig auf den Resonanzkreis einwirken. Dadurch wird erreicht, daß unabhängig von der Nachstimm- spannung der Hub konstant bleibt. Eine solche Parallelschaltung ist bei Anwendung der erfindungsgemäßen Ankopplung besonders vorteilhaft möglich, da die transformierte Diodenimpedanz sehr hochohmig ist. Die gegenseitige Beeinfluss-ung wird umso geringer, je größer die parallelgeschalteten Impedanzen werden. Fig. 3 zeigt eine solche Anordnung mit Modulations- und Abstimmdioden. Dabei sind die Abstimmdioden, eine Diodenkombination D1 in Gegentaktschaltung,über eine Leitung L1 (Wellenwiderstand zl, elektrische Länge 81L ) und die Modulationsdioden, eine Diodenkombination D2 in Gegentaktschaltung,über eine Leitung L2 (Wellenwiderstand Z2, elektrische Länge el2) an den Topfkreis K angekoppelt. In den Leitungsweg zwischen den Modulationsdioden D2 und der Leitung L2 kann ein Linearisierungsnetzwerk N für die Modulationsdioden eingeschaltet werden, das in der Figur strichliert eingezeichnet ist.
  • Fig. 4 zeigt eine Ankopplung von Abstimmdioden an einen als Hohlraumresonator ausgebildeten Resonanzkreis. Anstelle einer galvanischen Ankopplung bei einem Topfkreis mit Innenleiter wird hierbei die über die Leitung L (Wellenwiderstand Z, Leitungslänge El) transformierte Diodenimpedanz über eine Koppelschleife S an den Hohlraum angekoppelt.
  • Die Verstimmung des Hohlraumresonators erfolgt durch die magnetische Verkoppelung von Koppelschleife und Hohlraumresonator, was durch die Gegeninduktivität M ausgedrückt ist. Die Leitung L wird in gleicher Weise dimensioniert wie bei der galvanischen Ankopplung: in der Eingangsebene der Koppelschleife muß bei der mittleren Diodenimpedanz die Reaktant Xt ægehen 10 Patentansprüche .4 Figuren

Claims (10)

  1. Patentansprüche Elektronisch abstimmbarer oder modulierbarer Resonanzkreis, an den ein frequenzabstimmendes Element angekoppelt ist, d a d u r c h g e k e n n t e i c h n e t , daß das frequenzabstimmende Element über eine Transformationsleitung des Wellenwiderstandes ZL und der elektrien Länge 01L angekoppelt ist.
  2. 2. Resonanzkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Länge der Transformationsleitung so bemessen ist, daß für die Mittelfrequenz der transformierte Widerstand sehr hochohmig oder unendlich wird.
  3. 3. Resonanzkreis nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das frequenzbestimmende Element aus wenigstens einer Diode mit veränderbarer Kapazität besteht.
  4. 4. Resonanzkreis nach Anspruch 3, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n et daß zwei Dioden in Gegentaktschaltung angeordnet sind.
  5. 5. Resonanzk-reis nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das frequenzbestimmende Element Abstimm- und Modulationsdioden enthält, die voneinander unabhängig angesteuert werden.
  6. 6. Resonanzkreis nach Anspruch 5, d a d u r c h g e k e n n z e ic h n e t daß Abstimm- und Modulationsdioden über jeweils eine Transformationsleitung parallel an den Resonanzkreis angekoppelt sind.
  7. 7. Resonanzkreis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß im Weg der Modulationsdioden ein Linearisierungsnetzwerk eingefügt ist.
  8. 8. Resonanzkreis nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß durch den Wellenwiderstind der Transformationsleitung der Winkelhub der Dioden beeinflußt wird.
  9. 9. Resonanzkreis nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß bei Ausbildung des Resonanzkreises als Topfkreis der Anschluß der Transformationsleitung galvanisch an dessen Innenleiter erfolgt.
  10. 10. Resonanzkreis nach einem der Ansprüche lbis 8, dadurch gekennzeichnet, daßlbei Ausbildung des Resonanzkreises als Hohlraumresonator die Ankopplung über eine Koppelschleife erfolgt.
DE19823211803 1982-03-30 1982-03-30 Elektronisch abstimmbarer oder modulierbarer resonanzkreis Granted DE3211803A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19823211803 DE3211803A1 (de) 1982-03-30 1982-03-30 Elektronisch abstimmbarer oder modulierbarer resonanzkreis

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19823211803 DE3211803A1 (de) 1982-03-30 1982-03-30 Elektronisch abstimmbarer oder modulierbarer resonanzkreis

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3211803A1 true DE3211803A1 (de) 1983-10-20
DE3211803C2 DE3211803C2 (de) 1987-03-12

Family

ID=6159763

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19823211803 Granted DE3211803A1 (de) 1982-03-30 1982-03-30 Elektronisch abstimmbarer oder modulierbarer resonanzkreis

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3211803A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0330983A2 (de) * 1988-03-01 1989-09-06 AEG MOBILE COMMUNICATION GmbH Spannungsgesteuerter Oszillator mit Leitungsresonator
DE19830616A1 (de) * 1998-07-09 2000-01-13 Wolfgang Benecke Mikrospule
EP1369989A1 (de) * 2002-05-28 2003-12-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Spannungsgesteuerter Oszillator, Hochfrequenzmodul und Kommunikationsgerät

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1265238B (de) * 1965-04-24 1968-04-04 Telefunken Patent Parallelschwingkreis fuer eine Frequenzmodulationseinrichtung

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1265238B (de) * 1965-04-24 1968-04-04 Telefunken Patent Parallelschwingkreis fuer eine Frequenzmodulationseinrichtung

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DE-Z.: Funkschau, 1965, H.5, S.118 *
US-Z.: Microwaves, März 1967, S.28-32 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0330983A2 (de) * 1988-03-01 1989-09-06 AEG MOBILE COMMUNICATION GmbH Spannungsgesteuerter Oszillator mit Leitungsresonator
EP0330983A3 (de) * 1988-03-01 1990-04-18 AEG MOBILE COMMUNICATION GmbH Spannungsgesteuerter Oszillator mit Leitungsresonator
DE19830616A1 (de) * 1998-07-09 2000-01-13 Wolfgang Benecke Mikrospule
EP1369989A1 (de) * 2002-05-28 2003-12-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Spannungsgesteuerter Oszillator, Hochfrequenzmodul und Kommunikationsgerät
US6836191B2 (en) 2002-05-28 2004-12-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Voltage-controlled oscillator having a transmission line between a resonator and a variable capacitance diode, high-frequency module including the same, and communication apparatus including the same

Also Published As

Publication number Publication date
DE3211803C2 (de) 1987-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69114216T2 (de) Abstimmbares Bandpass Filter.
DE2816586C3 (de) Selbstschwingende Mischschaltung
DE2334570B1 (de) Abstimmbare Hochfrequenz-Eingangsschaltungsanordnung fuer einen Fernsehempfaenger
EP0017899B1 (de) Steuerbare Oszillatoranordnung
DE69120370T2 (de) Amplitudenkorrektor von von feldgekoppelten Varaktoren abgestimmten Filtern
DE60002642T2 (de) UHF-Filter mit vier Stufen die über eine gemeinsame Steuerspannung einstellbar sind
DE2803846C2 (de) Zentimeterwellen-Oszillatorschaltung mit einem Feldeffekttransistor
DE60315938T2 (de) Anpassungs - Schaltung mit Schalter für VHF/UHF Bänder
DE19720408C2 (de) Verstärker und damit ausgerüsteter transportabler Telefonapparat
DE2811080C2 (de) Durch Spannungsänderung abstimmbarer Hochfrequenz-Oszillator
US5028894A (en) Bandpass filter circuit arrangement
EP0089078B1 (de) Schaltungsanordnung für einen FM-Empfänger
DE2905684A1 (de) Abstimmschaltung
AT391231B (de) Uhf-rueckkopplungsoszillator
DE10300892A1 (de) Schaltbares abstimmbares Bandfilter mit optimiertem Frequenzgang
DE3211803A1 (de) Elektronisch abstimmbarer oder modulierbarer resonanzkreis
DE60214919T2 (de) Frequenznachlaufoszillator und Betriebsverfahren dafür
EP0348697A2 (de) Fernsehtuner
EP2005572B1 (de) Oszillator mit mitgeführtem verstärker
DE3246295C2 (de) Frequenzmodulierbarer Oszillator
EP0330983A2 (de) Spannungsgesteuerter Oszillator mit Leitungsresonator
DE102005025677B9 (de) Empfangsverstärker, insbesondere für Fernsehempfänger und Verwendung des Empfangsverstärkers
DE3229043A1 (de) Yttrium-eisen-granat-(yig)-resonator
DE3781090T2 (de) Spannungsgesteuerter mikrowellentransistoroszillator und solche oszillatoren enthaltender breitbandiger mikrowellengenerator.
DE68910719T2 (de) Mikrowellensperrfilter in Mikrostreifenausführung.

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee