DE3111307A1

DE3111307A1 - "transistorverstaerker mit komplementaeren feldeffekttransistoren und differenzeingang"

Info

Publication number: DE3111307A1
Application number: DE19813111307
Authority: DE
Inventors: Merle Vincent Flemington N.J. Hoover
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1980-03-24
Filing date: 1981-03-23
Publication date: 1982-01-07
Also published as: JPS56147506A; US4333057A; FR2478902A1

Description

RCA 73,802 Sch/Vu

RCA Corporation, New York, N.Y. (V.St.A.)

Transistorverstärker mit komplementären Feldeffekttransistoren und Differenzeingang

Die Erfindung bezieht sich auf Tranaistorverstärker unter Verwendung komplementärer Feldeffekttransistoren und betrifft insbesondere solche Verstärker, deren Ausgangssignal von der Differenz zweier Eingangssignale abhängt.

Es sind Verstärker bekannt, die komplementäre Feldeffekttransistoren in Inverter-Verstärkerschaltung benutzen, wobei die Drain-Source-Stromstrecken eines P-Kanal-Transistors und eines N-Kanal-Transistors in Reihe geschaltet sind und der Sourceelektrode des N-Kanal-Feldeffekttransistors eine relativ negative, der Sourceelektrode des P-Kanal-Feldeffekttransistors dagegen eine relativ positive Betriebsspannung zugeführt wird. Die Gateelektroden sind zusammengeschaltet und dienen als Eingangsanschluß, während die zusammengeschalteten Drainelektroden als Ausgangsanschluß dienen, an dem gegenüber den am Eingangsanschluß zugeführten Eingangssignalen invertierte Signale abgenommen werden können.

Ein solcher Verstärker ist in der US-PS 3 946 327 vom 23. März 1976 (Erfinder S.T. Hsu) beschrieben; bei ihm sind zwei solche Inverterverstärker mit komplementären Feldeffekttransistoren in Kaskade geschaltet. Die Eingangs- und Ausgangsanschlüsse des

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zweiten Inverterverstärkers sind zusammengeschaltet, so daß die effektive Verstärkung des Verstärkers durch das Steilheitsverhältnis zwischen den Transistoren des ersten und zweiten Inverterverstärkers bestimmt wird.

Weil es schwierig ist/ in Verstärkern mit komplementären Feldeffekttransistoren die Differenz von Signalen zu bilden, haben solche Verstärker üblicherweise nur einen einzigen Eingang und einen einzigen Ausgang.

Die Erfindung begegnet diesen Schwierigkeiten durch Anwendung eines ersten, eines zweiten und eines dritten Inverterverstärkers mit Feldeffekttransistoren. Den Eingangsanschlüssen des ersten und dritten Inverterverstärkers werden jeweils Eingangssignale zugeführt, und der Ausgang des dritten Inverterverstärkers ist mit dem Eingang des zweiten Inverterverstärkers verbunden. Die Signalkombination erfolgt durch Verbindung der jeweiligen Ausgangsanschlüsse des ersten und zweiten Inverterverstärkers mit einem zweiten Schaltungspunkt, der über eine Ausgangsschaltung mit einem Ausgangsanschluß verbunden ist. .

Die Erfindung ist in den beiliegenden Zeichnungen im einzelnen erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 ein Schaltbild eines gemäß der Erfindung ausgebildeten Verstärkers;

Fig. 2 ein Schaltbild einer Teilschaltung aus Fig. 1 und

Fig. 3 ein Schaltbild einer gegenüber Fig. 1 abgewandelten
Aus führungs form.

Der Verstärker gemäß Fig. 1 enthält Inverterverstärker 10, 20, 30, 40 und 50 mit komplementären Feldeffekttransistoren, bei
denen jeder einen P-Kanal-Feldeffekttransistor P1 bis P5, dessen Sourceelektrode eine relativ positive Betriebsspannung V_QD vom Betriebsspannungsanschluß 6 zugeführt wird, und jeweils einen

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N-Kanal-Feldeffekttransistor N1 bis N5, deren Sourceelektroden eine relativ negative Betriebsspannung V₃₅ vom Betriebsspannungsanschluß 8 zugeführt werden. Die Gateelektroden der jeweiligen P- und N-Kanal-Feldeffekttransistoren sind zusammengeschaltet und dienen als Eingangsanschluß für jeden Inverterverstärker, während die ebenfalls zusammengeschalteten Drainelektroden als Ausgangsanschluß dienen.

Die Betriebsweise eines solchen Inverterverstärkers entspricht derjenigen des Verstärkers 10, der nun beschrieben werden soll. Der P-Kanal-Feldeffekttransistor P1 und der N-Kanal-Feldeffekttransistor N1 dienen jeweils als Element veränderbarer Steilheit, welches den Spannungsanschluß 14 mit dem Ausgangsanschluß 12 und diesen mit dem Spannungsanschluß 16 verbindet. Wenn das am Eingangsanschluß 2 zugeführte Signal sich auf die Betriebsspannung V_DD zu verschieben möchte, dann verringert sich infolge der Transistorwirkung des Transistors P1 die Leitfähigkeit (seiner Drain-Source-Stromstrecke) zwischen den Anschlüssen 14 und 12, und die Leitfähigkeit des Feldeffekttransistors N1 zwischen den Anschlüssen 12 und 16 steigt an. Wenn andererseits das Signal am Eingangsanschluß 2 sich auf das Potential V₀₀ zu bewegen möchte, dann erhöht sich die Leitfähigkeit des Transistors P1 und diejenige des Transistors N1 nimmt ab. Somit sind Signale am Ausgangsanschluß 12 gegenüber dem am Anschluß 2 zugeführten Eingangssignalen invertiert; die Verstärkung des Inverterverstärkers 10 wird durch die Steilheiten der Transistoren P1 und P2 und den effektiven Leitwert der Last am Anschluß 12, sofern vorhanden, bestimmt.

Der in Fig. 1 dargestellte Verstärker arbeitet folgendermaßen:

Wenn an den Eingangsanschlüssen 2 und 4 Eingangssignale zugeführt werden, dann gelangen Signale über die Inverterverstärker 10 und 30 und deren Ausgänge 12 bzw. 32 zu den Schaltungspunkten 22 bzw. 42. Dem Eingang des Inverterverstärkers 20 werden vom Schaltungspunkt 42 Signale zugeführt, und er liefert dazu inverse Signale an den Schaltungspunkt 22, die mit den vom Ausgang des Inverter-

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verstärkers 10 kommenden Signalen addiert werden sollen. Die Inverterverstärker 10, 20 und 30 bilden die Grundelemente des Verstärkers nach Fig. 1, denen Eingangssignale an den Anschlüssen 2 bzw. 4 zugeführt werden und die am Schaltungspunkt 22 ein kombiniertes Ausgangssignal zur Verfügung stellen, das die Differenz der Eingangssignale darstellt.

Es ist üblicherweise erwünscht, die Verbindung zwischen dem Ausgang 32 des Inverters 30 und dem Eingang des Inverters 20 zu belasten, so daß man einerseits zwischen dem Anschluß 2 und dem Schaltungspunkt 22 und andererseits zwischen dem Anschluß 4 und dem Schaltungspunkt 22 Verstärkungsfaktoren erhält, die in einem vorbestimmten Verhältnis zueinanderstehen, beispielsweise -1. Eine solche Last kann beispielsweise einfach durch einen Inverterverstärker 40 gebildet werden, dessen Ausgang an den Schaltungspunkt 42 angeschlossen ist. Ein Gegenkopplungszweig 44 vom Schaltungspunkt 42 zum Eingang des Inverterverstärkers 40 führt zu einer LeitungscharakteriBtik am Schaltungspunkt 42, die im wesentlichen äquivalent zur Steilheitscharakteristik mindestens eines der Verstärker 20 oder 30 gemacht werden kann.

Bei einer Ausführungsform wird die Verstärkung zwischen dem Eingangsanschluß 4 und dem Schaltungspunkt 42 gleich -1 gemacht, indem die Verhältnisse Breite-zu-Länge der Kanalbereiche der Feldeffekttransistoren P3, P4, N3 und N4 entsprechend gewählt werden, wie es in der vorerwähnten US-PS 3 946 327 beschrieben ist. Das Verhältnis der übertragungsfaktoren für Signale, die an den Eingängen 2 und 4 zugeführt werden, wird dann bestimmt, indem einfach die relativen Kanalleitwerte der Feldeffekttransistoren in den Inverterverstärkern 10 und 20 entsprechend bemessen werden. Macht man die Verstärkungen der inverterverstärker 10 und 20 gleich, dann hängt das Potential am Schaltungspunkt 22 vom Unterschied zwischen den den Anschlüssen 2 und 4 zugeführten EingangsSignalen ab, und die übertragung von Gleichtaktkomponenten dieser Signale wird unterdrückt. Bei der so weit beschriebenen Ausführung erfolgt auch eine gute Unterdrückung der Versorgungsspannung, weil die äquivalenten Eigenschaften der FeId-

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effekttransistoren bei Störungen von dieser Seite in gleicher Weise reagieren. Alternativ können die Feldeffekttransistoren der Verstärker 20 und 40 auch mit gleichen Steilheiten bemessen werden, so daß die von ihnen gebildeten Belastungen an den Schaltungspunkten 42 und 44 gleich sind. Wenn die Verstärkungen der Inverterverstärker 10 und 30 gleichgemacht werden, dann erhält man die gewünschten Verstärkungsgrade von -1 zwischen den Anschlüssen 2 bzw. 4 und dem Schaltungspunkt 22. Das Potential am Schaltungspünkt 22 hängt dann von der Differenz zwischen den Signalen an den Anschlüssen2und 4 ab, und man hat die Vorteile einer guten Unterdrückung von Betriebsspannungseinflüssen und einer Gleichtaktunterdrückung.

Die Unterdrückung von Gleichtaktsigaalen und Betriebsspannungsschwankungen wird unterstützt, weil die Belastung des Inverterverstärkers 10 durch die Feldeffekttransistoren im Verstärker 20 praktisch die gleiche ist, wie die Belastung des Verstärkers 20 durch die Feldeffekttransistoren de» Verstärkers 10. Eine ähnliche Wechselwirkung besteht zwischen den Verstärkern 30 und 40. Bei einer bevorzugten Ausführungsform sind die Feldeffekttransistoren der Verstärker 10, 20, 30 und 40 so ausgebildet, daß sie im wesentlichen gleiche Steilheitseharakteristiken haben.

Die aufgrund der Eingangssignale an den Anschlüssen 2 und 4 am Schaltungspunkt 22 auftretenden kombinierten Signale werden weiter verstärkt durch den Inverterverstärker 50, dessen Eingang die kombinierten Signale zugeführt werden und der an den Ausgangsanschluß 52 verstärkte und invertierte Signale liefert.

Weil die Eingangsschaltung des Inverterverstärkers 50 verglichen mit den Ausgangsschaltungen der Inverterverstärker 10 und 20 am Schaltungspunkt 22 eine extrem hohe Lastimpedanz ergeben, kann man die Steilheitseharakteristiken der Transistoren P5 und N5 im Sinne eines maximalen Vorteiles entsprechend den an den Ausgangsanschluß 52 anzuschließenden Lasten wählen. Die Kanallängen der Feldeffekttransistoren P5 und N5 sind so gewählt, daß sie

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den gewünschten Ausgangsstrom liefern, und ihre Kanalbreiten-zuLängen-Verhältnisse sind im Sinne der gewünschten Verstärkung gewählt.

Der in Fig. 1 dargestellte Operationsverstärker läßt sich in Rückkopplungsverstärkern verwenden, die eine Gleichspannungsrückkopplung zwischen Ausgangsanschluß 52 und dem invertierenden Eingangsanschluß 4 aufweisen, wie etwa einen (nicht dargestellten) Widerstand. Mit Feldeffekttransistoren aufgebaute Inverterverstärker neigen naturgemäß zu einem Ruhegleichgewicht, bei dem die Potentiale an ihren Eingängen und Ausgängen in der Mitte zwischen den Betriebsspannungspotentialen V_DD und V_g liegen, und damit wird die zur Herstellung des Gleichgewichts nötige Spannungsverschiebung minimal, wenn sie in solchen Rückkopplungsverstärkern benutzt werden. Da keine anderen Reihenschaltungselemente als komplementäre Feldeffekttransistoren benötigt werden, steht der volle Betriebsspannungsbereich zwischen V_._. und V_gs für die Signalamplitude innerhalb und am Ausgang des Verstärkers gemäß Fig. 1 zur Verfügung.

Die Einfachheit und Symmetrie des Aufbaus und das Fehlen von Widerständen machen den in Fig. 1 gezeigten Operationsverstärker geeignet zur Ausbildung in bekannter integrierter Schaltungstechnologie, in der sich Widerstände schwierig ausbilden lassen oder mit zahlreichen technischen Nachteilen behaftet sind (beispielsweise auf der Silizium-auf-Saphir(SOS)-Technologie). In jedem Fall erfordern als integrierte Schaltung ausgebildete Verstärker gemäß der Erfindung keine zusätzliche Plättchenfläche für Widerstandselemente, und das Betriebsverhalten wird nicht' nachteilig durch Änderungen solcher Widerstandselemente beeinträchtigt.

Man kann die Inverterverstärker 40 und 20 allein als Stromspiegelverstärker (CMA) für beide Stromrichtungen gemäß Fig. 2 ansehen. Wenn man seinem Eingangsanschluß 42" einen Strom zuführt (so daß also der Drain-Source-Strom des Transistors N4 denjenigen des

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Transistors P 4 Übersteigt, dann bildet der Ausgangsanschluß eine Stromsenke, die Strom in den Schaltungspunkt 22' fließen läßt (der Drain-Source-Strom des Transistors N2 übersteigt also denjenigen des Transistors P2). Wird umgekehrt Strom vom Eingangsanschluß 42* entnommen, dann liefert der Schaltungspunkt 22' Strom.

Es sei darauf hingewiesen, daß das hier für Feldeffekttransistoren verwendete Symbol allgemein zu verstehen ist und sowohl Sperrschicht-Feldeffekttransistoren wie auch Isolierschicht-Feldeffekttransistoren bezeichnen soll. Man kann zwar entweder Verarmungsoder auch Anreicherungs-Feldeffekttransistoren verwenden, jedoch sind Anreicherungs-Isolierschicht-Feldeffekttransistoren vorzuziehen.

Die Eingangs-Offset-Spannungsdifferenz zwischen den Anschlüssen 2 und 4 wird zu O gemacht, indem die den Betriebsspannungsanschlüssen 14, 16, 34 und 36 der Inverterverstärker 10 und 30 zugeführten Betriebsspannungen entsprechend verändert werden. Gemäß Fig. 3 verbindet ein einstellbarer Widerstand 62 die jeweiligen Spannungsanschlüsse 14 und 34 der Verstärker 10 und 30, und der Abgriff 64 ist mit der Betriebsspannung V_DD am Anschluß 6 verbunden. Die von den Verstärkern 10 und 30 Über die Anschlüsse 14 bzw. 34 entnommenen Ruheströme bewirken Spannungsabfälle am Widerstand 62. Bei einer Bewegung des Abgriffs 64 in Richtung auf den Anschluß 14 vergrößert sich die relativ positive Betriebsspannung für den Verstärker 10 und verringert sich die dem Verstärker 30 zugeführte Spannung.

Entsprechend sind die jeweiligen Enden des einstellbaren Widerstandes 66 mit den Anschlüssen 16 und 36 der Verstärker 10 bzw. 30 verbunden, und der Abgriff 68 liegt an der relativ negativen Spannung V_gs am Spannungsanschluß 8. Bei einer Bewegung des Abgriffs 68 verändert sich ähnlich die an den Anschlüssen 16 und 36 zugeführte negative Betriebsspannung. Wenn bei besonderen Anwendungsfällen des Verstärkers gemäß Fig. 1 auch nur einer der veränderbaren Widerstände 62 und 66 erforderlich ist, so ist es doch zweckmäßig beide veränderbaren Widerstände 62 und 66 vorzu-

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sehen und sie gemeinsam zu betreiben (wie es durch die gestrichelte Lini . 70 symbolisch angedeutet ist, welche eine vorbestimmte Beziehung zwischen den Stellungen der jeweiligen Abgriffe 64 und 68 darstellt). Eine gemeinsame Bewegung des Abgriffs 64 zum Anschluß 34 hin und des Abgriffs 68 zum Anschluß 16 hin bewirkt, daß die an den Anschlüssen 14 und 16 des Verstärkers zugeführten Betriebsspannungen sich nach V_qs verschieben, während die an den Anschlüssen 34 und 36 des Verstärkers zugeführten Betriebsspannungen sich in Richtung V_D£) verschieben. Eine gemeinsame Verschiebung der Abgriffe 64 und 68 in der entgegengesetzten Richtung bewirkt entsprechend entgegengesetzte Betriebsspannungsverschiebungen. Die Spannungsdifferenz zwischen den Verbindungen 14 bis 16 und 34 bis 36 ändert sich jedoch praktisch nicht.

Während die vorstehende Beschreibung und die beiliegenden Figuren bevorzugte und alternative Ausführungen der Erfindung erläutern, so ist ein Entwicklungsfachmann anhand der Lehre der Erfindung doch auch in der Lage, weitere Ausführungsformen zu realisieren, ohne vom Gedanken und Bereich der Erfindung abzuweichen. Beispielsweise kann in den Inverterverstärkern 10, 20, 30, 40 und 50 ein weiterer P-Kanal-Feldeffekttransistor in Kaskode mit dem in Fig. 1 dargestellten P-Kanal-Feldeffekttransistor geschaltet werden, und es kann ein N-Kanal-Feldeffekttransistor in Kaskode mit den jeweils dargestellten N-Kanal-Feldeffekttransistoren geschaltet werden. Um die vorteilhaften Beziehungen zwischen den jeweiligen Verhältnissen Breite-zu-Länge für die Kanäle der verschiedenen Feldeffekttransistoren auszunutzen, können auch ganzzahlige Vielfache diener Verhältnisse durch Parallelschaltung mehrerer Transistoren mit gleichen Verhältnissen erreicht werden.

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Claims

" PATENTANWÄLTE-DR. DIETER V. BEZOLD DIPL. ING. PETER SCHÜT£ DIPL. ING. WOLFGANG HEUBLER

MARIA-THEHESlA-STRAiBE 93 POSTPACH 86 02 60

D-8000 MUENCHEN 86

RCA 73802 Sch/Vu
U.S. Ser. No. 133,254
vom 24. März 1980

ZUGELASSEN BEIM EUROPAISCHEN PATENTAMT

EUROPEAN PATENT ATTORNEYS MANDATAIRES EN BREVETS EUROPI=ENS

TELEFON 089/4 70 60 06 TELEX SSS 63S TELEGRAMM SOMBEZ

RCA Corporation, New York, N. Y. (V.St.A.)

Patentansprüche

Feldeffekttransistorschaltung zur Kctnbinierung von Signalen mit einem ersten und einem zweitön Eiiigangsanschluß, denen ein erstes bzw. zweites Signal zugeführt wird; mit einem Ausgangsanschluß zur Lieferung eines kombinierten Signales, mit einem ersten und einem zweiten N- bzw. P-Kanal-Feldeffekttransistor, deren Sourceelektroden ein relativ negatives bzw. relativ positives Potential zugeführt werden und die zwischen ihrer Gate- und ihrer Drainelektrode jeweils eine Steilheit aufweisen, mit einem dritten und einem vierten N- bzw. P-Kanal-Feldeffekttransistor, deren Sourceelektroden ein relativ negatives bzw. relativ positives Potential zugeführt wird und die zwischen ihren Gate- und Drainelektroden jeweils eine Steilheit aufweisen, wobei der erste und

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POSTSCHECK MÖNCHEN NR. 6914B-BOO

BANKKONTO HYPOBANK MONCHCN (BLZ 70 30040) KTO. 6060 B57 378 SWIFT HYPO DE MM

der zweite Transistor als Inverterverstärker geschaltet sind und ihre Gateelektroden an einen ersten Schaltungspunkt und ihre Drainelektroden an einen zweiten Schaltungspunkt angeschlossen sind, dadurch gekennzeichnet, daß der dritte und der vierte Transistor (N4,P4) derart zusammengeschaltet sind, daß ihre Gateelektroden an den ersten Schaltungspunkt (42) und auch ihre Drainelektroden an den ersten Schaltungspunkt (42) angeschlossen sind, daß eine Schaltungseinrichtung (30) zur Zuführung von Stromsignalen an den ersten Schaltungspunkt (42) unter Steuerung durch den ersten Eingangsanschluß (4) zugeführte Signale vorgesehen ist, daß eine Schaltungseinrichtung (10) zur Zuführung von Stromsignalen an den zweiten Schaltungspunkt (22) unter Steuerung durch an den zweiten Eingangsanschluß (2) angelegte Signale vorgesehen ist und daß der zweite Schaltungspunkt (22) über eine Koppelschaltung (50) zur übertragung der Stromsignale an den Ausgangsanschluß (52) angeschlossen ist.
2) Transistorschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste, zweite, dritte und vierte Transistor (N2,P2, N4,P4) derartige Steilheiten haben, daß das Signal am Ausgangsanschluß (52) proportional der Differenz des ersten und zweiten Signals (AT₄,AT₂) ist.
3) Transistorschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungseinrichtung (30) zur Zuführung von Stromsignalen aufgrund der an den ersten Eingangsanschluß (4) angelegten Eingangssignale einen ersten Spannungs/Strom-Wandler enthält, der zwischen den ersten Eingangsanschluß (40) und den ersten Schaltungspunkt (42) zur Zuführung der Stromsignale zum ersten Schaltungspunkt geschaltet ist, und daß die Schaltungseinrichtung (1O) zur Zuführung von Stromsignalen aufgrund von an den zweiten Eingangsanschluß (12) angelegten Signalen einen zweiten Spannungs/-Strom-Wandler enthält, der sswischen den zweiten Eingangsanschluß (2) und den zweiten Schaltungspunkt (22) zur Zuführung von Stromsignalen zum zweiten Schaltungspunkt geschaltet ist.

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4) Transistorschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Spannungs/Strom-Wandler (30,10) enthält jeweils einen fünften und einen sechsten N-Kanal-bzw. P-Kanal-Transistor (N3,P3;N1,P1), deren Sourceelektroden ein relativ negatives bzw. relativ positives Potential (^vnn'^vss^ zugeführt wird und die zwischen ihren jeweiligen Gate- und Drainelektroden jeweils eine Steilheit aufweisen, sowie eine Koppelschaltung zur Zusammenschaltung der Gateelektroden des fünften und sechsten Transistors (N3,P3;N1,P1) und Anschaltung an den ersten bzw. zweiten Eingangsanschluß (4;2) und eine Koppelschaltung zur Zusammenschaltung der Drainelektroden des fünften und sechsten Transistors (N3,P3;N1,P1) und Anschaltung an den ersten bzw. zweiten Schaltungspunkt (4 2; 2 2) .
5) Transistorschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Transistor (N2,P2) und der fünfte und sechste Transistor (N1,P1) des zweiten Spannungs/Strom-Wandlers (10) praktisch dieselben Steilheitscharakteristika haben und daß der dritte und vierte Transistor (N4,P4) und der fünfte und sechste Transistor (N3,P3) des ersten Spannungs/Strom-Wandlers (30) derartige Steilheitscharakteristika haben, daß zwischen dem ersten Eingangsanschluß (4) und dem ersten Schaltungspunkt (42) eine Spannungsverstärkung von praktisch -1 auftritt.
6) Transistorschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der erste, zweite, dritte und vierte Transistor (N2,P2, N4,P4) und der jeweilige fünfte und «echste Transistor (N3,P3; N1,P1) des ersten und des zweiten Spannungs/Strom-Wandlers (30,10) im wesentlichen die gleichen Steilheitscharakteristika aufweisen.
7) Transistorschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Koppelschaltung zur Koppelung der Signale an den Ausgangsanschluß (52) aufweist einen fünften und einen sechsten N-Kanal- bzw. P-Kanal-Transistor (N5,P5) mit jeweils Source-, Drain- und Gateelektroden, deren jeweiligen Sourceelektroden ein relativ negatives bzw. relativ positives Potential (V_gs bzw. V _D) zugeführt

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wird und deren Gateelektroden über eine Koppelschaltung an den zweiten Schaltungspunkt (22) angeschlossen sind, während ihre Drainelektroden über eine Koppelschaltung an den Ausgangsanschluß (52) angeschlossen sind.

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