DE3201188A1 - Solarzelle mit antireflektonsueberzug und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents

Solarzelle mit antireflektonsueberzug und verfahren zu ihrer herstellung

Info

Publication number
DE3201188A1
DE3201188A1 DE19823201188 DE3201188A DE3201188A1 DE 3201188 A1 DE3201188 A1 DE 3201188A1 DE 19823201188 DE19823201188 DE 19823201188 DE 3201188 A DE3201188 A DE 3201188A DE 3201188 A1 DE3201188 A1 DE 3201188A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
alcohol
metal
group
mixture
alkoxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19823201188
Other languages
English (en)
Inventor
Daniel L. Clarksburg Whitehouse, Md.
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Solarex Corp
Original Assignee
Solarex Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Solarex Corp filed Critical Solarex Corp
Publication of DE3201188A1 publication Critical patent/DE3201188A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/06—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/32—Radiation-absorbing paints
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
    • C23C18/1216—Metal oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
    • C23C18/1295—Process of deposition of the inorganic material with after-treatment of the deposited inorganic material
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
    • F24S70/00—Details of absorbing elements
    • F24S70/30—Auxiliary coatings, e.g. anti-reflective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/40—Solar thermal energy, e.g. solar towers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Description

• · · · ft
• · ft «ft *
PATENTANWALT
Anmeldung:
Mein Aktenzeichen:
Patent
81.71 Wickel-Plating
2808 Syke - Hauptstrasse
Privat: 2830 Bassum 2/Nordwohld·
Bucheneck 10
Tel. (04242) 4865 - Privat: (04249) 302
Datum: 14.01.1982 /2
ANMELDER:
SOLAEEX COEPOHATIOIi
Societe organisee sous les lois de l'Etat de
Delaware, Eockville, Maryland, U.O.A.
ERFINDER:
Daniel L. Whitehouse
2554-0 !"rederick Eoad, Olarlcsbirrg, Maryland
U.S.A.
VERTRETER gemäß § 16 PatGes.:
Dipl.-Ing. Martin Schumacher, Patentanwalt Syke, Hauptstr.
PRIORITÄT:
U.S.A. Nr. 227 96S vom 23. Januar 1981
BEZEICHNUNG
Solarzelle mit Antireflektionsüberzug und Verfanren zu ilarer Herstellung.
: · ·:.;*:ν 14.01.1902/2
.-*$"- Plating
GEGMSl1AUD DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung "bezieht sich allgemein auf solare Energiezel1 en und speziell auf Antireflektionsschichten für solche Zellen und ein Verfahren zur Herstellung solcher Antireflektionsüberzüge.
Eine Halbleiteranordnung enthält eine Siliziumoblate, welche zuvor mit einem Premdatom gedopt worden ist, um eine spezifisehe Polarität anzunehmen und welche sodann einem Iremdatom entgegengesetzter Polarität ausgesetzt wird, um so eine elektrische Grenzschicht zu bilden. Wird beispielsweise eine SiIi-
·
ziumoblate zunächst mit Bor dopiert um eine Polarität des p-
. . Typs zu bilden, so ergibt sich durch folgende Diffusion von ■ ·'. Phosphor eine Oblate mit einer p-n-Grenzschicht nahe der :^ Oberfläche.
"-%'r. Ist eine Grenzschicht gebildet worden, so wird Strahlungsenergie, :. gewöhnlich in Form von auf die Oberfläche fallendem Licht, .'•y schnell absorbiert, indem sie in das Halbleitermaterial ein- ?$i dringt und dort freie Elektronen und Defektelektronen paar-.^.' weise erzeugt. Die Minoritätsfcräger der Defektelektronenpaare v] y rekombinieren sich entweder im Bereich ihrer Entstehung mit Ma- vj.\ o'oritätsträgern oder passieren die p-n-Grenzschicht.Diejenigen Minoritätsträger, welche die p-n-Grenzschicht kreuzen, ru- ^ fen eine Torspannung des Zellkörpers hervor, wobei die Elektronen in den η-Bereich und die Defektelektronen in den p-Typ-Bereich fließen. Diese Vorspannung resultiert in die Erzeugung eines . elektrischen Nutzstromes, welcher fließt, sobald die beiden Bereiche außen durch einen elektrischen Leiter miteinander verbunden werden.
Der Wirkungsgrad, d.h. das Eingangs-/Ausgangsverhältnis einer Solarzelle hängt unmittelbar von der Menge des Nutzlichtes ab (Trägerlichtleistung), welche durch die Solarzelle absorbiert wird. Der Wirkungsgrad der Solarzelle ist begrenzt, weil ein Teil des Lichtes, Nutzlicht sowohl als auch nichtausnutzbares Licht, welches die Oberfläche der Zelle erreicht, reflektiert wird. Um diese Reflektion des Lichtes herabzudrücken, wird ein Antireflektionsüberzug auf der Oberfläche der Solarzelle gebildet, durch welche das Licht in die Zelle eintritt.
'::·!. !"I" .: 14.o1.1982 /2 j
\ Eine gut funktionierende Antireflektionsschicht soil die Re- .p. "i '"''"
flektion des nutzbaren Lichtes herabsetzen und selbst kein ■ ·.'■-■. !■ Nutzlicht absorbieren, sondern diesem Nutzlicht Gelegenheit i
geben, in die darunterliegende Zelle einzudringen. Der Nutzen '* der Ant ir eflektions stoffe hängt deshalb von dem Eeflektions- "^. index der darunterliegenden Solarzelle ab sowohl als auchvam 'λ Band der Wellenlängen, welche von der Solarzelle absorbiert '-..■-werden. · rS
Es sind Verfahren bekannt, durqh welche Antireflektionsüberzüge ,; erzeugt werden, indem Metall m$t Hilfe eines Elektronenstrahls !'. verdampft und sodann thermisch oder anodisch zu seinen Oxyden oxidiert wird, während es sich auf dem Silizium befindet; oder ,'; indem Metalloxyd direkt auf die Oberfläche der Solarzelle auf- J gedampft wird oder auch durch Elektronenstrahlverdampfung von Mischungen eines Metalls und seiner Oxyde. Diese Verfahren .'■ sind a'us mancherlei Gründen unbefriedigend, insbesondere auch, ■ weil sie kostspielige und komplizierte Einrichtungen erfordern, wie beispielsweise die Anwendung eines Hochvakuums für die Ver- dampfung der Metalle und/oder ihrer Oxyde und weil es schwierig ist, die Stärke der erzeugten Antireflektionsschichten zu steuern, Eine weitere Schwierigkeit der bekannten Verfahrensweisen ergibt sich dadurch, daß teilweise eine Beseitigung der erzeug- .?' ten Antireflektionsschichten erforderlich ist, um gitterförmige Metallkontakte zu bilden.
AUFGABE
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde ein Verfahren zu entwickeln, mit welchem auf einfache· Weise wirksame Antireflektionsschichten/als auch Metallgitter erzeugt werden können.
LÖSUNG DER AUFGABE- ' ■
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß dadurch gelöst worden, daß ein metallisches organisches Salz gitterförmig auf die Oberfläche der Zelli^untcaxes Metallsubstat durch Hitzebehandlung in seine
ψ - ·:.:-:*.* 15.01.1982/2
τ Plating
Oxyde verwandelt wird. Hach Entfernung des Gitters wird die Zellenoberfläche unter dem soliden Teil des Gitters frei vom Überzug, so daß/exn Metallkontakt aufgebracht werden kann.
Die bevorzugt verwendeten metallischen organischen Salze sind Alkoxyde, wie z.B. Methyloxyde, Ithyloxyde, n-Propyloxyde, Isopropoxyde, Butyloxyde und Pentyloxyde. Die Begrenzung der Kettenlänge der Alkoxyde wird bestimmt durch die Leichtigkeit ihrer Produktion und ihrer Zersetzung. Bei den Temperaturen, welche in der Verfahrensstufe der Erhitzung angewandt werdenj bestehen die Verbrennungsprodukte des Alkoxydteils hauptsächlieh aus Wasser und Kohlenstoffdioxyd. Aryloxyde werden normalerweise nicht eingesetzt, weil sie im Vergleich zu Alkoxyden größere Schwierigkeiten für die vollständige Zersetzung bereiten. ^ Das für dieses Verfahren angewandte Metall wird ausgewählt aus der Gruppe Tantal, Niobium, Titan, Tellur, Zirkon und Yttrium oder Kombinationen dieser Metalle.
Die Charakteristiken des erzeugten Belages, wie Brechungsindex, ■ Dielektrizitätskonstante, Härte, Porosität, Lichtabsorbtion, chemische Stabilität und andere chemische, physikalische, elektronische und optische Eigenschaften lassen sich bestimmen durch geeignete Auswahl der Bereitung der Alkyloxydpräparate für die jeweils vorliegende, zu beschichtende Zelle. Die Stärke des Belages läßt sich leicht durch die Menge der verwendeten Alkoxydpaste bestimmen und beträgt vorzugsweise etwa 1/4-tel der Wellenlänge der Lichtenergie mit einer Wellenlänge im Bereich von etwa o,5 bis o,75 Mikron. Die tatsächlich erzielte Stärke der Beschichtung läßt sich durch verschiedene bekannte Instrumente messen, die für diesen Zweck zur Verfugung stehen.
Bei der Zubereitung der metallisch-organischen Paste wird ein Eindickungs- oder Suspensions-Agens, wie Ethylcellulose oder Methylcellulose, mit einer kompatiblen Flüssigkeit gemischt. Die am häufigsten benutzte Flüssigkeit als Lösungsmittel für Alkoxyde ist aliphatischer Alkohol mit wenigstens sechs Kohlenstoffatomen, wie 2-Ethylhexanol-1 oder einem Terpen, wie oC-Terpineol. Auch andere bekannte alkoholische Flüssigkeiten, wie
,WT :# \.-XV 15.01.1982/2
_ g _ Plating t
Benzylalkohol und andere aromatische Alkohole, Terpene und Eindiekungs- oder Suspensions-Agenzien können benutzt wrden. ""
Dieser Paste wird entweder ein metallisches Alkoxyd oder eine Mischung von Metallchloriden und Alkohol beigegeben. In keinem ' dieser Falle muß sämtliches Halogen des Metalls durch eine Alkoholgruppe ersetzt werden. In Abhängigkeit vom ausgewählten Metall findet, wenn das Metall und der Alkohol der Mischung zugesetzt werden, entweder eine Reaktion zwischen den beiden Komponenten oder eine Komplex.verbindung der beiden Komponenten oder beides statt. Das Verhältnis von -Metall-Halogenit zu Alkohol in einer Mischung der beiden Komponenten oder in einem Alkoxyd liegt zweckmäßig bei etwa 1/1 bis 1/3, vorzugsweise bei 1/2.
Das bevorzugte Verhältnis von Eindiekungsagens zum Alkohol zwecks Bildung einer brauchbaren Paste liegt im Bereich von etwa 2/1 bi£ 1/2o. Das bevorzugte Verhältnis der Paste zum Metallalkoxyd oder der Mischung liegt im Bereich von etwa 1o/1 bis 5o/1. ,
Bei einem spezifischen praktischen Anwendungsfall nach dieser Erfindung wurde eine Paste mit einem Teil Ethylcellulose und 1,5 Teilen <jL- Terpineol verwendet. 2o Teilen der resultierenden Paste wird ein Teil einer Mischung aus ein'Teil Niobiumchlorid (NbCIc) auf zwei Teile Ethanol beigefügt. Die resultierende im wesentlichen homogene Paste wird dann über ein Gitter gesprüht, welches auf die Lichtempfarigsoberflache der Zelle gebracht worden ist. Dieses Gitter läßt alle Bereiche offen ausgenommen diejenigen Bereiche,welche das Metallgitter bilden sollen. Die Stärke der Abschirmung wird so gewählt, daß sich in ihrem, offenen Bereich genügend Paste anbringen läßt um einen Belag zu bilden, der nach der Hitzebehandlung eine Stärke von etwa 1/4tel Wellenlänge beträgt.
Nachdem die Paste auf die Zelle aufgebracht worden ist, wird die Abschirmung entfernt und die Zelle auf etwa 4oo°C bis 55o°C für die Dauer von etwa 1 bis 1o Minuten erhitzt. Anschließend an die Hitzebehandlung wird die Zelle mit einer Standard-Nickelplatierungslösung plattiert, um so die Gitterstruktur zu bilden.
— 8 —
_. . .^ί \ ·-'.**"* V 15.01.1982/2
,-u I 32ϋ . I 88 -"·. : *··*·.·· ·..·-:.. 01.71 Mckei-
>: ,j; G^ Plating
; Bei wiederholter Anwendung dieses Verfahrens wurde eine Mi-
·■ schung von ein Teil Ethyl cellulose mit 1,5 Teilen 2-Ethyl-, ■ ¥ hexanol-1 als Pastenkomponenten bzw. 1 bis 3 Tantalchlorid- -■ ■ EthanolmJ schung oder Titanethoxyd eingeführt. Das Verhältnis ■ t :· von Paste zur metallischen Alkoholmischung war 15/I und das ·''■ V' Verhältnis von Paste zu Titanethoxyd 25/1. Bei beiden Verfahren
war die Stärke der resultierenden Oxydbeschichtung im Bereich :■ von etwa o,5 bis ο,75 Mikron.
Die Erfindung kann auch so ausgeführt werden, daß die Beschich-• ' tung nach der Hitzebehandlung der Zelle entfernt wird. In diesem ; Fall ist das Beschichtungsmaterial zus-ammengesetzt aus Material,
welches der Hitze im Bereich von etwa 3oo°G bis 55o°C standhält. .; Derartiges Material ist bekannt. Es wird jedoch bevorzugt, daß die Beschichtung vor der Hitzebehandlung entfernt wird. JPür die Bezugnahme auf Anteile und Verhältnisse in Beschreibung . und Ansprüchen gelten Gewichtsanteile.
: Im Eahmen der Erfindung sind jaoch mancherlei Abänderungen und \ .·' andere Ausführungen^ möglich.

Claims (13)

3201 138 -*-.*:■ :..:-·..: ·..·.:".. 8I.71 Nickei- ■~- Plating ■· PAQ%NTANSPRÜCHE;
1. Verfahren zur Bildung eines Antireflektionsüberzuges und Gitters auf der Oberfläche einer Solarenergiezelle zur
,' Absorbtion von den auf die Oberfläche treffenden Lichtstrahlen, dadurch gekennzeichnet, daß
a. auf der Oberfläche der Solarzellen eine gitterartige .... Abschirmung gebildet wird, deren Muster die Bereiche . für den Antireflektionsüberzug offenläßt,
b. eine Metallalkoxydpaste aufgebracht ?' wird,
1^ c. die so beschichtete Zelle auf eine Temperatur im Bereich von etwa 3oo°C bis 55o°C erhitzt wird, um das Alkoxyd
zu zersetzen und Metalloxyd zu bilden, und
nach Entfernung.des Gitters, , „ , ., ... .. d./axe Klaren Bereiche zur Bildung des Metallgitters mit
einer Nickelmasse plattiert werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Verwendung einer Paste, welche aus
a. einem Eindickungs- oder Suspensions-Agens,
b. flüssigem Alkohol aus der Gruppe aliphatischer Alkohole mit wenigstens 6 Kohlenstoffatomen, Terpenen und aroma-
: - tischen Alkoholen, und
^ ' c. einem Metallalkoxyd besteht, wobei das Metall aus der Gruppe von Tantal, Titan, Niobium, Yttrium, Zirkon, Tellur oder einer Mischung dieser ausgewählt ist.
:'i
3. Verfahren nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch Anwendung eines Verhältnisses von Eindickungsagens zu Alkohol in der Größenordnung von 2/1 bis etwa 1/2o und einem Verhältnis der Paste, d.h. der Mischung von Eindickungsagens· und Alkohol, zum Metallalkoxyd in der Größenordnung von etwa 1o/1 bis 5o/1.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Alkoxydteil aus der. Gruppe der Methoxyde, Ethoxyde, N-Propoxyde, Iso-Propoxyde, Butoxyde und Pentyloxyde ausgewählt wird.
Plating I
5. Verfahren nach Anspruch 4-, dadurch gekennzeichnet, daß das Eindickungsagens aus der Gruppe der Methylcellulose und Ethylcellulose ausgewählt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß der Alkohol aus der Gruppe der 2-Ethylhexanol-1 und oL-Terpineole ausgewählt wird.
7· Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Metallalkoxyde eine Mischung von Metallchlorid und einem Alkohol benutzt wird mit einem Verhältnis der Metallchloride zu Alkohol in der Größenordnung von etwa 1/1 bis 1/3.
8. Präparat (Komposition) zur Bildung des Gitters eines Antireflektionsbelages auf der Lichteinfallsfläche einer Solarzelle, dadurch gekennzeichnet, daß es aus folgenden Bestandteilen zusammengesetzt ist:
a. einem Eindickungs- oder Suspensions-Agens,
b. einem flüssigen Alkohol aus der Gruppe aliphatischer Alkohole mit wenigstens sechs Kohlenstoffatomen, Terpenen und aromatischen Alkoholen, und ,
c. einem Metallalkoxyd aus der Gruppe Tantal, Titan, Niobium, Yttrium, Zirkon, Tellur oder einer Mischung dieser.
9. Präparat nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein Verhältnis des Eindickungsagens zum Alkohol im Bereich von etwa 2/1 bis 2o/1 und ein Verhältnis der Paste, d.h. der Agens-Alkohol-Mischung, zum Metallalkoxyd in der Größenordnung von etwa 1o/1 bis 5o/1 vorgesehen ist.
10. Präparat nach Anspruch 9» gekennzeichnet durch einen Alkoxydteil aus der Gruppe der Methoxyde, Ethoxyde, N-Propoxyde, Iso-Propoxyde, Butoxyde und Pentyloxyde vorgesehen ist.
11. Präparat, nach Anspruch 1o, dadurch gekennzeichnet, daß ein Eindickungs-Agens aus der Grujppe. der Methylcellulose und Ethylcellulose vorgesehen xsIf.
.t
— 3 —
' -a $ -ι : .· ·..·· : 14.01.1982/2
Plating
12. Präparat nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß
ein Alkohol aus der Gruppe der 2-Äthylhexanole-1 und cL -Terpineole vorgesehen ist.
13. Präparat nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallalkoxyde aus einer Mischung von Metallchloriden und einem Alkohol im Verhältnis der Metallchloride zum Alkohol in der Größenordnung 1/1/zu etwa 1/3 bestehen·
DE19823201188 1981-01-23 1982-01-16 Solarzelle mit antireflektonsueberzug und verfahren zu ihrer herstellung Withdrawn DE3201188A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/227,929 US4328260A (en) 1981-01-23 1981-01-23 Method for applying antireflective coating on solar cell

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3201188A1 true DE3201188A1 (de) 1982-08-26

Family

ID=22855027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19823201188 Withdrawn DE3201188A1 (de) 1981-01-23 1982-01-16 Solarzelle mit antireflektonsueberzug und verfahren zu ihrer herstellung

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4328260A (de)
BE (1) BE891871A (de)
CH (1) CH646013A5 (de)
DE (1) DE3201188A1 (de)
ES (1) ES508990A0 (de)
FR (1) FR2498817B1 (de)
GB (1) GB2091940B (de)
IT (1) IT1195910B (de)
NL (1) NL8200237A (de)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4411703A (en) * 1981-01-23 1983-10-25 Solarex Corporation Composition for applying antireflective coating on solar cell
US4496398A (en) * 1982-01-20 1985-01-29 Solarex Corporation Antireflective coating composition
JPS60140880A (ja) * 1983-12-28 1985-07-25 Hitachi Ltd 太陽電池の製造方法
US4595609A (en) * 1984-11-21 1986-06-17 Regents Of The University Of Minnesota Corrosion resistant tantalum pentaoxide coatings
JP2625453B2 (ja) * 1987-12-09 1997-07-02 セントラル硝子 株式会社 パターン膜形成法
CA2042083A1 (en) * 1990-06-04 1991-12-05 Adolph L. Micheli Formation of potassium tantalate niobate thin films by metalorganic deposition
FR2759464B1 (fr) 1997-02-10 1999-03-05 Commissariat Energie Atomique Procede de preparation d'un materiau optique multicouches avec reticulation-densification par insolation aux rayons ultraviolets et materiau optique ainsi prepare
FR2759360B1 (fr) 1997-02-10 1999-03-05 Commissariat Energie Atomique Materiau polymerique inorganique a base d'oxyde de tantale notamment a indice de refraction eleve, mecaniquement resistant a l'abrasion, son procede de fabrication et materiau optique comprenant ce materiau
US8876963B2 (en) 2007-10-17 2014-11-04 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Dielectric coating for single sided back contact solar cells
US7964499B2 (en) * 2008-05-13 2011-06-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming semiconductor solar cells having front surface electrodes
JPWO2014014109A1 (ja) * 2012-07-19 2016-07-07 日立化成株式会社 パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板、パッシベーション層付半導体基板の製造方法、太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池
TWI608007B (zh) * 2012-07-19 2017-12-11 日立化成股份有限公司 太陽電池用鈍化層形成用組成物、帶有太陽電池用鈍化層的半導體基板、帶有太陽電池用鈍化層的半導體基板的製造方法、太陽電池元件、太陽電池元件的製造方法、太陽電池以及用途
TW201408675A (zh) * 2012-07-19 2014-03-01 Hitachi Chemical Co Ltd 鈍化層形成用組成物、帶有鈍化層的半導體基板、帶有鈍化層的半導體基板的製造方法、太陽電池元件、太陽電池元件的製造方法及太陽電池

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3949463A (en) * 1973-02-13 1976-04-13 Communications Satellite Corporation (Comsat) Method of applying an anti-reflective coating to a solar cell
US3904453A (en) * 1973-08-22 1975-09-09 Communications Satellite Corp Fabrication of silicon solar cell with anti reflection film
US4241108A (en) * 1978-10-10 1980-12-23 Rca Corporation Sprayable titanium composition

Also Published As

Publication number Publication date
ES8302320A1 (es) 1982-12-16
CH646013A5 (fr) 1984-10-31
NL8200237A (nl) 1982-08-16
FR2498817B1 (de) 1984-11-30
US4328260A (en) 1982-05-04
GB2091940A (en) 1982-08-04
IT8219260A0 (it) 1982-01-22
GB2091940B (en) 1985-02-20
ES508990A0 (es) 1982-12-16
IT1195910B (it) 1988-11-03
BE891871A (fr) 1982-07-22
FR2498817A1 (de) 1982-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3201188A1 (de) Solarzelle mit antireflektonsueberzug und verfahren zu ihrer herstellung
DE2517939C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer für Infrarotstrahlung empfindlichen Photodiode
DE4433097C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer lichtabsorbierenden Schicht einer Solarzelle
DE2439301A1 (de) Verfahren zum aufbringen transparenter, elektrisch leitender zinnoxid-schichten auf einem substrat
DE3490007T1 (de) Verfahren zur Herstellung von Solarzellen
DE1467734B2 (de) Weiterbildung der Vorrichtung zur Um Wandlung von Licht in Warme, mit einer Metallbasis
DE2856797A1 (de) Verfahren zur herstellung von solarzellen
DE2406339A1 (de) Verfahren zum auftragen einer antireflektierenden beschichtung auf einen halbleiter
DE2023489A1 (de)
DE3011285A1 (de) Silizium-fotozelle und verfahren zu ihrer herstellung
DE2818261A1 (de) Halbleiter-solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung
EP0142114B1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle
DE1539942B2 (de) Verfahren zur Herstellung von Trockenelektrolytkondensatoren
DE3122771A1 (de) &#34;verfahren zur herstellung von sonnenzellen&#34;
DE2718288C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines selektiven Solarenergieabsorbers
DE2313211B2 (de) Dünnschichtfestelektrolytkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2818262A1 (de) Gaas-gaalas-solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung
DE537692T1 (de) Verfahren zum herstellen optisch aktiver einmodenstreifenwellenleitern fuer optische nachrichtenuebertragung.
DE2316520B2 (de) Verfahren zum Dotieren von Halbleiterplättchen durch Diffusion aus einer auf das Halbleitermaterial aufgebrachten Schicht
DE2055632C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Blendschutzgläsern durch Aufdampfen von Oberflächenschichten im Vakuum, insbesondere auf Brillengläsern
DE2327878C3 (de) Verfahren zum Ätzen von mit Elektroden versehenen Halbleiterscheiben für Halbleiterbauelemente
DE2804447B2 (de) Verfahren zur Herstellung selektiver Absorberschichten hohen Absorptionsvermögens und niedriger Emission, insbesondere für Sonnenkollektoren
EP0409785A1 (de) Elektrolyt zur Erzeugung schwarzer Konversionsschichten auf Leichtmetallen
DE3127156A1 (de) &#34;verfahren zum auftragen eines antireflexbelages und eines elektrodenmusters auf eine solarzellenoberflaeche sowie danach hergestellte solarzelle&#34;
DE3413175C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee