DE3128806A1 - Leitfaehiges element, verfahren zur herstellung desselben sowie photozelle mit dem leitfaehigen element - Google Patents
Leitfaehiges element, verfahren zur herstellung desselben sowie photozelle mit dem leitfaehigen elementInfo
- Publication number
- DE3128806A1 DE3128806A1 DE19813128806 DE3128806A DE3128806A1 DE 3128806 A1 DE3128806 A1 DE 3128806A1 DE 19813128806 DE19813128806 DE 19813128806 DE 3128806 A DE3128806 A DE 3128806A DE 3128806 A1 DE3128806 A1 DE 3128806A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- conductive element
- dopant
- sncl
- glass
- carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 33
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 26
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 18
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 5
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910008449 SnF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000004571 lime Substances 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G19/00—Compounds of tin
- C01G19/02—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
Leitfähiges Element, Verfahren zur Herstellung desselben
sowie Photozelle mit dem leitfähigen Element
Die Erfindung betrifft ein leitfähiges Element, ein Verfahren zur Herstellung des leitfähigen Elementes sowie eine Photozelle
mit dem leitfähigen Element.
Der wirksame Obergang von teueren Energiequellen auf Erdölbasis zu Solarenergiequellen, beispielsweise Photozellen, wurde durch
zwei Faktoren wesentlich verzögert, nämlich die Kosten der Massenproduktion von Photozellen sowie den niedrigen Wirkungsfaktor,
der durch solche Zellen erreicht wird. Jede Verbesserung, die sich bei einem der beiden Faktoren erzielen läßt, bedeutet
für die Industrie einen Schritt vorwärts in Richtung der Verwendung
von mehr Solarzellen und eine Verbesserung beider Faktoren ist ein langersehntes Ziel.
Die Verwendung von p-n-Cadmiumtellurid-Cadmiumsulfid-Photozellen
mit dünnen Schichten,wie sie beispielsweise näher in der US-PS 4 207 119 beschrieben werden, hat die Wirksamkeit derartiger
Zellen beträchlich verbessert. Ein begrenzender Faktor in Richtung
auf eine weitere Verbesserung der Wirksamkeit derartiger Zellen ist die Fensterelektrode·:, durch welche die Solarzelle belichtet
wird.
In herkömmlicher Weise weist die Fensterelektrode.einen Glasträger
mit einer transparenten und leitfähigen Beschichtung, beispielsweise In9O- auf, im Handel unter der Handelsbezeichnung
Nesatron von der Fa. PPG Industries erhältlich. Derartige Materialien und andere, wie beispielsweise Cd9SnO. und CdSnO- liefern Filme
von geringem Widerstand und hoher Durchlässigkeit. Jedoch sind derartige Materialien nicht leicht zugänglich und die zu ihrer
Herstellung erforderlichen Verfahren machen sie für ihre Verwendung in Photozellen extrem teuer.
(V ij » Λ ti
Es hat daher nicht an Versuchen gefehlt, Glaselektroden mit
leichter zugänglichen und weniger teueren Schichten zu entwickeln.
Aus einer Arbeit von R.G. Livesey, E. Lyford und H. Moore,
veröffentlicht in der Zeitschrift "J. of Physics: J. of Scientific
Instruments·', 1, 967 (196 8) ist ζ. B. ein transparenter leitfähiger
Zinnoxidfilm auf einem Glasträger bekannt, der hergestellt werden kann durch Blasen von Sauerstoff durch einen Kolben mit erhitztem
SnCl9 · 2H9O auf Glasträger oder Glassubstrate. Diese
dünnen Oxidfilme haben eine Durchlässigkeit von 85 I, jedoch elektrische Widerstände von 100 bis 500 0hm/ Quadrat. Die Autoren
geben an, daß Filme mit einem geringeren Widerstand aufgrund ihrer
Trübung oder ihres Schleiers unbrauchbar sind.
Aus einer Arbeit von James Kane, H,P. Schweizer und Werner Kern,
veröffentlicht in der Zeitschrift "J. Electrochem. Soc:"Solid-Stäte
Science and Technology", Band 123, No» 2, Seiten 2 70 bis 276 (Februar 1976) ist ferner die Verwendung eines Natronkalkglasträgers für einen Zinnoxidfilm bekannt, wobei die Glasoberfläche
mit dem Ziel behandelt wird. Natrium von der Oberfläche des Glasträgers zu entfernen, um eine Trübung oder Schleierbildung
zu verhindern. Aus der US-PS 3 880 633 ist es des weiteren bekannt,
einen Zinnoxidfilm auf einem Glasträger durch Aufsprühen einer
Lösung von SnCl9 in Methanol mit vergleichsweise geringen Mengen
von Ammoniumbifluorid zu erzeugen. Bei dem bekannten Verfahren erfolgt eine Säure-Vorbehandlung des Glasträgers vor dem Aufbringen
der SnÖ9-Schicht unter Erzeugung eines Kieselsäurefilms über dem
Träger, nicht nur um den entstehenden Schleier oder die entstehende Trübung in der SnO2-Schicht und dem Glasträger zu vermindern,
sondern auch um einen ausreichenden Widerstand der Schicht und eine
hohe Durchlässigkeit zu erzielen. Bei Anwendung dieses Verfahrens wird eine Durchlässigkeit von 78 % und ein elektrischer Widerstand
von nur etwa 10 Ohm/Quadrat erzeugt. Es hat sich jedoch gezeigt, daß
die Zinnoxidfilme schleierig oder trübe sind. Das Auftreten eines
Schleiers oder einer Trübung in den Elektrodenfilmen führt zu einer Lichtstreuung (und damit zu einem Verlust an Durchlässigkeit).
Die Literatur ist somit angefüllt mit Hinweisen darauf, daß es wünschenswert ist, Natronkalkglas als Träger für leitfähige
Elemente zu verwenden, da dieses Material extrem billig ist, doch wurde andererseits bisher noch kein gangbarer Weg gefunden,
dieses Material zu verwenden, ohne daß zunächst eine Vorbehandlung des Trägers zum Zwecke der Entfernung von Natrium erfolgt. Ein
derart vorbehandelter Träger ist jedoch an sich kein Natronkalkglasträger mehr.
Vielmehr muß ein solcher Träger als Natronkalkglasträger mit einer
zusätzlichen Kieselsäureschicht betrachtet werden.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein leitfähiges Element anzugeben, das sich insbesondere zur Herstellung von
Photozellen auf Basis dünner Filme eignet und sich vergleichsweise billig herstellen läßt.
Gelöst wird diese Aufgabe erfindungsgemäß mit einem leitfähigen
Element des angegebenen Typs, das gekennzeichnet ist durch einen Natronkalkglasträger mit einer hierauf anfgebrachten Schicht aus
oder mit polykristallinem SnO2 und einem Fluordotiermittel, das
praktisch trübungsfrei oder schleierfrei ist und eine Gesamtdurchlässigkeit
für Strahlung von .400 bis 800 nm von mehr als 70 % und einen elektrischen Widerstand von weniger als 30 Ohm/Flächen
quadrat hat.' Zur Herstellung eines solchen leitfähigen Elementes ist weder die Verwendung eines vorbehandelten Trägers noch eine
besondere Schicht auf dem Träger erforderlich.
-r-l·.
Erflndungsgemäß läßt sich ein solches leitfähiges Element
dadurch herstellen, daß man einen Natronkalkglasträger auf eine
Temperatur von mindestens etwa 450 C in Gegenwart einer oder mehrerer SnCl--Lieferanten und eines Fluordotiermittels erhitzt,
wobei man die Erhitzung in einer Sauerstoffatmosphäre durchführt, in der der Sauerstoffgehalt mindestens 15 Volumen-% beträgt und
wobei der oder die SnCl--Lieferanten und das Dotiermittel auf
eine Temperatur erhitzt werden, die ausreichend hoch ist, um das SnCl2 und das Dotiermittel auf den Träger aufzudampfen, jedoch
unter 4800C liegt.
Gegenstand der Erfindung sind des weiteren Photozellen mit aneinander
angrenzenden oder benachbarten kristallinen Schichten, die dadurch gekennzeichnet sind, daß sie ein leitfähiges Element
des beschriebenen Aufbaues aufweisen und zwar in einem operativen Kontakt geringer Impedanz mit mindestens einem Teil einer der
erwähnten Schichten.
Die hier angegebene Gesamtdurchlässigkeit ist dabei die prozentuale
Durchlässigkeit, gemessen mit einem integrierenden Kreis, während die Spiegel- oder Spekular-Durchlässigkeit die prozentuale Durchlässigkeit
ist, die mit einem Kleinwinkel-Detektor gemessen werden kann. Letztere ist natürlich beträchtlich geringer als die Gesamtdurchlässigkeit.
Ein erfindungsgemäßes leitfähiges Element weist somit einen Natronkalkglasträger
und eine hierauf aufgebrachte Zinnoxidschicht mit einem Fluordotiermittel auf.
Unter einem "Natronkalkglasträger" ist ein solcher zu verstehen, bei dem das Trägermaterial streng genommen aus einem Natronkalkglas
besteht und nicht vorbehandelt wurde, um Natrium von der Oberfläche des Trägers zu entfernen, unter Erzeugung einer Oberflächenschicht
einer anderen Zusammensetzung als dem Natronkalkglas und auch
nicht vorbehandelt wurde unter Hinzufügen einer schützenden Schicht auf das Natronkalkglas. Der zur Herstellung eines erfindungs gemäßen
Elementes verwendete Träger erfordert keine zusätzliche kostspielige Vorbehandlung, um eine gute Durchlässigkeit, einen
niedrigen Widerstand, ohne das Auftreten eines ins Gewicht fallenden Schleiers oder einer ins Gewicht fallenden Trübung zu erreichen.
Vorzugsweise besteht der Träger aus einem Natronkalkglas mit einer 9O$igen Durchlässigkeit (transmittance). Obgleich die Dicke des
Glasträgers nicht kritisch ist, hat es sich doch als besonders vorteilhaft erwiesen, wenn die Schichtstärke des Trägers bei etwa
0,5 bis 5 mm liegt.
Die Schicht auf dem Träger ist dabei aus Zinnoxid und einem Fluordotiermittel aufgebaut. Das Fluordotiermittel kann aus
irgendeinem Fluor enthaltenden Material bestehen, beispielsweise SnClF, SnF2, H2SiF6 sowie NH4FHF. Die einzigen Erfordernisse
für das Fluordotiermittel bestehen darin, daß es bei jeder Arbeitstemperatur, die angewandt wird, um das Fluordotiermittel· und das
SnCl2 zu erhitzen, um SnO2 auf dem Träger zu erzeugen, flüchtig
ist.
Unter einem Natronkalkglasträger "mit einer hierauf aufgetragenen Schicht aus polykristallinem SnO2 und einem Fluordotiermittel"
ist somit gemeint, daß die Schicht direkt auf dem Glasträger erzeugt wird und nicht auf irgendeiner Zwischenschicht oder auf
einem Träger, der derart vorbehandelt wurde, daß die Oberfläche des Trägers nicht mehr länger als Natronkalkglasoberfläche betrachtet
werden kann.
Im Falle von Photözellen ist es erwünscht, daß das leitfähige
Element einen geringen elektrischen Widerstand hat, so daß der
Joule-Verlust vermindert wird und die Zellenwirksamkeit erhöht wird. Infolgedessen hat die SnO^-Schicht einen Widerstand von
weniger als 30 Ohm/Flächenquadrat und vorzugsweise von weniger als 20 Ohm/Flächenquadrat. Als wünschenswert hat es sich desweiteren
erwiesen, wenn die Schicht eine gute Lichtdurchlässigkeit aufweist. Infolgedessen ist die Durchlässigkeit für Strahlung von
400 bis 800 nm vorzugsweise größer als 70 % und in besonders
vorteilhafter Weise größer als 80 V. -
Die erfindungs gemäßen leitfähigen Elemente sind praktisch
trübungsfrei oder schleierfrei. Dies ist wichtig bei der Verwendung
der leitfähigen Elemente in Photozellen, da eine Trübung oder ein Schleier zu unerwünschten Effekten zwischen dem leitfähigen
Element und anderen Schichten in derartigen Zellen, z. B. aus
CdTe und CdS führt. Ein solcher beispielsweiser Effekt wird *
z. B. in der US-PS 3 880 633 beschrieben. Ist das leitfähige Element schleierig oder trübe, erfolgt eine Lichtstreuung, welche
zu einem Durchlässigkeitsverlust führt. Unter praktisch trübungsfrei
oder schleierfrei ist gemeint, daß eine visuelle Prüfung
des Materials den Eindruck eines relativ klaren oder durchsichtigen
Materials vermittelt. Das bedeutet, daß für das nackte Auge kein
Schleier erkennbar ist.
Zu den leitfähigen Elementen, die hier beschrieben werden, gehören
z. B. auch Elektroden, wie sie zur Herstellung von Photozellen
verwendet werden, ferner sog. Vorführelektroden und Elekroden für elektrophotographische Platten, ferner optische Filme und
antistatische Elemente. Ein besonders vorteilhaftes leitfähiges Element gemäß der Erfindung bildet eine Elektrode, z. B-. eine
Fensterelektrode für eine Photozelle.
-AO-
Die Schicht, die das Zinnoxid und das Fluordotiermittel enthält, ist vorzugsweise dünn. Vorzugsweise haben die Schichten der
leitfähigen Elemente eine Stärke von 1000 bis 10 000 SL Die
Schichten können das Fluordotiermittel in verschiedenen Konzentrationen enthalten. Vorzugsweise enthalten die Schichten
jedoch 0,001 bis 5 Gew.-I des Fluordotiermittels.
Die Schicht mit dem dotierten SnO- ist polykristallin, wobei die Kristallitte vorzugsweise zum Glasträger orientiert sind,
derart, daß die kristallographischen (200)- und (120)-Ebenen parallel zur Ebene der Glasoberfläche orientiert sind. Obgleich
die Kristallitte verschieden groß sein können, hat es sich doch als vorteilhaft erwiesen, wenn die SnO--Kristalle kleiner
als 1 Mikrometer und vorzugsweise kleiner als 0,5 Mikrometer sind.
Das polykristallines SnO2 aufweisende leitfähige Element läßt
sich herstellen durch Erhitzen eines Trägers aus auf eine Temperatur von mindestens 4500C in einer Umgebung, die
einen SnCl^-Lieferanten aufweist und, entweder im gleichen
Lieferanten oder einem gesonderten Lieferanten ein Fluordotiermittel. Der SnCl--Lieferant und der Lieferant für das Dotiermittel
werden dabei auf eine Temperatur von weniger als 480 C, jedoch auf eine solch hohe Temperatur erhitzt, die ausreicht,
um das SnCl- und das Dotiermittel in Richtung des Trägers zu verflüchtigen. Vorzugsweise liegt die Temperatur, auf die der
oder die Lieferanten erhitzt werden, bei 2000C bis 4000C, wenn
bei dem angewandten Verfahren der Abstand von zu verdampfendem Stoff und zu bedampfenden Träger gering ist. Erfolgt die Abscheidung
der Dämpfe nach dem Transportverfahren (die Dämpfe werden über längere Entfernungen hinweg transportiert, wie
z. B. im Falle des Beispieles 7) dann können beispielsweise Temperaturen bis zu 48O0C angewandt werden. Dieses Verfahren
wird dabei in einer Atmosphäre angewandt, in der der Sauerstoff-
β β <*
ca a
gehalt mindestens 15 Volumen-\ beträgt.
Ein besonders vorteilhaftes Verfahren zur Erzeugung eines
leitfähigen polykristallien SnO2-Elementes ist beispielsweise
in den Zeichnungen dargestellt. Im einzelnen sind dargestellt in:
Fig. 1 ein Lieferant für SnCl2 und ein Dotiermittel;
Fig. 2 ein zu beschichtender Träger und
Fig. 3 eine Vorrichtung, die sich zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens eignet.
Im Falle der Fig. 1 befindet sich ein SnCl2-Lieferant und
ein Fluordotiermittel A in einem Behälter B. Im Falle der
Fig. 2 ist ein Glasträger D an einer Halterung E
befestigt.
Das Verfahren zur Beschichtung des Glasträgers besteht vorzugsweise
in einer chemischen Bedampfung des Trägers bei geringem Abstand von Bedämpfungsmittel und Träger. Bei Anwendung dieses
Verfahrens werden die Dämpfe von einem Lieferanten auf einen Träger aufgedampft, der sich von dem Lieferanten in einer Entfernung
befindet, die nicht größer ist als die Quadratwurzel der kleineren Oberflächenfläche von Lieferant und Träger. Die
chemische Bedampfung wird näher in Fig. 3 veranschaulicht, wobei ein Glas gefäß G verwendet wird, das einen Einlaß H für Sauerstoff
oder an Sauerstoff angereicherter Luft enthält. Der Gasstrom
erfolgt, um eine Sauerstoff-reiche Atmosphäre für die Reaktion von A und die Abscheidung des Oxides auf den Träger 1)
zu schaffen. Die Gasströmungsgeschwindigkeit wird dabei so eingestellt,
daß der gewünschte Gasdruck in dem Gefäß aufrechterhalten
wird.
- id
Die Halterung E wird durch die Lampe F erhitzt und die Halterung B
durch die Lampe C. Die Halterungen werden dabei aus Graphit oder einem anderen wärmebeständigen Stoff erzeugt und werden durch die
Lampen erhitzt oder auf andere Weise, z. B. durch Widerstandserhitzung oder Induktionserhitzung. Nach Durchführung des Erhitzungsprozesses
werden überschüssiges SnCl- und Dotiermitteldämpfe vorzugsweise vom Träger entfernt, im allgemeinen durch
den Sauerstoffstrom oder den Luftstrom, bevor das Erhitzen des
Trägers beendet wird.
Die Atmosphäre für die Dampfphasenabscheidung kann entweder aus reinem Sauerstoff,mit Sauerstoff vermischten anderen Gasen
oder Luft bestehen. Es ist leicht verständlich, daß die tatsächliche Menge an Sauerstoff, die während der Abscheidung vorhanden ist,
von der speziellen Form der Dampfphasenabscheidung abhängt, die
ausgewählt wird. Beispielsweise wird eine chemische Dampfabscheidung bei geringem Abstand, d. h. eine besonders bevorzugte
Ausführungsform des Verfahrens der Erfindung, im allgemeinen bei
Atmosphärendruck durchgeführt. Die anderen Formen der Dampfphasenabscheidung, die oben erwähnt wurden, haben bekannte oder Standard-Toleranz-Gasgrenzen
und der Sauerstoffdruck oder Sauerstoffteildruck
wird derart ausgewählt, daß dieser mit den Toleranzgrenzen übereinstimmt.
Die Dampfphasenabscheidung erfolgt entweder in einem Chargenprozeß,
z. B. in einer Kammer mit einem Lieferanten und einem einzelnen Träger oder in Form eines kontinuierlichen Verfahrens,
in welchem Falle ein Träger durch geeignete Behandlungszonen geführt wird.
Im allgemeinen erfolgt die Bedampfung bei Atmosphärendruck oder
schwach über atmosphärischem Druck. Der Abstand zwischen Lieferant und Schichtträger beträgt vorzugsweise etwa 2 bis etwa 10 mm,
obgleich auch Entfernungen zwischen 1 und 100 mm anwendbar sind.
«." Ot
Die Temperatur des Trägers kann verschieden sein, je nachdem,
was für ein Material bedampft wird. Vorzugsweise wird das zu verdampfende Material etwa 0,1 Sekunden bis etwa 10 Minuten
auf einen Träger aufgedampft, der auf eine Temperatur von 45O0C bis etwa 63O0C gebracht wird. Die Temperatur des zu
verdampfenden Stoffes oder Materials wird in jedem Falle zwischen etwa 200 und exwa 4000C gehalten.
Eine Photozelle läßt sich in einfacher Weise unter Verwendung
der erzeugten Elektrode als Fensterelektrode herstellen. Eine bevorzugte Zeile ist dabei ähnlich einer Zelle, wie sie in der
US-PS 4 207 119 beschrieben wird mit der Ausnahme, daß die
Fensterelektrode eine Elektrode des beschriebenen Typs ist.
Dies bedeutet, daß eine besonders vorteilhafte Zelle eine erste und eine zweite aneinander angrenzende oder benachbarte
polykristalline Schicht aufweist mit Cadmiumtellurid vom
P-Typ bzw. Cadmiumsulfid vom η-Typ und daß sich die beschriebene
Elektrode in operativem Kontakt von niedriger Impedanz mit mindestens einem Teil der Schichten befindet. Die Konstruktion
und die Verwendung von Photozellen wird im Detail beispielsweise näher in der US-PS 4 207 119 beschrieben.
Die folgenden Beispiele dienen der weiteren Erläuterung der
Erfindung.
Es wurden 7 Proben von transparenten und elektrisch leitfähigen Zinnoxidgläsern nach dem beschriebenen Bedampfungsverfahren,
bei dem das zu verdampfende Material sich in geringem Abstand zur bedampfenden Oberfläche befindet, hergestellt. Der Zinnoxid-Lieferant
bestand aus wasserfreiem SnCl-,, das mit einem Mol-%
H K · se ι
3128306
Fluor, das als SnClF zugesetzt wurde, dotiert war. Der Träger
bestand aus einem Nairoilcalkglas mit einer 90 !igen Durchlässigkeit.
Der Abstand zwischen dotiertem SnCl2 und Träger betrug 5 mm·.
Das Verfahren wurde bei Atmosphärendruck mit einer Sauerstoffströmungsgeschwindigkeit
von T22O cm /Min. durchgeführt. Der Träger wurde auf 55O°C erhitzt, worauf unmittelbar darauf das
zu verdampfende Material auf 3250C erhitzt wurde. Die Abscheidungsdauer
betrug eine Minute und 15 Sekunden, gemessen von dem Zeitpunkt an, an dem das dotierte SnCl, eine Temperatur von 3250C
hatte. Der durchschnittliche Widerstand der 7 Prüflinge betrug
12 Ohm/Flächenquadrat und die Gesamtdurchlässigkeit für sichtbares
Licht zwischen 400 und 800 nm betrug 80 %. Die Dicke der
Filme schwankte zwischen 0,37 und 0,43 pm. Die Filme waren trübungsfrei.
Nach dem in Beispiel 1 beschriebenen Verfahren wurden 8 weitere Prüflinge von transparenten und elektrisch leitfähigen Zinnoxidgläsern hergestellt, wobei jedoch diesmal das Dotiermittel aus
0,9 Mol-% Fluor bestand, das in Form von SnF„ zu dem wasserfreien
SnCl2 zugegeben wurde. Im Falle dieses Beispieles wurde
ein durchschnittlicher Widerstand von 14 Ohm/Flächenquadrat bei einer Gesamtdurchlässigkeit für Licht von 400 bis 800 nm
von 79 % erzielt. Die Dicke der Filme schwankte zwischen 0,36 und 0,52 iim. Die Filme waren trüb ungs frei.
Dieses Beispiel veranschaulicht die Wichtigkeit des Fluordotiermittels.
- \y-45-
Es wurde nach dem in Beispiel 1 beschriebenen Verfahren ein
weiterer Prüfling eines transparenten und elektrisch leitfähigen Zinnoxidglases hergestellt mit der Ausnahme jedoch, daß dem
wasserfreien SnCl2 kein Dotiermittel zugegeben wurde. In diesem
Falle wurde ein Widerstand von 63 Ohm/Flächenquadrat und eine
80 iige Gesamtdurchlässigkeit für Licht von 400 bis 800 nm erzielt. Die Dicke des Filmes betrug 0,5 7 ym.
Nach dem in Beispiel 1 beschriebenen Verfahren wurde ein weiterer
Prüfling eines transparenten und elektrisch leitfähigen Zinnoxidglases hergestellt, wobei jedoch dieses Mal die Strömungsgeschwindigkeit
des Sauerstoffs 4000 cm /Min. betrug. In diesem Falle wurde ein Widerstand von 9 Ohm/Flächenquadrat bei einer
80 %igen Gesamtdurchlässigkeit für sichtbares Licht zwischen
400 und 800 nm erzielt. Die Dicke des Prüflings betrug 0,39 ym.
Ausgehend von diesem Glas wurde eine Solarzelle mit einem Wirkungsgrad von 9,5 % nach dem in Beispiel 1 der US-PS 4 207 119 beschriebenen
Verfahren mit der Ausnahme hergestellt, daß die Fensterelektrode
dieses Beispieles anstelle des Nesatron-Fensters gesetzt wurde, das in dem Beispiel 1 des US-Patentes 4 207 119 verwendet
wurde.
Es wurden 6 Prüflinge von transparenten, elektrisch leitenden,
mit Zinnoxidfilmen beschichteten Gläsern wie in Beispiel 1
beschrieben hergestellt mit der Ausnahme jedoch, daß die Temperatur
des zu verdampfenden Materials 3150C betrug und daß die
Temperatur der Träger von Versuch zu Versuch verändert wurde.
Der elektrische Widerstand und die durchschnittliche Durchlässigkeit
gegenüber sichtbarem Licht und Licht des nahen infraroten Bereiches
(400 bis 800 nm) der erhaltenen Beschichtungen betrugen:
Träger- Temperatur C°C) |
Widerstand (Ohm/Flächen quadrat) |
400 | 2,5 χ 1O+4 |
430 | 360 |
450 | 96 |
500 | 18 |
550 | 10 |
600 | 5,5 |
Durchschnittliche,prozentuale Spekular-Durchlässigkeit
für sichtbares Licht
83 %
79 % 78 %
77 % 76 %
68
Aus den erhaltenen Ergebnissen ergibt sich, daß eine Trägertemperatur
von über 45O°C vorteilhaft ist.
Nach dem in Beispiel 1 beschriebenen Verfahren wurden 3 weitere
Prüflinge von transparenten, elektrisch leitfähigen, mit Zinnoxidfilmen beschichteten Glas träger« hergestellt, wobei jedoch
dieses Mal die folgenden abweichenden Veffahrensbedingungen
angewandt wurden: Anstatt Sauerstoff wurde Luft verwendet. Die Strömungsgeschwindigkeit der Luft betrug 410 cm /Min. Das zu
verdampfende Material wurde auf eine Temperatur von 320 C aufgeheizt. Die Abs eheidungs- oder Bedampfungsdauer betrug
1 Minute und der Abstand zwischen zu verdampfenden Material und Träger betrug 2,5 mm.
3128.00b
Der durchschnittliche elektrische Widerstand der 3 erhaltenen
Prüflinge betrug 15 Ohm/Flächenquadrat und die durchschnittliche
Spekular-Durchlässigkeit für sichtbares Licht und für Licht des
nahen infraroten Bereiches (400 bis 800 nm) betrug 74%,
Es wurde eine Vorrichtung verwendet, in der ein Gasstrom in einem
begrenzten Kanal über eine erhitzte Haltevorrichtung geführt wurde
die eine Mischung von SnCl- ( 99 Mol-%) und SnClF (1 Μοί-Λ)
enthielt. Nachdem der Gasstrom die Haltevorrichtung passiert hatte
wurde der Gasstrom mit den SnCL2/SnClF-Dämpfen über eine Distanz
von etwa 12,70 cm geführt, worauf er abgelenkt und auf einen
aufgeheizten Natankalk-Glasträger geführt wurde, so daß sich auf diesem Glasträger eine Schicht aus dotiertem Zinnoxid abschied.
Eine Probe eines solchen mit einer Zinnoxidschicht beschichteten Glases wurde dadurch hergestellt, daß in der beschriebenen Vorrichtung der Träger mit dem zu verdampfenden Material auf eine
Temperatur von 4750C und der Glasträger auf eine Temperatur von
55O0C gebracht wurden. Die Strömungsgeschwindigkeit des Sauerstoffstromes
betrug 3000 cm /Min. Die Abseheidungsdauer betrug
30 Sekunden. Die erhaltene Beschichtung hatte einen elektrischen Widerstand von 18 Ohm/Qüädrat, eine Dicke von 0,26 ym und eine
durchschnittliche Spekular-Durchlässigkeit für sichtbares Licht und Licht des nahen infraroten Bereiches (400 bis 800 nm) von
75 %.
Leerseite
Claims (15)
1.jLeitfähiges Element, dadurch gekennzeichnet, daß es praktisch
trübungsfrei ist, einen Natronkalkglas träger mit einer darauf
aufgetragenen Schicht aus polykristallinem SnO2 und einem
Fluordotiermittel aufweist und eine Gesamtdurchlässigkeit für Strahlung von 400 bis 800 nm von mehr als 70 % sowie einem
elektrischen Widerstand von weniger als 30 Ohm/Flächenquadrat hat. ■
Fluordotiermittel aufweist und eine Gesamtdurchlässigkeit für Strahlung von 400 bis 800 nm von mehr als 70 % sowie einem
elektrischen Widerstand von weniger als 30 Ohm/Flächenquadrat hat. ■
2, Leitfähiges Element nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein
Fluordotiermittel aus SnF2 und/oder SnFCl.
3. Leitfähiges Element nach Ansprüchen 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die auf den Träger aufgetragene Schicht eine
Stärke von 1000 Ά* bis 10 000 8 hat.
Telefonische Auskünfte und *
Aufträge sind nur nach schritllicher Bestätigung verbindlich
4. Leitfähiges Element nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das polykristalline SnO- parallel zur Glasoberfläche
orientierte (200)- und (100)-Ebenen, aufweist.
5. Verfahren zur Herstellung eines leitfähigen Elements nach einem
der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß man einen
Natronkalkglasträger in Gegenwart von einem oder mehreren SnCl-- und Fluordotiermittel-Lieferanten auf eine Temperatur von
mindestens 45O0C erhitzt, wobei man die Erhitzung in einer
Sauerstoffatmosphäre mit einem Sauerstoffgehalt von mindestens
15 Volumen-% durchführt und die SnCl2- und Fluodotiermittel-Lieferanten
auf eine Temperatur erhitzt, die hoch genug ist, um das SnCl- und das Dotiermittel auf den Träger aufzudampfen,
jedoch unter 480 C liegt.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß man die SnCl2- und Dotiermittel-Lieferanten auf eine Temperatur von etwa
200 bis 4000C erhitzt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet,
daß man einen SnCl2-Lieferanten verwendet, der gleichzeitig
der Lieferant für das Fluordotiermittel ist.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet,
daß man die Erhitzung in einem Glasbehälter durchführt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet,
daß man überschüssige SnCl-- und Dotiermitteldämpfe vom Träger entfernt, bevor man die Erhitzung beendet.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet,
daß man als Dotiermittel SnF- oder SnFCl verwendet.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 10, dadurch
gekennzeichnet, daß man den oder die Lieferanten für das SnCl- und das Fluordotiermittel in einem Abstand vom Glasträger von etwa 2 bis etwa 10 mm anordnet.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß man den Glasträger auf eine Temperatur
von 450 bis 6 3O0C erhitzt.
13. Photozelle mit aneinander anstoßenden oder benachbarten
kristallinen Schichten, dadurch gekennzeichnet, daß sie ein leitfähiges Element nach einem der Ansprüche 1 bis 4 in
Arbeitskontakt von geringer Impedanz mit mindestens einem
Teil einer der Schichten aufweist.
14. Photozelle nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß sie erste und zweite, aneinander anstoßende oder benachbarte
kristalline Schichten aufweist, die Cadmiumtellurid vom p-Typ bzw. Cadmiumsulfid vom η-Typ enthalten.
15. Photozelle nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das
Fluordotiermittel aus SnF^ und SnFCl ausgewählt ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17157680A | 1980-07-23 | 1980-07-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3128806A1 true DE3128806A1 (de) | 1982-04-29 |
Family
ID=22624281
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19813128806 Withdrawn DE3128806A1 (de) | 1980-07-23 | 1981-07-21 | Leitfaehiges element, verfahren zur herstellung desselben sowie photozelle mit dem leitfaehigen element |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5758374A (de) |
CA (1) | CA1171505A (de) |
DE (1) | DE3128806A1 (de) |
FR (1) | FR2487584B1 (de) |
GB (1) | GB2080275B (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5269970A (en) * | 1990-02-26 | 1993-12-14 | Th. Goldschmidt Ag | Electrically conductive tin-IV-oxide and method for production thereof |
DE4006044A1 (de) * | 1990-02-26 | 1991-08-29 | Goldschmidt Ag Th | Elektrisch leitfaehiges zinn-iv-oxid |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3880633A (en) * | 1974-01-08 | 1975-04-29 | Baldwin Co D H | Method of coating a glass ribbon on a liquid float bath |
GB1520124A (en) * | 1974-09-18 | 1978-08-02 | M & T Chemicals Inc | Process for applying stannic oxide coatings to glass |
LU72932A1 (de) * | 1975-07-08 | 1977-03-18 | ||
FR2380997A1 (fr) * | 1977-02-16 | 1978-09-15 | Saint Gobain | Procede de fabrication de vitrages protegeant de la chaleur |
US4207119A (en) * | 1978-06-02 | 1980-06-10 | Eastman Kodak Company | Polycrystalline thin film CdS/CdTe photovoltaic cell |
CH640276A5 (en) * | 1978-10-20 | 1983-12-30 | Roy Gerald Gordon | Process for producing films of stannic oxide on a heated substrate |
DE2847453C2 (de) * | 1978-11-02 | 1982-03-11 | Jenaer Glaswerk Schott & Gen., 6500 Mainz | Verfahren zum Herstellen trübungsfreier, elektrisch leitfähiger SnO↓2↓-Schichten auf alkalireichem Glas |
-
1981
- 1981-06-08 CA CA000379284A patent/CA1171505A/en not_active Expired
- 1981-07-16 FR FR8113845A patent/FR2487584B1/fr not_active Expired
- 1981-07-21 DE DE19813128806 patent/DE3128806A1/de not_active Withdrawn
- 1981-07-23 GB GB8122772A patent/GB2080275B/en not_active Expired
- 1981-07-23 JP JP56114531A patent/JPS5758374A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5758374A (en) | 1982-04-08 |
FR2487584A1 (fr) | 1982-01-29 |
GB2080275B (en) | 1984-06-20 |
FR2487584B1 (fr) | 1985-11-22 |
GB2080275A (en) | 1982-02-03 |
CA1171505A (en) | 1984-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2806468C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines halbreflektierenden Filmes aus Zinnoxid auf einem Substrat | |
DE69029264T2 (de) | Durchsichtige leitfähige verbindung aus zinkoxyfluorid | |
DE69701408T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Alkalimetall-Diffusionsbarriere-Schicht | |
DE69418542T2 (de) | Verfahren zur Herstellung funktioneller Beschichtungen | |
DE69921161T2 (de) | Zusammensetzung zur Herstellung von transparenten, leitfähigen Nanopartikelbeschichtungen und Verfahren zu deren Herstellung | |
EP0114282B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Indiumoxid-Zinnoxid-Schichten | |
DE69826687T2 (de) | Siliziumoxynitrid schutzbeschichtungen | |
DE3856068T2 (de) | Dampfphasenabscheidung von Zinnoxyd auf Floatglas im Zinnbad | |
DE69526191T2 (de) | Geglühte Beschichtung mit niedrigem Strahlungsvermögen | |
DE2845782C2 (de) | ||
DE68907279T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer transparenten Schicht mit einem niedrigen Widerstand. | |
DE2949141C2 (de) | Verfahren zur Vermeidung des Herauslösens von Verunreinigungen aus Festkörperoberflächen | |
DE68921041T2 (de) | Tantaloxid-Siliciumoxid-Interferenzfilter und Lampen mit derartigen Interferenzfiltern. | |
DE1941191B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von transparenten,glasigen,glasig-kristallinen oder kristallinen anorganischen Mehrkomponentenstoffen,vorzugsweise in duennen Schichten,bei Temperaturen weit unterhalb des Schmelzpunktes | |
DD264911A5 (de) | Verfahren zur herstellung eines ueberzuges auf einer glasoberflaeche | |
DE1909910A1 (de) | Verfahren zum UEberziehen von Substraten mit leitenden Metalloxidfilmen durch kathodische Zerstaeubung | |
DE2140092A1 (de) | Verfahren zum Aufbringen dunner Schichten auf Substrate sowie Vorrichtung zur Durchfuhrung des Verfahrens | |
DE1421903B2 (de) | Verfahren zur herstellung einer photoempfindlichen halb leiterschicht auf einem waermebestaendigen nicht leitenden traeger | |
DD149058A5 (de) | Verfahren zum kontinuierlichen ablagern einer schicht eines feststoffs | |
DE202012013088U1 (de) | Anlage zur Beschichtung und Wärmebehandlung | |
DE2013576B2 (de) | Verfahren zum Aufbringen von dotierten und undotierten Kieselsaure filmen auf Halbleiteroberflachen | |
DE3741031A1 (de) | Desalkalisiertes tafelglas und verfahren zu dessen herstellung | |
DE69713663T2 (de) | Oxidfilm, Laminate und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE69210599T2 (de) | Fensterbeschichtung mit niedriger trübung | |
DE68903980T2 (de) | Elektroleitendes glas und verfahren zu seiner herstellung. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: BRANDES, J., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 8 |
|
8141 | Disposal/no request for examination |