DE3110800A1 - Bezugsspannungsgenerator fuer a/d- oder d/a-wandler - Google Patents

Bezugsspannungsgenerator fuer a/d- oder d/a-wandler

Info

Publication number
DE3110800A1
DE3110800A1 DE19813110800 DE3110800A DE3110800A1 DE 3110800 A1 DE3110800 A1 DE 3110800A1 DE 19813110800 DE19813110800 DE 19813110800 DE 3110800 A DE3110800 A DE 3110800A DE 3110800 A1 DE3110800 A1 DE 3110800A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
voltage
circuit
resistors
polysilicon
reference voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19813110800
Other languages
English (en)
Other versions
DE3110800C2 (de
Inventor
Yoshiaki Tokyo Kuraishi
Takayoshi Makabe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Publication of DE3110800A1 publication Critical patent/DE3110800A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3110800C2 publication Critical patent/DE3110800C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0605—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits made of compound material, e.g. AIIIBV

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Control Of Voltage And Current In General (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft einen Bezugsspannungsgenerator für Analog/Digital (A/D)- oder Digital/Analog (D/A)-Wandler.
Derartige Wandler werden beispielsweise eingesetzt bei der Konversion von analogen Sprachsignalen (Tonsignalen) in PCM-Signale, sowie bei der Konversion von derartigen PCM-Signalen in die ursprünglichen Analogsignale, etwa bei mit PCM (Pulscodemodulation) arbeitenden Telefonsystemen.
In einem derartigen A/D-Wandler wird ein eingangsseitiges Analogsignal mit mehreren Bezugsspannungen von einem Bezugsspannungsgenerator verglichen, dessen Widerstandsnetzwerk stufenweise mit 2 , 2 , ... 2 gewichtet ist. In einem D/A-Wandler ist ebenfalls ein ähnlicherer Bezugsspannungsgenerator vorgesehen, um Spannungen entsprechend jedem Bit eines eingegebenen digitalen Codewortsignals zu erzeugen. Ein typisches Beispiel eines derartigen Bezugsspannungsgenerators für A/D-Wandler ist in dem Aufsatz " A Single Chip ALL-MOS 8-Bit A/D Converter" von Adib R. Hamade, IEEE Journal of Solid State Circuit^ Bd. Sc 13, Nr. 6,
Dezember 1978, S. 785 bis 791 (Druckschrift 1) beschrieben. Ferner ist eine Anwendung eines derartigen D/A-Wandlers in der US-PS 4 055 773 (Druckschrift 2) beschrieben. Jeder in den Fig. 1 und 3 der Druckschriften 1 und 2 beschriebene Bezugsspannungsgenerator weist eine Spannungsquelle und ein mit dieser verbundenes Widerstandsnetzwerk auf, das stufenweise zur Erzeugung der Bezugsspannungen gewichtet ist. Bei einem derartigen Generator ist jedoch die von der Quelle dem Netzwerk zugeführte Spannung aufgrund von Abweichungen bei der Herstellung der Spannungsquelle nicht konstant. Um
daher die Spannung von der Spannungsquelle konstant zu halten, muß zusätzlich zwischen dem Netzwerk und der Spannungsquelle ein Spannungsabgleichschaltkreis vorgesehen werden.
L - J
130052/0838
Dieser Abgleichschaltkreis ist im allgemeinen gemäß Fig. 1 des Aufsatzes "First monolithic PCM filter cuts cost of the telecomm systems" (Electronic Design, Nr. 8, 12..April 1979 - Druckschrift 3) aufgebaut. Der in der Druckschrift 3 dargestellte Abgleichschaltkreis weist ein Widerstandsnetzwerk mit diffundierten Widerständen, eine aus MOS-Transistoren bestehende Schaltmatrix sowie ein Polysilicium-Sicherungsfeld auf. Um die Genauigkeit des Spannungsabgleichs zu verbessern, wird jedoch der Gesamtaufbau dieses Schaltkreises aufgrund der erheblichen Zunahme der verwendeten Bauelemente kompliziert. Daher wird dieser bekannte Bezugsspannungsgenerator insgesamt relativ groß.
Demgegenüber liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen vereinfachten Bezugsspannungsgenerator geringer Größe herzustellen, der die vorstehenden Nachteile vermeidet.
Diese Aufgabe wird insbesondere durch die Merkmale der Patentansprüche gelöst.
20
Die Erfindung wird nachstehend mit Bezug auf die anliegende Zeichnung näher erläutert, die ein Schaltbild des erfindungsgemäßen Bezugsspannungsgenerators zeigt.
Bei der dargestellten erfindungsgemäßen Ausführungsform ist eine BezugsSpannungsquelle 10 zur Erzeugung einer Spannung vorgesehen. Mit dieser Spannungsquelle 10 ist ein Spannungsabgleichschaltkreis 100 verbunden, der aus in Serie geschalteten Polysiliciumwiderständen 11 bis 15 und Polysiliciumsicherungen (Schmelzsicherungen) 21 bis 25, besteht, die zu den beiden Enden jedes der Widerstände 11 bis 15 parallel geschaltet sind, um die Ausgangsspannung der Spannungsquelle 10 abzugleichen; ferner ist mit dem Spannungsabgleichschaltkreis 100 ein Widerstandsnetzwerk 20 verbunden, der aus Polysiliciumwiderständen 31 bis 35 besteht, und vier Bezugsspannungen aufgrund der Ausgangs-
L. J
130052/0838
spannung des Schaltkreises 100 erzeugt. Die Werte r. bis r der Widerstände 11 bis 15 erfüllen die folgende Beziehung:
r1 ^r2 <r3 <r4 <r5·
Die Spannungsquelle 10 kann etwa gemäß dem Aufsatz "An NMOS Voltage Reference" (Robert A. Blauschild et al., 1978 IEEE International Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers, session III, WAM 3.5, S. 50 - 51, vorgetragen bei der ISSCC in den USA am 15. Februar 1978 Druckschrift 4) aufgebaut sein. Das Netzwerk 20 kann gemäß Fig. 1 der Druckschrift 1 aufgebaut sein. In diesem Fall müssen die Ausgangsanschlüsse 27 bis 30 des Netzwerks
20 mit der Umschaltmatrix gemäß Fig. 1 der Druckschrift 1
verbunden werden.
15
Den Anschlüssen 2 bis 7 und 2' bis 4' des Schaltkreises werden Stromimpulse mit einer Amplitude zugeführt, um die Schmelzsicherungen 21 bis 25 aufzutrennen. Die Widerstände 16 bis 18 mit den Werten R1, bis r.,' werden verwendet, um ··
. '
eine Zerstörung der Widerstände 11 bis 13 mit relativ kleinen Werten r* bis r~ durch die Stromimpulse zum Auftrennen der Sicherungen 21 bis 23 zu verhindern. Derartige zusätzliche Widerstände sind jedoch für die Widerstände 14 und 15 mit relativ großen Werten r. und r. nicht erforderlich, da
diese Widerstände derartige Stroitiimpulse aushalten. Die Werte r^ bis r^ und r., bis r^, der Widerstände 11 bis 15 und 16 bis 18 werden so festgelegt, daß die Widerstandsänderungen 1/32, 2/32, 4/32, 8/32 bzw. 16/32 werden, wenn die Sicherungen 21 bis 25 nacheinander unterbrochen werden.
Wird beispielsweise der Gesamtwiderstandswert (TR-Wert) des Schaltkreises 100 auf R festgelegt, wobei die Sicherungen
21 bis 25 nicht unterbrochen sind, so wird der TR-Wert R. +Ar, wenn man die Sicherung 21 unterbricht, R + 2 (=2)*Δ R bei Unterbrechung der Sicherung 22, ' 2Λ
R1 + 2 *-*R bei Unterbrechung der Sicherung 23 ... und
5-1 4 a
R1 + 2 (=2 )v£\r bei Unterbrechung der Sicherung 25.
L J
130052/0838
~6~ 31ΊΌ800
Beträgt beispielsweise der Widerstandswert r^ für jede Sicherung 21 bis 25, so können die Werte A R und r-\ bis r5 aus den nachstehenden Gleichungen erhalten werden:
rf) + r2//(r-2 + rf) + ^//(r'g + rf)
y/rf -
r, - γ/Λγ^+ rf) = -ΔΚ
r3 '
r, - r.//r,
4 4 f
rc - r //r, = 16 AR (6)
5 i> ι
wobei das Symbol "//" bedeutet, daß der Parallelwiderstand der benachbarten Widerstände berechnet wird
<*.B.:r4//rf
Nachstehend wird die Arbeitsweise der dargestellten Ausführungsform näher erläutert, insbesondere für den Fall, daß die Ausgangsspannung V. der Spannungsquelle 10 geringfügig größer ist als eine gewünschte Spannung V, die an dem Anschluß 9 abgegeben werden soll; die am Anschluß 9 anliegende Spannung ist V , wobei die Sicherungen 21 bis 25 unter der Bedingungen V. ^V *>V2 unterbrochen sind. Die Spannung V am Anschluß 9 kann auf die Spannung V in Schrittweiten von 1/32 (V - V3) abgeglichen werden, indem die Sicherungen 21 bis 25 unterbrochen werden. Beispielsweise wird die Spannung V1 um 3/32 (V1 - V3) erniedrigt, in_dem die Sicherungen 21 und 22 unterbrochen werden.
130052/0838
, Der widerstand 19, die Sicherung 26 und der Anschluß 1, der mit der Spannungsquelle 10 verbunden ist, werden dazu verwendet, um die Ausgangsspannung der Spannungsquelle 10 durch Auftrennen der Sicherung 26 zu erhöhen, wenn die Spannung der Spannungsquelle 10 niedriger ist als die gewünschte Spannung V .Der Spannungsabgleich erfolgt dann in geeigneter Weise durch Unterbrechen der Sicherungen 21 bis 25 in der vorstehend beschriebenen Weise, um die gewünschte Spannung V zu erhalten.
Daher kann die Spannungsabweichung auf die gewünschte Spannung durch den Schaltkreis 100 abgeglichen werden.
Die Verwendung von Polysiliciumwiderständen bei dem Netzte werk 20 und dem Schaltkreis 100 ermöglicht die Herstellung dieser Schaltkreise in einem Produktionsschritt, so daß die Gesamtschrittzahl bei der Herstellung des erfindungsgemäßen Bezugsspannungsgenerators vermindert ist. Die Verwendung von Polysiliciumwiderständen ermöglicht ferner die Abgabe 2Q von konstanten Bezugsspannungen vom Netzwerk 20 unabhängig von der Umgebungstemperatur, da jeder der in den Schaltkreisen 20 und 100 verwendete Widerstand den gleichen Temperaturkoeffizienten aufweist.
Der erfindungsgemäße Generator kann bei dem in Fig. 3 der Druckschrift 2 dargestellten D/A-Wandler verwendet werden.
Unter Sicherung soll hier ganz allgemein ein elektrisch leitendes Verbindungsstück ( i.d.R. mit einem Widerstandswert) verstanden werden, das etwa durch einen bestimmten Strom (Schmelzsicherung) durchgeschmolzen werden kann. Diese Sicherungen dienen als auftrennbare Spannungswählverbindungen.
L . J
130052/0838
■<p-
Leerseite

Claims (2)

  1. VOSSIUS · VOSS! US -TAUCH NER- HEUNEMANN · RAUH
    PATENTANWÄLTE
    SI6ÖERTSTRASSE 4. · SOOO MÜNCHEN 86 · PHONE: (O89) 47 4O75 CABLE: BENZOLPATENT MÖNCHEN -TE LEX 5-29 4-53 VOPAT D
    u.Z.: R 060 (He/kä) 19- März 1981
    NIPPON ELECTRIC COMPANY, LIMITED
    Tokio, Japan
    " Bezugsspannungsgenerator für A/D- oder D/A-Wandler
    Patentansprüche
    Bezugsspannungsgenerator für A/D- oder D/A-Wandler, gekennzeichnet durch
    a) eine Spannungsquelle (10),
    b) einen mit der Spannungsquelle (10) verbundenen Spannungsabgleiohschaltkreis (100) bestehend aus N(N > 1) in Serie geschalteten Polysiliciumwiderständen (11 bis 15) und N zu den beiden Enden der N Widerstände (11 bis 15) parallel geschalteten Polysiliciumsicherungen (21 bis 25) zum Abgleichen der Ausgangsspannung und durch
    c) ein Widerstandsnetzwerk (20), das mit dem Spannungsabgleichschaltkreis (100) verbunden ist und aus M (M >1) Polysiliciumwiderständen (31 bis 35) besteht, um (M - 1) Be zugs spannungen aufgrund dex· Ausgangs spannung des Abgleichschaltkreises (100) zu erzeugen.
  2. 2. Bezugsspannungsgenerator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Werte der N Widerstände (11 bis 15) des Abgleichschaltkreises (100) so festgelegt sind, daß
    L -I
    130052/0838
    Γ - 2 -
    311080Ϊ)
    dessen Gesamtwiderstand den Wert R + 2 * ΔR annimmt, wenn die 1-te (1 - N) Polysiliciumsicherung des Abgleichschaltkreises (100) unterbrochen ist, wobei R = Gesamtwiderstandswert des Abgleichschaltkreises, bei dem alle Polysiliciumsicherungen(21 bis 25) verbunden sind, und
    A R»Widerstandsänderung des Abgleichschaltkreises (100) bei Unterbrechung der ersten Sicherung.
    L 130052/0838 J
DE3110800A 1980-03-21 1981-03-19 Bezugsspannungsgenerator für A/D- oder D/A-Wandler Expired DE3110800C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3647480A JPS56132815A (en) 1980-03-21 1980-03-21 Reference step voltage generating circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3110800A1 true DE3110800A1 (de) 1981-12-24
DE3110800C2 DE3110800C2 (de) 1986-05-15

Family

ID=12470805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3110800A Expired DE3110800C2 (de) 1980-03-21 1981-03-19 Bezugsspannungsgenerator für A/D- oder D/A-Wandler

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4364006A (de)
JP (1) JPS56132815A (de)
CA (1) CA1164536A (de)
DE (1) DE3110800C2 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0130716A2 (de) * 1983-06-29 1985-01-09 Fujitsu Limited Integrierte Signalverarbeitungsschaltung mit AD- oder DA-Umsetzer
DE3405438A1 (de) 1984-02-15 1985-08-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Integrierbarer analog/digitalwandler
EP0599072A2 (de) * 1992-11-20 1994-06-01 Siemens Aktiengesellschaft Integrierbare Schaltungsanordnung zum Abgleich eines Steuersignals
EP0709968A1 (de) * 1994-10-26 1996-05-01 AT&T Corp. Verringung der Zahl der erforderlichen Abgleichverbindungen auf mehrkanaligen analogen integrierten Schaltungen

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS615626A (ja) * 1984-06-20 1986-01-11 Nec Corp 半導体集積回路
US4549165A (en) * 1984-06-22 1985-10-22 Rockwell International Corporation Dynamic voltage reference apparatus for A/D converters
US4647906A (en) * 1985-06-28 1987-03-03 Burr-Brown Corporation Low cost digital-to-analog converter with high precision feedback resistor and output amplifier
JPH0732364B2 (ja) * 1986-03-28 1995-04-10 富士通株式会社 デジタルアナログ変換器
JPS62249529A (ja) * 1986-04-22 1987-10-30 Nec Corp 基準電圧発生回路
US4680568A (en) * 1986-04-29 1987-07-14 Amp Incorporated Electrical component having fuse element, and method of using same
JPH01199404A (ja) * 1988-02-04 1989-08-10 Toshiba Corp トリミング抵抗回路網
US5191279A (en) * 1990-03-15 1993-03-02 Ixys Corporation Current limiting method and apparatus
JP2601933B2 (ja) * 1990-04-13 1997-04-23 株式会社東芝 固体撮像装置
JP2567154B2 (ja) * 1991-02-22 1996-12-25 株式会社東芝 電圧分割回路
US5291121A (en) * 1991-09-12 1994-03-01 Texas Instruments Incorporated Rail splitting virtual ground generator for single supply systems
US5280235A (en) * 1991-09-12 1994-01-18 Texas Instruments Incorporated Fixed voltage virtual ground generator for single supply analog systems
US5175490A (en) * 1992-04-03 1992-12-29 Hewlett Packard Company Reference voltage source
US5353028A (en) * 1992-05-14 1994-10-04 Texas Instruments Incorporated Differential fuse circuit and method utilized in an analog to digital converter
US5691750A (en) * 1992-11-24 1997-11-25 Lexmark International, Inc. Ink level sensing for disposable ink jet print head cartridges
US5442225A (en) * 1993-08-13 1995-08-15 Lsi Logic Corporation Integrated circuit having interconnects with ringing suppressing elements
DE4333065A1 (de) * 1993-09-29 1995-03-30 Bosch Gmbh Robert Elektronische Schaltung
FR2714761B1 (fr) * 1993-12-31 1996-03-15 Ela Medical Sa Procédé de configuration d'un dispositif implantable actif par ajustage de paramètres.
EP0780851B1 (de) * 1995-12-20 2003-06-11 International Business Machines Corporation Halbleiter IC chip mit elektrisch verstellbaren Widerstandstrukturen
JP3223844B2 (ja) * 1997-06-27 2001-10-29 日本電気株式会社 基準電圧発生装置
KR100300071B1 (ko) * 1999-05-25 2001-09-28 김영환 기준 전압 발생 회로
US6612737B1 (en) * 1999-12-29 2003-09-02 Affymetrix, Inc. System and method for self-calibrating measurement
WO2003016062A1 (en) * 2001-08-17 2003-02-27 Geotec Inc. Device for refilling ink catridge
JP3661650B2 (ja) * 2002-02-08 2005-06-15 セイコーエプソン株式会社 基準電圧発生回路、表示駆動回路及び表示装置
KR100475736B1 (ko) * 2002-08-09 2005-03-10 삼성전자주식회사 고속 테스트에 적합한 편이온도 검출회로를 갖는온도감지기 및 편이온도 검출방법
JP2006332175A (ja) * 2005-05-24 2006-12-07 Freescale Semiconductor Inc トリミング回路及び電子回路
US8476876B2 (en) * 2010-07-27 2013-07-02 Ta-I LIU Voltage-modulated circuit device to form electric power with stepped-down voltage

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1248145B (de) * 1964-04-23 1967-08-24 Sawod Elektroismeritelnych Pri Spannungsteiler aus aufgedruckten Widerstaenden
US3441804A (en) * 1966-05-02 1969-04-29 Hughes Aircraft Co Thin-film resistors
DE1490547B2 (de) * 1964-04-08 1971-01-07 Gedruckte Schaltung mit hinterein andergeschalteten elektrischen Widerstan
DE2256688B2 (de) * 1972-11-18 1976-05-06 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum auftrennen von leiterbahnen auf integrierten schaltkreisen
US4020486A (en) * 1975-04-18 1977-04-26 Analog Devices, Inc. Solid state digital-to-analog converter
US4150366A (en) * 1976-09-01 1979-04-17 Motorola, Inc. Trim network for monolithic circuits and use in trimming a d/a converter

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4016483A (en) * 1974-06-27 1977-04-05 Rudin Marvin B Microminiature integrated circuit impedance device including weighted elements and contactless switching means for fixing the impedance at a preselected value
US4055773A (en) * 1975-12-22 1977-10-25 Precision Monolithics, Inc. Multistage electrical ladder for decrementing a signal into a plurality of weighted signals
JPS5295154A (en) * 1976-02-06 1977-08-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Integrated impedance circuit
US4201970A (en) * 1978-08-07 1980-05-06 Rca Corporation Method and apparatus for trimming resistors

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1490547B2 (de) * 1964-04-08 1971-01-07 Gedruckte Schaltung mit hinterein andergeschalteten elektrischen Widerstan
DE1248145B (de) * 1964-04-23 1967-08-24 Sawod Elektroismeritelnych Pri Spannungsteiler aus aufgedruckten Widerstaenden
US3441804A (en) * 1966-05-02 1969-04-29 Hughes Aircraft Co Thin-film resistors
DE2256688B2 (de) * 1972-11-18 1976-05-06 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum auftrennen von leiterbahnen auf integrierten schaltkreisen
US4020486A (en) * 1975-04-18 1977-04-26 Analog Devices, Inc. Solid state digital-to-analog converter
US4150366A (en) * 1976-09-01 1979-04-17 Motorola, Inc. Trim network for monolithic circuits and use in trimming a d/a converter

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DE-Z.: Radio Mentor Electronic, 44(1978), Nr.8, S.311-313 *
US-Z.: Electronic Design, 1979, Nr.8, S.130-135 *
US-Z.: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol.SC-13, 1978, S.785-791 *
US-Z.:1978 IEEE International Solid-State CircuitsConference, Digest of Technical Papers, S.50-51 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0130716A2 (de) * 1983-06-29 1985-01-09 Fujitsu Limited Integrierte Signalverarbeitungsschaltung mit AD- oder DA-Umsetzer
EP0130716A3 (de) * 1983-06-29 1988-05-25 Fujitsu Limited Integrierte Signalverarbeitungsschaltung mit AD- oder DA-Umsetzer
DE3405438A1 (de) 1984-02-15 1985-08-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Integrierbarer analog/digitalwandler
EP0599072A2 (de) * 1992-11-20 1994-06-01 Siemens Aktiengesellschaft Integrierbare Schaltungsanordnung zum Abgleich eines Steuersignals
EP0599072A3 (en) * 1992-11-20 1994-06-22 Siemens Ag Integratable circuit arrangement for calibrating a control signal.
EP0709968A1 (de) * 1994-10-26 1996-05-01 AT&T Corp. Verringung der Zahl der erforderlichen Abgleichverbindungen auf mehrkanaligen analogen integrierten Schaltungen
US5596322A (en) * 1994-10-26 1997-01-21 Lucent Technologies Inc. Reducing the number of trim links needed on multi-channel analog integrated circuits

Also Published As

Publication number Publication date
CA1164536A (en) 1984-03-27
DE3110800C2 (de) 1986-05-15
JPS56132815A (en) 1981-10-17
US4364006A (en) 1982-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3110800A1 (de) Bezugsspannungsgenerator fuer a/d- oder d/a-wandler
DE3613895A1 (de) Digital/analog-umsetzer mit hoher ausgangs-compliance
DE2706681A1 (de) Schutzeinrichtung fuer niederspannungsleitungen, insbesondere fuer fernsprechnetze
DE19755082A1 (de) Blitzstromtragfähige Funkenstrecke
DE1537966A1 (de) Digital-Analog-Umwandler
DE3784771T2 (de) Gleichstrom-spannungswandler mit ueberlastschutz.
DE3340927A1 (de) Schaltungsanordnung zur ableitung von ueberspannungen
DE3215551C2 (de)
DE2217523A1 (de) Schutzschaltung fur Lautsprecher
DE1265315B (de) Kettenleiterverzoegerungsanordnung
DE3019835C2 (de) Übertragerfreie Gabelschaltung
DE3237681C2 (de) Speiseschaltung für einen veränderlichen Verbraucherwiderstand und mit unterschiedlich wirkendem Ausgangswiderstand
DE2905116C2 (de)
DE1948726C3 (de) Digital-Analog-Umsetzer für PCM-Systeme
DE3043906A1 (de) Schaltungsanordnung zur ueberwachung und speisung von teilnehmeranschlussleitungen in fernsprechanlagen
EP0169584A1 (de) Schaltungsanordnung zur elektrischen Speisung von Einrichtungen in einem Fernsprechapparat
EP0443117B1 (de) Analoge Leitungsanschaltung
DE3722286C2 (de)
DE2834894A1 (de) Elektronische sicherung
DE60221831T2 (de) Vorrichtung zur erkennung eines schleifenschluszustands einer telefonleitung
DE2952259A1 (de) Zweidraht-vierdraht-fernmeldeleitungsschaltung
DE3436903C2 (de)
EP0835014A2 (de) Teilnehmeranschlussschaltung für den Anschluss einer analogen Teilnehmerleitung an eine digitale Zeitmultiplex-Fernsprechvermittlungsstelle
DE3520708C2 (de)
DE3125105A1 (de) Speiseschaltung in einem fernsprechapparat

Legal Events

Date Code Title Description
OR8 Request for search as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8105 Search report available
8110 Request for examination paragraph 44
8126 Change of the secondary classification

Ipc: H01C 1/16

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: VOSSIUS, V., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT. TAUCHNER, P., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT. HEUNEMANN, D., DIPL.-PHYS. DR.RER.NAT. RAUH, P., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT., PAT.-ANWAELTE, 8000 MUENCHEN

8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: TAUCHNER, P., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT. HEUNEMANN, D., DIPL.-PHYS. DR.RER.NAT. RAUH, P., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT., PAT.-ANWAELTE, 8000 MUENCHEN