DE3143190A1 - Verfahren zur herstellung von gegenstaenden aus sintermetall - Google Patents
Verfahren zur herstellung von gegenstaenden aus sintermetallInfo
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- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/24—After-treatment of workpieces or articles
- B22F3/26—Impregnating
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Description
• W » W
Verfahren zur Herstellung von Gegenständen aus S i η termetal1
Besen rei bung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Gegenständen aus Sintermetall , wobei man auf die
Oberfläche einer Grundstruktur aus Sintermetall ein Metall aufsprüht oder aufbringt, das einen niedrigeren
Schmelzpunkt als das Metall der Grundstruktur besitzt
und das in geschmolzenem Zustand in die Grundstruktur
eindringt,und dann die Grundstruktur auf eine Temperatur
oberhalb des Schmelzpunkts des aufgesprühten oder aufgebrachten
Metalls erhitzt, damit dieses Metall in die Grundstruktur aus Sintermetall eindringt. Beispielsweise können solche Metallgegenstände Dichtungsringe im
Bereich von 12 bis 25 mm Durchmesser zur Verwendung entweder als Wellendichtungen oder als Dichtungsringe in
sich hin und her bewegenden Kolben-Zylinder-Anordnungen,
wie zum Beispiel Stoßdämpfern, sein.
Gegenstände, die durch Sintern von Meta 11pu1 vern hergestellt
wurden, enthalten im allgemeinen innere Poren. Diese Poren sind deshalb un vo rt'e i 1 haf t , we i 1 sie die
Festigkeit und den Elastizitätsmodul des Gegenstandes
im Vergleich zu ähnlichen Gegenständen, die zum Beispiel durch Gießen und Schmieden hergestellt wurden , verringern
\.::..:" .O.:-· ·"■ ■ :.143190
.5·
Zwei, bekannte Vorschläge zur Vermeidung dieser Nachteile
sind, kupfer auf die Oberfläche des Gegenstandes zu
sprühen oder Kupf e rpul ver oder ein Stück aus Kupfer oder
Kupferlegierung geeigneter Form auf die Oberfläche des
Gegenstandes aufzubringen und dann das Kupfer oder die Kupferlegierung sowie den Gegenstand auf eine Temperatur,
oberhalb des Schmelzpunkts von Kupfer oder der Kupferlegierung
zu erhitzen, so daß das Kupfer oder die Kupferlegierung in die Poren eindringt. Dabei muß Verlangt
werden, daß das Gewicht des auf den Gegenstand aufgebrachten Kupfers sorgfältig kontrolliert wird, damit
genügend Kupfer zur Ausfüllung der Poren, aberkein Überschuß an Kupfer vorhanden ist.
Ein Nachteil dieser früheren Vorschläge ist darin zu
sehen j, daß im Falle von Artikeln kleiner Größe und kleinen
Gewichts, in dem sehr geringeMengen an Kupfer oder
Kupferlegierung notwendig sind , die Menge an Kupfer
oder Kupferlegierung, die sich mit dem gesinterten Artikel
verbindet, aufgrund der Art, in der Kupfer oder Kupferlegierung aufgebracht wird, nicht genau kontrolliert
v;erden kann.
Entsprechend wird die Erfindung dadurch gekennzeichnet,
daß die Verfahrensstufe des Sprühens oder Aufbringens
dadurch ersetzt wird, daß man die Grundstruktur mit dem
Metall plattiert. Die Anwendung der Verfahrensstufe des
■Plattierens gestattet das genaue Aufbringen einer sorgfältig
kontrollierten Menge des P1attierungsmetal1s auf
die Grundstruktur. Dies sichert ein Höchstmaß an Festigkeitseigenschaften
beim Endartikel zusammen mit Kostenersparnissen durch die Vermeidung von P1attierungsmeta11-abfal1
.
Ein weiterer Nachteil der genannten früheren Vorschläge
besteht darin, daß bei direktem Kontakt der Kupfer oder
eine Kupferlegierung tragenden Oberflächen von zwei oder
mehr Artikeln vor dem Erhitzen di.e Artikel beim Erhitzen
zusammenkleben und dementsprechend Abfal 1 werden. Um dies
zu verhindern, wurde früher vorgeschlagen, die Gegenstände
getrennt zu erhitzen oder ein Trennmittel zwischen den benachbarten Oberflächen zu verwenden» um sicherzustellen,
daß ein Zusammenkleben nicht auftritt. Diese
Maßnahmen sind sowohl teuer,als·auch zeitaufwendig.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist die Erfindung
dadurch gekennzeichnet, daß man in der Erhitzungsstufe eine Vielzahl der Grundstrukturen in einem Stapel
angeordnet erhitzt, wobei ihre plattierten Oberflächen in direktem Kontakt stehen, um die von den Gegenständen
während des Erhitzens eingenommene Fläche zu verringern, *° und daß die Gegenstände nach der Erhitzungsstufe leicht
getrennt werden. Weiterhin wird erfindungsgemäß ein
Gegenstand aus Sintermetall, hergestellt nach dem oben
genannten Verfahren ,zur Verfugung gestellt.
Im folgenden wird ein Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung
von Gegenständen aus Sintermetall gemäß der Erfindung und von nach einem solchen Verfahren hergestellten Gegenständen beschrieben.
Zuerst wird ein Grundgerüst oder eine Grundstruktur aus
gesinterter Eisenlegierung, zum Beispiel nach dem in
Zeilen kj bis 76 auf Seite 1 der GB-PS 1 399 812 beschriebenen
Verfahren ,hergestelIt. Bei diesem.Verfahren
wählt man ein Pulver einer Vorlegierung oder einer TeM-vorlegierung bestimmter Zusammensetzung aus, mischt das
Pulver mit Kohle und gegebenenfalls einem Schmiermittel,
verdichtet das Gemisch und sintert das verdichtete Gemisch zur Bildung einer gesinterten Grundstruktur.
Die Grundstruktur oder das Grundgerüst können nach einem
der in den GB-PS'en 1 102 662, 1 399 812, 1 461 273,
1 580 686, 1 580 687, 1 580 688 und 1 580 689 beschriebenen
ο β
> Y ο -Jf-
Verfahren hergestellt werden.
Die Grundstruktur kann auch nach dem in der britischen
Patentanmeldung 8 037 173 beschriebenen Verfahren hergestellt
werdens wonach man ein Pulver auswählt, das die
folgende gewichtsmäßige Zusammensetzung aufweist:
0,1 bis 0,9% Kohlenstoff,, 8 bis 18% Chrom..und gegebenenfalls
0 bis 1% Mangan, 0 bis 1% Molybdän, 0 bis 1% Silizium, 0 bis U Phosphor, 0 bis 0,1% Schwefel,
0 bis 2,5% Nickel, Rest Eisen; das Pulver mit 1 bis 10 ' ·
Gewichtsprozent, bezogen auf das Gewicht des Pulvers,
eines Schmiermittels, das bei der Siη tertemperatur der
Mischung fest bleibt, in Pulverform mischt, das Gemisch in der benötigten Form verdichtet, das verdichtete Gemisch
bei oder über 12000C sintert und abkühlt und so
eine Legierung herstellt, die das Schmiermittel in der
Mat r i χ en tha 11.
Die gesinterte Grundstruktur kann in Form eines Dichtungsrings
im Bereich von 12 bis 25 mm Durchmesser zur Verwendung entweder als Wellendichtungen als Dichtungsringe
in sich hin und her bewegenden Kolben-Zylinder-Anordnungen,
wie zum Beispiel Stoßdämpfern , vorliegen.
Die gesinterte Grundstruktur wird dann in ein Elektroplattierungsbad
abgesenkt und als Kathode mit einer Kupferanode in einem elektrischen Kreis verbunden, wobei
der Elektrolyt aus einer Kupfersulfat lösung besteht. Dann
wird ausreichende Zeit Strom hindurchgeleitet, um die
Grundstrukturen mit einer Kupfermenge zu plattieren,, die
zwischen 8 und 25%, vorzugsweise 10 und 15%, bezogen auf das Gewicht der Grundstruktur, liegt. Die mit Kupfer
plattierten Grundstrukturen werden dann aus dem Elektrop
1 attierungsbad entnommen und mit Wasser gewaschen, um
überschüssigen Elektrolyt zu entfernen.' Die Bedingungen
zu Erzielung einer solchen Menge können leicht nach bekannten Verfahren errechnet werden.
3U3190
•f ·
* Als Alternative kann ein stromloses Plattierungsverfahren
beliebiger bekannter oder günstiger Art verwendet werden.
P1attϊerungsmethoden lassen es zu» daß eine benötigte
ö Menge Kupfer auf eine Grundstruktur aufgebracht ward,
selbst wenn die Grundstruktur sehr klein ist, ^zum Beispiel
wenn das Gewicht der Grundstruktur 1g beträgt und die
Menge an benötigtem Kupfer zum Beispiel 0,1 g ist. Daher kann eine sehr kleine Grundstruktur leicht und genau
^ mit Kupfer nach Plattierungsverfahren beschichtet werden
und eine große Anzahl solcher Grundstrukturen können,
schnell entweder partienweise oder in einem kontinuierlichen Verfahren plattiert werden.
Als nächstes werden die mit Kupfer plattierten Grundstrukturen, zum Beispiel für die Verwendung als Dichtungsringe,
aufgestapelt, wobei ihre plattierten Oberflächen in direktem Kontakt sind, und auf eine Temperatur oberhalb
des Schmelzpunkts von Kupfer, aber unterhalb des
Solidus der Eisenlegierung erhitzt. Die Temperatur kann
die Sintertemperatur des Metalls der Grundstruktur sein.
Das Aufstapeln der Grundstrukturen spart Raum beim
Erhitzen und läßt so zu, daß eine große Zahl von •Grundstrukturen zusammen erhitzt werden. Das Kupfer schmilzt
und dringt wenigstens in die Poren ein, die der Obei— fläche der Grundstruktur benachbart sind. Nach dem Abkühlen
werden die Grundstrukturen,iη die Kupfer eingedrungen
ist, von den Stapeln oder Magazinen entfernt.
Es wurde festgestellt, daß die Vereinzelung der Grundstrukturen
nach dem Erhitzen leicht erreicht werden kann, da beim Erhitzen benachbarte Grundstrukturen nicht aneinanderkleben
, selbst wenn Kupfer auf den Oberflächen benachbarter Grundstrukturen in direktem Kontakt steht ohne
daß ein Trennmittel dazwischentritt. Zum jetzigen Zeitpunkt
wird angenommen, daß der Grund hierfür die Abwesenheit
von Spuren von Silizium oder Magnesium oder anderen
-.*.:Ü" .LL=O 1 3U3190
Elementen in dem Kupfer., das auf die Grundstrukturen
plattiert ist, ist. Solche Spuren bilden beim Erhitzen Oxides die das Zusammenkleben benachbarter Grundstrukturen
ve ru rs^ch-^ÖCind damit die Gegenstände unbrauchbar machen.
Die Anwesenheit von Kupfer in den Poren der Grundstruktur
erhöht sowohl die spezifische Zugfestigkeit des fertiggestellten
Gegenstand;, als auch den Elastizitätsmodul.
-_ Die spezifische Zugfestigkeit der fertiggestellten
Gegenstände kann im Fall geeigneter Eisenlegierungen
■weiter erhöht werden, indem man die Gegenstände im Einsatz härtet, indem man sie Sn einer kohlenstoffhaltigen
Atmosphäre zur Erzielung einer Oberflächenzone mit
-je hohem Kohlenstoffgehalt erhitzt; das Einsatzhärten kann
auch durch Corbonitrierung erfolgen.
Es ist zu betonens daß die Grundstrukturen aus einem
Material bestehen könnena ds keine Eisenlegierung oder
eine Eisenlegierung mit anderen als den oben beispiel- *'
=3
haft genannten Zusammensetzungen sein kann. Ferner braucht das auf die Grundstruktur plattierte Metall nicht Kupfer
zu sein; es kann jedes andere geeignete Material sein, zum Beispiel Kupfers das in geschmolzenem Zustand die
Fähigkeit zur Benetzung der Grundstruktur hat und somit
25
in die Grundstruktur eindringt.
Claims (1)
- Anmelder: BRICO ENGINEERING LIMITED Holbrook Lane, Coventry, Warwickshire, England43190A QFJUNECKER. an. i~o OM H KINKtLOI= Y, u-n in» DR. W. STOCKMAIR. »i"i.-iNa,AK DR K. SCHUMANN. O=L-CHVS P. H. JAKOB. on.4Na DR. e. BEZOLD. cwu-o«* W. MEISTER. OPL-INO H. HILGBRS. hpuhw OR. H. MEYER-PLATH. DiPL-i~a8OOO MÜNCHEN 22
MAXIMIUANSTRASSE 43P 16 737-6A/Sa 30.10.1981Verfahren zur Herstellung von Gegenständen aus Sintermetal 1PatentansprücheVerfahren zur Herstellung von Gegenständen aus Sintermetall, wobei man auf die Oberfläche einer Grundstruktur aus Sintermetall ein Metall aufsprüht oder aufbringt, das einen niedrigeren Schmelzpunkt als das Metall der Grundstruktur besitzt, und das im geschmolzenen Zustand in die Grundstruktur eindringt, und dann die Grundstruktur auf eine Temperatur oberhalb des Schmelzpunkts des gesprühten oder aufgebrachten...::..:■ J. U ■ O .:. 3Η3190-2-Metalls erhitzt und so das Metall in die Grundstruktur aus Sintermetall eindringen läßt, dadurch g e k e η nz e i c h η e t, daß man anstelle des Sprühens oder Aufbringens das Metall auf die Grundstruktur plattiert.2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e η nz e i c h η e t, daß man beim Plattieren die gesamte Oberfläche der Metal 1grundstruktur mit dem Plattierungsmetal!plattiert.3· Verfahren nach Anspruch 1 oder 23 dadurch g e k e η nz e i c h η e t, daß man beim P1attΐeren auf die Oberfläche der Meta 11grundstruktur 8 bis 25 Gewichtsprozent der Grundstruktur an P1attierungsmeta11 aufbringt.2J. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3j dadurch gekennzeichnet, daß man beim Plattieren auf die Oberfläche der Meta 11grundstruktur das Plattie-rungsmetall in einer Menge von 10 bis 15 Gewichts- prozent, bezogen auf die Grundstruktur ,aufbringt.5- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis h, dadurch gekennzei chnet, daß man elektrolytischoder stromlos plattiert.6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5j dadurch gekennzei chnet, daß man beim Erhitzeneine Vielzahl von plattierten Grundstrukturen im Stapel 30angeordnet erhitzt, wobei ihre plattierten Oberflächen in direktem Kontakt stehen.7· Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurchgekennzei chnet, daß man die Grundstruktur 35aus Sintermetall, in dfe Metall eingedrungen ist, nach dem Erhitzen härtet.* O ft » β-3-1 8. Gegenstand ags Sintermetall, hergestellt nach dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7·
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