DE3138362A1 - Verfahren zum aufbringen von metallkontakten - Google Patents

Verfahren zum aufbringen von metallkontakten

Info

Publication number
DE3138362A1
DE3138362A1 DE19813138362 DE3138362A DE3138362A1 DE 3138362 A1 DE3138362 A1 DE 3138362A1 DE 19813138362 DE19813138362 DE 19813138362 DE 3138362 A DE3138362 A DE 3138362A DE 3138362 A1 DE3138362 A1 DE 3138362A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
mesa
mountains
semiconductor wafer
semiconductor
photoresist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19813138362
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE3138362C2 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html
Inventor
Andreas Ing.(grad.) 7104 Obersulm Berger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Conti Temic Microelectronic GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DE19813138362 priority Critical patent/DE3138362A1/de
Publication of DE3138362A1 publication Critical patent/DE3138362A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3138362C2 publication Critical patent/DE3138362C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0272—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers for lift-off processes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
DE19813138362 1981-09-26 1981-09-26 Verfahren zum aufbringen von metallkontakten Granted DE3138362A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813138362 DE3138362A1 (de) 1981-09-26 1981-09-26 Verfahren zum aufbringen von metallkontakten

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813138362 DE3138362A1 (de) 1981-09-26 1981-09-26 Verfahren zum aufbringen von metallkontakten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3138362A1 true DE3138362A1 (de) 1983-04-14
DE3138362C2 DE3138362C2 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) 1987-06-04

Family

ID=6142688

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19813138362 Granted DE3138362A1 (de) 1981-09-26 1981-09-26 Verfahren zum aufbringen von metallkontakten

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3138362A1 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3828379A1 (de) * 1988-08-20 1990-03-01 Licentia Gmbh Verfahren zum herstellen kleiner oeffnungen in duennen schichten

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1521287B (de) * Hitachi Ltd., Tokio Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiterunterlagen durch Aufdampfen von Metall unter Verwendung einer lichtempfindlichen Schicht als Maske
GB985280A (en) * 1961-10-03 1965-03-03 Hughes Aircraft Co Method of forming a metallic electrical contact to a preselected area of a semiconductor surface
DE1514800A1 (de) * 1965-03-12 1969-06-26 Telefunken Patent Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen
FR2337424A1 (fr) * 1975-12-31 1977-07-29 Thomson Csf Procede de fabrication d'un bloc semi-conducteur comportant une ou plusieurs paires de diodes " tete-beche ", et son application a des dispositifs hyperfrequence

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1521287B (de) * Hitachi Ltd., Tokio Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiterunterlagen durch Aufdampfen von Metall unter Verwendung einer lichtempfindlichen Schicht als Maske
GB985280A (en) * 1961-10-03 1965-03-03 Hughes Aircraft Co Method of forming a metallic electrical contact to a preselected area of a semiconductor surface
DE1514800A1 (de) * 1965-03-12 1969-06-26 Telefunken Patent Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen
FR2337424A1 (fr) * 1975-12-31 1977-07-29 Thomson Csf Procede de fabrication d'un bloc semi-conducteur comportant une ou plusieurs paires de diodes " tete-beche ", et son application a des dispositifs hyperfrequence

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3828379A1 (de) * 1988-08-20 1990-03-01 Licentia Gmbh Verfahren zum herstellen kleiner oeffnungen in duennen schichten

Also Published As

Publication number Publication date
DE3138362C2 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) 1987-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69512991T2 (de) Löthocker-herstellungsverfahren
DE1057672B (de) Verfahren zur Herstellung eingelegter Stromkreise
DE2408617A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur kontinuierlichen und partiellen beschichtung eines metallstreifens
DE2504944A1 (de) System zum trennen einer halbleiterplatte in einzelne pellets
DE2944368A1 (de) Verfahren zum verbinden nicht-loetbarer oberflaechen
DE1065903B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von leitenden Mustern
DE2228218B1 (de) Verfahren zum tauchloeten von traegerplaettchen
DE3138362A1 (de) Verfahren zum aufbringen von metallkontakten
DE3608410A1 (de) Herstellung von feinstrukturen fuer die halbleiterkontaktierung
EP0168706A1 (de) Verfahren zum Herstellen von masshaltigen Titanstrukturen
DE2818160A1 (de) Verfahren zum organischen phosphatieren metallischer oberflaechen und vorrichtung zur durchfuehrung desselben
DE1919158A1 (de) Verfahren zum AEtzen von Ag-Sn-Pb-Legierungen
DE1922652B2 (de) Verfahren zur herstellung von loetanschluessen
DE1043011B (de) Verfahren zur Herstellung von Metallmaschennetzen
DE1947026A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
DE1564770B2 (de) Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl von Halbleiteranordnungen
DE1071846B (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)
DE60222434T2 (de) Verfahren zur herstellung einer legierungsschicht auf der kontaktfläche eines wärmetauschers für einen integrierten schaltkreis
DE102021208693A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Werkstückes
DE3908514C2 (de) Verfahren zum Entfernen organischer und anorganischer Reste bei einem Lötprozeß
EP0107071A2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchip-Filmträgern
DE2021798C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines profilierten pn-Überganges in einem Siliziumplättchen
DE1210294B (de) Verfahren zur anodischen Oxydation von Teilen duenner Schichten aus Ventilmetall
DE102024101238A1 (de) Laserbearbeitungseinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE2440080A1 (de) Verfahren zur aetzung von halbleiteraktivteilen und vorrichtung zur ausfuehrung des verfahrens

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: TELEFUNKEN ELECTRONIC GMBH, 7100 HEILBRONN, DE

8120 Willingness to grant licences paragraph 23
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: TEMIC TELEFUNKEN MICROELECTRONIC GMBH, 74072 HEILB

8339 Ceased/non-payment of the annual fee