DE3130487C2 - - Google Patents
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/08—Measuring electromagnetic field characteristics
- G01R29/0807—Measuring electromagnetic field characteristics characterised by the application
- G01R29/0814—Field measurements related to measuring influence on or from apparatus, components or humans, e.g. in ESD, EMI, EMC, EMP testing, measuring radiation leakage; detecting presence of micro- or radiowave emitters; dosimetry; testing shielding; measurements related to lightning
- G01R29/0821—Field measurements related to measuring influence on or from apparatus, components or humans, e.g. in ESD, EMI, EMC, EMP testing, measuring radiation leakage; detecting presence of micro- or radiowave emitters; dosimetry; testing shielding; measurements related to lightning rooms and test sites therefor, e.g. anechoic chambers, open field sites or TEM cells
- G01R29/0828—TEM-cells
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
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Description
Die Erfindung betrifft eine Simulationskammer nach dem
Oberbegriff des Anspruchs 1. Solche Kammern werden benutzt
zur Untersuchung elektrischer/elektronischer Geräte und
elektronischer Baugruppen auf elektromagnetische Verträg
lichkeit (abgekürzt EMV bzw. englisch EMC). In solchen
Kammern werden auch elektromagnetische Pulse (EMP), ins
besondere der nukleare elektromagnetische Puls (NEMP)
simuliert. Der NEMP, welcher bei der Explosion von Atom
bomben entsteht und ungeschützte elektronische Geräte so
fort zerstören kann, weist eine spektrale Verteilung von
Gleichspannung bis ca. 500 MHz auf, mit einem Intensitäts
maximum bei etwa 10 kHz.
Die genannten Simulationskammern, auch TEM-Zellen genannt,
stellen im Prinzip Koaxialleitungen dar, deren Außenleiter
zu einer Kammer aufgeweitet ist, in die ein zu unter
suchender Gegenstand eingebracht werden kann. Die Kammern
sind in der Regel vollständig nach außen abgeschirmt. Eine
bekannte TEM-Zelle ist die Crawford-Zelle, vgl. IEEE Trans
acitions on instrumentation and measurement, Vol. IM-26,
No. 3, September 1977, Seiten 225 bis 230. Die Crawford-
Zelle ist zu den Enden hin pyramidenartig verjüngt.
Infolge vielfältiger Reflexionen ergeben sich sehr inhomo
gene resultierende Feldstärkeverläufe in den bekannten
Simulationskammern. Zur Glättung dieser Feldstärkeverläufe
werden meist pyramidenförmige Absorber auf die Kammerwände
aufgebracht, vgl. die bereits zitierte Druckschrift oder
IEEE 1977, International Conference Symposium on EMC, N.Y.,
USA, Seiten 73 bis 77. Derartige Absorber haben neben
großen geometrischen Abmessungen den Nachteil, daß sie nur
ungenügend wirksam sind. Ferner wird der Wellenwiderstand
durch das Einbringen solcher Pyramidenabsorber in die Kammer
nachteilig verändert.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde eine Simulations
kammer der eingangs genannten Art mit möglichst homogener
Feldstärkeverteilung zu schaffen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Simula
tionskammer mit den im Patentanspruch 1 eingegebenen Merkmalen gelöst. Die Un
teransprüche beinhalten Weiterbildungen der Erfindung.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Figuren noch
näher erläutert.
Fig. 1 zeigt einen Seitenschnitt einer erfindungsgemäßen
Simulationskammer.
Fig. 2 zeigt einen Querschnitt durch eine Simulationskammer
entsprechend einer Weiterbildung der Erfindung.
Fig. 3 und 4 zeigen einen Seitenschnitt und einen Quer
schnitt einer weiteren Ausführung der erfindungsgemäßen
Kammer.
Fig. 1 zeigt eine Simulationskammer mit einem Mittelleiter M
und Wänden A, welche die Außenleiter einer aufgeweiteten
Koaxialleitung darstellen. Gemäßder Erfindung werden am
Ende dieser Leitung zwischen Mittelleiter M und den Wänden A
mehrere parallel geschaltete induktivitätsarme Hochspan
nungswiderstände Z üblicher Bauart angebracht. Damit wird
die Kammer für den tieferfrequenten Anteil des elektromagne
tischen Spektrums (bis etwa 20/30 MHz) angepaßt abgeschlos
sen. Die Impedanz Z eines einzelnen Widerstandes wird zu
Z = Z L /n mit n = 2, 4, 6, . . . gewählt, wobei Z L der Wellen
widerstand der Koaxialleitung ist und n die Anzahl der Hoch
spannungswiderstände.
Wegen der großen Maschenbreite der Hochspannungswiderstände
treten höcherfrequente Anteile des Spektrums durch das Wider
standsnetz hindurch. Damit sie nicht an der rückwärtigen
Wand der Kammer reflektiert werden, wird diese gemäß einer
Weiterbildung der Erfindung mit Ferritabsorbern F bedeckt,
wie in Fig. 1 dargestellt. Dazu eignen sich z. B.
flache Ferritplatten.
Diese Platten absorbieren im Frequenzbereich von 25 MHz
bis 3 GHz.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung werden die Hoch
spannungswiderstände entlang von Äquipotentiallinien an
gebracht, wie in Fig. 2 dargestellt, um Feldverzerrungen
möglichst zu vermeidnen.
Die Erfindung schafft mit geringem Aufwand gegenüber dem
Stand der Technik eine reflexionsarme homogene Feldstärke
verteilung in Simulationskammern. Der erfindungsgemäße Ab
schluß der Leitung weist eine hohe Wirksamkeit auf. Gegen
über dem Stand der Technik mit einer pyramidenförmigen
Verjüngung der Zelle kann die TEM-Zelle in der Bauform
verkürzt werden, vgl. Fig. 1. Die sonst üblichen Nachteile,
wie z. B. Änderungen des Z-Verhaltens, werden vermieden.
Die Erfindung kann jedoch auch in TEM-Zellen herkömmlicher
Bauform eingesetzt werden und deren Übertragungsverhalten
optimieren. Fig. 3 und 4 zeigen eine solche Ausführungs
form.
Claims (3)
1. Reflexionsarme, geschirmte, metallische Simulationskam
mer für elektromagnetische Strahlung, mit Kammerwänden (A)
aus elektrisch leitendem Material und einem Mittelleiter
(M), derart, daß Mittelleiter (M) und Kammerwände (A) eine
aufgeweitete Koaxialleitung darstellen, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Ende der Kammer innen mit mehreren
parallel geschalteten, symmetrisch angeordneten induktivi
tätsarmen Hochspannungswiderständen (Z) für niedrige Fre
quenzen reflexionsarm angepaßt abgeschlossen ist.
2. Simulationskammer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß die rückwärtige Wand hinter den Hochspannungs
widerständen (Z) mit Ferritabsorbern (F) zur Absorption
höherer Frequenzen belegt ist.
3. Simulationskammer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß die Hochspannungswiderstände (Z) räumlich ent
lang von Äquipotentiallinien angebracht sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19813130487 DE3130487A1 (de) | 1981-07-23 | 1981-07-23 | Reflexionsarme, geschirmte, metallische simulationskammer fuer elektromagnetische strahlung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19813130487 DE3130487A1 (de) | 1981-07-23 | 1981-07-23 | Reflexionsarme, geschirmte, metallische simulationskammer fuer elektromagnetische strahlung |
Publications (2)
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DE3130487C2 true DE3130487C2 (de) | 1989-06-15 |
Family
ID=6138347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19813130487 Granted DE3130487A1 (de) | 1981-07-23 | 1981-07-23 | Reflexionsarme, geschirmte, metallische simulationskammer fuer elektromagnetische strahlung |
Country Status (1)
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Also Published As
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