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Verfahren zum Reinigen von Chlorsilanen
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Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Reinigen
von Chlorsilanen, die durch Schwermetall-und/ oder Borverbindungen und/oder Hydrogensilane
verunreinigt sind. Mit Hilfe des Verfahrens ist es möglich, die Borver bindung aus
den Chlorsilanen soweit zu entfernen, daß in dem gereinigten Chlorsilan mit den
bekannten analytischen Methoden kein Bor mehr nachweisbar ist und die Gehalte an
den übrigen Schwermetall-Verunreinigungen auf Werte von höchstens 10 ppb herabgesenkt
werden.
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Zur Herstellung von polykristallinem oder monokristallinem Silicium,
das für Halbleiterzwecke eingesetzt wird, benötigt man ein extrem reines metallisches
Silicium. Die Feinreinigung eines zur Herstellung von Halbleitern einzusetzen den
Siliciums erfolgt im allgemeinen durch bonenschmelzen.
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Nach diesem Verfahren können aus dem bereLt-s sehr reinen Transistorsilicium
nahezu alle in diesem noch in Spuren enthaltenen Elemente entfernt werden.
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Zur Entfernung von Bor eignet sich jedoch diese Methode nicht, weil
dieses Element sowohl in der Siliciumschmelze als auch in der festen Phase den Verteilungskoeffizienten
ungefähr 1 besitzt. Aus diesem Grunde muß besonders großer Wert darauf gelegt werden,
Borverunreinigungen bereits aus der Vorstufe, z.B. dem Trichlorsilan1 vor dessen
Reduktion zum Transistorsilicium möglichst vollständig zu entfernen.
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Es sind daher Rest-Bor-Eonzentrationen von ( 0,1 ppb in dem Trichlorsilan
anzustreben.
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SiCl4 in hochreiner Form ist ein begehrter Rohstoff für die Herstellung
von optischen Fasern (Lichtwellenleitern). Für diese Verwendung sind die Elemente
Fe, Co, Ni, Cu, Cr, V, Mn als Verunreinigung störend, da sie in dem Wellenlängenbereich
«:1000 nm absorbieren und damit eine Dämpfung der übertragenen Lichtenergie verursachen
und die Lichtübertragungsleistung in unerwünschter Weise bis zur Unbrauchbarkeit
beeinträchtigen. Darüber hinaus stören Hydrogenchlorsilane bereits in geringsten
Konzentrationen, z.B.
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ppm-Mengen, weil sie bei der oxidativen Uberführung des SiC14 in das
SiO2 nach den üblichen Verfahren zu einer hart näckigen Retention von Hydroxylgruppen
im SiO2 Anlaß geben.
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Dies hat zur Folge, daß die Lichtübertragungsqualität der Fasern dadurch
im Bereich von :F900 nm gegebenenfalls wesentlich herabgesetzt wird. Für Lichtleitfasern,
die für die Nachrichtenübermittlung in diesem Wellenlängenbereich technische Verwendung
finden sollen, ist es unerläßlich, daß die vorstehend beschriebenen Störfaktoren
ausgeschaltet werden.
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Die destillative Reinigung von Chlorsilanen alleine ergibt keine befriedigenden
Ergebnisse Es sind deshalb auch schon mehrere chemische Reinigungsmethoden versucht
worden, störende Metallionen zu beseitigen. Bo wurden beispielsweise schon Verfahren
beschrieben, bei denen die hohe Reak-
tionsfähigkeit von Borverbindungen
mit organischen funktionellen Gruppen genutzt wird, indem man borhaltigen Chlor
silanen kleine Mengen organischer Stoffe als Komplexbildner hinzufügt, wie beispielsweise
Mannit oder andere Zuckeralkohole, Ketone, Aminoverbindungen und anderer mehr. Diese
Methoden zeigten gegen Borverunreinigungen zwar gewisse Wirkungen, führten aber
zu neuen Problemen mit Kohlenstoffverunreinigungen, was einen erheblichen Nachteil
bedeutet.
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Es wurde daher auch schon vorgeschlagen, in borhaltige Chlorsilane
Feuchtigkeitsspuren enthaltende Inertgase z.B.
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Argon oder Wasserstoff einzublasen (DD-PS 135 613).Diese Verfahrensweise
verursacht jedoch große Schwierigkeiten durch hartnäckige Verkieselungen insbesondere
an der Zuführnngsstelle, und neben Produktverlusten wegen des hohen Partialdrucks
von z.B. Trichlorsilan Probleme wegen der störenden Neutralgasbelastung von ProduRtRuhlern
und Destillationskolonnen.
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andere Reinigungsversuche wurden mit Hilfe chromatographischer Methoden
mit verschiedenen in Festbetten angeordneten Bdsorptionsmitteln unternommen z,B.
mit Kieselgelen oder Aktivkohle (vgl. DE-AS 25 46 957 oder US-PS 36 82 594), kluminiumoxiden
(DE-AS 12 89 834), Ionenaustauschern (US-PS 28 77 097), Nylonpulver usw.
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tndererseits wurde auch schon versucht, die erforderliche Reinigung
mit stickstoffhaltigen organischen Komplexbildeiern, z.B. mit Hilfe von Dithizon
oder Nitroanisol sowie mit primäre, sekundäre oder tertiäre Aminogruppen enthaltenden
eolymeren auszuführen (US-PS 36 82 594) Alle diese Adsorp tionsverfahren scheiden
aber aus teils wegen zu geringer Reinigungskapazität (z.B. Kieselgele) teils ebenfalls
wegen Eintrags von Kohlenstoff (z.B. bei Anwendung von tonenaustauschern oder Nylon)
in das Silicium.
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Nach diesen Verfahrensweisen lassen sich die Metallgehalte zwar in
dem erwünschten Ausmaß reduzieren, wobei die Behandlung mit Adsorptionsmitteln und
Komplexbildnern einen erheblichen Aufwand erfordern; für die Beseitigung von Hydrogenchlorsilanen
eignen sich die vorstehend beschriebenen Behandlungsmethoden jedoch nicht.
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Es bestand deshalb die Aufgabe, ein Verfahren zu finden, mit -dessen
Hilfe es möglich ist, Metallverbindungen und Hydrogensilane aus Chlorsilanen möglichst
quantitativ zu entfernen, das einfach zu handhaben ist und keine zusutzlichen apparativen
Aufwendungen mit sich bringt tuld auch keine zusätzlichen Stoffe in das Chlorsilan
einschleppt.
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Das erhaltene Chlorsilan soll dabei einen Gehalt an Bor besitzen,
der c 0,1 ppb Bor ist. Da diese geringen Mengen analytisch nicht mehr erfaßbar sind,
gilt für den Gehalt an Bor die Bedingung, daß ein aus dem Chlorsilan hergestelltes
decompensiertes 'telectronic-grade"-Silicium einen Widerstand von 9000 St.cm oder
mehr besitzen soll.
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Weiterhin soll das erhaltene Chlorsilan einen Gehalt an Schwermetallionen
besitzen, der unter 10 ppb liegt. Bei der Reinigung von Sich4 soll weiterhin der
Gehalt an Hydrogensilanen unter 1 ppm liegen.
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In Erfüllung dieser Aufgabe wurde nun ein Verfahren zur Reinigung
von Chlorsilanen von den in diesen als Verunreinigung enthaltenen Metallverbindungen
und Hydrogensilanen gefunden, das dadurch gekennzeichnet ist, daß man die Chlorsilane
in flüssiger Phase mit einer Verbindung, die mindestens eine Si-0-Si-Gruppierung
besitzt in Gegenwart von Halogenwasserstoff in innigen Kontakt bringt und anschließend
das auf ciese Weise gereinigt Chlorsilan von den dabei entstandenen nicht flüchtigen
Borverbindungen destillativ abtrennt.
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Mit Hilfe der erfindungsgemäßen Arbeitsweise ist es möglich, ein Chlorsilan
zu erhalten, in dem durch keine-noch so feine bekannte analytische Methode Bor im
Silan nachgewiesen werden kann. Sowohl mit Hilfe colorimetrischer als auch spektroskopischer
Methoden konnte kein Bor nachgewiesen werden. Der für die Beurteilung der Halbleiter
qualität ausschlaggebende Widerstand von aus solchen erfindungsgemäß gereinigtem
Silan hergestellten und im Zonenschmelzverfahren gereinigtem Transistorsilicium
liegt bei mindestens 9000je cm.
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Wenn nach der erfindungsgemäßen Verfahrensweise 51014 gereinigt wird,
dann enthält dieses überraschenderweise kein SiHC1 mehr. Das Trichlorsilan reagiert
unter den erfindungsgemäßen Bedingungen mit dem Siloxan und verbleib bei der anschließenden
Destillation in oligomerer oder polymerer Form im Sumpf. Man erhält demzufolge ein
Tetrachlorsilan, aus dem sich optische Fasern der geforderten hohen Qualität herstellen
lassen.
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Die erfindungsgemäße Verfahrensweise zeichnet sich durch eine äußerst
einfache Handhabung aus: Es genügt, die erfindungsgemäß einzusetzenden Komponenten
in das Chlorsilan auf an sich bekannte Weise einzubringen und dafür zu sorgen, daß
eine homogene Verteilung der Verbindungen im Chlorsilan stattfindet. Die Reaktion
der Borverbindungen mit den zuzusetzenden Verbindungen erfolgt bereits bei Raumtemperatur,
so daß ein Erhitzen nicht notwendig ist.
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Das entstehende borhaltige Reaktionsprodukt ist in den Chlorsilanen
innerhalb der anfallenden Konzentrationen .lich und nicht flüchtig. Es läßt sich-demzufolge
leicht durch Destillation der Ohlorsilane von diesen abtrennen, wobei es im Sumpf
verbleibt.
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Die Menge der Verbindungen mit mindestens einer Si-0-Si-
Gruppierungen
liegt zwischen 0,005 und 0,1 Gew.-%, bezogen auf das Chlorsilan. Bei größeren Mengen
an Verunreinigungen muß eine entsprechend größere Menge an Si-O-i-Gruppierungen
enthaltenden Verbindungen eingesetzt werden.
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Die Reaktion der-Metallverbindungen mit den erfindungsgemäBen Zusätzen
erfolgt nur in Gegenwart von Halogenwasserstoff. Der bevorzugte Halogenwasserstoff
ist Chlorwasserstoff. Dieser wird entweder zusammen mit den Si-O-Si-Gruppierungen
enthaltenden Verbindungen zudosiert ode er liegt bereits gelöst in dem Chlorsilan
vor. Die notwendige Menge an Halogenwasserstoff liegt in der gleichen Größenordnung
wie die Menge an Si-0-Si-Gruppiernngen.
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Zu den Verbindungen mit Si-O-Si-Gruppierungen zählen hauptsächlich
Tetrachlordisiloxan und dessen höhere Bomologe wie z.B. Hexachlordisiloxan, Hezachlortrisiloxan
-oder Octachlortrisiloxan oder Gemische solcher Verbindingen. Es können jedoch auch
andere Siloxane, die frei von Organogruppen sind und bei Raumtemperatur flüssig
oder fest sind, erfindungsgemäß eingesetzt werden.
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Weiterhin eignen sich erfindungsgemäß auch solche Verbindungen, die
ein Si-0-Flächen- oder Raumgitter besitzen, wie z.B. Silicoameisensäureanhydrid
oder auch SiO2.
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Letzteres kann sowohl in hochdisperser Form, der sogenannten pyrogenen
Kieselsäure, als auch in der gröberen Form der Kieselgele eingesetzt werden.
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Der Einsatz von SiO2 in Form von Kieselgel, wie es in der Säulenchromatographie
verwendet wird, ermöglicht eine besondere Durchführungsform des erfindungsgemäßen
Verfahrens: Man läßt das verunreinigte Chlorsilan, das geringe Mengen Chlorwasserstoff
enthält, eine Kieselgel-Säule durchlaufen. Dabei verbleiben die Verunreinigungen
in
der Säule, so daß man ein Eluat erhält, in dem sich z.B. kein Bor mehr analytisch
nachweisen-läßt. Anhand dieser Durchführungsform läßt sich auch beweisen, daß bei
der erfindungsgemäßen Reinigung die Anwesenheit von Haiogenwasserstoff notwendig
ist: Wenn dabei z.B. das Trichlorsilan keine Salzsäure gelöst enthält, dann ist
das Eluat weiterhin durch Borverbindungen verunreinigt, die sich durch fraktionierte
Destillation nicht abtrennen lassen.
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Es ist erfindungsgemäß weiterhin möglich, die zum Reinigen einsetzbaren
Siloxane in situ aus den Chlorsilanen zu erzeugen, so daß nicht die Siloxane hinzugefügt
zu werden brauchen, sondern nur solche Substanzen, die mit dem Chlorsilan unter
Bildung von Chlorsilöxanen, und gegebenenfalls von Chlorwasserstoff, reagieren.
Als Beispiel für eine solche Substanz sei Salzsäure in konzentrierter oder verdünnter
Form genannt, wobei eine etwa 10 %ige Salzsäure durchaus noch einsetzbar ist. Der
Einsatz von Salzsäure hat den Vorteil, daß mit deren Zusatz gleichazeitig auch eine
für die Reaktion mit den Metallverbindungen nötige Menge an Halogenwasserstoff mit
zugeführt wird.
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Die dem Chlorsilan zuzusetzende Menge der Verbindung, die
die Siloxane
in situ erzeugt, liegt in der gleichen Größenordnung wie die Menge der Siloxane,
die hinzugesetzt werden, unter der Voraussetzung, daß der. Gehalt an Verunreinigungen
in dem Chlorsilan zwischen 1 und 50 ppm liegt. Bei einer größeren Konzentration
an zu entfernenden
Verunreinigungen muß eine entsprechend großere-Menge an Salzsäure
oder einer entsprechend wirkenden Verbindung eingesetzt werden. Nach dem Zusatz
dieser Verbindung erfolgt die Weiterverarbeitung in gleicher Weise wie oben beschrieben.
Auch dabei entstehenden zwischenzeitlich
keine Trübungen in dem Chlorsilan.
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Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich sowohl zur Entfernung von
borhaltigen Verunreinigungen als auch von Verunreinigungen durchVerbindungen der
Elemente Fe, Ce, Ni, Cn, Cr, Vanadin und Mangan in Trichlorsilan und Tetrachlorsilan.
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Beispiel 1 In einem 4 l-Mehrhalskolben, der an einem Tubus mit einer
Durchstechkappe verschlossen ist, und der außerdem ausgerüstet ist mit Bodenventil,
Rührer und N2-überdecktem Rückflußkühler wurden 5000 g eines typischen Trichlorsilan
Rohproduktes, bestehend aus 58,4 % Trichlorsilan, 41,6 % Tetrachlorsilan und etwa
200 ppm Chlorwasserstoff mit einem Borgehalt von 5,7 ppm vorgelegt. Unter Rohren
bei Raumtemperatur wurden durch die Durchstechkappe mit Hilfe einer Injektionsspritze
2 ml Hexachlordisiloxan innerhalb 3 bis 4 sec unter die Flüssigkeitsoberfläche des
Chlorsilangemischs eingespritzt. Das injizierte Hexachlordisiloxan verteilte sich
sofort gleichmäßig ohne Trübung in den Chlorsilanen.
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Der Ansatz wurde noch 30 min ohne Erwärmen nachgerührt und anschließendwurden
die Chlorsilane fraktioniert abdestilliert. Im verbleibenden Rückstand von etwa
500 g SiC14 wurden etwa 57 ppm Bor nachgewiesen.
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Durch Destillation wurden etwa 2,7 kg Trichlorsilan und ca. 1,6 kg
Tetrachlorsilan neben etwa 200 g Zwischenfraktion (Gemisch aus H SiCl3 und Sich4)
gewonnen. Aus dem Trichlorsilan wurde ein Siliciumstab in an sich bekannter Weise
hergestellt. Er wies nach sieben maligem Zonenschmelzen im Vakuum einen Widerstand
von 122002L-cm auf.
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Beispiel 2 In der im Beispiel 1 beschriebenen Apparatur wurden 5000
g
des dort genannten Trichlorsilan-Rohproduktes vorgelegt.
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In dieses Produkt wurden 2 ml einer Suspension von 0,4 g Silicoameisensäureanhydrid
in Tetrachlorsilan unter zählen zugesetzt. Diese Suspension löste sich in dem Chlorsilangemisch
bei Normaltemperatur langsam auf. Es bestand eine feine Dispersion, die innerhalb
kurzer Zeit klar wurde.
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Der Ansatz wurde weiterhin noch 1 Stunde ohne Erwärmen gerührt und
anschließend analog Beispiel 1 durch Destillation aufgearbeitet.
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Es wurden ca. 2,8 kg Trichlorsilan und ca. 1,5 kg Tetrachlorsilan
neben etwa 200 g Zwischenfraktion (H SiCl3/SiCl4 -Gemisch) gewonnen. Im Riickstand
von ca. 500 g SiCl4 wurden 54 ppm Bor bestimmt. Sowohl im Tnchlorsilandestillat,
als auch im Tetrachlorsilandestillat und in den 200 g Zwischenfraktion ließ sich
spektrometrisch kein Bor mehr nachweisen.
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Beispiel 3 Es wurde analog Beispiel 2 gearbeitet mit dem Unterschied,
daß dem Chlorsilangemisch 0,5 g pyrogene Kieselsäure hinzugefügt wurde. Die Kieselsäure
verteilte sich innerhalb kurzer Zeit über den gesamten Reaktionsbehälter. Es blieb
wäPrrend der Gesamtbehandlungsdauer eine geringe Trübung an SiO2 in den Chlorsilanen.
Die Aufarbeitung erfolgte analog Beispiel 2.
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Im Destillationsrückstand verblieb eine spärliche Ausfällung von SiO2
mit einem Gehalt von 3860 ppm Bor. In dem flüssigen Destillationsrückstand wurden
noch etwa 50 prt Bor gemessen. In allen Destillaten ließ sich kein Bor mehr spektralanalytisch
nachweisen.
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Beispiel 4 In dem im Beispiel 1 genannten Mehrhalskolben wurden 5000
g Trichlorsilan vorgelegt. Das Trichlorsilan hatte einen Borgehalt von 24,6 ppm.
Unter Rühren wurde bei Raustemperatur durch die Durchstechkappe mit Hilfe einer
Injektionsspritze mit langer Nadel 1 ml 20 obige wässrige Salzsäure innerhalb von
2 bis 3 sec unter die Flüssigkeitsoberfläche des Trichlorsilans eingespritzt. Die
injizierte Salzsäure verschwand dabei ohne von außen wahrnehmbare Anzeichen einer
Reaktion und das im Kolben vorhandene Produkt trüb+ sich nicht, sondern blieb klar.
Das Trichlorsilan wurde anschließend noch etwa 10 min ohne Erwärmen nachgerihrt.
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Das auf diese Weise vorbehandelte Trichlorsilan wurde daraufhin über
das Bodenventil in die Blase einer Kolonne mit ca. 35 Böden abgelassen und das gesamte
Material in einer Fraktion (4650 g Ausbeute) bei 31 °C überdestilliert.
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Die Blase enthielt darauf nur noch das hold-up der Kolonne von etwa
250 ml mit einem Borgehalt von » 300 ppm.
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Das Destillat wurde in gleichmäßigen Zeitabständen sowohl colonmetrisch
als auch spektroskopisch auf Bor untersucht.
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Die Erfassungsgrenze dieser Untersuchung wurde im Blindversuch mit
<-0,1 ppb-bzw. c50 Nanogrnmm ermittelt. ueber die gesamte Destillationsdauer
hinweg wurde im Destillat kein Bor gefunden. Aus dem erhaltenen Trichlorsilan wurden
in an sich bekannter Weise Siliciumstäbe gefertigt und durch Zonenschmelzen weiter
gereinigt. Die Messung des Widerstands dieser erhaltenen Si-Stäbe ergab Werte zwischen
9200 und 10700fL.cm.
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Beispiel 5 Analog Beispiel 1 wurden in 5000 g eines typischen Trichlor
silam-Rohprodukts, bestehend aus 92,6 % Trichlorsilan, 7,4 % Tetrachlorsilan und
ca. 400 ppm Dichlorsilan mit
einem Borgehalt von 1,92 ppm 0,4 ml
konzentrierter wässriger Salzsäure eingespritzt, wobei sich die Salzsäure sofort
trübungsfrei löste. Der Ansatz wurde 30 min ohne Erwärmen nachgerührt und anschließend
das gesamte Trichlorsilan (ca. 4550 g) überdestilliert. Nach Ende der Destillation
hatte der überwiegend aus Tetrachlorsilan bestehende restliche Blaseninhalt von
ca. 300 ml einen Borgehalt von 18 ppm.
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Im Trichlorsilandestillat wurden sowohl colorimetrisch als auch spektroskopisch
regelmäßig für Bor nur noch Blindwerte gefunden. Die Messung des Widerstands an
daraus hergestellten Si-Stäben ergab Werte zwischen 9700 und 118002L cm Beispiel
6 Cber eine chromatographische Säule aus Glas (Durchmesser 50 mm, Füllhöhe 1150
mm), gefüllt mit Kieselgel (Porendurchmesser ca. 10 mm, Korngröße ca. 50-200JLm,
ASTM ca.
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60 bis 250 mesh) wurden bei ca. 20 0C in flüssigem Aggregat zustand
mit der Fließgeschwindigkeit von 2,2 Liter/h 300 kg technisches Trichlorsilan geleitet,
das 632 ppm Chiorwasser stoff gelöst enthielt. Das eingesetzte Trichlorsilan enthielt
außerdem 12,4 ppm Bor. Nach der Passage war im Trichlorsilan kein Bor mehr nachweisbar.
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Lus dem so gereinigten Trichlorsilan hergestellte polykristalline
Silicium-Stäbe zeigten Widerstandswerte von > 10000 #. cm.
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Beispiele 7 bis 14 Analog Beispiel 6 wurden acht weitere 300 kg-Partien
borhaltiges Trichlorsilan mit gelöst enthaltenem Chlorwasserstoff nacheinander über
dieselbe im Beispiel 6 bereits verwendete chromatographische SiO2-Säule geleitet.
Es wurde ebenfalls in flüssiger Phase gearbeitet:
| - Bor-Gehalt e t or- e ie gesc w. |
| Beispiel ppm ppm Liter/h |
| 7 2021 22,1 2,2 |
| 8 478 8,4 2,2 |
| 9 729 4,8 2,2 |
| 10 1402 11,2 2,2 |
| 11 684 32,5 2,2 |
| 12 275 8,2 2,2 |
| 13 1063 10,6 2,2 |
| 14 542 5,7 2,2 |
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Das erhaltene Rein-Trichlorsilan wurde in 30 kg-Partien untersucht
und zu Silicium-Stäben reduziert. In keiner der 30 kg-Proben war colorimetrisch
noch Bor nachweisbar.
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Alle Siliciumstäbe zeigten Widerstandswerte von > 10000 A. . cm.
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Die Reinigungskraft der von Beispiel 6 bis Beispiel 14 benutzten Säule
war auch nach Beendigung von Beispiel 14 noch ungeschmälert.
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Vergleichsbeispiel Im Vergleich zu Beispiel 6 wurde im genau analogen
Verfahren ein technisches Trichlorsilan mit einem Borgehalt von 7,2 ppm, jedoch
frei von Chlorwasserstoff, angewandt.
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Nach jeweils 120 Minuten wurde das aus der Säule abfließende Trichlorsilan
auf seinen Borgehalt colorimetrisch untersucht:
| eit durchgeflossenes Bor-Wert |
| Min. Trichlorsilan |
| kg |
| 120 3,2 frei von Bor |
| 240 6,5 frei von Bor |
| 360 9,8 14 ppB |
| 480 13,0 0,4 ppm |
| 600 16,2 2,5 ppm |
| 720 19,5 6,8 ppm |
Ohne Chlorwasserstoff arbeitet demzufolge die Säule bereits nach 6 Stunden nicht
mehr einwandfrei und ist nach 10 bis 12 Stunden erschöpft.
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Beispiel 15 In einem 4-Liter Rührkolben aus Laborgeräteglas, ausgerüstet
mit Stickstoffüberdeckung und Durchstechkappe, wurden 5 kg Tetrachlorsilan vorgelegt.
Das Tetrachlorsilan enthielt folgende Verunreinigungen: Kupfer 22 ppb Nickel 48
ppb Kobalt 39 ppb Eisen 221 ppb Mangan 48 ppb Chrom 28 ppb Vanadium 16 ppb.
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Unter Rühren wurden bei ca. 20 OC 4 ml einer 25 %igen Lösung von Chlorwasserstoff
in Hexachlordisiloxan mit Hilfe einer Injektionssprite mit langer Nadel durch die
Durchstechkappe in die flüssige Phase auf einmal injiziert. Nach dreistündiger Reaktionszeit
bei ca. 20 oC wurde der Ansatz
in die Blase einer Destillationskolonne
überführt und nach 10 minütiger Entgasung durch Rückflußkochen mit dem Rücklaufverhältnis
von 1 ausdestilliert.
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Es wurden ca. 5 kg Tetrachlorsilan erhalten mit nachstehender Reinheit:
Kupfer c 6 ppb Nickel <9 ppb Kobalt <3 ppb Eisen <3 ppb Mangan (2 ppb Chrom
< 3 ppb Vanadium < 4 ppb.
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Beispiel 16 Analog Beispiel 15 wurden 5 kg Tetrachlorsilan mit einem
Trichlorsilangehalt von 32 ppm und etwa gleichem Gehalt an metallischen Verunreinigungen
wie das im vorstehenden Beispiel eingesetzte Material mit 5 ml einer 25 %igen wässrigen
Salzsäure behandelt. Auf diese Weise wurde ein Tetrachlorsilan mit einem Gehalt
von < 1 ppm an Trichlorsilan und jeweils < 1.0 ppb an Metallverunreinigungen
erhalten.