DE3135103A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

Info

Publication number
DE3135103A1
DE3135103A1 DE19813135103 DE3135103A DE3135103A1 DE 3135103 A1 DE3135103 A1 DE 3135103A1 DE 19813135103 DE19813135103 DE 19813135103 DE 3135103 A DE3135103 A DE 3135103A DE 3135103 A1 DE3135103 A1 DE 3135103A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
poly
gate
layer
dipl
ing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19813135103
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE3135103C2 (cg-RX-API-DMAC10.html
Inventor
Shoichi Suwa Nagano Komatsu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Suwa Seikosha KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suwa Seikosha KK filed Critical Suwa Seikosha KK
Publication of DE3135103A1 publication Critical patent/DE3135103A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3135103C2 publication Critical patent/DE3135103C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W20/021—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions 
    • H10D64/27—Electrodes not carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. gates
    • H10D64/311—Gate electrodes for field-effect devices
    • H10D64/411—Gate electrodes for field-effect devices for FETs
    • H10D64/511—Gate electrodes for field-effect devices for FETs for IGFETs
    • H10P32/302—
    • H10W20/01—
    • H10W20/40—

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
DE19813135103 1980-09-08 1981-09-04 Halbleiterbauelement Granted DE3135103A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55124264A JPS5748270A (en) 1980-09-08 1980-09-08 Semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3135103A1 true DE3135103A1 (de) 1982-05-06
DE3135103C2 DE3135103C2 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1988-07-14

Family

ID=14881022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19813135103 Granted DE3135103A1 (de) 1980-09-08 1981-09-04 Halbleiterbauelement

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS5748270A (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE (1) DE3135103A1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
FR (1) FR2490011B1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
GB (1) GB2083698B (cg-RX-API-DMAC10.html)
NL (1) NL188606C (cg-RX-API-DMAC10.html)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04194693A (ja) * 1990-11-28 1992-07-14 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 道路空洞探査レーダシステム

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2809233A1 (de) * 1977-03-04 1978-09-07 Hitachi Ltd Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2809233A1 (de) * 1977-03-04 1978-09-07 Hitachi Ltd Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
US-Z:1979 IEEE International Solid-State Circuits Conference, S. 82, 83 und 283 *
US-Z:IEEE Journal of Solid State Circuits, Vol. SC-15, Nr. 4, August 1980, S.455-459 *
US-Z:IEEE Transactions in Electron Devices, Vol. ED-26, Nr. 4, April 1979, S. 385 - 389 *
US-Z:IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED-27, Nr. 8, August 1980, S.1346-1351 *
US-Z:Journal of Applied Physics, Vol. 47, Nr. 4, April 1976, S. 1716-1718 *

Also Published As

Publication number Publication date
FR2490011A1 (fr) 1982-03-12
FR2490011B1 (fr) 1985-09-27
JPH0216019B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1990-04-13
NL8103565A (nl) 1982-04-01
GB2083698A (en) 1982-03-24
DE3135103C2 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1988-07-14
NL188606C (nl) 1992-08-03
NL188606B (nl) 1992-03-02
JPS5748270A (en) 1982-03-19
GB2083698B (en) 1984-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19654738B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE3011982C2 (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE2153103A1 (de) Integrierte Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung derselben
EP0005185A1 (de) Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen von Schottky-Sperrschichtdioden und ohmschen Kontakten nach dotierten Halbleiterzonen
EP0078337A2 (de) Kontakteinrichtung zur lösbaren Verbindung elektrischer Bauteile
DE3685969T2 (de) Integrierte schaltung mit halbleiterkondensator und verfahren zu ihrer herstellung.
DE3334153A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleitereinrichtung
DE2717218A1 (de) Mitintegrierter halbleiteruebergang niedriger durchbruchsspannung als schutzelement
DE2033532B2 (de) Halbleiteranordnung mit einer Passivierungsschicht aus Siliziumdioxid
DE3038773C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung mit MOS-Transistoren und mit spannungsunabhängigen Kondensatoren
DE10039710B4 (de) Verfahren zur Herstellung passiver Bauelemente auf einem Halbleitersubstrat
DE2923969C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate für integrierte Halbleiterschaltungen
DE1901186A1 (de) Integrierte Schaltung und Verfahren zu deren Herstellung
DE2616857A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen
DE4240565A1 (de) Halbleitereinrichtung und Verfahren zur Herstellung der Halbleitereinrichtung
DE2703618C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines integrierten Halbleiterschaltkreises
DE4415955A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-MOS-Transistors
DE69706721T2 (de) Zener-Zap-Diode und Verfahren zur Herstellung
DE3135103A1 (de) Halbleiterbauelement
DE3123348A1 (de) Halbleiterbaustein und verfahren zu dessen herstellung
DE69706943T2 (de) Bipolartransistor und dessen Herstellungsverfahren
DE19710375C2 (de) Verfahren zum Herstellen von räumlich strukturierten Bauteilen
EP0693772A2 (de) Verfahren zum Kontaktieren von SIPOS passivierten Halbleiteranordnungen
DE4244771C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung mit Polysiliziumwiderstandsschichten
EP0079459A2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Metallisierung auf einer Halbleitervorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: KABUSHIKI KAISHA SUWA SEIKOSHA, SHINJUKU, TOKIO-TO

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee