DE3135208A1 - Kathodenanordnung zur abstaeubung von material von einem target in einer kathodenzerstaeubungsanlage - Google Patents

Kathodenanordnung zur abstaeubung von material von einem target in einer kathodenzerstaeubungsanlage

Info

Publication number
DE3135208A1
DE3135208A1 DE19813135208 DE3135208A DE3135208A1 DE 3135208 A1 DE3135208 A1 DE 3135208A1 DE 19813135208 DE19813135208 DE 19813135208 DE 3135208 A DE3135208 A DE 3135208A DE 3135208 A1 DE3135208 A1 DE 3135208A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
target
magnet
arrangement
energy
cathode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19813135208
Other languages
English (en)
Other versions
DE3135208C2 (de
Inventor
Urs 9496 Balzers Wegmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
OC Oerlikon Balzers AG
Original Assignee
BALZERS HOCHVAKUUM GmbH
Balzers Hochvakuum 6200 Wiesbaden GmbH
Balzers Hochvakuum GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BALZERS HOCHVAKUUM GmbH, Balzers Hochvakuum 6200 Wiesbaden GmbH, Balzers Hochvakuum GmbH filed Critical BALZERS HOCHVAKUUM GmbH
Publication of DE3135208A1 publication Critical patent/DE3135208A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3135208C2 publication Critical patent/DE3135208C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3426Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405Magnetron sputtering
    • H01J37/3408Planar magnetron sputtering

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

KATHODENANORDNUNG ZUR ÄBSTAEUBUNG VON MATERIAL VON EINEM TARGET IN EINER KATHODENZERSTAEUBUNGSANLAGE
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Kathodenanordnung zur Abstäubung von Material von einem Target in einer Kathodenzerstäubungsanlage mit auf der von der zu zerstäubenden Fläche abgewandten Seite des Targets rahmenförmig angeordneten Magneten.
Anordnungen dieser Art sind zwar bekannt z.B. aus USP 4 166 018, wobei zur Erzielung einer möglichst hohen Plasmadichte vor der zu zerstäubenden Fläche die Magnetanor'dnung derart ausgestaltet wurde, dass ein möglichst grosser Teil der magnetischen Kraftlinien durch die Targetplatte hindurch aus der Vorderseite derselben austrat und wieder in diese zurückkehrte. Jede Kraftlinie bildete also einen Bogen vor der zu zerstäubenden Fläche, und die Anordnung wurde ferner so getroffen, dass die Gesamtheit der bogenförmigen Kraftlinien einen in sich geschlossenen Tunnel darstellte, in welchem beim Zerstäubungsbetrieb das Plasma eingeschlossen war. Die Abstäubung kam vor allem im Bereich der von diesem Tunnel bedeckten Fläche des Targets zustande. Der Wirkungsgrad der Zerstäubung konnte auf diese Weise ganz wesentlich gesteigert werden, aber es blieb immer noch ein Nachteil, dass die Abstäubung ungleichmässig ·
erfolgte und dass deshalb die Targetplatten schon ersetzt werden mussten, bevor sie vollständig verbraucht waren. Bei den hohen Preisen vieler Targetmaterialien bedeutete das einen ziemlichen Verlust. ·
Uiii eine bessere Ausnützung zu erreichen,wurde schon vorgeschlagen, mehrere verschiedene Magnetsätze hinter der Targetplatte so anzuordnen^ dass die zur Fläche derselben parallele Magnetfeldkomponente über einenumöglichst grossen Teil der Targetfläche möglichst gross war; es hat sich;nämlich gezeigt, dass die Abstäubungsrate hauptsächlich von dieser Parallel komponente des magnetischen Feldes abhängt. J
Aus USP 4 180 450 ist bekannt, auf der Rückseite der Targetplatte ausser einem ersten Magnet oder Magnetsatz weitere Magnete so anzuordnen, dass deren Magnetisierungsrichtung zur Magnetisierungsrichtung der fersten Magnete einen Winkel zwischen 45° und 90° einschliesst. Damit kortnte zwar eine gleichmässigere Abtragung bei den meisten Targetmaterialipn erzielt
werden, doch hat sich gezeigt, dass es auch mit dieser, sowie .mit anderen bekannten Anordnungen kaum möglich ist, magnetisi erbare Materialien, z.B. Nickel oder gar Eisen zu zerstäuben. Dies ist deshalb so schwierig, weil das niagnetisierbare Target die magnetischen Kraftlinien weitgehend kurzschliesst und im Entladungsbereich vor dem Target das magnetische Feld dann fehlt, sodass keine genügend starke Entladung in diesem Bereich unterhalten werden kann. Die Dicke der Targets aus magnetisierbären Materialien nach bekanntem Stand der Technik ist im besten Falle auf einige Zehntel mm begrenzt.
313570S
Diese Begrenzung ergibt sich durch die zur Verfügung stehende magnetische Energie in wirksamen Bereich. Für die Zerstäubung ferromagnetischer Materialien muss diese nämlich so hoch sein.» dass das Target magnetisch gesättigt werden kann, um genügend Feldlinien hindurchtreten zu lassen; die durchtretenden Feldlinien sollten in einem Abstand von einigen Millimetern vor der zu zerstäubenden Fläche eine zu dieser parallele Magnetfei dkomponente von mindestens 100 Gauss ergeben.
Es ist naheliegend und schon vorgeschlagen worden, dieses Problem durch eine entsprechende Verstärkung der Magnete zu lösen. Nach dem heutigen Stand der Technik kommt dafür nur Permanentmagnetmaterial aus teuren Spezial!egierungen in Frage. Bauteile aus solchen Materialien sind deshalb aufwendig, sind auch nicht leicht zu bearbeiten und wegen der äusserst grossen Kraftwirkungen schwierig zu einem System zusammenzubauen und zu haltern.
Eine weitere Unzulänglichkeit zeigen bekannte magnetfeldunterstützte Zerstäubungseinrichtungen hinsichtlich dickerer Targets und zwar auch dann,, wenn die Targets nicht aus magnetischen Materialien bestehen. Auch in diesem Falle resultiert wegen der grösseren Dicke eine nur ungenügende magnetische Parallel feldstärke auf der Target-Vordersei te, wodurch höhere Zünd- und Brennspannungen notwendig werden, um genügend hohe Plasmadichten und damit hohe Zerstäubungsraten zu erreichen. Es wurde versucht, das Problem unter Beibehaltung der'geometrischen Kon-
• * «* mm w
figuration der Magnetanordhung und der Feldverteilung wiederum dadurch zu lösen, dass alle Magnete der Anordnung einfach entsprechend verstärkt wurden, was im Prinzip zwar möglich ist, aber, wie gesagt, einen wesentlich höheren Aufwand bedeutet.
Die vorliegende Erfindung stellt sich nun die Aufgabe, bei einer Anordnung zur kathodischen Abstäubung von Materialien, insbesondere auch ferro-■ magnetischer Materialien, die Wirtschaftlichkeit zu verbessern, indem die Targetdicke und damit die zur Verfügung stehende Menge des in einem Arbeitsgang abstäubbaren Targetmaterials vergrössert werden können.
Wie aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels ersichtlich wird, erreicht man durch die durch den Anspruch 1 gekennzeichnete Erfindung eine wesentliche Erhöhung der zur Targetfläche parallelen, für den Wirkungsgrad der Zerstäubung massgebenden Komponente des magnetischen Feldes bei gleichzeitig guter Ausnutzung des Targets, und zwar erreicht man dies überraschenderweise nicht durch eine gleichmässige Verstärkung aller Magnete der Anordnung sondern durch eine entsprechende Verteilung magnetischen Materials von verschiedenem Energiegehalt* Weil dabei die Hälfte oder mehr des benötigten Magnetwerkstoffen niederenergetisch sein kann und daher wesentlich billiger zu stehen kommt, wird gleichzeitig eine ausserordentliehe Einsparung auch beim Bau der neuen Anordnung erzielt.
OO s) fl 4 OO
40041} £ ο
Ct O ♦ O
In der anliegenden Zeichnung zeigt:
Figur 1 schematisch ein einfaches Ausführungsbeispiel, bei dem lediglich ein äusserer Rahmen aus hochenergetischem Magnetwerkstoff vorgesehen ist und die Magnetisierungsrichtung des innerhalb dieses Rahmens untergebrachten niederenergetischen Werkstoffes mit derjenigen des äusseren Magneten einen Winkel von 90° einschliesst; Figur 2 eine ähnliche Anordnung, die jedoch zusätzlich noch einen zentralen weiteren Magneten aus hochenergetischem Werkstoff aufweist; Figur 3 ein Diagramm zum Vergleich der Erfindung mit dem bekannten Stand der Technik;
Figur 4 das Schema eines weiteren Ausführungsbeispiels der Erfindung, bei dem die Feldrichtungen des hochenergetischen und des niederenergetischen Materials miteinander einen Winkel von 45° einschliessen; Figur 5 eine Anordnung zur Abstäubung von der Aussenseite eines Rohres aus Targetmaterial;
Figur 6 eine Anordnung zur Abstäubung von der Innenseite eines Rohres aus Targetmaterial und schliesslich
Figur 7 eine detailiertere konstruktive Ausführung eines sogenannten planaren Magnetrons mit einer ebenen gekühlten Targetplatte..
In den Figur 1 und 2 bezeichnet 1 eine Platte aus dem zu zerstäubenden Material z.B.. eine 6 mm dicke Nickelplattes wobei von einer (in der Zeichnung oberen) Seite derselben eine möglichst gleichmässige Abstäubung in einer Kathodenzerstäubungsanlage erreicht werden soll. Zu diesem
W y M «■> « · · ·* pt m
Zweck sind auf der anderen (in der Zeichnungen unteren) Seite der Platte zwei Magnete bzw. Sätze von Magneten angeordnet und zwar ein erster Magnet oder Magnetsatz 2, welcher einen äusseren Rahmen bildet, dessen Magnetisierungsrichtung zu der zu zerstäubenden Fläche senkrecht steht, wie durch Pfeile und die Polbezeichnungen N +S in den Figuren angedeutet ist; die Magnetisierungsrichtungen können auch umgekehrt werden.
die
Der bzw. den äusseren Rahmen bildenden Magnete bestehen aus permanent magnetischem Material mit einer remanenten Energiedichte von wenigstens 40 kJ pro m3. Solche Materialien sind kommerziell erhältlich; z.B. besitzt eine bekannte Magnetlegierung bestehend aus seltenen Erden und Kobalt, mit einem Kunststoffbindemittel gepresst, eine remanente Energiedichte von 50 kJ pro m^, und der gleiche Magnetwerkstoff in massiver Form ohne Kunststoffbindemittel weist sogar eine remanente Energiedichte von über 100 kJ pro m3 auf. Der Rahmen 2 kann z.B. ringförmig, oval oder rechteckig sein und er kann aus einem einzigen Stück bestehen oder aus mehreren Einzelmagneten zusammengefügt'sein. Innerhalb des Rahmens 2 ist der zweite Magnet bzw. Magnetsatz 3 angeordnet, der eine Platte (Figur 1) bzw. einen Ring (Figur 2) bildet und aus niederenergetischem Magnetmaterial besteht, dessen Magnetisierungsrichtung, wie die Figuren durch die Pfeile und die Polbezeichnungen andeuten, mit der Magnetisierungsrichtung des äusseren Rahmens einen Winkel von 90° einschliesst und wobei die am äusseren Rand der Innenmagnete 3 liegenden Pole (N) und die dem Target zugewandten Pole der den Rahmen bildenden Aussenmagnete 2 gleichnamig sind, in der Zeichnung also beide Nordpole. Die Mag-
0ft ή»
A PA C
Q O «t C
P O «Ο«
netisierungsrichtungen könnten auch umgekehrt werden, sodass beide Südpol e sind.
Durch diese Anordnung wird erreicht, dass der magnetische Kraftfluss im Aussenraum sich im wesentlichen im Bereich der Targetscheibe sch!iesst; die magnetischen Streuverluste also gering bleiben. Auch wenn das Target aus magnetisi erbarem Material wie z.B. Nickel besteht und also ein Teil des magnetischen Flusses dadurch kurzgeschlossen wird, bildet der restliche, durch die Targetplatte hindurchgreifende Teil des magnetischen Flusses vor der zu zerstäubenden Targetfläche ein Feld mit einer genügend starken Parallel komponente aus.
Die in den Figuren 1 und 2 schematisch dargestellten Anordnungen können in einer üblichen Kathodenzerstäubungsanlage angeordnet werden, wobei eine negative Hochspannung von einigen Hundert Volt an die bei der Zerstäubung als Kathode zu betreibende Targetplatte anzulegen ist und die positive Seite der Spannungsquelle in bekannter Weise entweder an einer separaten z.B. stab- oder ringförmigen Anode liegts oder auch einfach mit der Wand der Zerstäubungskammer verbunden wird.
In Figur 2 ist im Zentrum der Targetscheibe noch ein weiterer Hochenergiemagnet 6 vorgesehen, dessen Magnetisierungsrichtung derjenigen der äusseren Magneten 1 entgegengesetzt ist. Durch diesen zusätzlichen Hochenergiemagneten erreicht man eine weitere Vergrösserung des magne-
- ίο -
tischen Flusses, sodass noch dickere Targets als mit der Vorrichtung nach Figur 1 zerstäubt werden können.
In dem Diagramm der Figur 3 gibt die Ordinate die magnetische Induktion parallel zur Targetfläche in ca. 16 mm Abstand vom Magnetsystem in Gauss an und zwar in Abhängigkeit vom Abstand des Messpunktes von einer durch das Zentrum der Targetplatte gedachten Achse. Die Kurve 7 bezieht sich dabei auf eine bekannte Anordnung, wie sie eingangs erwähnt wurde. Damit wurde, wie aus dem Diagramm ersichtlich, in einer Zone von ca. 2 bis 3,5 cm Abstand von der Plattenmitte eine parallele Magnetfeldstärke von 250 Gauss erzielt. Wurden bei dieser Anordnung dann anstelle der bisher üblichen niederenergetischen Magnete Hochenergiemagnete 2 eingesetzt, dann ergab sich eine etwas stärkere Parallelkomponente von ca. 300 Gauss. Dagegen konnte mit einer erfindungsgemässen Anordnung, die entsprechend der Figur 2 aufgebaut war, eine wesentlich höhere Parail el feldstärke von 600 Gauss erreicht werden. Die Anordnung nach Figur 2 ermöglicht daher wesentlich dickere Targets zu zerstäuben.
Weitere Untersuchungen haben gezeigt, dass je nach Material und Dicke der Targetplatte eine von 90° abweichende gegenseitige Orientierung der magnetischen Richtungen der niederenergetischen Innen- gegenüber den hochenergetischen Aussenmagneten vorteilhaft sein, um eine noch bessere Ausnutzung des Targetmaterials zuerzielen.
3135708
In Figur 4 ist der Fall einer 45°-0rientierung schematisch dargestellt, mit Magnetisierungsrichtungen, wie die Pfeile anzeigen.
Die Erfindung ist nicht auf die Abstäubung von ebenen Targetflächen beschränkt. In den Figuren 5 und 6 sind zwei Fälle dargestellt, die zeigen, wie eine Abstäubung von zylindrischen Flächen möglich ist. In diesen beiden Figuren bezeichnet 11 ein rohrförmiges Target dessen Aussenseite (Figur 5) bzw. Innenseite (Figur 6) einer Zerstäubung unterworfen werden soll. Hiezu sind auf der jeweils nicht zu zerstäubenden anderen Seite des Targets, also innerhalb (Figur 5) bzw. ausserhalb (Figur 6) des Rohres ringförmige niederenergetische Magnete 12 und hochenergetische radial magnetisierte Magnete 13 angeordnet, wobei die Magnetisierungsrichtungen der beiden Magnetsysteme miteinander einen Winkel zwischen 45° und 90° einschliessen; in den Figuren 5 und 6 ist der·Fall für 90° gezeichnet. Im übrigen kann eine derartig aufgebaute zylindrische Kathodenanordnung in analoger Weise in einer Zerstäubungsanlage betrieben werden wie obenstehend für den Fall einer ebenen Targetplatte beschrieben.
Figur 7 zeigt wieder eine Anordnung mit ebener Targetplatte. Dabei bezeichnet 20 eine Haltevorrichtung für eine Magnetanordnung ähnlich derjenigen der Figur 2 die aus den hochenergetischen äusseren Magneten 21 und den niederenergetischen Innenmagneten 22 aufgebaut ist. Die Magnete sind durch eine Kühlplatte 23 abgedeckt, welche ihrerseits die Tar-
β ·
- 12 -
getplatte 24 trägt. Zur Kühlung der letzteren weist die Platte 23 Kanäle 25 auf, durch welche beim Betrieb ein Kühlmittel hindurchgeleitet werden kann. An ihrem Umfang wird die Targetplatte von einem Ring 27 umfasst, der zusammen mit der Platte 23 auf der Halterung 20 aufgeschraubt ist. Für den Betrieb ist eine nichtgezeichnete Spannungszuführung zur Targetplatte 24 vorzusehen. Die Halterung 20 ist von dem Gehäuse umgeben, welches mit seiner Oeffnung 29 lediglich die Vorderseite der Targetfläche für eine Abstäubung freigibt. Der Abstand zwischen den Innenwänden des Gehäuses 28 und der Aussenseite der Halterung 20 muss in bekannter Weise kleiner als die mittlere freie Weglänge der Elektroden beim Entladungsdurck bemessen werden.
Leersei

Claims (5)

OO O O 0 O OQO O β O Ο O AO O α ο ο β β ο et ο PATENTANSPRUECHE
1.) Kathodenanordnung zur Abstäubung von Material von einem Target in einer Kathodenzerstäubungsanlage mit auf der von der zu zerstäubenden Fläche abgewandten Seite des Targets rahmenförmig angeordneten Magneten und mit einem innerhalb des rahmenförmigen Magneten befindlichen weiteren Magneten, dessen Magnetisierungsrichtung zur Magnetisierungsrichtung des rahmenförmigen Magneten einen Winkel zwischen 45° und 90° einschliesst, dadurch gekennzeich η e ts dass der rahmenförmige Magnet (2, 13, 21) aus einem permanentmagnetischen Material mit einer Energiedichte von wenigstens 40 kJ pro rn^ und der weitere Magnet (3, 12, 22) aus einem solchen mit einer Energiedichte von weniger als 40 kJ pro m3 besteht.
2. Anordnung nach Anspruch 1, d a d u r c h gekennzeichne t, dass der Unterschied des Energieinhaltes der beiden magnetischen Materialien wenigstens 10 ku/m^ beträgt.
3. Anordnung nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, dass innerhalb des rahmenförmigen Magneten (2, 21) zusätzlich zu dem Magneten (3, 22) aus niederenergetischem Material ein weiterer, zentral angeordneter Magnet (6S 21) mit einer Energiedichte von mehr als 40 kJ/m^ angeordnet ist.
4. Anordnung nach Anspruch "!,dadurch gekennzeichnet, dass die Magnetisierungsrichtung des Magneten aus dem hochenergetischen Material mit der Magnetisierungsrichtung der Magnete aus dem niederenergetischen Material einen Winkel von 90° einschliesst.
5. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch g.ekennzeuchnet, dass Magnetanordnung und Target (1, 11, 24) relativ zueinander bewegbar sind.
PR 8022 ζ
DE19813135208 1980-10-14 1981-09-05 Kathodenanordnung zur abstaeubung von material von einem target in einer kathodenzerstaeubungsanlage Granted DE3135208A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH7637/80A CH648690A5 (de) 1980-10-14 1980-10-14 Kathodenanordnung zur abstaeubung von material von einem target in einer kathodenzerstaeubungsanlage.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3135208A1 true DE3135208A1 (de) 1982-06-09
DE3135208C2 DE3135208C2 (de) 1988-12-08

Family

ID=4328223

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19813135208 Granted DE3135208A1 (de) 1980-10-14 1981-09-05 Kathodenanordnung zur abstaeubung von material von einem target in einer kathodenzerstaeubungsanlage

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4448653A (de)
JP (1) JPS5926665B2 (de)
CH (1) CH648690A5 (de)
DE (1) DE3135208A1 (de)
FR (1) FR2492163A1 (de)
GB (1) GB2090872B (de)
NL (1) NL8104332A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3624480A1 (de) * 1986-07-19 1988-01-28 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Zerstaeubungskatode fuer vakuum-beschichtungsanlagen

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3331406A1 (de) * 1983-08-31 1985-03-14 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Zerstaeubungskatode
US4517070A (en) * 1984-06-28 1985-05-14 General Motors Corporation Magnetron sputtering cathode assembly and magnet assembly therefor
CH665057A5 (de) * 1984-07-20 1988-04-15 Balzers Hochvakuum Targetplatte fuer kathodenzerstaeubung.
US4629548A (en) * 1985-04-03 1986-12-16 Varian Associates, Inc. Planar penning magnetron sputtering device
JPS6274073A (ja) * 1985-09-26 1987-04-04 Hitachi Ltd スパツタ装置
US4892633A (en) * 1988-11-14 1990-01-09 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetron sputtering cathode
US4865708A (en) * 1988-11-14 1989-09-12 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetron sputtering cathode
JPH0774439B2 (ja) * 1989-01-30 1995-08-09 三菱化学株式会社 マグネトロンスパッタ装置
JPH02118750U (de) * 1989-03-08 1990-09-25
US5032205A (en) * 1989-05-05 1991-07-16 Wisconsin Alumni Research Foundation Plasma etching apparatus with surface magnetic fields
DE4025077A1 (de) * 1990-08-08 1992-02-20 Leybold Ag Magnetronkathode
US5262028A (en) * 1992-06-01 1993-11-16 Sierra Applied Sciences, Inc. Planar magnetron sputtering magnet assembly
US5597459A (en) * 1995-02-08 1997-01-28 Nobler Technologies, Inc. Magnetron cathode sputtering method and apparatus
US5865970A (en) * 1996-02-23 1999-02-02 Permag Corporation Permanent magnet strucure for use in a sputtering magnetron
DE19819785A1 (de) * 1998-05-04 1999-11-11 Leybold Systems Gmbh Zerstäubungskathode nach dem Magnetron-Prinzip
CN1109127C (zh) * 1998-10-09 2003-05-21 北京振涛国际钛金技术有限公司 非平衡平面磁控溅射阴极及其镀膜装置
US20020046945A1 (en) * 1999-10-28 2002-04-25 Applied Materials, Inc. High performance magnetron for DC sputtering systems
US8096427B2 (en) * 2002-05-17 2012-01-17 Rtc Industries, Inc. Product management display system
US8627965B2 (en) 2001-05-17 2014-01-14 Rtc Industries, Inc. Multi-component display and merchandise systems
US7931156B2 (en) 2001-05-17 2011-04-26 Rtc Industries, Inc. Product management display system with retaining wall
RU2271132C2 (ru) * 2001-05-17 2006-03-10 Ар Ти Си ИНДАСТРИЗ, ИНК. Система демонстрации при управлении изделиями
US9375100B2 (en) 2004-02-03 2016-06-28 Rtc Industries, Inc. Product securement and management system
US10339495B2 (en) 2004-02-03 2019-07-02 Rtc Industries, Inc. System for inventory management
US7792711B2 (en) 2004-02-03 2010-09-07 Rtc Industries, Inc. System for inventory management
US9818148B2 (en) 2013-03-05 2017-11-14 Rtc Industries, Inc. In-store item alert architecture
US8938396B2 (en) 2004-02-03 2015-01-20 Rtc Industries, Inc. System for inventory management
US9706857B2 (en) 2004-02-03 2017-07-18 Rtc Industries, Inc. Product securement and management system
US11375826B2 (en) 2004-02-03 2022-07-05 Rtc Industries, Inc. Product securement and management system
US8047385B2 (en) 2004-02-03 2011-11-01 Rtc Industries, Inc. Product securement and management system
US9898712B2 (en) 2004-02-03 2018-02-20 Rtc Industries, Inc. Continuous display shelf edge label device
US9138075B2 (en) 2005-09-12 2015-09-22 Rtc Industries, Inc. Product management display system
US9259102B2 (en) 2005-09-12 2016-02-16 RTC Industries, Incorporated Product management display system with trackless pusher mechanism
US8978904B2 (en) 2005-09-12 2015-03-17 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism
US9173504B2 (en) 2005-09-12 2015-11-03 Rtc Industries, Inc. Product management display system
US8322544B2 (en) * 2005-09-12 2012-12-04 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism
US9265362B2 (en) 2005-09-12 2016-02-23 RTC Industries, Incorporated Product management display system
US7823734B2 (en) 2005-09-12 2010-11-02 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism
US10285510B2 (en) 2005-09-12 2019-05-14 Rtc Industries, Inc. Product management display system
US8739984B2 (en) 2005-09-12 2014-06-03 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism
US9750354B2 (en) 2005-09-12 2017-09-05 Rtc Industries, Inc. Product management display system
US10952546B2 (en) 2005-09-12 2021-03-23 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism
US8453850B2 (en) * 2005-09-12 2013-06-04 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism
US11344138B2 (en) 2005-09-12 2022-05-31 Rtc Industries, Inc. Product management display system
US8967394B2 (en) 2005-09-12 2015-03-03 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism
US11583109B2 (en) 2005-09-12 2023-02-21 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism
US8312999B2 (en) * 2005-09-12 2012-11-20 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism
US9232864B2 (en) 2005-09-12 2016-01-12 RTC Industries, Incorporated Product management display system with trackless pusher mechanism
US9060624B2 (en) 2005-09-12 2015-06-23 Rtc Industries, Inc. Product management display system with rail mounting clip
US11259652B2 (en) 2005-09-12 2022-03-01 Rtc Industries, Inc. Product management display system
US8863963B2 (en) 2005-09-12 2014-10-21 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism
US9265358B2 (en) 2005-09-12 2016-02-23 RTC Industries, Incorporated Product management display system
US9486088B2 (en) 2005-09-12 2016-11-08 Rtc Industries, Inc. Product management display system
US7628282B2 (en) * 2005-10-25 2009-12-08 Rtc Industries, Inc. Product management display system
US9349576B2 (en) * 2006-03-17 2016-05-24 Angstrom Sciences, Inc. Magnetron for cylindrical targets
BRPI0711644B1 (pt) * 2006-05-16 2019-03-19 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Fonte de arco voltaico com um alvo e processo para a produção de peças revestidas por arco voltaico
WO2008051996A2 (en) 2006-10-23 2008-05-02 Rtc Industries, Inc. Merchandising system with flippable column
US20080121515A1 (en) * 2006-11-27 2008-05-29 Seagate Technology Llc Magnetron sputtering utilizing halbach magnet arrays
US8951394B2 (en) 2010-01-29 2015-02-10 Angstrom Sciences, Inc. Cylindrical magnetron having a shunt
TWI384510B (zh) * 2010-11-12 2013-02-01 Ind Tech Res Inst 均勻磁場產生設備及其磁場產生單元
KR20140004785A (ko) 2011-05-30 2014-01-13 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 레이스트랙 형상의 마그네트론 스퍼터링용 자장 발생 장치
US10357118B2 (en) 2013-03-05 2019-07-23 Rtc Industries, Inc. Systems and methods for merchandizing electronic displays
USD801734S1 (en) 2014-12-01 2017-11-07 Retail Space Solutions Llc Shelf management parts
US10154739B2 (en) 2013-12-02 2018-12-18 Retail Space Solutions Llc Universal merchandiser and methods relating to same
US11109692B2 (en) 2014-11-12 2021-09-07 Rtc Industries, Inc. Systems and methods for merchandizing electronic displays
US11182738B2 (en) 2014-11-12 2021-11-23 Rtc Industries, Inc. System for inventory management
US9955802B2 (en) 2015-04-08 2018-05-01 Fasteners For Retail, Inc. Divider with selectively securable track assembly
EP3402371B1 (de) 2016-01-13 2020-03-04 RTC Industries, Inc. Warenauslagesystem mit einer spreizschutzvorrichtung
US10959540B2 (en) 2016-12-05 2021-03-30 Retail Space Solutions Llc Shelf management system, components thereof, and related methods
CA3058797A1 (en) 2017-04-27 2018-11-01 Retail Space Solutions Llc Shelf-mounted tray and methods relating to same
US10448756B2 (en) 2017-06-16 2019-10-22 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4166018A (en) * 1974-01-31 1979-08-28 Airco, Inc. Sputtering process and apparatus
US4180450A (en) * 1978-08-21 1979-12-25 Vac-Tec Systems, Inc. Planar magnetron sputtering device
DE2920780A1 (de) * 1978-08-21 1980-03-06 Vac Tec Syst Zerstaeubungsvorrichtung mit magnetischer verstaerkung
DE3004546A1 (de) * 1979-02-19 1980-08-21 Hiradastech Ipari Kutato Penning-zerstaeubungsquelle

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4162954A (en) * 1978-08-21 1979-07-31 Vac-Tec Systems, Inc. Planar magnetron sputtering device
US4265729A (en) * 1978-09-27 1981-05-05 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetically enhanced sputtering device
US4219379A (en) * 1978-09-25 1980-08-26 Mostek Corporation Method for making a semiconductor device
US4198283A (en) * 1978-11-06 1980-04-15 Materials Research Corporation Magnetron sputtering target and cathode assembly
US4391697A (en) * 1982-08-16 1983-07-05 Vac-Tec Systems, Inc. High rate magnetron sputtering of high permeability materials

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4166018A (en) * 1974-01-31 1979-08-28 Airco, Inc. Sputtering process and apparatus
US4180450A (en) * 1978-08-21 1979-12-25 Vac-Tec Systems, Inc. Planar magnetron sputtering device
DE2920780A1 (de) * 1978-08-21 1980-03-06 Vac Tec Syst Zerstaeubungsvorrichtung mit magnetischer verstaerkung
DE3004546A1 (de) * 1979-02-19 1980-08-21 Hiradastech Ipari Kutato Penning-zerstaeubungsquelle

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3624480A1 (de) * 1986-07-19 1988-01-28 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Zerstaeubungskatode fuer vakuum-beschichtungsanlagen

Also Published As

Publication number Publication date
GB2090872B (en) 1984-10-31
CH648690A5 (de) 1985-03-29
GB2090872A (en) 1982-07-21
JPS5926665B2 (ja) 1984-06-29
FR2492163B1 (de) 1985-02-22
FR2492163A1 (fr) 1982-04-16
NL8104332A (nl) 1982-05-03
JPS57131365A (en) 1982-08-14
DE3135208C2 (de) 1988-12-08
US4448653A (en) 1984-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3135208A1 (de) Kathodenanordnung zur abstaeubung von material von einem target in einer kathodenzerstaeubungsanlage
DE2431832B2 (de) Kathodenzerstäubungsgerät
EP0210473B1 (de) Zerstäubungskathode nach dem Magnetronprinzip
DE3316640A1 (de) Zerstaeubungsvorrichtung
DE3613018A1 (de) Magnetron-zerstaeubungskathode
DE3339482A1 (de) Magnetisches zerstaeubungstarget
DE3912572A1 (de) Zerstaeube-vorrichtung
DE3012935C2 (de) Zerstäubungsvorrichtung mit magnetischer Verstärkung
DE3223245A1 (de) Ferromagnetische hochgeschwindigkeits-kathodenzerstaeubungs-vorrichtung
DE3331406A1 (de) Zerstaeubungskatode
DE69433208T2 (de) Verfahren und vorrichtung zum sputtern von magnetischem targetmaterial
DE2615580C2 (de) Magnetischer Abscheider zum Abscheiden magnetisierbarer Teilchen aus einem durchströmenden Fluid
EP0896732A1 (de) Sputteranlage mit zwei längserstreckten magnetrons
DE740928C (de) Dauermagnetfilter zum Filtrieren von fluessigen oder breifoermigen Mitteln
DE2901554C2 (de)
EP0316523A2 (de) Zerstäubungskatode nach dem Magnetronprinzip
DE3837487A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum aetzen von substraten mit einer magnetfeldunterstuetzten niederdruck-entladung
DE1113721B (de) Anordnung zur Speisung der Magnetisierungsspule eines Mikrowellen-Ferrits
DE1539160A1 (de) Ionen-Vakuumpumpe
DE1016878B (de) Kombiniertes Permanentmagnet-Sieb-Filter
DE1491334A1 (de) Klystron
DE1005200B (de) Elektrodenvorsystem fuer Elektronenstrahlroehren, insbesondere Fernsehbildroehren
DE19622607A1 (de) Sputterkathode
DE1075272B (de) Iomsationsgetterpumpe
DE1489230C3 (de) lonenvakuumpumpe

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: BALZERS AG, BALZERS, LI

8339 Ceased/non-payment of the annual fee