DE3150736A1 - Spannungsversorgungsschaltung - Google Patents

Spannungsversorgungsschaltung

Info

Publication number
DE3150736A1
DE3150736A1 DE19813150736 DE3150736A DE3150736A1 DE 3150736 A1 DE3150736 A1 DE 3150736A1 DE 19813150736 DE19813150736 DE 19813150736 DE 3150736 A DE3150736 A DE 3150736A DE 3150736 A1 DE3150736 A1 DE 3150736A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
differential amplifier
amplifier stage
transistor
voltage
operating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19813150736
Other languages
English (en)
Other versions
DE3150736C2 (de
Inventor
Johann 7101 Untergruppenbach Mattfeld
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Electronic GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DE19813150736 priority Critical patent/DE3150736A1/de
Publication of DE3150736A1 publication Critical patent/DE3150736A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3150736C2 publication Critical patent/DE3150736C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06Receivers
    • H04B1/16Circuits
    • H04B1/1607Supply circuits
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/22Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Spannungsversorgungsschaltung
  • Die Erfindung betrifft eine Spannungsversorgungsschaltung für mehrere Betriebseinheiten, wobei die Betriebseinheiten und die Spannungsversorgungsschaltung einen integrierten Schaltkreis bilden.
  • Beispielsweise in Rundfunkgeräten ist es erforderlich, auf unterschiedliche Empfangsbereiche umschalten zu können. Dabei wird angestrebt, diese Umschaltung mit möglichst einfachen Schaltern durchzuführen, wobei ES insbesondere bei Geräten mit integrierten Schaltkreisen darauf ankommt, daß diese integrierten Schaltkreise möglichst keine zusätzlichen Anschlüsse benötigen. »ie Umschaltung sollte daher vorzugsweise über Anschliissf: des IC's möglich sein, die auch für andere Zwecke erforderlich sind. So wurden beispielsweise integrierte Schaltkreise entwickelt, die in einer Schaltkreiseinheit je einen Verstärkewr für AM- und für FM-Betrieb, sowie die zugehörige Spannungsversorgungsschaltung und weitere Schaltteile enthalten-. Dieser Schaltkreis muß normalerweise zur Umschaltung der Betriebsspannung vom einen auf den anderen Verstärker zwei bzw. drei aus dem IC herausgeführte Anschlußpins aufweisen.
  • Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, eine Spannungsversorgungsschaltung anzugeben, die einen elektronischen Umschalter enthält, mit dessen Hilfe eine Umschaltung von der einen Betriebseinheit auf die andere Betriebseinheit ohne zusätzliche Anschlußpins an der alle Schaltungsteile enthaltenden integrierten Schaltung möglich ist. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß zur Erzeugung der Betriebsspannung für jede Betriebseinheit in der Spannungsversorgungsschaltung eine gesonderte Differenzverstärkerstufe mit einer nachgeschalteten Spannunysteilerschaltung vorgesehen ist, daß die Differenzverstärkerstufen mit einer zusätzlichen Differenzverstärkerstufe verbunden sind, wobei der Betriebszustand der zusätzlichen Differenzverstärkerstufe über einen Schalter drrt steuerbar ist, daß jeweils nur die einer Schalterstellung zugeordnete Betriebseinheit über die zugehörige Differenzverstärkerstufe an der Betriebsspannung anliegt.
  • Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Spannungsversorgungsschaltung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
  • Ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Spannungsversorgungsschaltung ist in der Figur dargestellt.
  • Die Schaltung gemaß der Figur enthält zur Erzeugung der Betriebsspannungen für zwei Betriebseinheiten zwei Differenzverstärkerstufen mit nachgeschalteten Spannunysteilerschaltungen. Die e beiden Y\etriebseinheiten sind in der Figur mit AM und F bezeichnet, die bei einem AM/FM-Empfänger den jeweiligen Verstärker enthalten. Zur Erzeugung der Betriebsspannung USF>l für den FM-Verstärker ist die Differenzverstärkerstufe aus den Transistoren T8 und Tg vorgesehen, während zur Erzeugung der Betriebsspannung USAM für den AM-Verstärker der Differenzverstärker aus den Transistoren T12 und T13 dient. Beide Differenzverstärkerstufen sind identisch aufgebaut. Die beiden genannten Transistoren sind an den Emitterelektroden miteinander und mit einer Stromquelle Q4 bzw. Q5 verbunden. Die Basiselektrode jeweils eines Transistors T8 bzw. T12 jeder Differenzverstärkerstufe wird mit einer stabilisierten Spannung UStab versorgt, so daß in diesen Transistoren T8 und T12 stabilisierte Kollektorströme durch die Kollektorwiderstände R7 bzw. Rlo fließen.
  • An jede Differenzverstärkerstufe ist eine Spannungsteilerschaltung angeschlossen, die aus den Widerständen R8, Rg und dem Transistor T11 bzw. den Widerständen R1l, R12 und dem Transistor T15 besteht. Die Basisemitterstrecke des Transistors T11 bzw. T15 ist parallel zum Kollektorwiderstand R7 bzw. R10 des Transistors T8 bzw. T12 geschaltet.
  • Im Kollektorzweig des Transistors T11 bzw. T15 liegt die Reihenschaltung aus den Widerständen R8, R9 bzw. R111 R12, deren Mittelanschluß mit der Basiselektorde des zweiten Transistors T9 bzw. T13 jeder Differenzverstärkerstufe vebunden ist. An der Kollektorelektrode des Transistors T11 bzw.
  • T15 wird an den Anschlußpunkten 8 bzw. A jeweils die Betrw spannung für die angeschlossene Verstärkerschaltung abgegriffen. Diese Betriebsspannung beträgt beispielsweise 2, was durch eine entsprechende Dimensionierung der Spannung teilerschaltung eingestellt werden kann.
  • Da sich im stabilisierten Zustand an den Basiselektroden beider Transistoren jeder Differenzverstärkerstufe gleiches Potential einstellen wird, läßt sich die Größe des Stromes durch die Spannungsteilerstufe mit Hilfe des Widerstandes R9 bzw. R12 einstellen. Über die Widerstände R8 bzw. R11 wird die gewünschte Spannungsaufstockung derart vorgenommen daß sich an den Potentialpunkten A und B die gewünschte Betriebsspannung für den FM- bzw. den AM-Verstärker einstellt.
  • Die an den Basiselektroden der Transistoren T8 und T12 anliegende stabilisierte Versorgungsspannung beträgt beispielsweise 1,2 V. Der gleiche Spannungswert wird sich dann an Basiselektroden der Transistoren T9 und T13 einstellen, d=-: über die Widerstände R8 und R11 beispielsweise auf den erwähnten Wert von ca. 2,5 V an den Anschlußpunkten A bzw.
  • aufgestockt wird.
  • Die Spannungsversorgungsschaltung gemäß der Figur enthält dritte Differenzverstärkerstufe aus den Transistoren T5 -ur.-T6 die gleich wie die beiden zuvor beschriebenen Differenzverstärkerstufen aufgebaut ist, bei der jedoch an der Verbindung E zwischen den Widerständen R3 und R4 der Spannunteilerschaltung eine Spannung UA abgegriffen wird. Der Pun bildet zugleich den Basisanschluß des Transistors T6. Ferner besteht bei der dritten Differenzverstärkerstufe die Spannungsteilerschaltung aus dem Transistor T7, den Widerständen R3 und R4 und der Diode D1, wobei alle genannten Teile zueinander in Reihe geschaltet sind. Die hinzukommende Diode D1 ist zugleich Teil einer Stromspiegelschaltuny aus dieser Diode D1 und dem Transistor T2.
  • Die Spannung UA beträgt beispielsweise 1, V wenn die stabilisierte Spannung UStab den gleichen Wert aufweist. Diese Spannung UA dient beispielsweise der Versorgung der Basiselektroden der Transistoren im HF-Teil des Am-Verstärkers.
  • Dieses Anschlußpin nun ber einen extern zugeschalteten Kondensator C mit Nasse verbunden werden, um eine HF-Entkopplung zu erziel Efl. Dies bedeutet, daß das in der Schaltung dargestellte Anschlußpin das zum Anschluß E führt, auf jeden Fall vorhanden sein muß. Nach der Erfindung ist nun vorgesehen, daß allein über dieses ohnehin erforderliche Anschlußpin eine elektronische Umschaltung der Betriebsspannung vom FM- auf den AM-VersLürker und umgekehrt mit Hilfe des Schalters S möglich ist.
  • Um diese elektronische Umschaltung herbeiztlführen, enthält die Schaltung gemäß der figur eine weitere zusätzliche Differenzverstärkerstufe aus den Transistoren T3 und T4, die über die Transistoren T10 1)ZW. Tz4 an die Differenzverstärkerstufen angeschlossen ist, an denen die Betriebsspannungen für die angeschlossenen Betriebseinheiten abgegriffen wird. Dem erfindungsgemäl3en Zweck dient ferner der bereits erwähnte Stromspiegelschaltung aus der Diode D1 und dem Transistor T2.
  • Die beiden Transistoren T3 und T4 der zusätzlichen Differenzverstärkerstufe enthalten in den Kollektorzweigen der yenannten Transistoren jeweils eine Diode D2 bzw D3, die gleichsinnig zu der Basisemitterdiode des Transistors T3 bzw. T4 angeordnet sind. An diesen Dioden D2 bzw. D3 wird jeweils eine Spannung abgegriffen und auf die Basisemitterstrecke eines Transistors Tlo bzw. T14 gegeben, dessen Kollektor-Emitterstrecke jeweils den Kollektorwiderstand R7 bzw. R10 der zugeordneten Differenzverstärkerstufe überbrückt.
  • Die zusätzliche Differenzverstärkerstufe aus den Transistoren T3 und T4 wird über eine Stromquelle 1, die an beide Emitterelektroden der beiden Transistoren angeschlossen ist, mit Strom versorgt. Über die Reihenschaltung einer zweiten Stromquelle Q2 und dem Widerstand R2 wird das Basispotential des Transistors T4, der im Kollektorzweig die Diode D3 enthält, eingestellt. Das Basispotential des Transistors T3 wird mit Hilfe eines Widerstandes R1 gewonnen, der zwischen die Basiselektrode des Transistors T3 und den positiven Pol der Versorgungsspannung US geschaltet ist. In Re.jie zu dem Widerstand R1 sind zwei Stromquellen geschaltet, die zueinander parallel liegen. Die eine Stromquelle wird durch den Transistor T1 mit dessen Erriitterwiderstnd R6 gebildet, wobei die Basiselektrode dieses Transistors T3, an der stabilisierten Spannung UStab anliegt. Die zweite Stromquelle ist durch den Stromspiegelverstärker aus der Diode D1 und dem Transistor T2 vorgegeben, wobei der Kollektor des Transistors T2 mit der Basiselektrode des Transistors T3 verbunden ist.
  • Die dargestellte Schaltung funktioniert wie folgt: Wenn das Anschlußpin offen ist, wird an diesem-Pin die Spannung UA abgegriffen, die dem AM-Verstärker zugeführt wird. Die Spannungsteilerschaltunq aus dem Transistor T7, dem Widerstand R3, dem Widerstand R 4 und der Diode D1 führt zugleich einen derart großen Strom, daß an der Diode D1 eine den Transistor T2 durchsteuernde Spannung abfällt. Der Widerstand R1, der der Potentialeinstellung an der Basiselektrode des Transistors T3 dient, wird somit von beiden Stromquellen aus dem Transistor T1 und dem Transistor T2 mit Strom versorgt, so daß der Spannungsabfall am Widerstand R1 relativ groß und das Potential an der Basiselektrode des Transistors T3 relativ niedrig ist. Aufgrund des eingestellten höheren Basispotentials am Transistor T4 ist der Transistor T3 gesperrt und der Transistor T4 führt den gesamten Strom der Stromquelle Q1 An der durchgeschalteten Diode D3 im Kollektorzweig des Transistors T fällt somit eine 4 Spannung ab, durch die der Transistor T10, der nach Art eines Stromspiegelverstärkers der Diode D3 nachgeschaltet ist, durchgesteuert wird. Die Emitter-Kollektorstrecke des Transistors Tlo schließt somit den Widerstand R7 kurz, so daß an der Basisemitterstrecke des Transistors T11 keine, für die Durchsteuerung dieses Transistors T11 ausreichende Spannung abfällt. Die Spannungsteilerschaltung aus dem Transistor T11, dem Widerstand R8 und dem Widerstand R9 bleibt folglich stromlos, so daß die Spannung USFM auf Massepotential gezogen wird, was bedeutet, daß der FM-Verstärker ohne Betriebsspannung bleibt.
  • Da der Transistor T3 stromlos ist, bleibt auch der Transistor T14 gesperrt und am Kollektorwiderstand Rlo der Differenzverstärkerstufe aus den Transistoren T12 und T13 fällt eine die Basisemitterstrecke des Transistors T15 durchsteuernde Spannung ab. Die Spannungsteilerschaltung der Differenzverstärkerstufe aus den Transistoren T12 und T13, die aus den Transistoren T15, dem Widerstand R11 und dem Widerstand R12 besteht, ist somit stromführend, so daß am Anschlußpunkt A die gewünschte Betriebsspannung für den AM-Verstarker abfällt.
  • Soll nun vom AM-Betrieb auf FM-Betrieb umgeschaltet werden1 wird der Schalter S rnit dem Anschlußpin verbunden1 so daß dieses Anschlußpin auf Masse gelegt wird. Folglich erhält der AM-Verstärker keine Spannung A mehr. Zugleich wird der Stromspiegelverstärker aus dr Diode D1 und dem Transistor T2 stromlos, so daß der r Spannungsabfall am Widerstand R1 kleiner wird und das Potential an der Basiselektrode des Transistors T3 über jenes an der Basiselektrode des Transistors T4 ansteigt.
  • Folglich übernimmt der Transistor T3 den gesamten Strom der Stromquelle Q1' wodurch an der Diode D2 ein Spannungsabfall entsteht, der zur Durchschaltung des Transistors T14 und damit zur Kurzschließung des Widerstandes R10 ausreicht. Daraus folgt, daß auch der Transistor T15 sperrt, so daß die Spannung USAM am Anschluß A der Spannungsteilerschaltung aus dem Transistor T15, dem Widerstand R11 und dem Widerstand R12 auf Massepotential gezogen wird. Der AM-Verstärker erhält somit keine Betriebsspannung mehr. Da in diesem Fall aber die Diode D3 stromlos ist und somit der Transistor Tlo gesperrt bleibt, fällt am Punkt B des Transistors T11 die Betriebsspannung USFM für den FM-Verstärker ab.
  • Die sichere Umschaltung vom AM- auf FM-Betrieb und umgekehrt kann dadurch verbessert werden6 daß die Transistorflächen der Transistoren T10 und T14 bzw. die aktiven Flächen der Dioden D2 und D3 so gewählt werden, daß ein rascher und eindeutiger Umschaltvorgang gewährleistet ist. Bei den Dioden D1, D2 und D3 kann es sich gleichfalls um Transistoren handeln, die durch entsprechende Verbindung der Anschlußelektroden als Dioden betrieben werden. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel bestehen die Transistoren T1, T2, T3, T4, T5, T6, T8, T9, T12, T13, aus npn-Transistoren während die Transistoren T7, T10, Tll, T14 und T15 hierzu komplementäre pnp-Transistoren sind.

Claims (9)

  1. Patentansprüche 1) Spannungsversorgungsschaltung für meIirre Betrl.ebseineiten, wobei die Betriebseinheiten und die Spannungsversorgungsschaltung einen integrierten Schaltkreis bilden, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung der Betriebsspannung für jed< Betriebseinheit (AM, tM) in der Spannungsversorgungsschaltung eine gesonderte Differenzverstärkerstufe (T8, T9 bzw. T12, T13) mit einer nachgeschalteten Spannungsteilerschaltung (T11, R8, R9 bzw. T15, R11, R12) vorgesehen ist, daß die Differenzverstärkerstufen mit einer zusätzlichen Differenzverstärkerstufe (T3, T4) verbunden sind, wobei der Betriebszustand der zusätzlichen Differenzverstärkerstufe huber einen Schalter (S) derart steuerbar ist, daß jeweils nur die. einer Schalterstellung zugeordnete Betriebseinheit über die zugehörige Differenzverstärkerstufe an der Betriebsspannung anliegt.
  2. 2) Spannungsversorgungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dal! das Basispotential eines Transistors (T3) der zusätzlichen Differenzverstärkerstufe über eine Stromspiegelschaltung (D1, T2) derart eingestellt wird, daß in Abhängiykeit von der Stellung des Schalters (S) jeweils über die Kollektorlast (D2 bzw. D3) nur eines Transistors der zusätzlíchen Differenzverstärkerstul! Strom fließen kann.
  3. 3) Spannungsversorgungsschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromspiegelschaltung (D1, T2) in Abhängigkeit von der Stellung des Schalters (S) stromführend oder stromlos ist.
  4. 4) Spannungsversorgungsschaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung der Betriebsspannung für zwei Betriebseinheiten (AM, FM) zwei Differenzverstärkerstun mit nachgeschalteten Spannungsteilerschaltungen vorgesehen sind, daß jede Differenzverstärkerstufe mit je einem Kollektor eines Transistors (T3 bzw. T4) in der zusätzlichen Differenzverstärkerstufe derart verbunden ist, daß das Potential am Kollektor des stromführenden Transistors in der zusätzlichen Differenzverstärkerstufe den Spannungsabgriff in der zugeordneten Spannungsteilerschaltung der angeschlossenen Differ-onzverstärkerstufe auf Massepotential legt, während über den stromlosen Transistor der zusätzlichen Differenzverstärkerstufe am Spannungsabgriff.der angeschlossenen Differenzverstärkerstufe ie Betriebs spannung für die nachgeschaltete Betriebseinheit erhalten bleibt.
  5. 5) Spannungsversorgungsschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß im Kollektorzweig jedes Transistors (T3, T4) der zusätzlichen Differenzverstärkerstufe eine Diode (D2, D3) gleichsinnig zur Basis-Emitterdiode des angeschlossenen Transistors (T3, T4) geschaltet ist, daß der Spannungsabfall an jeder Diode an der Basis-Emitterstrecke jeweils eines Schnlt:ransistors (Tlo, T14) anliegt, der den Kollektorwiderstand (R7, R1 Rlo) in der zugeordneten Differenzverstärkerstufe überbrückt, an den die zugehörige Spannungsteilerschaltung angeschlossen ist.
  6. 6) Spannungsversorgungsschaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jede Spannungsteilerschaltung aus in Reihe geschalteten Widerständen (R8, R9 bzw. Rll, R12) und der Kollektor-Emitterstrecke eines Ausgangstransistors-(Tll bzw. T15) besteht, wobei die Basis-Emitterstrecken dieser Transistoren parallel zum zugeordneten Kollektorwiderstand (R7 bzw. R10) der zugehörigen Differenzverstärkerstufe liegt, daß die Betriebsspannung für die nachgeschaltete Betriebseinheit (AM, FM) am Kollektor des jeweiligen Ausgangstransistors (T11 bzw. T15) abgegriffen wird, und daß die Verbindung zwischen den Widerständen (R8, Rg bzw. R11, R12) des Spannungsteilers an die Basiselektrode des Transistors (T9 bzw. T13) der zugehörigen Differenzverstärkerstufe angeschlossen ist, der keinen Kollektorwiderstand enthält.
  7. 7) Spannungsversorgungsschaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine weitere Differenzverstärkerstufe (T5, T) vorgesehen ist die zur Erzeugung einer weiteren Uetr:i ebsspannung (UA gleichfalls an eine Spannungsteilerschaltung (R3, R4, T7, D1) angeschlossen ist, daß der Spannungsabgriff dieser Spannungsteilerschaltuny ein Ausgangspin der integrierten Schaltung bildet, das über den Schalter kurzgeschlossen werden kann, und daß in diese Spannungsteilerschaltung die das Basispotential an einem Transistor (T3) der zusätzlichen Differenzverstärkerstufe (T3, T4) bestimmende Stromspiegelschaltung (D1, T2) geschaltet ist.
  8. 8) Spannungsversorgungsschaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß zur Einstellung des Basispotential eines Transistors (T3) in der zusätzlichen Differenzverstärkerstufe (T3, T4) ein Widerstand (R1) vorgesehen ist, der von zwei parallel geschllteten Stromquellen (T1, R6 und D1, T2) gespeist wird, wobei eine dieser Stromquellen durch die ein-und abschaltbare Stromspiegelschaltung (D1, T2) gebildet wird.
  9. 9) Spannungsversorgungsschaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch die Verwendung zur Erzeugung der Betriebsspannungen von integrierten AM- und FM-Verstärkern.
DE19813150736 1981-12-22 1981-12-22 Spannungsversorgungsschaltung Granted DE3150736A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813150736 DE3150736A1 (de) 1981-12-22 1981-12-22 Spannungsversorgungsschaltung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813150736 DE3150736A1 (de) 1981-12-22 1981-12-22 Spannungsversorgungsschaltung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3150736A1 true DE3150736A1 (de) 1983-07-14
DE3150736C2 DE3150736C2 (de) 1988-06-09

Family

ID=6149386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19813150736 Granted DE3150736A1 (de) 1981-12-22 1981-12-22 Spannungsversorgungsschaltung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3150736A1 (de)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2928367A1 (de) * 1978-07-14 1980-04-24 Nippon Electric Co Mehrkanal-signalverarbeitungsschaltung in integrierter bauweise

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2928367A1 (de) * 1978-07-14 1980-04-24 Nippon Electric Co Mehrkanal-signalverarbeitungsschaltung in integrierter bauweise

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DE-Firmenschrift Siemens, Elektron.Bauelemente Neuheiten, 1980/81, S.74-75 *
US-Z.: IEEE-Transactions on Consumer Electronics, Vol.CE-23, No.3, August 1977, S.424-431 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE3150736C2 (de) 1988-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2323478A1 (de) Datenuebertragungsanordnung
DE2416534B2 (de) Transistorschaltung zum umkehren der stromrichtung in einem verbraucher
EP0011704B1 (de) Referenzspannungsquelle, insbesondere für Verstärkerschaltungen
EP0421016A1 (de) ECL-TTL-Signalpegelwandler
EP0196627B1 (de) Integrierte Verstärkerschaltung
DE1050810B (de) Bistabile Schaltung mit Flächentransistoren
DE2715609A1 (de) Fenster-diskriminatorschaltung
DE69128456T2 (de) Hysterese schaltung
DE3687446T2 (de) Symmetrischer oszillator.
EP0046878A2 (de) Rückgekoppelter Verstärker oder Schwellwertschalter für eine stromgespeiste Differenzstufe
DE3150736A1 (de) Spannungsversorgungsschaltung
DE2002578C3 (de) Multistabile Schaltung
DE2654575A1 (de) Elektronische beruehrungsschaltvorrichtung
DE1299711B (de) Schaltungsanordnung zur Begrenzung der Emitter-Basis-Spannung eines Transistors im Durchlassbereich in einem Impulsschaltkreis
DE3145771C2 (de)
DE2415629C3 (de) Schaltungsanordnung zum zeitweiligen, von der Größe der veränderlichen Betriebsspannung abhängigen Blockieren eines Stromzweiges
DE3783672T2 (de) Schaltung mit gemeinsamer verbindung und ausschaltfunktion.
DE1638010C3 (de) Festkörperschaltkreis für Referenzverstärker
DE2547804C3 (de) Elektronischer Schalter für ein Wechselspannungssignal
DE3127889A1 (de) Schaltungsanordnung aus mindestens zwei verstaerkern
DE3114433C2 (de)
DE3409417C2 (de) Niederfrequenz-Verstärker
EP0726654B1 (de) Integrierbarer Umschalter für höhere Spannungen
EP0246689A2 (de) Schaltung zum Umsetzen von Drei-Zustands-Signalen in binäre Signale
DE2740954C2 (de) Basisgekoppelte bistabile Logikschaltung

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: TELEFUNKEN ELECTRONIC GMBH, 7100 HEILBRONN, DE

8120 Willingness to grant licences paragraph 23
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee