DE3128806A1 - Leitfaehiges element, verfahren zur herstellung desselben sowie photozelle mit dem leitfaehigen element - Google Patents

Leitfaehiges element, verfahren zur herstellung desselben sowie photozelle mit dem leitfaehigen element

Info

Publication number
DE3128806A1
DE3128806A1 DE19813128806 DE3128806A DE3128806A1 DE 3128806 A1 DE3128806 A1 DE 3128806A1 DE 19813128806 DE19813128806 DE 19813128806 DE 3128806 A DE3128806 A DE 3128806A DE 3128806 A1 DE3128806 A1 DE 3128806A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
conductive element
dopant
sncl
glass
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19813128806
Other languages
English (en)
Inventor
Katherine Vallejo Pittsford N.Y. Clem
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eastman Kodak Co
Original Assignee
Eastman Kodak Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eastman Kodak Co filed Critical Eastman Kodak Co
Publication of DE3128806A1 publication Critical patent/DE3128806A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G19/00Compounds of tin
    • C01G19/02Oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022466Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

Leitfähiges Element, Verfahren zur Herstellung desselben sowie Photozelle mit dem leitfähigen Element
Die Erfindung betrifft ein leitfähiges Element, ein Verfahren zur Herstellung des leitfähigen Elementes sowie eine Photozelle mit dem leitfähigen Element.
Der wirksame Obergang von teueren Energiequellen auf Erdölbasis zu Solarenergiequellen, beispielsweise Photozellen, wurde durch zwei Faktoren wesentlich verzögert, nämlich die Kosten der Massenproduktion von Photozellen sowie den niedrigen Wirkungsfaktor, der durch solche Zellen erreicht wird. Jede Verbesserung, die sich bei einem der beiden Faktoren erzielen läßt, bedeutet für die Industrie einen Schritt vorwärts in Richtung der Verwendung von mehr Solarzellen und eine Verbesserung beider Faktoren ist ein langersehntes Ziel.
Die Verwendung von p-n-Cadmiumtellurid-Cadmiumsulfid-Photozellen mit dünnen Schichten,wie sie beispielsweise näher in der US-PS 4 207 119 beschrieben werden, hat die Wirksamkeit derartiger Zellen beträchlich verbessert. Ein begrenzender Faktor in Richtung auf eine weitere Verbesserung der Wirksamkeit derartiger Zellen ist die Fensterelektrode·:, durch welche die Solarzelle belichtet wird.
In herkömmlicher Weise weist die Fensterelektrode.einen Glasträger mit einer transparenten und leitfähigen Beschichtung, beispielsweise In9O- auf, im Handel unter der Handelsbezeichnung Nesatron von der Fa. PPG Industries erhältlich. Derartige Materialien und andere, wie beispielsweise Cd9SnO. und CdSnO- liefern Filme von geringem Widerstand und hoher Durchlässigkeit. Jedoch sind derartige Materialien nicht leicht zugänglich und die zu ihrer Herstellung erforderlichen Verfahren machen sie für ihre Verwendung in Photozellen extrem teuer.
(V ij » Λ ti
Es hat daher nicht an Versuchen gefehlt, Glaselektroden mit leichter zugänglichen und weniger teueren Schichten zu entwickeln. Aus einer Arbeit von R.G. Livesey, E. Lyford und H. Moore, veröffentlicht in der Zeitschrift "J. of Physics: J. of Scientific Instruments·', 1, 967 (196 8) ist ζ. B. ein transparenter leitfähiger Zinnoxidfilm auf einem Glasträger bekannt, der hergestellt werden kann durch Blasen von Sauerstoff durch einen Kolben mit erhitztem SnCl9 · 2H9O auf Glasträger oder Glassubstrate. Diese dünnen Oxidfilme haben eine Durchlässigkeit von 85 I, jedoch elektrische Widerstände von 100 bis 500 0hm/ Quadrat. Die Autoren geben an, daß Filme mit einem geringeren Widerstand aufgrund ihrer Trübung oder ihres Schleiers unbrauchbar sind.
Aus einer Arbeit von James Kane, H,P. Schweizer und Werner Kern, veröffentlicht in der Zeitschrift "J. Electrochem. Soc:"Solid-Stäte Science and Technology", Band 123, No» 2, Seiten 2 70 bis 276 (Februar 1976) ist ferner die Verwendung eines Natronkalkglasträgers für einen Zinnoxidfilm bekannt, wobei die Glasoberfläche mit dem Ziel behandelt wird. Natrium von der Oberfläche des Glasträgers zu entfernen, um eine Trübung oder Schleierbildung zu verhindern. Aus der US-PS 3 880 633 ist es des weiteren bekannt, einen Zinnoxidfilm auf einem Glasträger durch Aufsprühen einer Lösung von SnCl9 in Methanol mit vergleichsweise geringen Mengen von Ammoniumbifluorid zu erzeugen. Bei dem bekannten Verfahren erfolgt eine Säure-Vorbehandlung des Glasträgers vor dem Aufbringen der SnÖ9-Schicht unter Erzeugung eines Kieselsäurefilms über dem Träger, nicht nur um den entstehenden Schleier oder die entstehende Trübung in der SnO2-Schicht und dem Glasträger zu vermindern, sondern auch um einen ausreichenden Widerstand der Schicht und eine hohe Durchlässigkeit zu erzielen. Bei Anwendung dieses Verfahrens wird eine Durchlässigkeit von 78 % und ein elektrischer Widerstand von nur etwa 10 Ohm/Quadrat erzeugt. Es hat sich jedoch gezeigt, daß
die Zinnoxidfilme schleierig oder trübe sind. Das Auftreten eines Schleiers oder einer Trübung in den Elektrodenfilmen führt zu einer Lichtstreuung (und damit zu einem Verlust an Durchlässigkeit).
Die Literatur ist somit angefüllt mit Hinweisen darauf, daß es wünschenswert ist, Natronkalkglas als Träger für leitfähige Elemente zu verwenden, da dieses Material extrem billig ist, doch wurde andererseits bisher noch kein gangbarer Weg gefunden, dieses Material zu verwenden, ohne daß zunächst eine Vorbehandlung des Trägers zum Zwecke der Entfernung von Natrium erfolgt. Ein derart vorbehandelter Träger ist jedoch an sich kein Natronkalkglasträger mehr.
Vielmehr muß ein solcher Träger als Natronkalkglasträger mit einer zusätzlichen Kieselsäureschicht betrachtet werden.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein leitfähiges Element anzugeben, das sich insbesondere zur Herstellung von Photozellen auf Basis dünner Filme eignet und sich vergleichsweise billig herstellen läßt.
Gelöst wird diese Aufgabe erfindungsgemäß mit einem leitfähigen Element des angegebenen Typs, das gekennzeichnet ist durch einen Natronkalkglasträger mit einer hierauf anfgebrachten Schicht aus oder mit polykristallinem SnO2 und einem Fluordotiermittel, das praktisch trübungsfrei oder schleierfrei ist und eine Gesamtdurchlässigkeit für Strahlung von .400 bis 800 nm von mehr als 70 % und einen elektrischen Widerstand von weniger als 30 Ohm/Flächen quadrat hat.' Zur Herstellung eines solchen leitfähigen Elementes ist weder die Verwendung eines vorbehandelten Trägers noch eine besondere Schicht auf dem Träger erforderlich.
-r-l·.
Erflndungsgemäß läßt sich ein solches leitfähiges Element dadurch herstellen, daß man einen Natronkalkglasträger auf eine Temperatur von mindestens etwa 450 C in Gegenwart einer oder mehrerer SnCl--Lieferanten und eines Fluordotiermittels erhitzt, wobei man die Erhitzung in einer Sauerstoffatmosphäre durchführt, in der der Sauerstoffgehalt mindestens 15 Volumen-% beträgt und wobei der oder die SnCl--Lieferanten und das Dotiermittel auf eine Temperatur erhitzt werden, die ausreichend hoch ist, um das SnCl2 und das Dotiermittel auf den Träger aufzudampfen, jedoch unter 4800C liegt.
Gegenstand der Erfindung sind des weiteren Photozellen mit aneinander angrenzenden oder benachbarten kristallinen Schichten, die dadurch gekennzeichnet sind, daß sie ein leitfähiges Element des beschriebenen Aufbaues aufweisen und zwar in einem operativen Kontakt geringer Impedanz mit mindestens einem Teil einer der erwähnten Schichten.
Die hier angegebene Gesamtdurchlässigkeit ist dabei die prozentuale Durchlässigkeit, gemessen mit einem integrierenden Kreis, während die Spiegel- oder Spekular-Durchlässigkeit die prozentuale Durchlässigkeit ist, die mit einem Kleinwinkel-Detektor gemessen werden kann. Letztere ist natürlich beträchtlich geringer als die Gesamtdurchlässigkeit.
Ein erfindungsgemäßes leitfähiges Element weist somit einen Natronkalkglasträger und eine hierauf aufgebrachte Zinnoxidschicht mit einem Fluordotiermittel auf.
Unter einem "Natronkalkglasträger" ist ein solcher zu verstehen, bei dem das Trägermaterial streng genommen aus einem Natronkalkglas besteht und nicht vorbehandelt wurde, um Natrium von der Oberfläche des Trägers zu entfernen, unter Erzeugung einer Oberflächenschicht
einer anderen Zusammensetzung als dem Natronkalkglas und auch nicht vorbehandelt wurde unter Hinzufügen einer schützenden Schicht auf das Natronkalkglas. Der zur Herstellung eines erfindungs gemäßen Elementes verwendete Träger erfordert keine zusätzliche kostspielige Vorbehandlung, um eine gute Durchlässigkeit, einen niedrigen Widerstand, ohne das Auftreten eines ins Gewicht fallenden Schleiers oder einer ins Gewicht fallenden Trübung zu erreichen. Vorzugsweise besteht der Träger aus einem Natronkalkglas mit einer 9O$igen Durchlässigkeit (transmittance). Obgleich die Dicke des Glasträgers nicht kritisch ist, hat es sich doch als besonders vorteilhaft erwiesen, wenn die Schichtstärke des Trägers bei etwa 0,5 bis 5 mm liegt.
Die Schicht auf dem Träger ist dabei aus Zinnoxid und einem Fluordotiermittel aufgebaut. Das Fluordotiermittel kann aus irgendeinem Fluor enthaltenden Material bestehen, beispielsweise SnClF, SnF2, H2SiF6 sowie NH4FHF. Die einzigen Erfordernisse für das Fluordotiermittel bestehen darin, daß es bei jeder Arbeitstemperatur, die angewandt wird, um das Fluordotiermittel· und das SnCl2 zu erhitzen, um SnO2 auf dem Träger zu erzeugen, flüchtig ist.
Unter einem Natronkalkglasträger "mit einer hierauf aufgetragenen Schicht aus polykristallinem SnO2 und einem Fluordotiermittel" ist somit gemeint, daß die Schicht direkt auf dem Glasträger erzeugt wird und nicht auf irgendeiner Zwischenschicht oder auf einem Träger, der derart vorbehandelt wurde, daß die Oberfläche des Trägers nicht mehr länger als Natronkalkglasoberfläche betrachtet werden kann.
Im Falle von Photözellen ist es erwünscht, daß das leitfähige Element einen geringen elektrischen Widerstand hat, so daß der Joule-Verlust vermindert wird und die Zellenwirksamkeit erhöht wird. Infolgedessen hat die SnO^-Schicht einen Widerstand von weniger als 30 Ohm/Flächenquadrat und vorzugsweise von weniger als 20 Ohm/Flächenquadrat. Als wünschenswert hat es sich desweiteren erwiesen, wenn die Schicht eine gute Lichtdurchlässigkeit aufweist. Infolgedessen ist die Durchlässigkeit für Strahlung von 400 bis 800 nm vorzugsweise größer als 70 % und in besonders vorteilhafter Weise größer als 80 V. -
Die erfindungs gemäßen leitfähigen Elemente sind praktisch trübungsfrei oder schleierfrei. Dies ist wichtig bei der Verwendung der leitfähigen Elemente in Photozellen, da eine Trübung oder ein Schleier zu unerwünschten Effekten zwischen dem leitfähigen Element und anderen Schichten in derartigen Zellen, z. B. aus CdTe und CdS führt. Ein solcher beispielsweiser Effekt wird *
z. B. in der US-PS 3 880 633 beschrieben. Ist das leitfähige Element schleierig oder trübe, erfolgt eine Lichtstreuung, welche zu einem Durchlässigkeitsverlust führt. Unter praktisch trübungsfrei oder schleierfrei ist gemeint, daß eine visuelle Prüfung des Materials den Eindruck eines relativ klaren oder durchsichtigen Materials vermittelt. Das bedeutet, daß für das nackte Auge kein Schleier erkennbar ist.
Zu den leitfähigen Elementen, die hier beschrieben werden, gehören z. B. auch Elektroden, wie sie zur Herstellung von Photozellen verwendet werden, ferner sog. Vorführelektroden und Elekroden für elektrophotographische Platten, ferner optische Filme und antistatische Elemente. Ein besonders vorteilhaftes leitfähiges Element gemäß der Erfindung bildet eine Elektrode, z. B-. eine Fensterelektrode für eine Photozelle.
-AO-
Die Schicht, die das Zinnoxid und das Fluordotiermittel enthält, ist vorzugsweise dünn. Vorzugsweise haben die Schichten der leitfähigen Elemente eine Stärke von 1000 bis 10 000 SL Die Schichten können das Fluordotiermittel in verschiedenen Konzentrationen enthalten. Vorzugsweise enthalten die Schichten jedoch 0,001 bis 5 Gew.-I des Fluordotiermittels.
Die Schicht mit dem dotierten SnO- ist polykristallin, wobei die Kristallitte vorzugsweise zum Glasträger orientiert sind, derart, daß die kristallographischen (200)- und (120)-Ebenen parallel zur Ebene der Glasoberfläche orientiert sind. Obgleich die Kristallitte verschieden groß sein können, hat es sich doch als vorteilhaft erwiesen, wenn die SnO--Kristalle kleiner als 1 Mikrometer und vorzugsweise kleiner als 0,5 Mikrometer sind.
Das polykristallines SnO2 aufweisende leitfähige Element läßt sich herstellen durch Erhitzen eines Trägers aus auf eine Temperatur von mindestens 4500C in einer Umgebung, die einen SnCl^-Lieferanten aufweist und, entweder im gleichen Lieferanten oder einem gesonderten Lieferanten ein Fluordotiermittel. Der SnCl--Lieferant und der Lieferant für das Dotiermittel werden dabei auf eine Temperatur von weniger als 480 C, jedoch auf eine solch hohe Temperatur erhitzt, die ausreicht, um das SnCl- und das Dotiermittel in Richtung des Trägers zu verflüchtigen. Vorzugsweise liegt die Temperatur, auf die der oder die Lieferanten erhitzt werden, bei 2000C bis 4000C, wenn bei dem angewandten Verfahren der Abstand von zu verdampfendem Stoff und zu bedampfenden Träger gering ist. Erfolgt die Abscheidung der Dämpfe nach dem Transportverfahren (die Dämpfe werden über längere Entfernungen hinweg transportiert, wie z. B. im Falle des Beispieles 7) dann können beispielsweise Temperaturen bis zu 48O0C angewandt werden. Dieses Verfahren wird dabei in einer Atmosphäre angewandt, in der der Sauerstoff-
β β <* ca a
gehalt mindestens 15 Volumen-\ beträgt.
Ein besonders vorteilhaftes Verfahren zur Erzeugung eines leitfähigen polykristallien SnO2-Elementes ist beispielsweise in den Zeichnungen dargestellt. Im einzelnen sind dargestellt in:
Fig. 1 ein Lieferant für SnCl2 und ein Dotiermittel; Fig. 2 ein zu beschichtender Träger und
Fig. 3 eine Vorrichtung, die sich zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens eignet.
Im Falle der Fig. 1 befindet sich ein SnCl2-Lieferant und ein Fluordotiermittel A in einem Behälter B. Im Falle der Fig. 2 ist ein Glasträger D an einer Halterung E befestigt.
Das Verfahren zur Beschichtung des Glasträgers besteht vorzugsweise in einer chemischen Bedampfung des Trägers bei geringem Abstand von Bedämpfungsmittel und Träger. Bei Anwendung dieses Verfahrens werden die Dämpfe von einem Lieferanten auf einen Träger aufgedampft, der sich von dem Lieferanten in einer Entfernung befindet, die nicht größer ist als die Quadratwurzel der kleineren Oberflächenfläche von Lieferant und Träger. Die chemische Bedampfung wird näher in Fig. 3 veranschaulicht, wobei ein Glas gefäß G verwendet wird, das einen Einlaß H für Sauerstoff oder an Sauerstoff angereicherter Luft enthält. Der Gasstrom erfolgt, um eine Sauerstoff-reiche Atmosphäre für die Reaktion von A und die Abscheidung des Oxides auf den Träger 1) zu schaffen. Die Gasströmungsgeschwindigkeit wird dabei so eingestellt, daß der gewünschte Gasdruck in dem Gefäß aufrechterhalten wird.
- id
Die Halterung E wird durch die Lampe F erhitzt und die Halterung B durch die Lampe C. Die Halterungen werden dabei aus Graphit oder einem anderen wärmebeständigen Stoff erzeugt und werden durch die Lampen erhitzt oder auf andere Weise, z. B. durch Widerstandserhitzung oder Induktionserhitzung. Nach Durchführung des Erhitzungsprozesses werden überschüssiges SnCl- und Dotiermitteldämpfe vorzugsweise vom Träger entfernt, im allgemeinen durch den Sauerstoffstrom oder den Luftstrom, bevor das Erhitzen des Trägers beendet wird.
Die Atmosphäre für die Dampfphasenabscheidung kann entweder aus reinem Sauerstoff,mit Sauerstoff vermischten anderen Gasen oder Luft bestehen. Es ist leicht verständlich, daß die tatsächliche Menge an Sauerstoff, die während der Abscheidung vorhanden ist, von der speziellen Form der Dampfphasenabscheidung abhängt, die ausgewählt wird. Beispielsweise wird eine chemische Dampfabscheidung bei geringem Abstand, d. h. eine besonders bevorzugte Ausführungsform des Verfahrens der Erfindung, im allgemeinen bei Atmosphärendruck durchgeführt. Die anderen Formen der Dampfphasenabscheidung, die oben erwähnt wurden, haben bekannte oder Standard-Toleranz-Gasgrenzen und der Sauerstoffdruck oder Sauerstoffteildruck wird derart ausgewählt, daß dieser mit den Toleranzgrenzen übereinstimmt.
Die Dampfphasenabscheidung erfolgt entweder in einem Chargenprozeß, z. B. in einer Kammer mit einem Lieferanten und einem einzelnen Träger oder in Form eines kontinuierlichen Verfahrens, in welchem Falle ein Träger durch geeignete Behandlungszonen geführt wird.
Im allgemeinen erfolgt die Bedampfung bei Atmosphärendruck oder schwach über atmosphärischem Druck. Der Abstand zwischen Lieferant und Schichtträger beträgt vorzugsweise etwa 2 bis etwa 10 mm, obgleich auch Entfernungen zwischen 1 und 100 mm anwendbar sind.
«." Ot
Die Temperatur des Trägers kann verschieden sein, je nachdem, was für ein Material bedampft wird. Vorzugsweise wird das zu verdampfende Material etwa 0,1 Sekunden bis etwa 10 Minuten auf einen Träger aufgedampft, der auf eine Temperatur von 45O0C bis etwa 63O0C gebracht wird. Die Temperatur des zu verdampfenden Stoffes oder Materials wird in jedem Falle zwischen etwa 200 und exwa 4000C gehalten.
Eine Photozelle läßt sich in einfacher Weise unter Verwendung der erzeugten Elektrode als Fensterelektrode herstellen. Eine bevorzugte Zeile ist dabei ähnlich einer Zelle, wie sie in der US-PS 4 207 119 beschrieben wird mit der Ausnahme, daß die Fensterelektrode eine Elektrode des beschriebenen Typs ist. Dies bedeutet, daß eine besonders vorteilhafte Zelle eine erste und eine zweite aneinander angrenzende oder benachbarte polykristalline Schicht aufweist mit Cadmiumtellurid vom P-Typ bzw. Cadmiumsulfid vom η-Typ und daß sich die beschriebene Elektrode in operativem Kontakt von niedriger Impedanz mit mindestens einem Teil der Schichten befindet. Die Konstruktion und die Verwendung von Photozellen wird im Detail beispielsweise näher in der US-PS 4 207 119 beschrieben.
Die folgenden Beispiele dienen der weiteren Erläuterung der Erfindung.
Beispiel 1
Es wurden 7 Proben von transparenten und elektrisch leitfähigen Zinnoxidgläsern nach dem beschriebenen Bedampfungsverfahren, bei dem das zu verdampfende Material sich in geringem Abstand zur bedampfenden Oberfläche befindet, hergestellt. Der Zinnoxid-Lieferant bestand aus wasserfreiem SnCl-,, das mit einem Mol-%
H K · se ι
3128306
Fluor, das als SnClF zugesetzt wurde, dotiert war. Der Träger bestand aus einem Nairoilcalkglas mit einer 90 !igen Durchlässigkeit. Der Abstand zwischen dotiertem SnCl2 und Träger betrug 5 mm·. Das Verfahren wurde bei Atmosphärendruck mit einer Sauerstoffströmungsgeschwindigkeit von T22O cm /Min. durchgeführt. Der Träger wurde auf 55O°C erhitzt, worauf unmittelbar darauf das zu verdampfende Material auf 3250C erhitzt wurde. Die Abscheidungsdauer betrug eine Minute und 15 Sekunden, gemessen von dem Zeitpunkt an, an dem das dotierte SnCl, eine Temperatur von 3250C hatte. Der durchschnittliche Widerstand der 7 Prüflinge betrug 12 Ohm/Flächenquadrat und die Gesamtdurchlässigkeit für sichtbares Licht zwischen 400 und 800 nm betrug 80 %. Die Dicke der Filme schwankte zwischen 0,37 und 0,43 pm. Die Filme waren trübungsfrei.
Beispiel 2
Nach dem in Beispiel 1 beschriebenen Verfahren wurden 8 weitere Prüflinge von transparenten und elektrisch leitfähigen Zinnoxidgläsern hergestellt, wobei jedoch diesmal das Dotiermittel aus 0,9 Mol-% Fluor bestand, das in Form von SnF„ zu dem wasserfreien SnCl2 zugegeben wurde. Im Falle dieses Beispieles wurde ein durchschnittlicher Widerstand von 14 Ohm/Flächenquadrat bei einer Gesamtdurchlässigkeit für Licht von 400 bis 800 nm von 79 % erzielt. Die Dicke der Filme schwankte zwischen 0,36 und 0,52 iim. Die Filme waren trüb ungs frei.
Beispiel 3 (Vergleichsbeispiel)
Dieses Beispiel veranschaulicht die Wichtigkeit des Fluordotiermittels.
- \y-45-
Es wurde nach dem in Beispiel 1 beschriebenen Verfahren ein weiterer Prüfling eines transparenten und elektrisch leitfähigen Zinnoxidglases hergestellt mit der Ausnahme jedoch, daß dem wasserfreien SnCl2 kein Dotiermittel zugegeben wurde. In diesem Falle wurde ein Widerstand von 63 Ohm/Flächenquadrat und eine 80 iige Gesamtdurchlässigkeit für Licht von 400 bis 800 nm erzielt. Die Dicke des Filmes betrug 0,5 7 ym.
Beispiel 4
Nach dem in Beispiel 1 beschriebenen Verfahren wurde ein weiterer Prüfling eines transparenten und elektrisch leitfähigen Zinnoxidglases hergestellt, wobei jedoch dieses Mal die Strömungsgeschwindigkeit des Sauerstoffs 4000 cm /Min. betrug. In diesem Falle wurde ein Widerstand von 9 Ohm/Flächenquadrat bei einer 80 %igen Gesamtdurchlässigkeit für sichtbares Licht zwischen 400 und 800 nm erzielt. Die Dicke des Prüflings betrug 0,39 ym. Ausgehend von diesem Glas wurde eine Solarzelle mit einem Wirkungsgrad von 9,5 % nach dem in Beispiel 1 der US-PS 4 207 119 beschriebenen Verfahren mit der Ausnahme hergestellt, daß die Fensterelektrode dieses Beispieles anstelle des Nesatron-Fensters gesetzt wurde, das in dem Beispiel 1 des US-Patentes 4 207 119 verwendet wurde.
Beispiel 5
Es wurden 6 Prüflinge von transparenten, elektrisch leitenden, mit Zinnoxidfilmen beschichteten Gläsern wie in Beispiel 1 beschrieben hergestellt mit der Ausnahme jedoch, daß die Temperatur des zu verdampfenden Materials 3150C betrug und daß die Temperatur der Träger von Versuch zu Versuch verändert wurde.
Der elektrische Widerstand und die durchschnittliche Durchlässigkeit gegenüber sichtbarem Licht und Licht des nahen infraroten Bereiches
(400 bis 800 nm) der erhaltenen Beschichtungen betrugen:
Träger-
Temperatur
C°C)
Widerstand
(Ohm/Flächen
quadrat)
400 2,5 χ 1O+4
430 360
450 96
500 18
550 10
600 5,5
Durchschnittliche,prozentuale Spekular-Durchlässigkeit für sichtbares Licht
83 %
79 % 78 %
77 % 76 %
68
Aus den erhaltenen Ergebnissen ergibt sich, daß eine Trägertemperatur von über 45O°C vorteilhaft ist.
Beispiel 6
Nach dem in Beispiel 1 beschriebenen Verfahren wurden 3 weitere Prüflinge von transparenten, elektrisch leitfähigen, mit Zinnoxidfilmen beschichteten Glas träger« hergestellt, wobei jedoch dieses Mal die folgenden abweichenden Veffahrensbedingungen angewandt wurden: Anstatt Sauerstoff wurde Luft verwendet. Die Strömungsgeschwindigkeit der Luft betrug 410 cm /Min. Das zu verdampfende Material wurde auf eine Temperatur von 320 C aufgeheizt. Die Abs eheidungs- oder Bedampfungsdauer betrug 1 Minute und der Abstand zwischen zu verdampfenden Material und Träger betrug 2,5 mm.
3128.00b
Der durchschnittliche elektrische Widerstand der 3 erhaltenen Prüflinge betrug 15 Ohm/Flächenquadrat und die durchschnittliche Spekular-Durchlässigkeit für sichtbares Licht und für Licht des nahen infraroten Bereiches (400 bis 800 nm) betrug 74%,
Beispiel 7
Es wurde eine Vorrichtung verwendet, in der ein Gasstrom in einem begrenzten Kanal über eine erhitzte Haltevorrichtung geführt wurde die eine Mischung von SnCl- ( 99 Mol-%) und SnClF (1 Μοί-Λ) enthielt. Nachdem der Gasstrom die Haltevorrichtung passiert hatte wurde der Gasstrom mit den SnCL2/SnClF-Dämpfen über eine Distanz von etwa 12,70 cm geführt, worauf er abgelenkt und auf einen aufgeheizten Natankalk-Glasträger geführt wurde, so daß sich auf diesem Glasträger eine Schicht aus dotiertem Zinnoxid abschied.
Eine Probe eines solchen mit einer Zinnoxidschicht beschichteten Glases wurde dadurch hergestellt, daß in der beschriebenen Vorrichtung der Träger mit dem zu verdampfenden Material auf eine Temperatur von 4750C und der Glasträger auf eine Temperatur von 55O0C gebracht wurden. Die Strömungsgeschwindigkeit des Sauerstoffstromes betrug 3000 cm /Min. Die Abseheidungsdauer betrug 30 Sekunden. Die erhaltene Beschichtung hatte einen elektrischen Widerstand von 18 Ohm/Qüädrat, eine Dicke von 0,26 ym und eine durchschnittliche Spekular-Durchlässigkeit für sichtbares Licht und Licht des nahen infraroten Bereiches (400 bis 800 nm) von 75 %.
Leerseite

Claims (15)

Leitfähiges Element, Verfahren zur Herstellung desselben sowie Photozelle mit dem leitfähigen Element P atentansprüche
1.jLeitfähiges Element, dadurch gekennzeichnet, daß es praktisch trübungsfrei ist, einen Natronkalkglas träger mit einer darauf aufgetragenen Schicht aus polykristallinem SnO2 und einem
Fluordotiermittel aufweist und eine Gesamtdurchlässigkeit für Strahlung von 400 bis 800 nm von mehr als 70 % sowie einem
elektrischen Widerstand von weniger als 30 Ohm/Flächenquadrat hat. ■
2, Leitfähiges Element nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein Fluordotiermittel aus SnF2 und/oder SnFCl.
3. Leitfähiges Element nach Ansprüchen 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die auf den Träger aufgetragene Schicht eine Stärke von 1000 Ά* bis 10 000 8 hat.
Telefonische Auskünfte und *
Aufträge sind nur nach schritllicher Bestätigung verbindlich
4. Leitfähiges Element nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das polykristalline SnO- parallel zur Glasoberfläche orientierte (200)- und (100)-Ebenen, aufweist.
5. Verfahren zur Herstellung eines leitfähigen Elements nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß man einen Natronkalkglasträger in Gegenwart von einem oder mehreren SnCl-- und Fluordotiermittel-Lieferanten auf eine Temperatur von mindestens 45O0C erhitzt, wobei man die Erhitzung in einer Sauerstoffatmosphäre mit einem Sauerstoffgehalt von mindestens 15 Volumen-% durchführt und die SnCl2- und Fluodotiermittel-Lieferanten auf eine Temperatur erhitzt, die hoch genug ist, um das SnCl- und das Dotiermittel auf den Träger aufzudampfen, jedoch unter 480 C liegt.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß man die SnCl2- und Dotiermittel-Lieferanten auf eine Temperatur von etwa 200 bis 4000C erhitzt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß man einen SnCl2-Lieferanten verwendet, der gleichzeitig der Lieferant für das Fluordotiermittel ist.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß man die Erhitzung in einem Glasbehälter durchführt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß man überschüssige SnCl-- und Dotiermitteldämpfe vom Träger entfernt, bevor man die Erhitzung beendet.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß man als Dotiermittel SnF- oder SnFCl verwendet.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß man den oder die Lieferanten für das SnCl- und das Fluordotiermittel in einem Abstand vom Glasträger von etwa 2 bis etwa 10 mm anordnet.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß man den Glasträger auf eine Temperatur von 450 bis 6 3O0C erhitzt.
13. Photozelle mit aneinander anstoßenden oder benachbarten kristallinen Schichten, dadurch gekennzeichnet, daß sie ein leitfähiges Element nach einem der Ansprüche 1 bis 4 in Arbeitskontakt von geringer Impedanz mit mindestens einem Teil einer der Schichten aufweist.
14. Photozelle nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß sie erste und zweite, aneinander anstoßende oder benachbarte kristalline Schichten aufweist, die Cadmiumtellurid vom p-Typ bzw. Cadmiumsulfid vom η-Typ enthalten.
15. Photozelle nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Fluordotiermittel aus SnF^ und SnFCl ausgewählt ist.
DE19813128806 1980-07-23 1981-07-21 Leitfaehiges element, verfahren zur herstellung desselben sowie photozelle mit dem leitfaehigen element Withdrawn DE3128806A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17157680A 1980-07-23 1980-07-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3128806A1 true DE3128806A1 (de) 1982-04-29

Family

ID=22624281

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19813128806 Withdrawn DE3128806A1 (de) 1980-07-23 1981-07-21 Leitfaehiges element, verfahren zur herstellung desselben sowie photozelle mit dem leitfaehigen element

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS5758374A (de)
CA (1) CA1171505A (de)
DE (1) DE3128806A1 (de)
FR (1) FR2487584B1 (de)
GB (1) GB2080275B (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5269970A (en) * 1990-02-26 1993-12-14 Th. Goldschmidt Ag Electrically conductive tin-IV-oxide and method for production thereof
DE4006044A1 (de) * 1990-02-26 1991-08-29 Goldschmidt Ag Th Elektrisch leitfaehiges zinn-iv-oxid

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3880633A (en) * 1974-01-08 1975-04-29 Baldwin Co D H Method of coating a glass ribbon on a liquid float bath
GB1520124A (en) * 1974-09-18 1978-08-02 M & T Chemicals Inc Process for applying stannic oxide coatings to glass
LU72932A1 (de) * 1975-07-08 1977-03-18
FR2380997A1 (fr) * 1977-02-16 1978-09-15 Saint Gobain Procede de fabrication de vitrages protegeant de la chaleur
US4207119A (en) * 1978-06-02 1980-06-10 Eastman Kodak Company Polycrystalline thin film CdS/CdTe photovoltaic cell
CH640276A5 (en) * 1978-10-20 1983-12-30 Roy Gerald Gordon Process for producing films of stannic oxide on a heated substrate
DE2847453C2 (de) * 1978-11-02 1982-03-11 Jenaer Glaswerk Schott & Gen., 6500 Mainz Verfahren zum Herstellen trübungsfreier, elektrisch leitfähiger SnO↓2↓-Schichten auf alkalireichem Glas

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5758374A (en) 1982-04-08
FR2487584A1 (fr) 1982-01-29
GB2080275B (en) 1984-06-20
FR2487584B1 (fr) 1985-11-22
GB2080275A (en) 1982-02-03
CA1171505A (en) 1984-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2806468C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines halbreflektierenden Filmes aus Zinnoxid auf einem Substrat
DE69029264T2 (de) Durchsichtige leitfähige verbindung aus zinkoxyfluorid
DE69701408T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Alkalimetall-Diffusionsbarriere-Schicht
DE69418542T2 (de) Verfahren zur Herstellung funktioneller Beschichtungen
DE69921161T2 (de) Zusammensetzung zur Herstellung von transparenten, leitfähigen Nanopartikelbeschichtungen und Verfahren zu deren Herstellung
EP0114282B1 (de) Verfahren zum Herstellen von Indiumoxid-Zinnoxid-Schichten
DE69826687T2 (de) Siliziumoxynitrid schutzbeschichtungen
DE3856068T2 (de) Dampfphasenabscheidung von Zinnoxyd auf Floatglas im Zinnbad
DE69526191T2 (de) Geglühte Beschichtung mit niedrigem Strahlungsvermögen
DE2845782C2 (de)
DE68907279T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer transparenten Schicht mit einem niedrigen Widerstand.
DE2949141C2 (de) Verfahren zur Vermeidung des Herauslösens von Verunreinigungen aus Festkörperoberflächen
DE68921041T2 (de) Tantaloxid-Siliciumoxid-Interferenzfilter und Lampen mit derartigen Interferenzfiltern.
DE1941191B2 (de) Verfahren zur Herstellung von transparenten,glasigen,glasig-kristallinen oder kristallinen anorganischen Mehrkomponentenstoffen,vorzugsweise in duennen Schichten,bei Temperaturen weit unterhalb des Schmelzpunktes
DD264911A5 (de) Verfahren zur herstellung eines ueberzuges auf einer glasoberflaeche
DE1909910A1 (de) Verfahren zum UEberziehen von Substraten mit leitenden Metalloxidfilmen durch kathodische Zerstaeubung
DE2140092A1 (de) Verfahren zum Aufbringen dunner Schichten auf Substrate sowie Vorrichtung zur Durchfuhrung des Verfahrens
DE1421903B2 (de) Verfahren zur herstellung einer photoempfindlichen halb leiterschicht auf einem waermebestaendigen nicht leitenden traeger
DD149058A5 (de) Verfahren zum kontinuierlichen ablagern einer schicht eines feststoffs
DE202012013088U1 (de) Anlage zur Beschichtung und Wärmebehandlung
DE2013576B2 (de) Verfahren zum Aufbringen von dotierten und undotierten Kieselsaure filmen auf Halbleiteroberflachen
DE3741031A1 (de) Desalkalisiertes tafelglas und verfahren zu dessen herstellung
DE69713663T2 (de) Oxidfilm, Laminate und Verfahren zu deren Herstellung
DE69210599T2 (de) Fensterbeschichtung mit niedriger trübung
DE68903980T2 (de) Elektroleitendes glas und verfahren zu seiner herstellung.

Legal Events

Date Code Title Description
8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: BRANDES, J., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 8

8141 Disposal/no request for examination