DE3139712C2 - Glüheinrichtung - Google Patents

Glüheinrichtung

Info

Publication number
DE3139712C2
DE3139712C2 DE19813139712 DE3139712A DE3139712C2 DE 3139712 C2 DE3139712 C2 DE 3139712C2 DE 19813139712 DE19813139712 DE 19813139712 DE 3139712 A DE3139712 A DE 3139712A DE 3139712 C2 DE3139712 C2 DE 3139712C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
flash discharge
discharge lamps
support table
mirror
semiconductor wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19813139712
Other languages
English (en)
Other versions
DE3139712A1 (de
Inventor
Tatsumi Himeji Hyogo Hiramoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Original Assignee
Ushio Denki KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Denki KK filed Critical Ushio Denki KK
Publication of DE3139712A1 publication Critical patent/DE3139712A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3139712C2 publication Critical patent/DE3139712C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H01L21/2686Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation using incoherent radiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

Eine Glüheinrichtung ist mit einem Auflagetisch zum Anbringen eines Halbleiterplättchens, mit mehreren Blitzentladungslampen, die so angeordnet sind, daß sie das auf dem Auflagetisch angeordnete Halbleiterplättchen umgeben, und mit einem Spiegel versehen, der in der Nähe der Blitzentladungslampen zum Rückreflektieren von Licht zu dem Halbleiterplättchen angeordnet ist. Das Halbleiterplättchen wird plötzlich gleichförmig über seine gesamte Fläche geglüht, indem es der Bestrahlung durch das Licht von den Blitzentladungslampen ausgesetzt wird.

Description

Die Erfindung betrifft eine Glüheinrichtung mit einem Auflagetisch für ein Halbleiterplättchen gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Eine derartige Glühcinriclnung ist Inhalt der deut- J5 sehen Patentanmeldung P 31 36 105.6 :nit älterem Zeitrang, vgl. die DE-OS 31 36 105.
Bei dem genannten Stand der Technik sind die Blitzentladungslampen geradlinig und in einer Ebene angeordnet, die parallel zum Halbleiterplättchen verläuft. Benachbart und parallel dazu ist ein ebener Spiegel angeordnet.
Bekannt ist ferner eine Glüheinrichtung mit einem Auflagetisch für ein Halbleiterplättchen mit einer Biitzentladungslampe und einem Spiegel, der längs der Blitzentladungslampe an der dem Auflagetisch gegenüberliegenden Seite angeordnet ist (JP-Abstract 55-75224). Da die Oberfläche des auf dem Auflagetisch liegenden Halbleiterplättchens spiegelpoliert ist, wird eine wesentliche Menge des von der einen Blitzentladungslampe einfallenden Lichtes durch die Plättchenoberfläche reflektiert, so daß es notwendig ist, das Halbleiterplättchen mit einer sehr großen Lichtmenge zu bestrahlen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Glüheinrichtung mit einem Auflagetisch für ein Halbleiterplättchen mit mehreren Blitzentladungslampen und einem Spiegel zu schaffen, die eine gesteigerte Lichtausbeute hat. Gelöst wird diese Aufgabe durch die Merkmale des Anspruchs 1. Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Die Erfindung wird beispielhaft anhand der Zeichnung beschrieben, in der ist
Fig. 1 eine schematische Ansicht eines Beispiels einer Blitzentladungslampe zur Verwendung bei der Erfindung und
Fig.2 und 3 schematische Ansichten von Ausführungsformen der Erfindung.
Fig. 1 zeigt eine Blitzentladungslampe 3 mit einem gewölbt gebogenen Lichtteil 3a. Mehrere Blitzentladungslampen 3 mit gewölbt gebogenen Lichtteilen 3a mit allmählich kleineren Bögen werden aufeinanderfolgend angeordnet, um sich einem halbkugelförmigen Spiegel 6 anzupassen, wie Fig.2 zeigt, wodurch das Halbleiterplättchen umgeben wird.
Die Fläche des Spiegels 6 kann auch konkav geformt sein, um sich den Kolben der einzelnen Blitzentladungslampen 3 anzupassen, wie durch Bezugszeichen 6a in F i g. 3 gezeigt ist.
Ein Beispiel der numerischen Werte der Glüheinrichtung ist wie folgt: Der Spiegel 6 hat einen Durchmesser von etwa 160 mm. Mehrere Blitzentladungslampen 3 mit jeweils einem Außendurchmesser von 10 mm und einem Innendurchmesser von 8 mm sind nahe aneinander in einem Abstand von etwa 5 mm von der Fläche des Spiegels 6 angeordnet. Der Auflagetisch ist in einem Abstand von 10 mm von der untersten Blitzentladungslampe angeordnet Wenn ein 102 mm langes Siüziumplättchen auf dem Auflagetisch in dessen Mitte angeordnet wird, liegt das Plättchen innerhalb des Bereichs des Kreisbogens Θ, längs dessen die Bützentladup.gslampen 3 angeordnet sind.
Da der Spiegel 6 in einer solchen Weise angeordnet ist, daß er das Halbleiterplättchen umgibt, wobei die Blitzentladungslampen 3 dazwischen angeordnet sind, wird durch das vom Halbleiterplättchen reflektierte Licht durch den Spiegel 6 darauf zurückrefiektiert und eine Mehrfachreflexionswirkung erzeugt, wodurch eine extrem effiziente Ausnutzung des Lichts von den Blitzentladungslampen 3 ermöglicht wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Glüheinrichtung mit einem Auflagetisch für ein Halbleiterplättchen, mit mehreren Blitzentladungslampen, die so angeordnet sind, daß sie dem auf dem Auflagetisch angeordneten Halbleiterplättchen benachbart gegenüberliegen, und mit einem Spiegel, der so angeordnet ist, daß er längs der Blitzentladungslampen benachbart dazu an der dem Auflagetisch gegenüberliegenden Seite liegt, dadurch gekennzeichnet, daß die Blitzentladungslampen (3) gewölbt gebogene Lichtteile (3a) von verschiedenen Durchmessern aufweisen und daß sie derart angeordnet sind, daß sie das Halbleiterplättchen umgeben, wobei die Blitzentladungslampe des größten Durchmessers in der Mitte der Anordnung liegt und die Blitzentladungslampen mit geringeren Durchmessern weiter von der Mitte weg liegen.
2. Glüheinrichtung nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet, daß der Spiegel (6) halbkugelförmig ist und die Bnizentladungslampen (3) umgibt.
3. Glüheinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Teil des Spiegels (6), der zu jeder Blitzentladungslampe (3) weist, eine konkave Fläche (6a) hat, die sich in Längsrichtung der Blitzentladungslampe (3) erstreckt.
DE19813139712 1980-10-09 1981-10-06 Glüheinrichtung Expired DE3139712C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14047680A JPS5764937A (en) 1980-10-09 1980-10-09 Annealing device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3139712A1 DE3139712A1 (de) 1982-05-13
DE3139712C2 true DE3139712C2 (de) 1984-10-18

Family

ID=15269487

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19813139712 Expired DE3139712C2 (de) 1980-10-09 1981-10-06 Glüheinrichtung

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPS5764937A (de)
DE (1) DE3139712C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4109956A1 (de) * 1991-03-26 1992-10-01 Siemens Ag Verfahren zum kurzzeittempern einer halbleiterscheibe durch bestrahlung

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS593934A (ja) * 1982-06-30 1984-01-10 Ushio Inc 半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法
JPS593933A (ja) * 1982-06-30 1984-01-10 Ushio Inc 半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法
JPS59177937U (ja) * 1983-05-16 1984-11-28 富士通株式会社 赤外線熱処理装置
JPS6049625U (ja) * 1983-09-13 1985-04-08 ニチデン機械株式会社 赤外線加熱装置
US4560420A (en) * 1984-06-13 1985-12-24 At&T Technologies, Inc. Method for reducing temperature variations across a semiconductor wafer during heating
US4981815A (en) * 1988-05-09 1991-01-01 Siemens Aktiengesellschaft Method for rapidly thermally processing a semiconductor wafer by irradiation using semicircular or parabolic reflectors
JPH0618668U (ja) * 1992-03-27 1994-03-11 吉則 高田 油圧の圧力流量変換器
JP2006261695A (ja) * 2006-05-22 2006-09-28 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5232046Y2 (de) * 1971-07-29 1977-07-21
JPS5217216B2 (de) * 1972-02-20 1977-05-13
JPS5715814Y2 (de) * 1976-08-26 1982-04-02
JPS5575224A (en) 1978-12-01 1980-06-06 Ushio Inc Annealing furnace
JPS5750427A (en) * 1980-09-12 1982-03-24 Ushio Inc Annealing device and annealing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4109956A1 (de) * 1991-03-26 1992-10-01 Siemens Ag Verfahren zum kurzzeittempern einer halbleiterscheibe durch bestrahlung

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6226572B2 (de) 1987-06-09
JPS5764937A (en) 1982-04-20
DE3139712A1 (de) 1982-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3139712C2 (de) Glüheinrichtung
DE69325681T2 (de) Beleuchtete Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
DE3136105C2 (de)
EP0562279B1 (de) Beleuchtungseinrichtung für Fahrzeuge
DE19613082C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur qualitativen Beurteilung von bearbeitetem Material
DE7906381U1 (de) Beleuchtung fuer operations- und untersuchungsfelder
DE69230487T2 (de) Oberflächenbeleuchtung
DE112005001733T5 (de) Ultraviolettbestrahlungseinrichtung
DE2913761A1 (de) Spaltbeleuchtungsvorrichtung
DE2901695A1 (de) Reflektor- oder lichtstreuvorrichtung fuer elektronenblitzeinheit
DE3803763A1 (de) Optisches bestrahlungsgeraet fuer biologische materie
CH658116A5 (de) Leuchte.
DE3535073A1 (de) Photoablationsblende
EP0195059B1 (de) Beleuchtungsanlage
DE69309692T2 (de) Optische vorrichtung zur ringförmigen beleuchtung eines punktes
CH672685A5 (de)
DE2225969C2 (de) Leuchten-Abdeckplatte
DE4021523C2 (de) Beleuchtungsanordnung
DE3247950A1 (de) Lichtleiste
DE102016102216A1 (de) Linse für LED
DE2722496B2 (de) Anflugbeleuchtungsanordnung
AT412901B (de) Leuchte
DE8812561U1 (de) Leuchtscheibe
DE3236490A1 (de) Reproduktions-kamera mit einer durchscheinenden objekt-platte
DE3317338C1 (de) Blendschutzraster aus lichtbrechendem Material

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: REINLAENDER, C., DIPL.-ING. DR.-ING., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN

8339 Ceased/non-payment of the annual fee