DE3143513A1 - Verfahren zur herstellung von photovoltaischen solarzellen - Google Patents
Verfahren zur herstellung von photovoltaischen solarzellenInfo
- Publication number
- DE3143513A1 DE3143513A1 DE19813143513 DE3143513A DE3143513A1 DE 3143513 A1 DE3143513 A1 DE 3143513A1 DE 19813143513 DE19813143513 DE 19813143513 DE 3143513 A DE3143513 A DE 3143513A DE 3143513 A1 DE3143513 A1 DE 3143513A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- solar cells
- photovoltaic solar
- hydrogen
- defect density
- phase deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical group B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 14
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/062—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the metal-insulator-semiconductor type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
- Verfahren zur Herstellung von photovoltaischen Solarzellen
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von mittels Gasphasenabscheidung erzeugter photovoltaischer Solarzellen aus amorphem Silizium Die Herstellung solcher photovoltaischer Solarzellen ist bekannt, siehe DE-OS 27 53 141 und DE-OS 29 38 260. Inhalt dieses bekannten Verfahrens ist es, das amorphe Silizium direkt aus der Gasphase auf relativ billige Substrate abzuscheiden.
- Nach wie vor ist der unzureichende Wirkungsgrad von photovoltaischen Solarzellen unbefriedigend. Die neueren Entwicklungen auf dem Gebiet der photovoltaischen Solarzellen auf der Basis amorphen Siliziums haben gezeigt, daß sowohl mit Zellen vom p-i-n, als auch vom Schottkybarrien-Typ eine Effektivität um 6 % erzielt werden kann. Dies liegt beträchtlich unterhalb der erreichbaren 15 bis 20 %, die heute allgemein als erzielbar angesehen werden, siehe D.E. Carlson C.R. Wronski, Appl., Phys., Letters, 28, 1976, 671.
- Als Ursache für den Abfall der spektralen Ausbeute wird unter anderem angesehen, daß im Blauen die Ladungsträger-Lebensdauern in der Oberflächenrandschicht der Zelle aus amorphem Zilizium stark reduziert sind. Nach herkömmlichen Methoden hergestellte phoiovoltaische Solarzellen enthalten generell wasserstoffverarmte Oberflächenrandschichten von etwa 0,1 vm Dicke. In dieser Zone sind die für amorphes Silizium charakteristischen Defekte nur unzureichend passiviert. Es stellt sich daher der unbefriedigende Wirkungsgrad weit unterhalb des theoretisch erreichbaren Wertes ein, da durch die Wasserstoffverarmung der Oberflächenrandschichten bedingt, dort eine stark erhöhte Dichte von unabgesättigten "dangling bond"-Defekten vorliegt.
- Dies führt dazu, daß die hohe Oberflächendichte an Defekten ein weiteres Eindringen der Raumladungszone in die photovoltaische Solarzelle verhindert. Dadurch bleibt die Dicke der aktiven, ladungssammelnden Schicht in der Zelle begrenzt mit der Konsequenz, daß der rote Spektralbereich des Sonnenlichts nur unvollständig genutzt werden kann. Weiter ergibt sich, daß der grüne und blaue Anteil des Sonnenspektrums innerhalb der wasserstoffverarmten Randschicht absorbiert wird. Die dort erzeugten Ladungsträger können aufgrund stark reduzierter Lebensdauer nur sehr unvollständig gesammelt werden.
- Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren der eingangs genannten Art anzugeben, daß es gestattet, die Oberflächendefektdichte von photovoltaischen Solarzellen aus amorphem Silizium wesentlich zu reduzieren und damit die Effektivität auf den theoretisch erzielbaren Wert anzuheben.
- Diese Aufgabe ist dadurch gelöst, daß zur Reduzierung der Oberfl ächendefektdichte die wasserstoffverarmte Oberflächenrandschicht bis zu einer Tiefe von etwa 0,1 rm abgetragen wird, wobei Abätzen angewendet wird.
- Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung, die den Gedanken der Reduzierung der Oberflächendefektdichte weitertragen, zum Teil auch mit anderen Verfahren, ergeben sich aus den Unteransprüchen Die Vorteile der Erfindung ergeben sich aus den zuvor Ausgeführten Besonders ist noch einmal hervorzuheben die bedeutsame Steigerung des Solarzellenwirkungsgrades durch zusätzliche aber technisch unaufwendige Verfahrensschritte. Als weiterer Vorteil stellt sich auch einS daß das Verfahren keineswegs auf den angegebenen Zweck beschränkt ist, sondern beispielsweise auch in der Anwenudng zur Erzeugung von Dünnfilmtransistoren vorteilhaft ausgenutzt werden kann.
- Die Erfindung ist anhand der Fig. näher erläutert. Es zeigen Fig. la, ab, lc Photovoltaische Solarzellen mit implantierten p+- und n+-Kontakten, Fig. 2a, 2b Schottky- bzw. MIS-Zellen, Fig. 3 photovoltaische Solarzellen mit durch Bordotierung passivierten Oberflächen.
- In Fig. 1a, lb, lc sind photovoltaische Solarzellen mit implantierten p+- und n+-Kontakten dargestellt, wobei sowohl der Fall für p+- als auch n+-Eintrittsfenster dargestellt ist.
- Die Fig. 1 zeigt schematisch als ersten Schritt die Gasphasenabscheidung, die z.B. nach einem der bekannten Verfahren erfolgen kann. Als zweiter Schritt erfolgt das Abtragen der Oberflächenrandschicht bis zu einer Tiefe von etwa 0,1 im im Ausführungsbeispiel durch Ätzen. Der dritte Schritt enthält die lonenschrittimplantation, die dazu dient das Eintrittsfenster herzustellen. Im vierten Schritt erfolgt dann das übliche Bedampfen mit Antireflexionsschichten und Kontakten. Aus der Übersicht in Fig. la, Ib, lc wird deutlich, daß das Abtragen der Oberflächenrandschicht zweckmäßigerweise zwischen dem ersten Schritt der Gasphasenabscheidung und dem dritten Schritt der lonenimplantation erfolgen soll.
- Das Abätzen erfolgt bis zu einer Tiefe, bis zu der das wesentliche. defektfreiere Volumen der Solarzelle freigelegt ist.
- Dies erfodert, wie bereits mehrfach angesprochen, die Abtragung von etwa 0,1 dum Silizium. Die Fig. lb, lc geben beredte Auskunft über die Veränderungen, die das Wasserstofftiefenprofil der photovoltaischen Solarzelle nach den einzelnen Präperationsschritten annimmt, und sprechen insoweit für sich. Hingewiesen sei noch einmal darauf, daß sowohl Fälle mit n-i-p als auch p-i-n Struktur nach dem erfindungsgemäßen Verfahren behandelt werden sollen, so wie das auch in den Fig. la, lb, lc deutlich wird.
- Fig. 2a, 2b zeigen den Vorgang nach der Erfindung anhand von Schottky- bzw. MlS-Zellen. Auch hier ist der erste.
- Schritt nach dem Stand der Technik die Gasphasenabscheidung. An zweiter Stelle erfolgt das Abtragen ebenfalls wieder durch Abätzen. Der dritte Schritt enthält die Borimplantation zum Einstellen der Barrierenhöhe so wie es Stand der Technik ist. Ersichtlich ist der vierte Schritt, das Aufbringen der Isolatorschicht, und im fünften Schritt werden der Schottky-Kontakt und die Antireflexschichten aufgebracht.
- Auch hier zeigen die darunter befindlichen Verläufe deutlich, daß mit dem erfindungsgemäß zwischengeschalteten Verfahrensschritt eine wesentliche Verbesserung des Zellenwirkungsgrades eintritt.
- Sowohl für die in Fig. la, Ib, lc als auch Fig. 2a, 2b dargestellten Verfahren kann der Ätzschritt dadurch ersetzt werden, daß entsprechend in den Darstellungen in den Unteransprüchen die p+-i- bzw. n+-i-Struktur nach dem ersten Schritt der Gasphasenabscheidung möglichst schnell auf die Umgebungstemperatur gebracht wird und während des Abkühlens noch zusätzlich vorteilhafterweise einer Wasserstoffglimmentladung ausgesetzt wird Der Vorteil dieses Verfahrens ist, daß es auch für vollständig durch Gasphasenabscheidung hergestellte photovoltaische Solarzellen aus amorphem Silizium anwendbar ist.
- Fig. 3 schließlich zeigt ein Beispiel für photovoltaische Solarzellen, deren Oberflächen durch Bordotierung passiviert werden. Insbesondere die Passivierung der Oberflächendefekte von n-i-p Zellen, bei denen der Lichteintritt durch die p-Schicht erfolgt, bietet sich bei diesen Zellen an. Dazu sind Strukturen des Typs n-i-p herzustellen, wobei dies leichte Bordotierung im oben angegebenen Bereich über etwa die letzten 6,1 pm abgeschiedener Filmdicke bedeutet. Durch Aufbringen eines geeigneten Schottky-Kontaktes auf diese Strukturen können photovoltaische Solarzellen vom Schottkybarrieren typ mit erhöhter Leerlaufspannung erhalten werden, indem ein p+-Kontakt in die n-Schicht implantiert oder durch Gasphasenabscheidung darauf abgeschieden wird. Durch die beiden letzten Verfahren werden p+-Eintrittsfenster mit erhöhter Transparenz erhalten, was zu einer weiteren Steigerung der Blauausbeute führt. Wie die Fig. 3 deutlich macht, erfolgt im ersten Schritt eine Gasphasenabscheidung, im zweiten Schritt eine Gasphasenabscheidung eines p+-Kontaktes oder die Implantation eines p+-Kontaktes und die Aufbringung einer Isolierschicht und im dritten Schritt das Aufbringen der Kontakte und Antireflexionsschicht nach dem Stand der Technik
Claims (4)
- Verfahren zur Herstellung von photovaltaischen Solarzellen Patentansprüche 1. Verfahren zur Herstellung von mittels Gasphasenabscheidung erzeugter photovoltaischer Solarzellen aus amorphem Silizium, dadurch g e k e n n z e i c h n e t daß zur Reduzierung der Oberflächendefektdichte die wasserstoffverarmte Oberflächenrandschicht bis zu einer Tiefe von etwa 0,1 µm abgetragen wird, wobei Abätzen angewendet wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e n n -z e i c h n e t , daß die fertig abgeschiedenen Solarzellen in einer. Wasserstoffglimmentladung während des Abkühlvorganges von der Abscheidetemperatur von etwa 200 bis 4000 C auf Raumtemperatur beglimmt werden.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e n n -z e i c h n e t , daß zur Reduzierung der Oberflächendefektdichte der Abkühlvorgang stark beschleunigt wird, um ein Ausdiffusieren von Wasserstoff aus den fertig abgeschiedenen Solarzellen zu minimieren.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e n n -z e i G h ñ e t i daß' während der letzten Phase der Abscheidung Diboran (B2H6) zum Silanplasma zugegeben wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19813143513 DE3143513A1 (de) | 1981-11-03 | 1981-11-03 | Verfahren zur herstellung von photovoltaischen solarzellen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19813143513 DE3143513A1 (de) | 1981-11-03 | 1981-11-03 | Verfahren zur herstellung von photovoltaischen solarzellen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3143513A1 true DE3143513A1 (de) | 1983-05-19 |
Family
ID=6145458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19813143513 Withdrawn DE3143513A1 (de) | 1981-11-03 | 1981-11-03 | Verfahren zur herstellung von photovoltaischen solarzellen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3143513A1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7863518B2 (en) * | 2003-03-20 | 2011-01-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2938260A1 (de) * | 1979-09-21 | 1981-03-26 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8000 München | Halbleiterbauelement fuer die umsetzung von licht in elektrische energie |
-
1981
- 1981-11-03 DE DE19813143513 patent/DE3143513A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2938260A1 (de) * | 1979-09-21 | 1981-03-26 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8000 München | Halbleiterbauelement fuer die umsetzung von licht in elektrische energie |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| FR-Z.: "Journal de Physique" Bd. 42, Supplement au No. 10, S. C4-779 bis C4-782, Oktober 1981 * |
| US-Z.: "Applied Physics Letters", Vol. 31, No. 9, 1977, S. 582-585 * |
| US-Z.: "Applied Physics Letters", Vol. 37, No. 7, 1980, S. 609-612 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7863518B2 (en) * | 2003-03-20 | 2011-01-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2944913C2 (de) | ||
| DE4021377C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| DE2754652A1 (de) | Verfahren zum herstellen von silicium-photoelementen | |
| DE2755500A1 (de) | Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung | |
| DE2808257B2 (de) | Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung | |
| DE2818261C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Galliumarsenid-Solarzellen | |
| DE3612085A1 (de) | Solarzelle | |
| DE10237515A1 (de) | Stapelförmiger photoelektrischer Wandler | |
| DE2917564A1 (de) | Verfahren zum herstellen von solarzellen und dadurch hergestellte gegenstaende | |
| DE2246115A1 (de) | Photovoltazelle mit feingitterkontakt und verfahren zur herstellung | |
| DE3700620A1 (de) | Halbleiterkoerper und verfahren zum herstellen desselben | |
| DE2711365A1 (de) | Halbleiteranordnung mit schottky- grenzschicht | |
| DE3732619C2 (de) | ||
| EP0014759A1 (de) | Verfahren zum reliefartigen Strukturieren von Siliciumoberflächen | |
| EP0334111A1 (de) | Verfahren zur integrierten Serienverschaltung von Dickschichtsolarzellen sowie Verwendung dieses Verfahrens bei der Herstellung einer Tandem-Solarzelle | |
| EP0557318B1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiterelementen, insbesondere von dioden | |
| DE3140139C2 (de) | ||
| DE3790981B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Photovoltaik-Solarzelle | |
| EP0121869B1 (de) | Verfahren zum Verhindern von Kurz- oder Nebenschlüssen in einer grossflächigen Dünnschicht-Solarzelle | |
| DE212013000122U1 (de) | Hybrid-Solarzelle | |
| DE3021876C2 (de) | ||
| DE2621165A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines metallkontaktes | |
| DE2448478A1 (de) | Verfahren zum herstellen von pn-halbleiteruebergaengen | |
| DE2628406A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung | |
| DE2162219A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |